「semiconductor problem」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To solve a problem that energy must be absorbed from a wide range since, in the present situation of wind power generation, power is transmitted by generating power by enlarging a single wind mill and processing a semiconductor, and thus wind having a limit in output is generally low in energy density.例文帳に追加

風力発電の現状は単一の風車を大きくし発電し半導体処理をして送電するものであるから出力に限界ができている風はエネルギー密度が小さいといはれているから、広いはんいから、エネルギーを吸収しなければらない。 - 特許庁

To resolve a problem where a tape breaks when peeling it, which is adhered to a lead frame in order to prevent the occurrence of burrs caused by sealing resin leakages on the surface of a terminal of the lead frame when a semiconductor element mounted on the lead frame is sealed with the sealing resin.例文帳に追加

リ−ドフレ−ムに搭載された半導体素子を封止樹脂により封止する際に、リ−ドフレ−ムの端子面に封止樹脂の漏れに起因したバリの発生を防止するため、リ−ドフレ−ムに貼り付けたテ−プを分離する際に、テ−プの破れが発生する。 - 特許庁

In the imaging apparatus provided with a solid-state imaging element, a voltage applied to the solid-state imaging element is divided, the divided voltage is used to apply a substrate bias voltage to a semiconductor substrate in the solid-state imaging element, and a power supply voltage is changed to solve the problem.例文帳に追加

固体撮像素子を備える撮像装置において、固体撮像素子に印加する電圧を分圧して前記固体撮像素子内の半導体基板に印加する基板バイアス電圧を供給し、電源電圧を変化させることにより、上記課題の解決を図る。 - 特許庁

To provide a method and a device where, in the case a semiconductor wafer or the like is plated with a metal film, for the purpose of solving the problem that ununiform electrodeposition occurs by the diffusion of plating current and the ununiformity of a fluid distribution, an electric field distribution and a fluid flow are controlled.例文帳に追加

半導体ウェーハなどに金属フィルムをメッキする場合、メッキ電流の拡散や、流体分布の不均一によって、不均一な電着を生じる問題を解決するために、電界分布や流体フローを制御する方法および装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that it is impossible to flexibly cope with the use of a user since preliminarily decided bit length or the number of timer channels is prepared in a manufacturing process although the generation of various time cycles is requested for a timer to be used for a semiconductor circuit such as a microcomputer.例文帳に追加

マイクロコンピュータ等の半導体回路に用いるタイマは、様々な時間周期の生成が要求されるが、予め決められたビット長やタイマチャンネル数は製造工程時に作りこまれる為、ユーザーの使用用途に対してフレキシブルに対応することができない。 - 特許庁

To solve the following problem: an increase of a design TAT or power consumption cannot be suppressed, in a method performing the timing analysis of the whole circuit after suppressing a clock skew value as thoroughly as possible so as to guarantee the operation timing of the circuit, in the design of the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路の設計において、回路の動作タイミングを保証するのに、クロックスキュー値を可能な限り抑え込んだ後で回路全体のタイミング解析を行う方法では、設計ＴＡＴや消費電力の増大を抑えられない。 - 特許庁

To solve such a problem that, when wafers are stored and processed in a library development table in a semiconductor manufacturing equipment according to a recipe library number indicated by a scheduling device, they are analyzed and developed one by one and the start time of wafer processing is delayed as a result.例文帳に追加

スケジュール装置より指示されるレシピライブラリ番号に基づき、半導体製造装置にてライブラリ展開テーブルに格納しながらウエハ処理を実行するとき、ウエハ１枚毎に解析／展開処理を行っているため、ウエハ処理の開始時間に遅れがでている。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a method of manufacturing a semiconductor device whereby a natural oxide film or contaminants such as an organic matter can be removed at low temperatures to solve the problem of a method of removing the natural oxide film at high temperatures.例文帳に追加

