「semiconductor problem」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To solve such a problem that in a large scale semiconductor integrated circuit, such constitution is well known that the number of test terminals is decreased by inputting an output signal to an exclusive OR circuit to decrease many terminals for test.例文帳に追加

大規模化な半導体集積回路では、多数のテスト用の端子を減らすため、出力信号を排他的論理和回路に入力させることによりテスト端子の数を減らす構成が知られている。 - 特許庁

To solve such a problem that, when an ECC cell is arranged at a word line remote end part in a semiconductor memory, measurements cannot be easily performed from the outside although the ECC cell measurement is required for analyzing the cause of a defective speed.例文帳に追加

半導体記憶装置においてＥＣＣセルをワード線遠端部に配置した場合、スピード不良の原因解析の為、ＥＣＣセルを測定したいが、外部から容易に測定できない。 - 特許庁

To provide a foreign matter/visual inspection apparatus which can discriminate and output whether a problem is critical or non-critical, which is effective information in the manufacture of a semiconductor device and to provide a method for preparing information using the inspection apparatus.例文帳に追加

半導体装置を製造する際の有効な情報である致命・非致命の判定・出力ができる異物・外観検査装置およびそれを用いた情報の作成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a means for forming a striped convex area without any problem on an upper clad of a semiconductor laser device and suppressing or preventing spread of optical distribution toward the upper clas layer.例文帳に追加

半導体レーザ装置の上クラッド層にストライプ状の凸部を支障なく形成することができ、かつ上クラッド層側への光分布の広がりを抑制ないし防止することができる手段を提供する。 - 特許庁

To provide an option fuse circuit produced by a standard complementary metal oxide film semiconductor technique to solve a problem derived from a burning technique by a laser.例文帳に追加

本発明は、レーザで焼き切る技術から招かれる問題を解決するために、標準相補型金属酸化膜半導体技術によって製造されるオプションフューズ回路を提供することを課題とする。 - 特許庁

To solve the problem that an offset output is generated in a Wheatstone bridge to be used for distortion detection due to a stress generated according to temperate change, heat distribution on a semiconductor substrate and the dose quantity gradient of impurity.例文帳に追加

温度変化によって発生する応力、半導体基板上の熱分布、不純物のドーズ量勾配によって、ひずみ検出に用いるホイートストンブリッジにオフセット出力が発生する。 - 特許庁

To solve a problem of defective adherence between a metallic wiring made of copper or copper alloy and an insulation film suppressing copper diffusion, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device free from hillock generation.例文帳に追加

銅または銅合金よりなる金属配線と、銅拡散抑止絶縁膜との間の密着性不良の問題を解決し、かつ、ヒロックの発生を防止した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition suitable for far ultraviolet light, particularly KrF excimer laser light, not causing the problem of development defects and excellent in stability in a semiconductor producing process.例文帳に追加

遠紫外光、特にＫｒＦエキシマレーザー光に好適で、現像欠陥の問題を生じず、しかも半導体製造プロセス上、安定性の優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a multiple-wavelength resonant cavity system for a tunable semiconductor laser utilizing a plurality of reflection mirrors, which solves a problem of inhomogeneous resonance losses in conventional multiple-wavelength resonant cavity systems.例文帳に追加

従来の多波長共振空洞システムの不均等共振損失の問題を解決する、複数の反射鏡を利用した可変半導体レーザーの多波長共振空洞システムを提供する。 - 特許庁

To effectively prevent the occurrence of the problem, wherein the ON-state resistance is increased and the withstand voltage and/or the breakdown resistance are/is reduced, etc. due to the void within a gate electrode in a trench-gate semiconductor device.例文帳に追加

トレンチゲート型の半導体装置において、ゲート電極内に発生するボイドによるオン抵抗の増加、耐圧や破壊耐量の低下等の問題を生じさせることを効果的に防止する。 - 特許庁

To solve the problem that a probe card cannot be used when a contact is performed in the case that a forming state of a non-conductor layer for removing an improper semiconductor device is incomplete when a wafer is burned-in at its level.例文帳に追加

ウェーハレベルでのバーンインに際して、不良半導体装置を除外するための不導体層の形成状態が不完全な場合にコンタクトを実施するとプローブカードが使用できなくなる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can improve uniformity of the temperature in a substrate or uniformity of the film thickness in the surface of the substrate, while suppressing the variation of the temperature in the surface of the substrate in manufacturing the semiconductor device which is a problem in a conventional technique.例文帳に追加

