「semiconductor problem」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device with excellent electric characteristics by solving the problem in which: hydrogen existing in an oxide semiconductor of a transistor leads to a defect in electric characteristic of the transistor.例文帳に追加

酸化物半導体を用いるトランジスタにおいては、酸化物半導体内に水素が存在することでトランジスタの電気特性不良に繋がる。 - 特許庁

To solve the problem that etching solution enters between an element separation area and a semiconductor substrate to produce a gap when a semiconductor layer is removed by wet etching.例文帳に追加

ウェットエッチングにより半導体層を除去する際、素子分離領域と半導体基板との間にエッチング溶液が入り込み、空隙が生じる。 - 特許庁

To provide a method for designing power wiring for resolving the problem of supply voltage reduction in a semiconductor integrated circuit, which arises as finely divided processes are accelerated in manufacturing a semiconductor.例文帳に追加

半導体製造プロセスの微細化に伴う半導体集積回路の電源電圧降下の問題を解決する電源配線設計方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing method which is capable of solving the problem wherein lattice mismatching occurs between an Si substrate and an epitaxially grown semiconductor material.例文帳に追加

Ｓｉ基板と、エピタキシャル成長させる材質との間の格子不整合の問題を解消することができる半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve such a problem that a conventional manufacturing method for a semiconductor device cannot reduce damage caused by imprints performed to the semiconductor device, while suppressing the deterioration of the imprints.例文帳に追加

従来の半導体装置の製造方法では、捺印の劣化を抑制しつつ、捺印による半導体装置へのダメージを低減することができない。 - 特許庁

In order to solve a problem of a contact open area and a problem of a semiconductor substrate damage occurring at the time of linking the polysilicon layer for plug with the semiconductor substrate, the element isolation film and the gate line are formed after forming the polysilicon layer for plug on the semiconductor substrate.例文帳に追加

プラグ用ポリシリコン層と半導体基板を連結するとき発生するコンタクトオープン面積の問題と半導体基板損傷の問題を解決するため、半導体基板上にプラグ用ポリシリコン層を形成したあと素子分離膜とゲートラインを形成する。 - 特許庁

To provide: a semiconductor device which does not involve a problem such as a particle or scratch problem in a step of forming a semiconductor circuit on an SOI wafer and also recognizes and manages the SOI wafer on the basis of a wafer ID in the subsequent steps; and also a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ＳＯＩウェハ上に半導体回路を形成する工程でパーティクル及びスクラッチなどの問題が生じず、且つ後工程においてウェハＩＤによってＳＯＩウェハの認識、管理ができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a semiconductor device, which can prevent such a problem that operation of the manufacturing apparatus is interrupted and a problem that the semiconductor device falls in a mold and is broken as a result of the semiconductor device being lifted while being attached to a punch guide.例文帳に追加

半導体装置がパンチガイドに付着したまま持ち上がることを原因とする、製造装置の稼働が中断すること、金型内に落下して破損してしまうこと、といった問題を防ぐことができる半導体装置の製造装置を提供する。 - 特許庁

This loop structure solves such a problem that the higher a layer of the semiconductor chip is, the lower a voltage is.例文帳に追加

このようなループ構造により、上層の半導体チップほど電圧が低下するという問題が解消される。 - 特許庁

To provide a structure of a semiconductor barrier crystal grain boundary capacitor where a problem of contamination can be resolved and its manufacturing method.例文帳に追加

汚染問題を解決できる半導体バリア結晶粒界コンデンサーの構造と製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that a task is not adequately managed in a semiconductor integrated circuit which can adjust an operating frequency.例文帳に追加

動作周波数を調整可能な半導体集積回路におけるタスクの管理が適切に行われていない。 - 特許庁

To provide a method of forming a three-dimensional stacked semiconductor device which solves a problem related to thermal budget.例文帳に追加

サーマルバジェットに関する問題を解決し、三次元の積層半導体素子を作成する方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that the leakage current of a nitride-based compound semiconductor element having a multilayered buffer region becomes larger.例文帳に追加

多層構造のバッファ領域を有する窒化物系化合物半導体素子の漏れ電流が大きくなる。 - 特許庁

To solve the problem that a process is complex, a yield is low, and cost is high in the conventional manufacturing method of a semiconductor ring laser.例文帳に追加

従来の半導体リングレーザーの製造方法では、工程が複雑で、歩留りが低く、コストが高い。 - 特許庁

To solve the problem that a process is complex, a yield is low, and costs are high in the conventional manufacturing method of a semiconductor ring laser.例文帳に追加

従来の半導体リングレーザーの製造方法では、工程が複雑で、歩留りが低く、コストが高くなる。 - 特許庁

To prevent interfacial release upon division or a tape-paste picking-up problem by easily chamfering a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置に容易にＣ面取りを行い、分割時の界面剥離やテープの糊巻き上げの問題を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of solving a problem of lack of exposure of a resit applied on a concave portion.例文帳に追加

