「semiconductor problem」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To solve a problem of brittleness of a substrate surface layer of a silicon substrate subjected to a low oxygen treatment to stress to cause generation of cracks and warpage in the course of a process of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

低酸素処理を施したシリコン基板は基板表面層が応力に対して非常にもろくなってしまい、ハンド津愛想うちの製造プロセスの過程でクラックや反りが発生する原因ともなってしまう。 - 特許庁

To solve the problem that switching delay is increased when gate resistance of a gate drive circuit is increased in order to reduce surge voltage between devices to be generated by wiring inductance in switching of a voltage drive type semiconductor device.例文帳に追加

電圧駆動型半導体素子のスイッチング時に配線インダクタンスにより発生する素子間のサージ電圧を低減するためにゲート駆動回路のゲート抵抗を大きくすると、スイッチングの動作遅れ時間が長くなる。 - 特許庁

To solve the problem, wherein whether emission spectrum of a semiconductor laser supplied with a reference current overlapping a high-frequency current is brought to a multi-mode state cannot be inspected readily with high accuracy in conventional techniques.例文帳に追加

従来の技術では、高周波電流が重畳された基準電流が供給された半導体レーザの発光スペクトルがマルチモード状態にあるか否かを高い精度で容易に検査することができない。 - 特許庁

The oscillation stop of the crystal oscillator which is of a problem when the wiring grooves of a high aspect ration is plated by independently controlling the current supply time of the semiconductor substrate 1 and the QCM 9.例文帳に追加

また、半導体基板１とＱＣＭ９の電流通電時間を独立に制御することにより、大きいアスペクト比の配線溝をめっきする場合に問題となる水晶振動子の発振停止を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using an interlayer insulating film containing a low permittivity material such as a fluorinated silicon glass(FSG) which does not bring about a problem in association with a transfer of a fluorine and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

フッ素の移動に伴う問題を生じないフッ素化シリコンガラス（ＦＳＧ）などの低誘電率材料を含む層間絶縁膜を用いた半導体デバイス、およびそれを製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a large and high quality diamond single crystal substrate to be used for semiconductor materials, electronic components, and optical components by overcoming the problem of cracks in a diamond single crystal substrate obtained by a vapor phase growth method.例文帳に追加

気相成長法により得られるダイヤモンド単結晶基板の割れの問題を克服して、半導体材料、電子部品、光学部品等に用いられる、大型かつ高品質なダイヤモンド単結晶基板を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that since a semiconductor flash memory required for high reliability must output and input electrons through an oxide film obtained by directly oxidizing a silicon substrate, a using voltage becomes large from positive to negative.例文帳に追加

高信頼性が要求される半導体フラッシュメモリでは、シリコン基板を直接酸化した酸化膜を通して電子の出し入れを行わなければならないため、使用する電圧が正負にわたる大電圧となる。 - 特許庁

To solve the problem of a single-crystal sapphire substrate that even though surface roughness is planarized, after chemical polishing, no regularity is seen in its roughness distribution, therefore it is not suitable for the epitaxial growth of a nitride semiconductor.例文帳に追加

化学研磨で、単結晶サファイア基板を研磨しても表面粗さは平坦化されているものの、凹凸分布に規則性が見られないため、窒化物半導体をエピタキシャル成長させるのに適していない。 - 特許庁

This improves the problem wherein operating performance is degraded to be lower than that of a device having operating frequency lower than that of the semiconductor memory device, having a lower frequency within the range of the operating frequency.例文帳に追加

従って、動作周波数の範囲内の低い周波数で、本発明の半導体メモリ装置に比べて低い動作周波数を有する装置よりも動作性能が悪くなる問題点を改善することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of non-lead type package structure in which interference between a wire and a die pad is avoided by solving the problem of insufficient strength of die pad or mismatch of a facility and a jig, and a lead frame for use therein.例文帳に追加

ダイパッドの強度不足や設備・治具との不整合の問題を解決し、ワイヤとダイパッドの干渉のおそれを避けたノンリードタイプパッケージ構造の半導体装置及びこれに用いるリードフレームを提供する。 - 特許庁