従来技術で問題となる半導体装置の製造方法における基板面内での温度のばらつきを抑制し、基板面内の温度均一性、ひいては基板面内の膜厚均一性を向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an MCM type semiconductor device capable of miniaturizing connection wiring on an intermediate substrate and remarkably relieving the problem of cracks of the intermediate substrate even when the size of IC chips is large in the MCM type semiconductor device using the intermediate substrate and the number of mounting is increased.例文帳に追加

中間基板を用いたＭＣＭ型半導体装置でＩＣチップのサイズ大きくなり且つ搭載する数が増加しても中間基板上の接続配線を微細化でき且つ中間基板の割れの問題を大幅に緩和したＭＣＭ型半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an optical semiconductor device, for manufacturing an optical integrated circuit smaller than a high-mesa structure and having no problem in characteristics of a waveguide, strong in mechanical strength by using a group III-V semiconductor to form an optical waveguide having the same refractive index difference as a silicon thin line.例文帳に追加

III V族半導体を用いて、シリコン細線と同等の屈折率差をもつ光導波路を形成し、ハイメサ構造よりも更に小さく、機械的な強度が強く導波路の特性に問題の無い光集積回路を実現することができる光半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

To solve a problem in which air bubbles are easily introduced into an application apparatus system in the step of applying a highly viscous resist comparatively thickly in a bump forming step in the method of manufacturing a semiconductor device or a semiconductor integrated circuit device having a comparatively thick bump electrode.例文帳に追加

比較的厚いバンプ電極を有する半導体集積回路装置または半導体装置の製造方法におけるバンプ形成工程では、高粘度のレジストを比較的厚く塗布する工程があり、そのような工程では、塗布装置システム中で気泡を導入しやすい。 - 特許庁

The RFID tag is provided with a metal antenna and a semiconductor device in which a terminal is joined to the antenna and the above problem is solved by adopting structure that the semiconductor device smaller than 0.5 mm square is joined to the antenna by a metal joint.例文帳に追加

金属製のアンテナと、該アンテナに端子が接合された半導体装置とを備えたＲＦＩＤタグであって、０．５ｍｍ角よりも小さい半導体装置が金属接合で該アンテナに接合されている構造を採用することにより、上記課題を解決することができる。 - 特許庁

To overcome the problem such that, related to a functional test for an A/D converter in a semiconductor integrated circuit, testing of a fast A/D converter at an actual operation speed is difficult because wiring delay in the semiconductor integrated circuit from the output of A/D converter to the input of a tester affects much.例文帳に追加

半導体集積回路内のＡ／Ｄ変換器の機能テストでは、Ａ／Ｄ変換の出力からテスタ入力までの半導体集積回路内の配線遅延が大きく影響を与えるため、高速Ａ／Ｄ変換器の実動作スピードでのテストが困難である。 - 特許庁

Furthermore, even after the semiconductor breaker 12 breaks the current, an electrical connection state of the semiconductor breaker 12 is temporarily switched from off to on so as to discharge electric charges charged in a capacitor 14, thereby there is no problem even if capacitance of the capacitor 14 is small.例文帳に追加

また、半導体遮断器１２にて電と流を遮断した後も、半導体遮断器１２の電気的接続状態をオフ状態から一時的にオン状態に切り替えて、コンデンサ１４に充電された電荷を放電させるようにして、コンデンサ１４の容量が小さくてもすむようにしている。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a semiconductor device which can reduce process margin necessary for control adjustment of CMP polishing by preventing exposure of a capacitor and short circuit of wiring which become a problem in a surface flattening process of a multilayer wiring type semiconductor device having a DRAM region and a logic region.例文帳に追加

ＤＲＡＭ領域とロジック領域とを有する多層配線型の半導体装置の表面平坦化工程で問題となるキャパシタの露出および配線のショートを防止し、ＣＭＰ研磨の制御調整に要するプロセスマージンを低減できる半導体装置の製造方法を得ること。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus having a wiring structure under a bump for reducing the probability of the occurrence of a crack in a semiconductor chip to solve the problem of delamination of interlayer film due to the occurrence of a crack in an LSI wiring layer in a UBM lower layer immediately under the solder bump in an outer periphery of the LSI chip.例文帳に追加