凹部に塗布されたレジストの露光不足を解消できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composite film that can be suitably used in a process for producing semiconductor products with no environmental problem.例文帳に追加

環境問題の生じない、半導体製造工程に好適に使用される複合フィルムを提供すること。 - 特許庁

To solve the problem wherein a multilayered wiring structure is hardly provided to a semiconductor device, and an insulating resin sheet is markedly warped in a manufacturing process of the semiconductor device which is composed of a support board of a flexible sheet with a conductive pattern and a semiconductor element mounted on the support board and all sealed up with resin.例文帳に追加

従来、導電パターンを持ったフレキシブルシートを支持基板として採用し、この上に半導体素子を実装し、全体をモールドした半導体装置が開発されている。 - 特許庁

To solve such a problem of a semiconductor inspection system that power cannot be supplied stably to each main circuit part of a semiconductor when power is supplied to a plurality of main circuit parts of the semiconductor from a single power supply.例文帳に追加

半導体検査システムにおいて、単一の電源から複数の半導体主回路部に電源を供給する場合、各半導体主回路部に安定した電源を供給することができない。 - 特許庁

To solve the problem that a semiconductor device including a semiconductor chip having a plurality of functional blocks can not obtain a sufficient communication speed since communication between each of the functional blocks and another semiconductor chip is not efficiently made.例文帳に追加

複数の機能ブロックを有する半導体チップを含む半導体装置において、それぞれの機能ブロックと他の半導体チップとの通信が非効率的なため、通信速度が十分に得られない。 - 特許庁

To solve the problem wherein a multilayered wiring structure can not be formed in a semiconductor device, and an insulating resin sheet is remarkably warped in a manufacturing process of the semiconductor device which is composed of a support board of a flexible sheet with a conductive pattern and a semiconductor element mounted on the board and all sealed up with resin.例文帳に追加

従来、導電パターンを持ったフレキシブルシートを支持基板として採用し、この上に半導体素子を実装し、全体をモールドした半導体装置が開発されている。 - 特許庁

To solve the problem that stiffness becomes low in a semiconductor wafer that is applied to a frame body via an adhesive sheet when the semiconductor wafer is polished by a thickness of 100 μm or less, the semiconductor wafer is damaged, when peeling from adhesive sheet, and additionally paste remains in the frame body, when the adhesive sheet is peeled from the frame body.例文帳に追加

枠体に粘着シートを介して貼り付けられた半導体ウエハは、１００μｍ以下の厚さに研磨すると、剛性が低く粘着シートから剥離する際に破損してしまう。 - 特許庁

To materialize a semiconductor manufacturing device and a semiconductor manufacturing method capable of doping carbon to a compound semiconductor without using gas which has a problem in carbonaceous supply gas environmentally.例文帳に追加

炭素の供給ガスに環境上問題のあるガスを使用せずに、化合物半導体に炭素をドープすることができる半導体製造装置および半導体製造方法を実現することを目的にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method and a semiconductor substrate used therefor, which can achieve thinning of a semiconductor substrate efficiently without leaving an end point detection part after manufacturing the semiconductor device and without causing any problem such as spreading of a material different from that of the semiconductor substrate to a semiconductor element part.例文帳に追加

半導体装置製造後も終点検出部が残存することがなく、また、半導体基板と異なる材料の半導体素子部への拡散等の問題もなく、精度よく半導体基板の薄膜化を実現することができる半導体装置の製造方法及びそれに用いられる半導体基板を提供する。 - 特許庁

To overcome the problem that an external foreign matter, which enters a semiconductor storage container opening/closing device through the space between the semiconductor storage container and the wall face of the semiconductor storage container opening/closing device when the semiconductor storage container is opened, adheres on a wafer in the semiconductor storage container opening/closing device.例文帳に追加

半導体収納容器開閉装置において半導体収納容器の蓋を開けるときに、半導体収納容器と半導体収納容器開閉装置の壁面との間隙から、外界の異物が半導体収納容器内部に進入し、ウエハに付着する問題を解決する。 - 特許庁

To solve the following problem; it is difficult to manufacture a semiconductor light emitting element which emits light between a conduction band and a valence band when a p-type or n-type semiconductor is difficult to manufacture in a conventional semiconductor light emitting element which is constituted of junction between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor.例文帳に追加

従来の半導体発光素子は、主に、ｐ型半導体とｎ型半導体の接合から構成されるが、ｐ型又はｎ型の半導体が作製困難な場合には伝導帯と価電子帯の間で発光する半導体発光素子を作製することが難しい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has an alignment mark function and solves a void problem at an alignment mark region.例文帳に追加

合わせマーク機能を有し，且つ合わせマーク領域のボイドの問題を解決した半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To solve a problem that, when an external terminal for accessing an internal node of a semiconductor module is provided, the external terminal is a hindrance to size reduction of the module.例文帳に追加