To solve the problem of a conventional nitride compound semiconductor laser wherein the increase of an operating voltage is generated according as the width of an optical waveguide is made narrow in order to widen the widening angle of a laser beam in a horizontal direction in an active layer.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体レーザにおいて、活性層に水平方向のレーザ光の広がり角を広くするために光導波路の幅を狭くすると、動作電圧の上昇を招いてしまう。 - 特許庁

To solve such a problem that GaInNAs and GaInAs quantum well layers are degraded due to the segregation of In, and to provide a GaInNAs semiconductor laser with high performance by forming a high-quality quantum well active layer.例文帳に追加

本発明の目的は、Inの偏析を主要因とするGaInNAs、およびGaInAs量子井戸層の品質が低下の問題を解決し、高品質な量子井戸活性層を形成し、高性能なGaInNAs系半導体レーザを提供することにある。 - 特許庁

To provide a photoconductive element capable of solving the following problem: Distortion or defect of low-temperature growth semiconductor restricts a terahertz wave generation efficiency in an element which generates and detects a terahertz wave by optical excitation.例文帳に追加

光励起によりテラヘルツ波を発生、検出する素子において低温成長半導体の歪みや欠陥がテラヘルツ波発生効率などを制限していた点を解決した光伝導素子等を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which efficiently corrects the state of a reference cell, which prevents the reference cell from deteriorating due to disturbance or the like, and which precisely maintains the value of the reference cell, to solve the problem of deterioration of the reference cell.例文帳に追加

リファレンスセルの劣化問題を解決するために、効率よくリファレンスセルの状態を補正し、ディスターブ等によるリファレンスセルの劣化を防止し、リファレンスセルの値を高精度に保つ半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a compact wiper control device of high reliability and positive action using semiconductor switching elements and a digitally controlled controller and solving a problem at the occurrence of short circuit abnormality downstream a wiper motor.例文帳に追加

ワイパーモータの下流ショート異常発生時の問題点を解決し、半導体スイッチ素子とデジタル制御されるコントローラとを用いた小型で信頼性が高く動作が確実なワイパ制御装置を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem that it is impossible to perform specification of nonconformity spots which aims at failure analysis or test development, and observation of its information by a limited number of terminals, in a test circuit which inputs an expected value to a semiconductor integrated circuit and performs comparison inside.例文帳に追加

半導体集積回路に期待値を入力し内部比較するテスト回路で、不良解析やテスト開発を目的とする不一致箇所の特定や、その情報を限られた端子で観測することができない。 - 特許庁

To solve the problem that the reliability of connection of a semiconductor element to an external electric circuit is reduced because the electric resistance of a conductor on a wiring board is high and breakage occurs in a low melting point wax material.例文帳に追加

配線基板の導体の電気抵抗が高く、また、接続パッドと外部電気回路とを接続する低融点ロウ材に破断が発生し、半導体素子の外部電気回路への接続信頼性が低下する。 - 特許庁

To cope with such a problem that a protective circuit provided with an appropriate composition and having a small occupancy area, or the like is necessary in order to take advantage of characteristics of a display device using an oxide semiconductor which has superior operation characteristics and can be manufactured at a low temperature.例文帳に追加

動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備え、占有面積が小さい保護回路等が必要となる。 - 特許庁

To solve the problem that there has not been practical application of long-wavelength of optical absorption or optical absorption in a long-wave length range when germanium is used for an optical device on the long-wavelength range to be mounted on an optical/electric large-scale integration (LSI) by using a semiconductor process.例文帳に追加

ゲルマニウムは、半導体プロセスを用いて光電気混載ＬＳＩに搭載される長波長帯光デバイスに用いる場合、吸収の長波長化又は長波長帯での吸収が実用化されていない。 - 特許庁

To solve the problem of the presence of a pattern where a short-circuit failure is not detected during main bit line leakage inspection to screen an initial short-cirucit failure in a semiconductor storage device constituted of a memory array where main bit lines intersect each other.例文帳に追加