ＬＳＩチップ外周の半田バンプ直下のＵＢＭ下層の、ＬＳＩ配線層に、クラックが発生し、層間膜の剥離が発生する問題を解決するため、半導体チップに発生するクラックの確率を低減する、バンプ下の配線構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser, as well as its manufacturing method, that can cleave with no special problem through a cleavage method that performs positioning while looking at a stripe from the top side of a wafer in a semiconductor laser that internally has a region of a special structure, such as a Zn diffusion region in particular.例文帳に追加

特にＺｎ拡散領域など特殊な構造の領域を内部に有する半導体レーザにおいて、ウェハ上面からストライプを見ながら位置合わせを行う劈開の方法によっても、特に問題なく劈開し得る半導体レーザおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve such a reliability problem that, when hardening a sealing resin, voids are left in the sealing resin in the case wherein the bumps present on leads formed on a wiring substrate and the electrode pads of a semiconductor chip are so joined to each other as to seal with the sealing resin the gap generated between the wiring substrate and the semiconductor chip.例文帳に追加

配線基板上に形成されたリード上のバンプと半導体チップの電極パッドを接合し、配線基板と半導体チップの間隙に封止樹脂で封止する場合、封止樹脂の硬化時に、封止樹脂中にボイドが残留し、信頼性の問題が発生する。 - 特許庁

To solve such a problem that in an optical pickup device mounting a frame laser, in spite of that dustproof for a semiconductor laser device is especially important, dustproof of a whole optical system is very hard, also when dustproof is performed for only the semiconductor laser device part, it becomes expensive, therefore, an appropriate dustproof method is not obtained.例文帳に追加

フレームレーザを搭載した光ピックアップ装置では、半導体レーザ装置に対する防塵が特に重要であるにもかかわらず、光学系全体の防塵は非常に困難であり、また、半導体レーザ装置部分だけを十分に防塵しようとすると高価になり、適切な防塵方法が無い。 - 特許庁

To solve a problem that the pinching strength of a clip 1 is too strong and the size of the same is too small whereby it was hard to open the legs 2 of the clip 1 and a work for pinching the semiconductor element 4 and a heat radiating body or a casing body 5 by the clip 1 was hard conventionally, in the clip 1 for fixing the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子固定用クリップ１において，前記のクリップ１の挟み強度が強く，又サイズが小さいため，前記のクリップ１の脚２を開くことが難しく，半導体素子４と放熱体あるいは筐体５をクリップ１で挟み込み，固定する作業が困難な点である。 - 特許庁

To solve the problem of prior art that although a wire bonding method is generally known as a method for connecting a wiring from the outside to an electrode on an electric power semiconductor chip, in a semiconductor chip having high current density the number of wires is increased to increase the manufacturing cost, and the high cost is required for assurance of mounting reliability.例文帳に追加

電力用半導体チップ上の電極へ外部から配線を接続する方法としては、ワイヤボンディング法が一般的であるが、電流密度の高い半導体チップになると、ワイヤ本数が増えて実装コストが増加し、また、実装信頼性の確保にコストがかかる。 - 特許庁

To solve the following problem that the formation of a film that discontinuously generates stress on the surface of a substrate causes the exfoliation of the film from a part in a semiconductor device with the film for generating stress in the channel forming region of a field effect transistor formed on the surface of the semiconductor substrate provided.例文帳に追加

半導体基板上の表面に形成された電界効果トランジスタのチャネル形成領域に応力を発生させる膜を備えた半導体装置において、応力を発生させる膜が不連続的に基板表面に形成されると、その部分から膜剥がれが発生する。 - 特許庁

To solve the problem that when cleaning by the hydrogen waters containing only a dissolved hydrogen gas an electronic material including semiconductor substrates, there has been so existent the generation of the large reductions and variations of their cleaning abilities although they are the hydrogen waters having the same concentration of hydrogen that it becomes one of the origins of the faultiness of a semiconductor device.例文帳に追加

水素ガスのみを溶解した水素水で半導体基板を含む電子材料を洗浄した場合、同じ濃度の水素水でありながら洗浄能力の低下やばらつきが大きく、そのため半導体装置の不良の原因の一つになっている。 - 特許庁

