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semiconductor arrayの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1659件
To provide a method by which a write-in time for a cell array of a DRAM which comprises a semiconductor memory, especially, word lines and bit lines and in which a cell of a cell array is decided at an intersection point of these lines can be largely and surely shortened more than conventional one.例文帳に追加
半導体メモリー、特に、ワード線およびビット線を含み、これらの線の交差点でセルアレイのセルが確定されるDRAMのセルアレイへの書き込み時間が、確実に、従来よりも大幅に節約される方法を提供する。 - 特許庁
To provide a general-purpose logic cell which can develop a semiconductor device, wherein a logic circuit designed by a user is integrated, within a short period and at a low cost, a general purpose logic cell array using it, and an ASIC using this general-purpose logic cell array.例文帳に追加
ユーザが設計した論理回路が組み込まれた半導体装置を短期間且つ低コストで開発できる汎用ロジックセル、これを用いた汎用ロジックセルアレイ及びこの汎用ロジックセルアレイを用いたASICを提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an array type semiconductor laser device that improves a process for joining metal in a laser array and a base efficiently, and can solve a short-circuiting problem by a metal junction substance fused in the junction.例文帳に追加
レーザーアレイとベースの金属接合工程を効率的に改善し、さらには接合の際の溶融された金属接合物質によるショート問題を解決することができるアレイ型半導体レーザー装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
The memory cell array of the semiconductor memory device includes a plurality of first memory cells MC each having a structure sandwiching a dielectric material between two electrodes and arranged in an array form, and is divided into a plurality of specifiable areas.例文帳に追加
本発明の半導体記憶装置のメモリセルアレイには、誘電体材料を2つの電極で挟んだ構造をそれぞれ有する複数の第1メモリセルMCがアレイ状に配置され、指定可能な複数の領域に区分されている。 - 特許庁
The trimming table including all address modes for the first line of a replaced regular cell array and the blower mode of a fuse array corresponding to their address mode is created, and the trimming of the semiconductor device is carried by the trimming table.例文帳に追加
置き換えられる正規のセルアレイの第1ラインに対するすべてのアドレスモードと、それぞれのアドレスモードに対応するヒューズアレイのブロアモードを含むトリミングテーブルが作成され、このトリミングテーブルを用いて半導体装置のトリミングが行なわれる。 - 特許庁
In layout structure of the semiconductor memory apparatus 100, a memory cell array 1 is held between the input buffer circuit 5 and the output buffer circuit 6 and the bypass line passes through the memory cell array 1, in a flat view.例文帳に追加
半導体記憶装置100のレイアウト構造では、平面視上、メモリセルアレイ1は入力バッファ回路5と出力バッファ回路6とに挟まれて配置されており、バイパス線はメモリセルアレイ1間を通って配置されている。 - 特許庁
The semiconductor storage device comprises a row decoder, a first cell array arranged in one side of the row decoder, a second cell array arranged in the other side of the row decoder, word lines arranged on the row decoder corresponding to the predetermined row address of the first cell array, and a wiring layer for terminating the word lines corresponding to the predetermined row address of the second cell array.例文帳に追加
半導体記憶装置は、行デコーダ部と、前記行デコーダ部の一方に配置された第1のセルアレイと、前記行デコーダ部の他方に配置された第2のセルアレイと、前記行デコーダ部上に配置され、前記第1のセルアレイの所定の行アドレスに対応するワード線と前記第2のセルアレイの前記所定の行アドレスに対応するワード線を短絡する配線層とを有する。 - 特許庁
This device is an optical parallel transmitting receiver containing a photodetector array 3f arranging plural photodetectors in an array state on the same semiconductor substrate and a preamplifier IC 3g integrating plural receiving circuits, and the photodetector array 3f is a back incident type photodetector, and the photodetector array 3f is flip chip mounted on the upper surface of the preamplifier IC 3g.例文帳に追加
複数の受光素子を同一半導体基板上にアレイ状に配列させた受光素子アレイ(3f)と、複数の受信回路を集積化したプリアンプIC(3g)とを含む光並列伝送用受信器であって、受光素子アレイ(3f)が裏面入射型受光素子であって、受光素子アレイ(3f)がプリアンプIC(3g)の上面にフリップチップ実装されていることを特徴とする。 - 特許庁
