「semiconductor problem」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of resolving a problem that a gate oxide film is not good by removing a nitride film by only a main process without carrying out a sample process in a process to remove the nitride film remained in a cell area.例文帳に追加

セル領域に残留する窒化膜を除去する工程でサンプル工程を行わず、メイン工程のみで窒化膜を除去することにより、かかる問題点を解決することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of a conventional vision chip, an SIMD processor for image processing or the like that a relation of trade-off is present between the performance of PE and the number of pixels and thereby it is difficult to provide a more versatile semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

従来のビジョンチップや画像処理用ＳＩＭＤプロセッサ等においては、ＰＥの性能と画素数の間にトレードオフの関係が存在し、より汎用性の高い半導体集積回路装置の提供を困難にさせている。 - 特許庁

To solve a problem of a drop in a gate withstand voltage due to a termination of a stripe-like trench, and to improve reliability of a gate oxide film in a trench gate type semiconductor device comprising a gate of a MOS structure provided in the trench.例文帳に追加

トレンチ内に設けられたＭＯＳ構造のゲートを有するトレンチゲート型半導体装置において、ストライプ状トレンチのトレンチ終端に起因するゲート耐圧低下の問題や、ゲート酸化膜の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device allowing a phosphor excelling in a light emission characteristic but having a problem of chemical stability to be practically used; to provide an image display device using the same; and to provide a lighting system.例文帳に追加

発光特性に優れているものの、化学的安定性に問題のある蛍光体を実用化可能とする半導体発光装置と、この半導体発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置を提供する。 - 特許庁

To solve the following problem: in multilevel conversion equipment, a capacitor series circuit is used in a direct current portion and parts such as semiconductor switches and a reactor are added to the exterior so as to balance the voltages, but this leads to an increase in the size and cost of the equipment.例文帳に追加

マルチレベル変換装置では、直流部にコンデンサ直列回路を用いるが、電圧をバランスさせるために、外部に半導体スイッチやリアクトルなどの部品を追加して対処するが、装置が大型で、高価格になる。 - 特許庁

To solve the problem that when an SOI substrate is used and a trench element isolation structure is applied, an oxide film at a trench corner part becomes thin during oxidation of a trench sidewall to generate a crystal defect reaching a semiconductor layer in an element region owing to stress concentration.例文帳に追加

SOI基板を用いてトレンチ素子分離構造を適用した場合、トレンチ側壁の酸化時にトレンチコーナー部の酸化膜が薄膜化し、応力集中により素子領域の半導体層に達する結晶欠陥が発生する。 - 特許庁

The photoelectric conversion layer is formed of such the semi-amorphous semiconductor, so that the deterioration in characteristics due to optical deterioration can be reduced from one-fifth to one-tenth, and the photoelectric conversion device having very little problem in practical use can be obtained.例文帳に追加

そのようなセミアモルファス半導体で光電変換層を形成することにより、光劣化により特性低下が５分の１から１０分の１となり、実用上ほとんど問題のない光電変換装置を得ることができる。 - 特許庁

To solve the problem that a semiconductor switch element with a control electrode keeps on-state by oscillation current of a pulse generation circuit, it becomes impossible to generate a pulse voltage at next time and later and a discharge lamp can not be started in operation.例文帳に追加

パルス発生回路の振動電流によって制御極付半導体スイッチング素子がオン状態を継続し、次回以降はパルス電圧を発生できなくなって、放電灯を始動できないという問題を解決すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which solves a problem that a transistor suffers variation in threshold voltage or mobility due to a series of factors of the variation in a gate insulator film resulting from difference in a manufacture process or a substrate used and of the variation in a crystal state in channel-region.例文帳に追加

トランジスタは作製工程や使用する基板の相違によって生じるゲート絶縁膜のバラツキや、チャネル形成領域の結晶状態のバラツキの要因が重なって、しきい値電圧や移動度にバラツキが生じる。 - 特許庁

To solve the problem that a semiconductor integrated circuit does not normally operate after the lapse of a long period of time by causing deterioration with the passage of time caused by an NBTI (Negative Bias Temperature Instability) phenomenon by the staining-out of boron when a current flows to an MOS transistor at all the time.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタに常に電流が流れるとボロンの染み出しにより、ＮＢＴＩ（Negative Bias Temperature Instability）現象に起因する経年劣化が発生し、長期間経過後に半導体集積回路が正常に動作しなくなる。 - 特許庁