高温で行っていた自然酸化膜除去方法の問題を改善するため、低温で自然酸化膜または有機物等の汚染物を除去できる基板処理装置、基板処理方法、および半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide thermosetting adhesives which are suitable for mounting electronic parts such as semiconductor chips on a substrate, low in viscosity, excellent in workability and, additionally, free of a problem of outer appearance such as oozing on the substrate and high in reliability on electrical characteristics.例文帳に追加

半導体チップ等の電子部品を基板上に搭載するに好適であり、低粘度であって作業性に優れ、かつ、基板上の滲みなど外観上の問題がなく、また電気的特性上の信頼性も高い熱硬化性接着剤を提供することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor device assembly that can provide comparatively high current required for a semiconductor device with newer and higher power, and at the same time, that can suppress the problem which results from the high inductance effects, signal crosstalks, and capacitance that are usually related to a resistive power loss and a currently usable parallel bonding wire structure.例文帳に追加

より新しく、より高いパワーの半導体デバイスに必要な比較的高い電流を提供可能であると同時に、抵抗性電力損失ならびに現在利用可能な並列ボンディングワイヤ構造に通常関連する高インダクタンス、信号クロストーク、および静電容量効果に起因する問題を最小限に抑えることが可能な半導体デバイスアセンブリを提供すること。 - 特許庁

To solve the problem that since hydrogen in a radical state free from a hydrogen supply source, i.e., a protective film of silicon nitride is diffused isotropically during heat treatment for terminating dangling bond in a polysilicon semiconductor film, the majority of hydrogen is desorbed to the outside of a thin film semiconductor element to cause deterioration in the mobility or swing characteristics thereof due to the insufficient termination of the dangling bond.例文帳に追加

多結晶シリコン半導体膜中のダングリングボンドを終端することを目的とした熱処理時に水素の供給源である窒化珪素の保護膜から遊離したラジカル状態の水素が等方的に拡散するため、その多くが薄膜半導体素子の外へと脱離してしまい、ダングリングボンドの終端が不十分となり薄膜半導体素子の移動度やスイング特性が劣化する。 - 特許庁

For a problem that resistance in the period of OFF is lowered by a parasitic capacitance of a semiconductor switching element, the device provides a long-lived switching element with sufficient high frequency insulation characteristics by adding a common mode choke coil in an actual frequency band with reducing the resistance in the period of ON from the mechanical relay using a plurality of semiconductor switch elements to the switching element.例文帳に追加

切替え素子に複数の半導体スイッチ素子を使用して、ＯＮ時の抵抗をメカニカルリレーより低減するとともに、ＯＦＦ時の抵抗が半導体スイッチ素子の寄生容量により低下する問題についてもコモンモードチョークコイルの付加により実用周波数帯域において十分な高周波絶縁特性を有した長寿命の切替え素子を有した電子負荷装置を提供する。 - 特許庁

To prevent occurrence of a problem of deterioration of the light-emission intensity of an active layer by forming a structure in which an active layer containing nitrogen is formed after forming a p-type semiconductor layer and arranging a layer for selective oxidation mainly composed of AlAs within the p-type semiconductor layer, even if a part of the arranged layer for selective oxidation is selectively oxidized to form a current confinement structure.例文帳に追加

ｐ型半導体層を形成した後に窒素を含む活性層を形成する構造とし、ｐ型半導体層中にＡｌＡｓを主成分とする被選択酸化層を配置し、配置された被選択酸化層の一部を選択的に酸化して電流狭窄構造を形成する場合にも、活性層の発光強度が劣化してしまうという問題が生じることを防止する。 - 特許庁

To provide a cleaning composition which can prevent corrosion of the metal layer on a semiconductor substrate, especially of titanium nitride, and can sufficiently remove plasma etching residue or ashing residue produced in the production process thereof by solving a problem peculiar to a cleaning composition containing a hydroxylamine compound adjusted substantially to neutral, and to provide a cleaning method using the cleaning composition and a method of manufacturing a semiconductor element.例文帳に追加