To provide a reliable semiconductor device which capable of solving a disconnection problem of interconnections by electrolytic corrosion caused by the occurrence of an uncured portion in an anisotropic conductive adhesive material, when mounting a semiconductor chip on a circuit board via the anisotropic conductive adhesive material by thermocompression bonding.例文帳に追加

半導体チップを異方性導電接着材を介して回路基板上に熱圧着により搭載する際に異方性導電接着材に未硬化部分が発生することに起因する電食による配線の断線が解消された信頼性に優れる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that a semiconductor device, especially, a semiconductor device using a thin film transistor has variance in potential to be output or value of a current flowing to the thin film transistor owing to variance in threshold of the thin film transistor even when a constant signal is input.例文帳に追加

半導体装置、特に薄膜トランジスタを用いて形成された半導体装置においては、一定の信号を入力したとしても、薄膜トランジスタのしきい値ばらつき等に起因して、出力される電位や、薄膜トランジスタを流れる電流値にばらつきを生じてしまう。 - 特許庁

To resolve a problem in a semiconductor device having a function of detecting a physical position by a wireless signal wherein in an active type supplying supply voltage from batteries, physical shape and mass or the like of the semiconductor device is limited due to constraints regarding periodic battery replacement, and a physical shape and mass of batteries.例文帳に追加

無線信号により物理的位置を検出する機能を有する半導体装置において、電源電圧を電池から供給するアクティブ型では、定期的な電池交換、電池の物理的形状、質量に関する制約により、半導体装置の物理的形状、質量などが制限される。 - 特許庁

To overcome the problem of a prior art such that it is difficult for a multi-chip semiconductor device which has two or more element chips mounted in one package to have the respective chips and external lead-out leads electrically connected and the problem that a die pad can not have a transistor and a diode mounted as a collector, an emitter, an anode, or a cathode.例文帳に追加

２以上の素子チップを１つのパッケージ内に装着しているマルチチップ半導体装置では、各素子チップと外部導出リードとの電気接続が複雑困難であり、かつダイパッド上に素子チップを装着するため、前記ダイパッドがコレクタ、エミッタ、アノード、またはカソードとなるトランジスタ及びダイオードを装着することはできない。 - 特許庁

The semiconductor device which solves the problem has a field effect transistor formed in the surface region of a semiconductor substrate, a trench-type ferrodielectric capacitor formed inside the semiconductor substrate in one source/drain of the field effect type transistor and one electrode thereof is connected to the source/drain, and a wiring which is formed in the semiconductor substrate and is connected to the other electrode of the trench-type ferrodielectric capacitor.例文帳に追加

上記の課題を解決した半導体装置は、半導体基板の表面領域に形成された電界効果型トランジスタと、前記電界効果型トランジスタの一方のソース／ドレイン内の前記半導体基板内に形成され、一方の電極が前記ソース／ドレインに接続されたトレンチ型強誘電体キャパシタと、前記半導体基板中に形成され、前記トレンチ型強誘電体キャパシタの他方の電極に接続された配線とを具備する。 - 特許庁

To solve the problem, wherein conventional methods of manufacturing a semiconductor element invite high manufacturing cost related to a mask or reticles and failures in adjustment between photolithographic processes of a capacitor, an active region, a transistor and a bit line contact.例文帳に追加

従来の半導体素子の形成方法では、マスクまたはレチクルに関連する高製造コストを招き、コンデンサ、活動領域、トランジスタおよびビット線コンタクトのフォトリソグラフィープロセスの間で調整不良が生じる。 - 特許庁

To solve such a problem in a semiconductor memory that it takes long time to write-in the memory since write-in is performed after erasure operation is performed and a write-in voltage applying time and an applied voltage level are set externally.例文帳に追加

半導体記憶装置の書き込み方法は、一旦消去動作を実行してから書き込みを行い、書き込みの電圧印加時間と印加電圧レベルを外部で設定するため、書き込みに時間がかかる。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element in which a lowering in recombination probability of electron and hole due to piezoelectric effect can be suppressed without causing such a problem as a lowering in response or an increase in threshold current density.例文帳に追加

応答速度の低下や閾値電流密度の増加などの問題点を発生させることなく、ピエゾ効果による電子−正孔の再結合確率の低下を抑制することが可能な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that polymer mainly consisting of CF_x is stuck to the peripheral edge part a rear surface side and side end face of a wafer when an SiO_2 film and an SiOC film on a semiconductor wafer are etched using a plasma of a CF system.例文帳に追加