To resolve a problem that estimation of a capacitance value becomes complicated because a capacitance value of a capacitor changes depending on an arrangement location, in a semiconductor device having an internal power supply and a compensation capacitance part supplying power to the internal power supply.例文帳に追加

内部電源と、該内部電源に電源を供給する補償容量部を有する半導体装置では、コンデンサの容量値が配置場所で変化するため、容量値の見積もりが煩雑になるという問題を解決する。 - 特許庁

To overcome the problem in a trench gate type semiconductor device having a gate with a MOS structure provided within the trench, wherein a gate breakdown voltage is lowered by a trench termination of a stripe-shaped trench, thereby improving the reliability of the gate oxide film.例文帳に追加

トレンチ内に設けられたＭＯＳ構造のゲートを有するトレンチゲート型半導体装置において、ストライプ状トレンチのトレンチ終端に起因するゲート耐圧低下の問題や、ゲート酸化膜の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To solve such a problem that exact detection can not be made owing to saturation when the current of an element is detected by an AC-DC conversion circuit using an ACCT while improving the power factor of AC input current by using a semiconductor switch element.例文帳に追加

半導体スイッチ素子を用いて、交流入力電流を高力率化しながら、交流−直流変換する回路で、ＡＣＣＴを用いて素子の電流を検出すると、飽和により正確な検出ができない。 - 特許庁

A refresh method and the semiconductor device enable suppressing of internal power source drop which poses a problem during doubling refresh by changing a doubling refresh performance means by a refresh command mode (distributed refresh or intensive refresh).例文帳に追加

リフレッシュコマンドの形態（分散リフレッシュ、又は集中リフレッシュ）により、倍増リフレッシュ実行手段を変更ことで、倍増リフレッシュ時に問題となる内部電源ドロップを抑制することができるリフレッシュ方法、及び半導体装置。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a capacitor of a semiconductor element whereby a problem caused by an oxygen hole and impurity is solved and a large capacity is obtained on a Ta2O5 thin film serving as a dielectric film.例文帳に追加

誘電体膜としてのTa_2O_5薄膜において、酸素空孔と不純物に起因する問題点を解決するとともに、高容量を得ることができる半導体素子のキャパシタ製造方法を提供することを主な目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device and a method of manufacturing imaging element, by which a substrate and a photomask can be aligned accurately with each other by solving the problem of accurate detection of alignment marks becoming difficult.例文帳に追加

アライメントマークを精確に検出することが困難になるという問題を解消して、基板とフォトマスクとの精確な位置合わせが可能である半導体装置の製造方法および撮像素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain the improvement of a conventional lead frame for BCC including a problem in which joining inferiority occurs without necessarily sufficiently joining the electrode of a wiring board and the electrode pad of a semiconductor device by using a ground part during soldering reflow.例文帳に追加

半田リフロー時にグランド部がつかえ、配線基板の電極と半導体装置の電極パッドと必ずしも十分接合されず、接合不良が起きるという問題を含む従来のＢＣＣ用リードフレームの改良を課題とする。 - 特許庁

To provide a nonlinear oscillator using a semiconductor gas sensor where electric conductivity can nonlinearly oscillate more stably and for a longer time than the conventional art, by solving the problem of the conventional art.例文帳に追加

本発明の課題は、従来技術の問題を解決することによって、従来技術よりも電導度が安定的かつ長時間、非線形振動しうるような、半導体ガスセンサーを用いる非線形振動子を提供することである。 - 特許庁

The problem is solved by so forming an ion injecting region whose thickness corresponds to the thickness of a plurality of layers comprising channel regions and source/drain regions, in a semiconductor substrate previously as to use this substrate in a transcribing method of utilizing the injection of hydrogen.例文帳に追加

予め半導体基板にチャネル領域とソース／ドレイン領域の複数層の厚さに対応するイオン注入領域を形成し、この基板を水素注入よる転写法に使用することで、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a method for forming an ohmic layer by plasma chemical vapor deposition(PCVD) which can improve resistivity characteristics and the problem that the surface of a semiconductor substrate is damaged, when titanium silicide is formed as an ohmic layer.例文帳に追加