実質的に中性に調整されたヒドロキシルアミン化合物を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層、特に窒化チタンの腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A substrate on which a conductive layer is formed includes a columnar semiconductor formed on the conductive layer, an insulating layer formed around the columnar semiconductor, and a gate electrode of one transistor formed around the insulating layer; the gate electrode is configured by a laminated structure, having at least two layers of conductive films that have different work functions; and by providing a semiconductor device constituted this way, the problem is solved.例文帳に追加

導電層の形成された基板において前記導電層上に形成された柱状半導体と、前記柱状半導体の周囲に形成された絶縁層と、前記絶縁層の周囲に形成された一つのトランジスタのゲート電極を有しており、ゲート電極は、仕事関数の異なる少なくとも２層以上の導電膜の積層構造により構成されていることを特徴とする半導体装置を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

To solve the problem of a performance enhancing technique in microfabrication of a semiconductor device using an electron beam or X-ray and to provide a negative type resist composition for an electron beam or X-ray satisfying such characteristics as sensitivity and resist shape when an electron beam or X-ray is used.例文帳に追加

電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度とレジスト形状の特性を満足する電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide an anisotropic conductive sheet which helps reduce the problem of decreased restoring force with respect to the tensile strain around a punctate compressed area, while utilizing superior compressive deformation characteristics of a porous resin sheet, inspection equipment using such an anisotropic conductive sheet, and a mounted semiconductor product.例文帳に追加

多孔質樹脂シートの優れた圧縮変形特性を生かしながら、点状圧縮部分の周囲で、引張ひずみに対する復元力低下という問題が生じにくい、異方導電性シート、そのような異方導電性シートを用いた検査装置、および実装半導体製品を提供する。 - 特許庁

Though the specific surface area of an electrode composed of the transparent electrode 10 and the semiconductor layer 20 can be increased by fining and lengthening the projections, and forming them densely, the space factor and the aspect ratio of the projections are set considering the problem of diffusion in the transfer layer 40, etc.例文帳に追加

透明電極１０及び半導体層２０からなる電極の比表面積を高めるためには、突起を細かくかつ長くし、そして密に形成すればよいが、電荷移動層４０中の拡散の問題等を考慮して、突起の空間占有率及びアスペクト比を設定する。 - 特許庁

To solve a problem in a conventional semiconductor device whose output terminal is connected to a low ESR(Equivalent Series Resistance component) capacitor with a low ESR component as a phase compensation capacitor that has the increased number of components because external connection of a resistor in series with the low ESR capacitor is required.例文帳に追加

従来、等価直列抵抗成分（ＥＳＲ成分）が小さい低ＥＳＲコンデンサを位相補償用コンデンサとして半導体装置の出力端子に接続する場合、前記低ＥＳＲコンデンサと直列に抵抗を外部接続する必要があり部品点数が増加する。 - 特許庁

To provide a wobble signal processing device for solving the problem that usual processing of analog system is easily influenced by uneven processes in a semiconductor process, reduces the scale of a circuit, saves electric power and improves the quality of the processing signals.例文帳に追加

本発明は、半導体プロセスのにおいて、プロセスのばらつきによる影響を受けやすい従来のアナログ方式処理に鑑みてなされたものであり、回路規模の縮小、低電力化を図るとともに、信号処理品質を向上することができるウォブル信号処理装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that an oscillation is unstable just after the power is supplied since the oscillation frequency accuracy of a CR oscillation is not reliable in a semiconductor integrated device of a conventional configuration wherein the output of the CR oscillator is used until the oscillation of a ceramic oscillator becomes stable.例文帳に追加

セラミック発振器の発振が安定するまではＣＲ発振器による発振出力を選択して発振動作を行う従来構成の半導体集積装置では、ＣＲ発振器の発振周波数精度が悪いために電源投入直後の発振動作は不安定なものとなる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a wiring board for semiconductor device mounting package such as a tape carrier, a TAB tape, or a minute flexible printed wiring board, which can solve the problem of rolling-in of air bubbles without using a vacuum lamination process and also without adding an adhesion layer etc.例文帳に追加