主ビット線を交差させたメモリアレイ構成をとる半導体記憶装置において、初期短絡故障をスクリーニングするための主ビット線リーク検査で、短絡故障を検出できないパターンが存在する。 - 特許庁

To solve the problem that, when a semiconductor package or electronic element is press-bonded to a substrate, such as the wiring board etc., under a high-temperature and high-pressure condition, the decomposition or dissociation of the resin forming the substrate occurs or the deterioration of a metallic material by oxidation occurs.例文帳に追加

半導体パッケージや電子素子を配線板等の基板に高温、高圧条件で圧接接合すると、基板を形成する樹脂の分解、解離が生じたり、金属材料の酸化による劣化が生じている。 - 特許庁

To solve the problem in which, in a semiconductor storage composed of a flash memory in which write destinations are to be averaged by wear leveling, complete deletion of data causes deterioration in performance of a system and reduction of the rewrite life of the storage.例文帳に追加

ウェアレベリングにより書き込み先が平均化される、フラッシュメモリで構成された半導体ストレージにおいて、データの完全消去はシステムのパフォーマンスの低下とストレージの書き換え寿命を短縮化してしまう。 - 特許庁

To solve such a problem that when a semiconductor laser in which a spread angle and an optical axis are varied by an output is used, the linearity of a front monitor light quantity and an objective lens going-out output is distorted, and an error is caused in the output control of the laser.例文帳に追加

出力によって拡がり角や光軸が変動する半導体レーザを用いた場合に、フロントモニタ光量と対物レンズ出射出力との線形性が崩れ、レーザの出力制御に誤差を生じる。 - 特許庁

To solve a problem that a semiconductor integrated circuit device has a tendency to enlarge a leak current because of a thin gate oxide film, a low threshold voltage and the like and power consumption is increased by the leak current in recent years.例文帳に追加

近年、半導体集積回路装置は、薄いゲート酸化膜および低い閾値電圧等によりリーク電流が大きくなる傾向にあり、このリーク電流による消費電力の増大が問題になって来ている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a crucible and a semiconductor ingot for solving a problem wherein silicon melted liquid in the crucible is supplied into a mold while temperature of the silicon melted liquid is raised beyond necessity.例文帳に追加

シリコン融液の温度を必要以上に上昇した状態で、坩堝内のシリコン融液を鋳型内に供給されるといった問題点を解消した坩堝および半導体インゴットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fine patterning method for a semiconductor element by which a problem that critical dimension (CD) becomes poor by superimposition is eliminated to form a pattern finer than resolution of an exposure process.例文帳に追加

本発明は、重畳(overlay)により臨界寸法(Critical Demension; ＣＤ)が不良になる問題を除去し、露光工程の解像度より微細なパターンを形成することができる半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that the waveform of signal is disordered and the quality of signal is deteriorated during the transmission of the signal when the signal at several hundreds MHz is transmitted between a mother board and a memory module through a bus wire in a semiconductor memory device.例文帳に追加

半導体メモリ装置において、数百ＭＨｚの信号がバス配線を通しマザーボードとメモリモジュールとの間で伝送された場合、信号の伝送中、信号の波形が乱れ、信号品質の低下が生じる。 - 特許庁

To solve the problem of the etching rate profile varying, depending on the location of a nozzle to a semiconductor wafer W, and hence the difficulty of obtaining accurate forming results near the outer edge of the wafer.例文帳に追加

エッチングレートプロファイルが、半導体ウェーハＷに対するノズルの位置によって変化するため、半導体ウェーハの外縁近傍では、正確な加工結果が得にくいという問題を解決することを課題とする。 - 特許庁

To solve the problem of difficulties in the practical use of a porous low dielectric constant film for the multilayer wiring of a semiconductor device since the physical strength of a porous film is low and it tends to change chemically in a process.例文帳に追加

半導体装置の多層配線に多孔質の低誘電率膜を用いることは、多孔質膜の物理的強度が低いことおよび、プロセス中に化学的にも変化しやすいことから実用上困難である。 - 特許庁