オーミック層としてチタンシリサイドを形成する時、抵抗率特性、および半導体基板表面に損傷が生じる問題点を改善することができるプラズマ化学蒸着（ＰＣＶＤ）によるオーミック層形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting device which can utilize a phosphor that is superior in light-emitting characteristic but has a problem in chemical stability, and to provide an image display using the same, and a lighting device.例文帳に追加

発光特性に優れているものの、化学的安定性に問題のある蛍光体を実用化可能とする半導体発光装置と、この半導体発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which a gate electrode can be formed by preventing a gate oxide film from being damaged by etching without causing any problem accompanying the excessive thinning of a silicon film region or the positional deviation of the gate electrode.例文帳に追加

シリコン膜領域の過剰な薄膜化やゲート電極の位置ズレに伴う諸問題が生じることなく、且つエッチング処理によるゲート酸化膜へのダメージを防止して、ゲート電極を形成する製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor of an ultrafine particle which has not a problem of the quantum efficiency decrease because of the surface defect and which is excellent in such resistances to the environment as a resistance to water and a resistance to weather and also which does not deteriorate in the characteristics even when radiated with such an energy as an ultraviolet ray.例文帳に追加

表面欠陥による量子効率低下の問題のなく、耐水性、耐候性などの耐環境性に優れると共に紫外線などのエネルギー照射でも特性が劣化しない半導体超微粒子の提供。 - 特許庁

To provide a mask and exposing method which can solve a problem that a pattern (projected image) projected onto a resist film is dim and is significantly deformed due to refraction of light in a lithography process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置のリソグラフィー工程において、レジスト膜中に投影されるパターン(投影像)が光線の回折により、ぼやけて大きく変形した像が投影される問題を解決できるマスク及び露光方法を提供する。 - 特許庁

To provide a baking furnace capable of improving heat efficiency and solving a problem on the thermal deformation of a door part, in the baking furnace for baking plate-shaped electronic components such as a liquid crystal board, an integrated circuit board, and a semiconductor plate.例文帳に追加

液晶板、集積回路板、半導体板等の板状電子部品に対する焼成を行うための焼成炉であって、熱効率の向上化及び扉部分の熱変形の問題を解消した焼成炉の提供を図る。 - 特許庁

To solve the problem that a highly precise measurement result cannot be obtained owing to distortion of a measured image caused by drifting in measurement of a pattern shape and a pattern arrangement in nanometer order in the fields of semiconductor and storage having further increasing demands in the future.例文帳に追加

今後更なる需要が高まる半導体やストレージ分野におけるナノメートルオーダーでのパターン形状・パターン配列の測定において、ドリフトによる測定像の歪みにより高精度な測定結果を得ることができない。 - 特許庁

To obtain an epoxy resin composition having a polyfunctional epoxy resin as the base resin which has good dimension precision, moldability, reliability, and the like, and no environmental problem, and additionally has excellent flame retardance, and to provide a semiconductor device using the same.例文帳に追加

寸法精度、成形性、信頼性などが良好で、環境上の問題もないうえ、優れた難燃性を備えた、多官能型エポキシ樹脂をベース樹脂としたエポキシ樹脂組成物、およびそれを用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The problem cited above is solved by forming the conductive substrate 10 by successively laminating an inorganic transparent conductive layer 4, an organic-inorganic complex transparent conductive layer 6, and a porous oxide semiconductor layer 8 on a transparent resin film 2.例文帳に追加

透明樹脂フィルム２上に、無機透明導電層４、有機−無機複合透明導電層６、及び多孔質酸化物半導体層８をこの順番で積層して導電性基板１０とすることによって、上記課題を解決した。 - 特許庁

To provide a semiconductor quantum dot for maintaining the quality and shape of a nanostructure with high quality without causing a problem of a decrease in crystal quality resulting from the shape of a huge island, and a method of forming the same.例文帳に追加

巨大アイランドの形成による結晶品質の低下という問題を引き起こすことなく、ナノ構造の品質・形状を高品質に保つことを可能とする半導体量子ドット及び同形成方法を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem of a power supply fir driving a magnetron of the existing structure where the parts having higher ratings must be used because the voltage of about 500 V is applied to a semiconductor switching element and the voltage of about 20 kV is applied to the magnetron.例文帳に追加

従来の構成のマグネトロン駆動用電源は、半導体スイッチング素子には約５００Ｖの電圧が、マグネトロンには約２０ｋＶの電圧がかかるもので、定格の高い部品を使用する必要があるという課題を有している。 - 特許庁