真空ラミネーションプロセスを用いることなく、また接着層等を付加することなく、気泡の巻き込みの問題を解消することのできる、テープキャリアまたはＴＡＢテープもしくは微小フレキシブルプリント配線板のような半導体装置実装パッケージ用配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain discharge plasma sintered compact of a barium titanate- based semiconductor ceramic having good PTC characteristics, excellent in durability, not causing deterioration of characteristics and nonfunctional problem in a short term even when used under severe conditions and being widely applicable for various uses and provide a method for producing the sintered compact.例文帳に追加

良好なＰＴＣ特性を有し、耐久性にすぐれ、過酷な使用条件下で使用しても短期間で特性が劣化したり機能しなくなったりせず、各種の用途に広範に応用可能なチタン酸バリウム系半導体セラミックスの放電プラズマ焼結体と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide tweezers not causing a problem between an attracting face and a workpiece due to contamination in attracting and holding the workpiece by using both of vacuum suction applying a negative pressure to a thin workpiece and electrostatic attraction when handling a thin workpiece such as a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハのような薄物ワークを取り扱う場合において、薄物ワークに負圧を作用させる真空吸着と静電気による吸着とを併用し、吸着面とワークとの間で汚染等により吸着保持に問題を生じることのないピンセットを提供する。 - 特許庁

To solve the following problem that after a beam pitch adjustment in the sub-scanning direction on a semiconductor laser device, the beam is deviated from the original optical axis due to minute variations at the time of fixing a laser holder and the deviation exerts a large influence on printing.例文帳に追加

本発明は、半導体レーザ装置にて副走査方向のビームピッチの調整後、レーザホルダを固定する際に発生する微小変動によりビームが本来の光軸よりズレて印字に多大な影響を与えてしまうという問題を簡素な構成で解決することを課題とする。 - 特許庁

To solve the problem of conventional techniques: that, in designing the layout of a semiconductor integrated circuit using copper wirings, excessive losses of areas result from meeting design limitations, that is, the need to keep the upper limits of wiring width and wiring occupation rate where two broad wirings intersect.例文帳に追加

銅配線を採用した半導体集積回路のレイアウト設計を行う際、設計制約として配線幅、配線占有率の上限を守る必要があるが、２つの幅広配線が交差する部分でこれらの制約を満たすためには、従来技術では過剰な面積的損失が発生する。 - 特許庁

A problem that a film tape carrier and a semiconductor chip expand due to heat being applied from the heating tool of a gang bonder is solved by setting the pitch A of bumps 10 and the pitch B of an inner lead while previously taking account of the difference in the coefficient of thermal expansion between them at the time of bonding.例文帳に追加

ギャングボンディングの装置の加熱ツールから加わる熱によりフィルムテープキャリアおよび半導体チップが膨張するので、ギャングボンディングの際の両者の線膨張係数の差を予め考慮して、バンプ１０のピッチＡとインナーリードのピッチＢとを設定することにより解決する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that almost holds a dopant distribution in regions other than a twilight zone of a region where the ion implantation of a dopant should be masked while solving a possible problem generated because a resist mask end is of a slanted shape.例文帳に追加

本発明は、レジストマスク端が斜め形状であるために生じる問題を解決するとともに、不純物のイオン注入をマスクすべき領域の境界領域以外における不純物分布をほぼ保持する半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To solve the problem of a performance enhancing technique in microfabrication of a semiconductor device using an electron beam or X-ray and to provide a negative type resist composition for an electron beam or X-ray satisfying such characteristics as sensitivity and resist shape when an electron beam or X-ray is used.例文帳に追加

電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度とレジスト形状の特性を満足する電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁

To solve such a problem that a current is consumed even in an inactive state since an input signal to another device is propagated through an input bus undesirably even to its own internal logic circuit in a conventional semiconductor device sharing the input bus with the other device.例文帳に追加

他デバイスとの間で入力バスを共有している従来の半導体装置は、他デバイスへの入力信号が前記入力バスを介して自身の内部論理回路へも伝播してしまう構成であるため、自身が非動作状態であっても電流を浪費してしまう。 - 特許庁