ＣＦ系のガスのプラズマを用いて半導体ウエハ上のＳｉＯ2膜やＳｉＯＣ膜のエッチングを行うと、ウエハの裏面側周縁部及び側端面に、ＣＦ_Ｘを主成分とするポリマーが付着してしまう。 - 特許庁

To solve a problem that a normal stabilized operation can not be ensured for internally sealed semiconductor elements 3a, 3b over a long term due to cracking on an insulating basic body 1, or stripping or bursting of a sealing resin layer 6.例文帳に追加

絶縁基体１にクラックが発生したり、封止樹脂６に剥離や破裂が発生し、内部に封止される半導体素子３ａ・３ｂを長期間にわたり、正常かつ安定に作動させることができない。 - 特許庁

To solve the problem that since coupling between wiring and a substrate is weak, when a semiconductor device is formed on an insulating substrate, a coupling capacity between the wirings is large, so that noise generated from clock signal wiring is mixed into the other wiring.例文帳に追加

絶縁基板上に半導体素子を形成すると、配線と基板との結合が弱いため、配線同士の結合容量が大きく、クロック信号配線から発生するノイズが他の配線に混入する。 - 特許庁

To provide a compact wiper control device of high reliability and positive action using semiconductor switching elements and a digitally controlled controller and solving a problem at the occurrence of short circuit abnormality downstream of a wiper motor.例文帳に追加

ワイパーモータの下流ショート異常発生時の問題点を解決し、半導体スイッチ素子とデジタル制御されるコントローラとを用いた小型で信頼性が高く動作が確実なワイパ制御装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a robot capable of improving throughput in the manufacturing of a semiconductor, preventing the deterioration of a fraction defective, and reducing cost by solving a problem of the maintenance of the clean atmosphere, the lowering of the throughput, and an increase in the cost in a wafer conveying step.例文帳に追加

ウェハー搬送工程において、クリーン雰囲気維持、スループット低下、及びコスト増の問題を解決して、半導体製造におけるスループット向上、及び不良率低下とコスト削減出来るロボットを提供する。 - 特許庁

To solve the problem wherein deviation in loss occurs, and a module and a device are large and expensive when a step-up ratio and a step-down ratio are large or small in a DC-DC conversion circuit using a semiconductor module including upper and lower arms.例文帳に追加

上下アーム入りの半導体モジュールを用いた直流−直流変換回路では、昇圧比や降圧比が大きい又は小さい場合には、発生損失が偏り、モジュールや装置が大型で、高価格になる。 - 特許庁

To provide a design support system for a semiconductor integrated circuit capable of automatically detecting a flip-flop without causing any problem even when FFs with reset included in a loop are replaced with FFs without reset.例文帳に追加

ループ内に含まれるリセット付きＦＦのうちリセット無しＦＦに置き換えても何ら問題の生じないフリップフロップを自動で検出することができる半導体集積回路設計支援システムを提供する。 - 特許庁

The heat-resistant resin sheet 2 is bonded onto the semiconductor chip 1 with the heat-resistant bonding agent 3 like this so that such a problem as intrusion of cutting water is avoided at dicing cut.例文帳に追加

このように耐熱性樹脂シート２を耐熱性粘着剤３によって半導体チップ１上に接着することによって、ダイシングカット時に研削水の侵入といった問題が回避された構造とすることができる。 - 特許庁

To solve the problem that an environment-proof semiconductor device utilizing boron phosphide (BP) and BP based mixed crystal cannot be provided because a process for forming a BP crystal layer having a band gap around 3 eV is not disclosed.例文帳に追加

３ｅＶ前後の禁止帯幅をもたらすＢＰ結晶層の形成方法が開示されていないため、リン化硼素（ＢＰ）及びＢＰ系混晶を利用した耐環境型半導体素子を提供できない問題を解決する。 - 特許庁

To solve the problem that the number of flip flops included per scan chain from the limit of the number of terminals is increased when a circuit scale is large and a test time increases in a semiconductor integrated circuit designed in a shift scan system.例文帳に追加

シフトスキャン方式で設計された半導体集積回路において、回路規模が大きくなると端子数の制限からスキャンチェーン１本あたりに含まれるフリップフロップの数が増加し、テスト時間が増大する。 - 特許庁