To solve a problem where a current diffusion layer of GaP or AlGaAs hardly becomes excellent in surface morphology when it is formed at a low temperature, but a semiconductor light emitting device deteriorates in device characteristics when the current diffusion layer is formed at a high temperature because impurities are apt to be diffused into a light emitting layer.例文帳に追加

ＧａＰやＡＩＧａＡｓから成る電流拡散層を低温で形成すると表面モホロジーが良好に得られないので、高温で形成すると、不純物の発光層への拡散が生じ、素子特性が劣化する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an array type semiconductor laser device that improves a process for joining metal in a laser array and a base efficiently, and can solve a short-circuiting problem by a metal junction substance fused in the junction.例文帳に追加

レーザーアレイとベースの金属接合工程を効率的に改善し、さらには接合の際の溶融された金属接合物質によるショート問題を解決することができるアレイ型半導体レーザー装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem of a prior art crystallization method employing laser light that variance (variation) of TFT characteristics is increased to cause suppression of various performances of a semiconductor device employing a TFT as the component of an electronic circuit.例文帳に追加

従来のレーザー光を用いた結晶化法では、ＴＦＴ特性の分散（又はバラツキ）を大きく要因となり、それがＴＦＴを電子回路の構成要素とする様々な半導体装置の性能を抑制する原因となっている。 - 特許庁

Since it process evaluation appropriately is performed by this way, a suitable countermeasure is taken against a process which has a problem based on the information, and it becomes possible to a highly efficient and quality semiconductor device is manufactured with a sufficient yield.例文帳に追加

これにより、工程評価を適正に行うことが可能になるので、その情報を基に問題のある工程に対して適切な対策を講じ、高性能・高品質の半導体装置を歩留まり良く製造することが可能になる。 - 特許庁

To provide a diamond single crystal substrate which has a large size and a high quality and also is used for semiconductor materials, electronic parts, optical components, etc., by having overcome the problem on the crack of a diamond single crystal substrate obtained by a gas-phase growth method.例文帳に追加

気相成長法により得られるダイヤモンド単結晶基板の割れの問題を克服して、半導体材料、電子部品、光学部品等に用いられる、大型かつ高品質なダイヤモンド単結晶基板を提供する。 - 特許庁

To solve a problem with manufacture of an acceleration sensor based on MEMS technology, where although the acceleration sensor having a complicated configuration can be obtained, a MEMS-specific process is required to be passed, thereby causing a low affinity for a normal semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

ＭＥＭＳ技術をベースとして加速度センサを製造する場合、複雑構成の加速度センサを得ることができるものの、ＭＥＭＳ特有の製造プロセスを経る必要があり、通常の半導体製造プロセスとの親和性は低い。 - 特許庁

A planar silicon carbide semiconductor element is formed in a silicon carbide semiconductor layer 22 of a main surface side of a substrate 14, and it solves the problem by utilizing a horizontal Schottky diode including on the main surface side of the substrate 14 both a rectifying electrode 28 forming a Schottky conjunction and a non-rectifying electrode 30 forming an ohmic contact.例文帳に追加

基板１４の主面側の炭化珪素半導体層２２に形成されるプレーナ型の炭化珪素半導体素子であって、ショットキー接合を形成する整流性電極２８と、オーミック接合を形成する非整流性電極３０とを共に前記基板１４の主面側に有する横型ショットキーダイオードを用いることにより上記課題を解決できる。 - 特許庁

To solve the problem that a termination structure provided with a JTE layer greatly deteriorates in breakdown voltage since a level and a defect present in an interface between a semiconductor layer and an insulating film or a fine amount of an external impurity in the insulating film or entering from outside up to the semiconductor interface through the insulating film becomes a generation source for a leakage current and a high current due to breakdown.例文帳に追加

ＪＴＥ層を設けた終端構造では、半導体層と絶縁膜との界面に存在する準位及び欠陥、又は、絶縁膜中若しくは外部から絶縁膜を通して半導体界面まで浸入してくる微量な外来不純物が漏れ電流の発生源及び降伏点となってしまい耐圧が大幅に劣化する。 - 特許庁

To provide an epoxy resin inorganic composite sheet for sealing semiconductor which is effective especially for coating of an active plane and the back of a wafer for semiconductor, can remarkably reduce warpage after curing a coating film which is a problem caused by the large-diameter and large thickness of wafer, and can form the coating film which is superior in the precision of film thickness and high in strength.例文帳に追加