To solve a problem of the conventional technologies by which accurate flatness cannot be obtained because of the assumption that the etching rate profile is the same regardless of the nozzle position with respect to a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェーハに対するノズル位置の如何に関わらずエッチングレートプロファイルが同じであると仮定しているため、従来技術によると、正確な平坦度が得られないという問題を改善することを課題とする。 - 特許庁

To provide a reliable noncontact IC card by connecting an antenna wire having loops of two turns or more to a semiconductor module without crossing, thereby eliminating a problem resulted from the crossing part of the antenna wire.例文帳に追加

２ターン以上のループを有するアンテナ線を交差させないで半導体モジュールに接続することで、アンテナ線の交差部に起因する問題を無くして、信頼性の高い非接触型ＩＣカードを提供する。 - 特許庁

To solve the problem that a defect such as noise, etc. in the propagation of a high frequency signal occurs at an external electrode connected to an external electric circuit following high integration and size reduction of an electronic component such as a semiconductor element, etc.例文帳に追加

半導体素子等の電子部品の高集積化および小型化に伴い、外部電気回路と接続する外部電極において、高周波信号の伝搬におけるノイズ等の不具合が問題となっている。 - 特許庁

To solve the problem it is difficult to confirm whether there is a sufficient time difference between pieces of timing where the output of routes in a competitive relationship is connected to a common later-stage circuit in a normal operation test of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路の通常の動作テストで、競合関係にある経路の出力が共通の後段回路に接続されるタイミング間に十分な時間差があるか否かを確認することは難しい。 - 特許庁

To solve the problem wherein a white ribbon of Si_3N_4 is formed on the surface of a silicon substrate to prevent a gate oxide film from being formed in the area where the white ribbon has been formed in a case wherein LOCOS is formed after a nitrogen annealing process is carried out in a semiconductor manufacturing method.例文帳に追加

半導体製造方法において、窒素アニール後にＬＯＣＯＳを形成する場合、シリコン基板表面にＳi_３Ｎ_４からなるホワイトリボンが生成され、その部分でゲート酸化膜の形成が阻害される。 - 特許庁

To provide a bond pad of a semiconductor element, and its forming method, in which the problem that an insulation film underlying a bond pad metal layer is damaged due to thermal/mechanical stress applied at the time of beam lead bonding can be suppressed.例文帳に追加

ビームリードボンディング時に加わる熱的／機械的ストレスに起因してボンドパッドメタル層の下部の絶縁膜が損傷される問題を抑制できる半導体素子のボンドパッド及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

To overcome a problem that alignment between layers is likely to become defective since a plurality of complementary split masks are used in manufacturing a semiconductor device having a multi-layer pattern using complementary split masks having alignment marks.例文帳に追加

アライメントマークを有する相補分割マスクを使用して複数レイヤのパターンを有する半導体デバイスを形成する際に、相補分割マスクが複数枚存在するため、各レイヤ間のアライメントが不良になりやすい。 - 特許庁

To improve the uniformity of radiation light by overcoming the problem, wherein a surface of a semiconductor substrate of a gallium nitride compound is physically damaged and the light radiated from the light emitting layer formed on it is made not uniform since the surface of the semiconductor substrate of the gallium nitride compound is polished flatly when using the gallium nitride compound semiconductor on the substrate.例文帳に追加

基板に窒化ガリウム系化合物半導体を用いた場合、窒化ガリウム系化合物半導体基板の表面をフラットにするための研磨を行うため、窒化ガリウム系化合物半導体基板の表面は物理的なダメージを受け、この上に形成した発光層から放射される光が不均一になるという課題を解決し、放射される光の均一性を向上させることを目的とする。 - 特許庁

To improve uniformity of emitted light by solving the problem wherein a surface of a gallium nitride family compound semiconductor substrate is physically damaged, and light emitted from a light emitting layer formed on the surface becomes uneven, since the surface of the gallium nitride family compound semiconductor substrate is polished to planarize it when a gallium nitride family compound semiconductor is used for the substrate.例文帳に追加