In the semiconductor integrated circuit, each of transistors comprising a unit block 10 at the outer most periphery of an array is provided with a transistor size in response to the STI stress.例文帳に追加
アレイ最外周の単位ブロック10の所定のトランジスタそれぞれが、STIの応力に応じたトランジスタサイズを有することを特徴とする。 - 特許庁
Memory cells of a NAND-type flash memory are arranged into a matrix in a line and column directions in a memory array region of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加
半導体基板1のメモリアレイ領域には、NAND型フラッシュメモリのメモリセルが行方向および列方向に沿ってマトリクス状に配置されている。 - 特許庁
In a semiconductor device 1, a memory cell array 20 is divided into four blocks, that is, a block (0) 22A, a block (1) 22B, a block (2) 22C and a block (3) 22 D.例文帳に追加
半導体装置1は、メモリセルアレイ20が四つのブロック、すなわち、ブロック(0)22A、ブロック(1)22B、ブロック(2)22C、ブロック(3)22Dに分割されている。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory which comprises a memory cell array comprised of sidewall type memory cells, and is capable of block erasure equal with a flash memory.例文帳に追加
サイドウォール型メモリセルで構成されたメモリセルアレイを備え、且つ、フラッシュメモリと同等にブロック消去が可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To connect a silicon substrate and solder balls through conductive connection without effecting the bonding process when manufacturing a semiconductor device called as a BGA(ball grid array), for example.例文帳に追加
例えばBGAと呼ばれる半導体装置の製造に際し、シリコン基板と半田ボールとをボンディング工程を経ることなく導電接続する。 - 特許庁
To provide a light-emitting device array capable of miniaturizing a semiconductor substrate in the arrangement direction of the light-emitting device and increasing the density of the light-emitting devices.例文帳に追加
発光素子の配列方向における半導体基板の小型化が可能であるとともに、発光素子の高密度化が可能な発光素子アレイを提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device achieving a large storage capacity of a memory array formed by disposing dynamic type memory cells in a matrix shape and improvement of its refreshment characteristics.例文帳に追加
ダイナミック型メモリセルがマトリックス配置されてなるメモリアレイの大記憶容量化と、そのリフレッシュ特性の改善を図った半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a ball grid array package wherein an interval between a semiconductor chip and a substrate is maintained to be constant, and a conductive ball is easily manufactured in a hour glass type.例文帳に追加
半導体チップと基板との間の間隔が一定に維持され、導電性ボールをアウアガラスタイプに容易に製作できるボールグリッドアレイパッケージを提供する。 - 特許庁
SURFACE LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR ARRAY ELEMENT, MODULE, LIGHT SOURCE APPARATUS, INFORMATION PROCESSING APPARATUS, OPTICAL TRANSMITTER, OPTICAL SPACE TRANSMITTER, AND OPTICAL TRANSMISSION SYSTEM例文帳に追加
表面発光型半導体アレイ素子、モジュール、光源装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置、および光空間伝送システム - 特許庁
To provide a semiconductor laser array, capable of reducing thermal interference between adjacent device parts by suppressing carrier leakage from an active region to clad layers.例文帳に追加
活性領域からクラッド層へのキャリアリークを抑制し、隣接した素子部間の熱干渉を低減することの可能な半導体レーザアレイを提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device capable of achieving a reduced circuit scale and improving characteristics, by reducing parasitic capacity of a memory cell array.例文帳に追加
メモリセルアレイの寄生容量を低減して、回路規模の縮小や特性の向上を実現することが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
In a semiconductor device 1, a memory cell array is divided into a block (0) 22A, a block (1) 22B, a block (2) 22C and a block (3) 22D.例文帳に追加
半導体装置1は、メモリセルアレイ20が四つのブロック、すなわち、ブロック(0)22A、ブロック(1)22B、ブロック(2)22C、ブロック(3)22Dに分割されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device which allows improvement in area efficiency by constituting an end memory mat in compact size, in array structure of an open bit line system.例文帳に追加