半導体モジュールの内部ノードにアクセスするための外部端子を設けると、モジュールの小型化が妨げられる。 - 特許庁

To provide a high-luminance semiconductor light-emitting element that can be manufactured inexpensively and is free of the problem of peelings due to dicing, etc.例文帳に追加

高輝度で製造コストが低く、かつダイシング等による剥離の問題がない半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which permits the apply of Ni silicide process without any problem in the leak of connection, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

接合リークの問題なく、Ｎｉシリサイドプロセスを適用できる半導体装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of a PWM inverter that enhancement of carrier frequency is limited due to switching loss of a semiconductor switch.例文帳に追加

ＰＷＭインバータにおいては、半導体スイッチのスイッチング損失からキャリア周波数を高めるのが制限される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which the problem of overerasure and resulting failure of reading can be eliminated.例文帳に追加

過消去及びそれに起因する読出し不良の問題を解消できる半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem of mixing of mist in a liquid vapor fed to a semiconductor process by the use of a single vaporization apparatus.例文帳に追加

半導体プロセスに供給する液体蒸気にミストが混在する問題を単一の気化装置で解決する。 - 特許庁

To provide a developer nozzle causing no wet problem in the form of a bubble or a drop on a wafer in a semiconductor wafer process.例文帳に追加

半導体ウエハプロセスウエハ上に泡及び滴の形のぬれ問題が発生しない現像液ノズルを提供する。 - 特許庁

To solve a problem that a semiconductor substrate 6 is flexed when a protective film is formed in a mesa trench at the time of fabricating a mesa type transistor.例文帳に追加

メサ型トランジスタを製造する時にメサ溝に保護膜を形成すると半導体基板６に撓みが生じる。 - 特許庁

To solve a problem that a short circuit is easily generated between a gate electrode and a source electrode in a conventional semiconductor device.例文帳に追加

従来の半導体装置においては、ゲート電極およびソース電極間でショートが発生し易くなってしまう。 - 特許庁

To solve a problem that the direction of a polarized wave of an ejected laser beam is not settled in a surface-emitting semiconductor laser utilizing a diffraction grating.例文帳に追加

回折格子を利用する面発光半導体レーザでは、その射出するレーザ光の偏波方向が定まらない。 - 特許庁

To solve the problem that scratch generated in a grinding process and a lap process is enlarged in manufacturing a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハの製造において、研削工程やラップ工程で生じるスクラッチをエッチング工程で拡大してしまう。 - 特許庁

To overcome the problem wherein a p-type boron phosphide-based semiconductor layer peels from the surface of a foundation layer when the semiconductor layer is formed by the conventional technology in which the semiconductor layer is formed by adding a p-type impurity composed of Zn or Mg to a boron phosphide-based semiconductor layer.例文帳に追加

Ｚｎ或いはＭｇからなるｐ形不純物を添加してｐ形伝導性のリン化硼素系半導体層を得る従来技術では、ｐ形リン化硼素系半導体層が下地層の表面から剥離してしまう問題を解決する。 - 特許庁

To solve the problem that in a semiconductor device for electric power provided with a semiconductor element for electric power with a built-in diode section for detecting temperature, a tolerance to high frequency electromag netic jamming is low.例文帳に追加

温度検出用ダイオード部が内蔵された電力用半導体素子を有する電力用半導体装置においては、高周波電磁妨害波耐量が低い点。 - 特許庁

To provide a semiconductor device whose reflow resistivity is improved, whose semiconductor chip occupancy rate against a package is increased, whose metallic flash is not turned to be any problem, and whose inexpensive substrate is made available.例文帳に追加

耐リフロー性が向上し、パッケージに対する半導体チップ占有率が高く、金属バリが問題とならず、安価な基板を利用できる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem, wherein the polishing operation of a semiconductor substrate, the semiconductor substrate made thin and reduced in strength by polishing is damaged by polishing quartz and suffers from peripheral damages and generation of cracks.例文帳に追加

半導体基板の研磨作業では、研磨により薄くなり強度の低下した半導体基板が研磨用石英からのダメージを受け外周破損やクラックが発生する。 - 特許庁

To resolve the problem of a conventional semiconductor device such as that the latch up resistance of a high withstand voltage output terminal is low and that the area of a semiconductor increases if the latch up resistance of the high withstand voltage output terminal is reinforced.例文帳に追加

高耐圧出力端子のラッチアップ耐圧が低く、高耐圧出力端子のラッチアップ耐圧を強化すると半導体面積が増加する。 - 特許庁

To solve the problem that cracks and peeling are generated on a semiconductor thin film due to concentration of a stress on an opening formed on an interlayer insulating film of a semiconductor thin film fixed on a substrate.例文帳に追加

基板に固着した半導体薄膜上の層間絶縁膜に形成した開口部に応力が集中し、半導体薄膜にクラック、剥離が生じる。 - 特許庁