基板に窒化ガリウム系化合物半導体を用いた場合、窒化ガリウム系化合物半導体基板の表面をフラットにするための研磨を行うため、窒化ガリウム系化合物半導体基板の表面は物理的なダメージを受け、この上に形成した発光層から放射される光が不均一になるという課題を解決し、放射される光の均一性を向上させることを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an adhesive for a semiconductor, which can be continuously dispensed at a stable application amount even in small amount jetting, in order to solve the problem, wherein minute bubbles contained in the adhesive for a semiconductor device prevent the adhesive from being jetted or makes the jetting amount of the adhesive that is unstable, in continuous dispensing that uses nozzle for the adhesive for a semiconductor.例文帳に追加

本発明は、半導体用接着剤のノズルを用いた連続ディスペンスにおいて、半導体用接着剤に内包される微小気泡による接着剤が吐出されない、又は接着剤の吐出量が不安定になる問題を解決するために、少量吐出でも安定した塗布量での連続ディスペンスが可能な半導体用接着剤の製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve a problem that joint strength between a bump and an electrode of a semiconductor element is lowered by a contact mark formed by a probe needle when the bump (protruding electrode) for electrically connecting the semiconductor element to a wiring board at the electrode of the semiconductor element since the tip end of the probe needle is largely pushed forward from the root, and an aluminum film of the electrode is largely cut off.例文帳に追加

プローブ針先先端部が針元に対して前方に大きく押し出されるため、電極のアルミニウムの膜を大きく削られ、半導体素子と配線基板とを電気的に接続するためのバンプ（突起電極）を半導体素子の電極に形成するとき、プローブ針によって形成された接触痕により、バンプと半導体素子の電極の接合強度が低下する。 - 特許庁

The problem is solved by a phosphor production method containing a step to dope copper to a group II-VI compound semiconductor by baking the group II-VI compound semiconductor together with a copper compound and a flux, a step to crush the baked product and a step to wash the baked and crushed product.例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を銅化合物及びフラックスともに焼成して該ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体に銅をドープする工程、得られた焼成物を解砕する工程、及び解砕された焼成物を洗浄する工程を含む蛍光体の製造方法によって上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a fabrication process of a semiconductor device which forms a tensile stress film and a compressive stress film, respectively, in an NMOS formation region and a PMOS formation region without causing such a problem as formation of a recess in an isolation portion or etching residue, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

素子分離部への凹部の形成やエッチング残りなどの問題を生じることなく、ＮＭＯＳ形成領域およびＰＭＯＳ形成領域にそれぞれ引張り応力膜および圧縮応力膜を選択的に形成することができる、半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a diffusion problem with a surface layer forming metal can be certainly solved, magnetically adverse effects on a semiconductor element, and further are eliminated by realizing a non-magnetic external electrode, deterioration of electrical conductivity is not caused even when the frequency of a transmit signal increases.例文帳に追加

表面層形成金属の拡散問題を確実に解決でき、しかも非磁性の外部電極を実現することにより、磁気的な悪影響を半導体素子に与えることが無く、加えて伝送信号の周波数が増加した場合でも導電率の低下が生じない半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which is capable of solving the problem wherein a semiconductor device is reduced in dielectric strength due to a bonding failure, using a high-dielectric constant film formed of a hafnium oxide as a new material for a high-dielectric constant film used for a gate insulating film without increasing a film in thickness in terms of an silicon oxide film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜用の高誘電率膜の新材料としてハフニウム酸化物を用いた高誘電率膜を用いつつ、シリコン酸化膜換算膜厚の増大を招くことなく、結合欠陥による絶縁耐性の低下という問題を解消する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem wherein colors become uneven in illumination light after a long lighting time, in a lighting device consisting of an assembly of a plurality of light-emitting devices having a semiconductor light-emitting element and a phosphor for absorbing the light emitted by the semiconductor light-emitting element to generate visible light.例文帳に追加

半導体発光素子と、該半導体発光素子が発生する光を吸収して可視光を発生する蛍光体とを備えた発光装置を複数個集合させてなる照明装置において、点灯時間が長くなってくると照明光の中に色ムラが発生する問題の解決を図ること。 - 特許庁