オープンビット線方式のアレイ構成において端メモリマットを小型のサイズで構成し面積効率の向上が可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To reduce the cost of a BGA (Ball Grid Array) type semiconductor device having ball-like conductive terminals and, at the same time, to improve the reliability of the device.例文帳に追加
ボール状の導電端子を有するBGA(Ball Grid Array)型の半導体装置の低コスト化及び信頼性向上を図る。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory in which batch read/ write can be carried out without replacing a defective memory cell by a redundant cell array.例文帳に追加
欠陥メモリセルを冗長セルアレイにより置き換えなくとも一括書き込み/消去試験を可能とした不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device in which read and write operation can be performed by access of only one time, even when data of bit width toward a memory cell array are read and writen from an address on a middle way.例文帳に追加
途中のアドレスからメモリセルアレイの行方向のビット幅分のデータを読み書きする場合でも、1回のアクセスでよい半導体記憶装置を得る。 - 特許庁
To provide a structure in which the connecting section between a power supply line and a semiconductor element hardly becomes opened in a self-scanning light emitting element array.例文帳に追加
自己走査型発光素子アレイにおいて、電源ラインと半導体素子とを接続させる接続部分について開放状態となりにくい構造を提供する。 - 特許庁
The nonvolatile semiconductor memory device has a memory cell array including a plurality of memory cells constituted of diodes and resistance-change elements arranged in rows and columns.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置は、ダイオードと抵抗変化素子により構成された複数のメモリセルが行及び列に配置されたメモリセルアレイを有している。 - 特許庁
The light emitting element array includes a plurality of anode traces 35, a plurality of cathode traces 37, and a plurality of LEDs 31 each comprising a thin-film semiconductor.例文帳に追加
発光素子アレイは、複数のアノード配線35と、複数のカソード配線37と、薄膜半導体からなる複数のLED31とを有している。 - 特許庁
The nonvolatile semiconductor memory device is equipped with: a memory cell array MA configured by arraying memory cells MC; word lines WL; bit lines BL, and a control circuit 3.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルMCを配列してなるメモリセルアレイMAと、ワード線WLと、ビット線BLと、制御回路3とを備える。 - 特許庁
Heat emission in operation is efficiently carried out as compared with the case in which a stress relaxing material is interposed between the heat sink 10 and the semiconductor laser array 11.例文帳に追加
ヒートシンク10と半導体レーザアレイ11との間に応力緩和材などを介在させる場合に比べ、動作時における排熱が効率的に行われる。 - 特許庁
Semiconductor lasers 100 to 104 positioning furthermore outside arranged in an array form have their electrode stripes 5a located furthermore outside.例文帳に追加
このアレイ状に配列された半導体レーザ100〜104のうちの外側に位置するものほど、その電極ストライプ5aを外側に偏倚して設けるようにした。 - 特許庁
To provide a non-volatile semiconductor memory provided with a constitution by which a leak current is prevented in a virtual grounding memory array.例文帳に追加
本発明は、仮想接地メモリアレイにおいてリーク電流を防ぐ構成を備えた不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor storage device that can further reduce a layout area of the whole memory array by reducing a layout area of a feed cell.例文帳に追加
給電セルのレイアウト面積を縮小することによりメモリアレイ全体のレイアウト面積をさらに縮小することが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To evaluate the reliability of electrical connection of an LGA (land grid array) socket for connecting a semiconductor package to a circuit substrate via conductive terminals having creep characteristics.例文帳に追加
クリープ特性を有する導電性端子を介して半導体パッケージと回路基板とを接続するLGAソケットの電気的接続の信頼性を評価する。 - 特許庁
To provide a non-volatile semiconductor memory device wherein enlargement of an area of a memory cell array is suppressed while reliability of a memory cell transistor is maintained.例文帳に追加
メモリセルトランジスタの信頼性を維持しつつ、メモリセルアレイの面積の増大を抑制することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which can generate a plurality of memories constituted of arbitrary word bits from a single memory cell array by only modifying a wiring layer.例文帳に追加
配線層のみの変更によって、1つのメモリセルアレイから任意のワード・ビット構成の複数のメモリを生成することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁
To optimize the internal data readout timing by varying the electric potential of a dummy bit line at a high speed, independently of the structure of a memory cell array, in a semiconductor storage device.例文帳に追加
半導体記憶装置において、メモリセルアレイ構成にかかわらず、高速でダミービット線の電位を変化させて、内部データ読出タイミングを最適化する。 - 特許庁
A semiconductor memory device includes a memory cell array in which memory cells are arranged in a matrix and a reference resistance circuit that generates a reference resistance value.例文帳に追加
半導体記憶装置は、メモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、参照抵抗値を生成する参照抵抗回路とを備えている。 - 特許庁
To provide a light source device in which lead pins inserted simultaneously into mounting holes of a circuit board do not form an array that covers a plurality of semiconductor lasers.例文帳に追加
回路基板の取り付け孔に一度に挿入するリードピンが、複数個の半導体レーザーにわたらないようにした光源装置を提供する。 - 特許庁
To secure stability of refresh-operation in a semiconductor memory device provided with a memory cell array including a plurality of memory cells arranged in a matrix state.例文帳に追加
行列状に配置される複数のメモリセルを含むメモリセルアレイを備える半導体記憶装置において、リフレッシュ動作の安定性を確保する。 - 特許庁
The semiconductor memory device is provided with a memory array including memory cells (10, 10A-10H) arranged in rows and columns; and a sense amplifier circuit (26).例文帳に追加
本発明の半導体記憶装置は、行列に並べられたメモリセル(10、10A〜10H)を備えるメモリセルアレイと、センスアンプ回路(26)とを具備する。 - 特許庁
To obtain an apparatus and a method for easily removing a BGA/CSP (ball grid array/chip size package) semiconductor package from a printed wiring board.例文帳に追加
本発明は、プリント配線基板のBGA/CSPタイプ半導体パッケージを容易に取り外すことのできる装置および取り外し方法を提供する。 - 特許庁
This semiconductor memory 5 has an interface 10, a memory cell array 11, a YUV-RGB conversion circuit 121, an α blend circuit 122 and a control circuit 124.例文帳に追加
半導体メモリ5は、インタフェース10、メモリセルアレイ11、YUV−RGB変換回路121、αブレンド回路122および制御回路124を有する。 - 特許庁
An LED array 100 comprises a high-resistance substrate 102, a semiconductor layer 104 and a contact layer 105 formed epitaxially on this layer 104.例文帳に追加
LEDアレイ100は,高抵抗基板102と半導体層104と半導体層104上にエピタキシャルに形成されたコンタクト層105とを備えている。 - 特許庁
A plurality of memory cell array regions 3 are arranged on a semiconductor substrate of a DRAM in matrix respectively apart in a line-column direction.例文帳に追加
DRAMにおいて、複数のメモリセルアレイ領域3は、半導体基板上に、行方向と列方向とにそれぞれ間隔を隔ててマトリックス状に配置される。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device for which the timing control can be facilitated and a layout size is reduced by arranging a word line drivers at one side of a memory cell array.例文帳に追加
メモリセルアレイの片側にワード線ドライバを配置して、タイミング制御を容易にし、また、レイアウトサイズを小さくする半導体記憶装置を提供するものである。 - 特許庁
To provide a semiconductor device, reducing a test time for outputting a result of comparing a data pattern for testing with a data read out from a memory cell array.例文帳に追加
テスト用のデータパターンとメモリセルアレイから読み出したデータとの比較結果を出力するテスト時間を短縮する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a technique permitting mounting without improper electrical connection even in the case when the warp of a package is caused, and the visual inspection of the mounting of a ball grid array semiconductor device.例文帳に追加
パッケージの反りが生じても電気的接続不良のない実装及びBGA半導体装置の実装外観検査が可能な技術を提供する。 - 特許庁
Photosensors 104 are arranged in matrix on a semiconductor substrate 106 and a vertical charge transfer register 4 is extended for each array of photosensors.例文帳に追加
半導体基板106上に光センサー104がマトリクス状に配列され光センサーの列ごとに垂直電荷転送レジスター4が延設されている。 - 特許庁
To provide a BGA (Ball Grid Array) semiconductor device quipped with ball-shaped conductive terminals at a lower cost, which is improved in reliability.例文帳に追加
ボール状の導電端子を有するBGA(Ball Grid Array)型の半導体装置の低コスト化及び信頼性向上を図る。 - 特許庁
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