To solve yield reduction problem due to electrostatic discharge failure by impressing electrostatic in a later fabrication process, because of existence of gate wire, signal wire and bias wire at the end of effective region as open terminals in a photoelectric conversion substrate manufactured on a glass substrate by a thin film semiconductor process.例文帳に追加

ガラス基板上に薄膜半導体プロセスによって製作された光電変換基板は、ゲート線や信号線バイアス線が有効領域の端部で開放端子として存在し、その後の加工工程で静電気等の印加で静電気破壊により歩留まりが懸念される。 - 特許庁

To provide a method for forming an element isolation film in a semiconductor device capable of dissolving the problem that F ions are diffused in a boundary between the element isolation film and the element in an element isolation film formation process and cause the characteristic degradation of the element.例文帳に追加

本発明は、素子分離膜の形成工程時にＦイオンが素子分離膜及び素子間の界面に拡散して素子の特性劣化を引き起こすという問題点を解決することが可能な半導体素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To solve the problem that useless currents flow to an external input terminal regardless of the operating state of an internal circuit when an input voltage to be applied to the external input terminal is not decided sole in a semiconductor device capable of turning its own internal circuit into a waiting state for reducing power consumption.例文帳に追加

消費電力低減のために自身の内部回路を待機状態にできる半導体装置において、外部入力端子に印加される入力電圧が唯一に確定しない場合には前記内部回路の動作状態に関係なく該外部入力端子に無駄な電流が流れてしまう。 - 特許庁

To solve the problem that although Bi which is a main component of a joining material has a low ductility and is used as a joining material for a joining part between a power semiconductor element and a lead frame, peeling is easy to occur on the interface between a mold resin and the joining part when a repeated stress is applied by heat cycle.例文帳に追加

接合材料の主成分であるＢｉは、延性が低いことから、パワー半導体素子とリードフレームとの間の接合部の接合材料に用い、ヒートサイクルによる繰り返し応力が加わると、モールド樹脂と接合部との界面で剥離が発生しやすくなる。 - 特許庁

To provide a magnetic sensor which improves the problem, wherein conventional technique is unable to accurately recognize a bank bill, since the vibration from an upper roller is added from a side face, thereby affecting a semiconductor element in a magnetism-sensing surface, and to provide a magnetic detector and a bill-recognizing system that use the sensor.例文帳に追加

上部ローラーからの振動が側面から加わり、感磁面の半導体素子に影響を与えるため、正確な紙幣認識ができないという従来技術の問題点を改善する磁気センサ、およびこれを使用する磁気検知装置、紙幣認識システムを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can prevent a problem in the dual damascene process that, when an SiN film is formed on the wiring including copper hillock, it is formed in unequal thickness, giving a physical and chemical damage resulting from break of SiN film during the process to the wiring.例文帳に追加

デュアルダマシンプロセスにおいて銅ヒロックを有する配線上にＳｉＮ膜を形成すると不均一な膜厚となり、工程中のＳｉＮ膜破れに起因する物理的化学的ダメージを配線に与えてしまうのを防止できる半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To solve the problem wherein in particular, in a semiconductor device formed by using a thin-film transistor, even if a constant signal is input, dispersion is produced in the output potential, as well as, a current value flowing in the thin-film transistor, caused by variance or the like, of the threshold of the thin-film transistor.例文帳に追加

半導体装置、特に薄膜トランジスタを用いて形成された半導体装置においては、一定の信号を入力したとしても、薄膜トランジスタのしきい値ばらつき等に起因して、出力される電位や、薄膜トランジスタを流れる電流値にばらつきを生じてしまう。 - 特許庁

Emitting a laser beam to the semiconductor device through the glass mask 13 can etch parts other than the characters and the symbol, provide stamped contents that can easily be viewed, and make the depth of the etched parts shallow to realize the stamping method causing no problem from the standpoint of quality.例文帳に追加