半導体用ウエハーのアクティブ面や裏面のコーティングに特に有効であり、ウエハーの大口径化や薄型化に伴って課題となるコーティング膜の硬化後の反り量を著しく低減することができ、かつ、膜厚精度が良好であり、高強度のコーティング膜を形成することができる半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シートを提供する。 - 特許庁

To provide a method for vapor growth of nitride semiconductors, which solves the conventional problem to be caused by excessive supply of material in the top of a growth layer which is generated at the time of selective growth, and is used for manufacturing a nitride semiconductor element wherein element characteristic like light emitting characteristic is superior, and to provide a nitride semiconductor element manufactured by the method.例文帳に追加

選択成長の際に生ずる成長層の頂上部では原料供給過多に起因する従来の問題を解決し、発光特性などの素子特性の優れた窒化物半導体素子を製造するための窒化物半導体を気相成長する方法と、それによって製造される窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

The problem can be solved by the crusher having a comminution ratio from 1.5-3, suited for producing fine silicon fragments for semiconductor or solar applications from silicon fragments for semiconductor or solar applications, having multiple crushing tools having a surface made from a hard, wear-resistant material.例文帳に追加

前記課題は、半導体級又は太陽電池級のシリコン粉砕物から半導体級又は太陽電池級のシリコン微粉砕物を製造するために適した、硬質の耐摩耗性材料からなる表面を有する複数の粉砕工具を有する粉砕機において、前記粉砕機は１．５〜３の粉砕比を有することを特徴とする粉砕機により解決される。 - 特許庁

To solve the problem that conventional semiconductor manufacturing facility can not be applied to the small-scale manufacturing facility of a small-scale manufacturing system as it is that can make highly efficient production, and the building of a new technology or new system constitution becomes necessary, because the conventional semiconductor manufacturing facility uses a technology or system constitution premised on a large-scale manufacturing system using a large-sized manufacturing facility.例文帳に追加

従来の半導体製造施設は、大型製造施設を用いた大規模生産方式を前提とした技術又はシステム構成となっているため、これをそのまま高効率生産を可能とする小規模生産方式の小規模製造施設に適用することはできず、新たな技術又はシステム構成の構築が必要不可欠となる。 - 特許庁

To solve the problem of a gap being generated between a resin frame and a ceramic substrate, and a part of dust remaining in that gap during a cleaning process adhering to a semiconductor light-receiving element, thus causing an erroneous operation, and to prevent an adhesive from projecting to the mounting surface of the semiconductor light-receiving element at the bonding of the resin frame and the ceramic substrate.例文帳に追加

樹脂枠体とセラミック基板との間に隙間が発生し、洗浄工程でダストがその隙間に残り、ダストの一部が半導体受光素子に付着して誤動作を起こすという問題点を解消し、また樹脂枠体とセラミック基板との接合時に接着剤の半導体受光素子の搭載面へのはみ出しを防止すること。 - 特許庁

To solve the problem that degree of integration of a memory cell group composed of cross points of word lines and bit lines becomes lower than a logically ideal one in a semiconductor memory constituted of cross points, because the areas occupied by transistors generally become larger than the allowable intervals between the bit lines and word lines when the semiconductor memory is constituted in the conventional functional block type.例文帳に追加

クロスポイント構成の半導体メモリにおいて、従来の機能ブロックの構成をとるとトランジスタの占める領域がビット線とワード線の許容間隔より一般的に大きい為にワード線とビット線のクロスポイント構成からなるメモリセル群の集積度が理論上の理想の集積度より低下するという課題を解決する。 - 特許庁

To solve a problem that, in a semiconductor memory test device that performs a test of a semiconductor memory divided into a plurality of regions, as fail information of each region is dispersed in a plurality of storage areas and stored in a fail memory, it is necessary to search a fail memory a plurality of times to obtain the number of fails of all regions, which makes a test time longer.例文帳に追加

複数の領域に分割された半導体メモリの試験を行う半導体メモリ試験装置において、各領域のフェイル情報が複数の記憶領域に分散してフェイルメモリに保存されていたので、全領域のフェイル数を得るためには複数回フェイルメモリをサーチしなければならず、試験時間が長くなってしまうという課題を解決する。 - 特許庁