ガラスマスク１３を介して、レーザー光を半導体装置に照射することにより、文字、記号以外の部分が、食刻され捺印内容が見やすくなるとともに、食刻部の深さも浅くすることができ品質の面においても問題のない捺印方法が実現できる。 - 特許庁

To overcome a problem without increasing man-hours that defects occur at both ends of a gate oxide film which can be a tunnelling medium and a floating gate electrode when ions are implanted using the floating gate electrode as a mask, in a semiconductor device having the floating gate electrode.例文帳に追加

フローティングゲート電極を有する半導体記憶装置において、フローティングゲート電極をマスクとしてイオン注入したときの、トンネリング媒体となりうるゲート酸化膜およびフローティングゲート電極端部への欠陥発生の問題を、工数を増大させることなく解消する。 - 特許庁

To obtain a composition for polishing, capable of polishing a material having a high hardness such as a glass substrate material or a semiconductor substrate material at a high polishing rate, and providing no problem in the smoothness of the polishing, the uniformity, the generation of scratch wound and the residue of abrasive grains of the polishing agent.例文帳に追加

ガラス基板材料又は半導体基板材料等の硬度の大きい材料に対する研磨速度が高く、かつ研磨の平滑性、均一性、スクラッチ傷の発生、被研磨物の表面に研磨剤砥粒が残留する等の問題のない研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of thinning longitudinal direction output wiring even in the case of multi-level, making length in the short direction of layout small and cutting only a non-required part of penetration current to an element which functions as voltage dividing resistor to be a problem in the case.例文帳に追加

多階調であっても横方向出力配線を間引くことができ、レイアウトの短尺方向長さを小さく出来ると共に、その際問題となる分圧抵抗として機能する素子への貫通電流を、不要な箇所だけカットすることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To solve a problem that abnormality, overcurrent or the like occurs to a gate phase upon power failure, voltage drop or the like if a synchronous power supply with an AC power supply is obtained by a transformer, if harmonic components are removed by a low-pass filter, and if a zero-crossing point is detected by a comparator in controlling the gate of a semiconductor power converter.例文帳に追加

半導体電力変換器５のゲート制御に、変圧器１で交流電源の同期電源を得、ローパスフィルタ２で高調波成分を除去し、コンパレータ３でゼロクロスポイントを検出するのでは、停電時や電圧低下等にゲート位相が異常になり過電流等を起こす。 - 特許庁

To fabricate a transistor in which reverse short channel effect does not take place by suppressing formation of a recess through etching of the sidewall part of an isolation pattern formed on a semiconductor pattern when a pad oxide film, a sacrifice oxide film, and the like, are removed by etching thereby solving the problem in an STI(shallow trench isolation) technology.例文帳に追加

パッド酸化膜、犠牲酸化膜等のエッチング除去時に半導体基板に形成した素子分離パターンの側壁部がエッチングされて窪みが形成されるのを抑制してＳＴＩ技術の課題を解決し、逆狭チャネル効果を生じないトランジスタの形成を可能にする。 - 特許庁

To provide a redundancy input and output fuse circuit of a semiconductor device, of which bias voltage drop by NMOS transistor equal to a threshold voltage and accompanying reduction in noise margin are prevented, and of which time delay problem caused by reduction in NMOS current is improved.例文帳に追加

伝送ゲートを用いてＮＭＯＳトランジスタによるしきい電圧だけの電圧バイアスの低下や、これに伴うノイズマージンの減少を防止し、ＮＭＯＳの電流減少による時間遅延を改善できる半導体素子のリダンダンシ入出力ヒューズ回路を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem that when a plurality of constant voltage power supply circuits are connected in the middle of power source wiring with intervals, and power supply is indirectly provided to an internal circuit positioned so as to be isolated from a power source terminal, a plurality of constant voltage power supply circuits are required, and the area of a semiconductor integrated circuit is increased.例文帳に追加

電源配線の途中に間隔をあけて複数の定電圧電源回路を接続し、電源端子から離れた位置にある内部回路に対して間接的に電源供給を行う場合、複数の定電圧電源回路が必要で、半導体集積回路の面積が増加する。 - 特許庁