「semiconductor problem」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device, a photomask to be used for producing the same and an overlapping accuracy improving method, with which accuracy in overlapping is improved by detecting the aberration of a lens to become a problem in the production process of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程において問題となるレンズの収差を検出することにより、重ね合せ精度が向上した半導体装置、その製造に用いるフォトマスクおよびその重ね合せ精度向上方法を提供する。 - 特許庁

To provide a microcomputer failure analysis system capable of reliably reproducing a failure for a semiconductor device having a function failure therein and analyzing the location of a problem in a circuit built in the semiconductor device in early failure analysis.例文帳に追加

初期の故障解析において、機能不具合を内在する半導体装置に対して確実な不具合の再現を可能とし、半導体装置に内蔵された回路のどの部分に問題があるかを解析するマイクロコンピュータ故障解析システムを提供する。 - 特許庁

To solve the problem wherein a plurality of semiconductor lasers and laser arrays, in which the semiconductor lasers are further integrated, are used in a fixing method for fixing toner on a recording body, including papers which use light, and the uniformity of their intensity distribution is required.例文帳に追加

光を用いてトナーを紙等の記録体上へ定着させる定着方法において、複数の半導体レーザおよび、さらにその半導体レーザを集積化したレーザアレイが用いられるが、その強度分布の均一性が要求される。 - 特許庁

To solve such a problem that an operating voltage is raised by forming insulation protective films in a nitride semiconductor light emitting device in which there are formed the consecutive insulation protective films from an upper part of a nitride semiconductor layer to an upper part of a positive electrode.例文帳に追加

窒化物半導体層上から正電極上にかけて連続した絶縁保護膜が形成された窒化物半導体発光素子において、絶縁保護膜の形成によって動作電圧が上昇するという問題を解決すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can solve a problem by an insufficient adhesive force with a bonding wire or with cracking generation even if a probe needle of a measuring device is erected on a pad electrode to measure an electronic circuit or the like, and also to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

電子回路の測定などのためにパッド電極に測定装置のプローブ針の針立てを行っても、ボンディングワイヤとの密着力不足やクラック発生の問題を抑制できる半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve a problem that it is difficult to form a low-resistance evaporation preventing layer with aluminum gallium nitride on a light emitting layer made of a group III nitride semiconductor containing indium in a group III nitride semiconductor light emitting device.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、Ｉｎを含有するＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層上に設ける蒸発防止層を、窒化アルミニウム・ガリウムから構成すると、低抵抗の蒸発防止層を形成するのが困難である。 - 特許庁

To solve the problem that a GaN based semiconductor layer having uniform orientation cannot be brought about even when a GaN based III nitride semiconductor layer is formed on a sapphire substrate through a low temperature buffer layer.例文帳に追加

サファイア基板上に低温緩衝層を介してＧａＮ系ＩＩＩ族窒化物半導体層を形成しようとしても、画一的な配向性を有するＧａＮ系半導体層を充分に安定してもたらすことができない問題点を解決する。 - 特許庁

To solve the following problem: variance in element isolation width will heavily and adversely affect write disturb resistance as microfabrication is achieved when a semiconductor memory device is manufactured by stacking a storage element, such as a phase change memory and an ReRAM, and a semiconductor device.例文帳に追加

相変化メモリやＲｅＲＡＭなどの記憶素子と半導体デバイスの積層により構成される半導体記憶装置を製造する際、微細化に伴い素子分離幅のバラツキが書込みディスターブ耐性に大きな悪影響を与えるようになる。 - 特許庁

To solve the problem of on-state voltage resistance reduction due to charges going out of balance in an on-state semiconductor device drift region wherein a first conductivity type semiconductor region and a second conductivity type semiconductor region are adjacent to each other and stretch in parallel with each other.例文帳に追加

半導体装置のドリフト領域に、第１導電型の半導体領域と第２導電型の半導体領域が隣接するとともに、並行に伸びて形成されている半導体装置において、その半導体装置のオン状態においてドリフト領域のチャージバランスが崩れてオン耐圧が低下する。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a thin film transistor having no protrusion on the peripheral edge of a semiconductor layer, because there is a problem that protrusions on the semiconductor layer which exist along the pattern peripheral edge of the semiconductor layer may become leak current routes in the thin film transistor of a display device, and thereby adverse effects may be exerted on display quality.例文帳に追加

表示装置の薄膜トランジスタにおいて、半導体層のパターン周縁部に沿って存在する半導体層の隆起がリーク電流経路となり、表示品質に悪影響を与えるという問題があったため、半導体層周縁部に隆起の無い薄膜トランジスタの製造方法を得る。 - 特許庁

To solve the problem that, in a manufacturing process for a semiconductor wafer wherein only an element forming part is made thinner and an initial thickness of a semiconductor substrate is left in the peripheral part, a thick peripheral part remains in a final process, so that a conventional dicing device for dividing a semiconductor chip of the element forming part cannot be used, and that a new equipment investment is required.例文帳に追加

素子形成部のみ薄化し周辺部は初期の半導体基板の厚みを残した半導体ウエハの製造工程においては、最終工程で厚い周辺部が残るため、素子形成部の半導体チップを分割する従来のダイシング装置を用いることができず、新たな設備投資が必要となる。 - 特許庁

To provide a technology by which a user of a semiconductor device evades the problem of malfunction and radiation noise of equipment and prevents the increase of cost due to significantly excessive power supply, and besides, a vendor of the semiconductor device can support a user of the semiconductor device to design a printed board in a state where secret information is concealed.例文帳に追加

半導体装置のユーザは、機器の誤動作や放射ノイズの問題を回避できると共に過剰な給電強化によるコスト増加も避けられ、他方で半導体装置のベンダとしては、機密情報を秘匿したまま半導体装置のユーザのプリント基板設計をサポートすることが可能な技術を提供する。 - 特許庁

To solve the problem in which electrical connection becomes unstable due to inorganic filler dispersed in resin, when electrodes are lessened in size in a semiconductor device which has a structure where resin in which inorganic filler is previously dispersed is supplied on a wiring board, a semiconductor pellet is arranged on the wiring board to confront each other, and the electrodes of the semiconductor pellet and those wiring board are electrically connected together.例文帳に追加

予め無機フィラーを分散させた樹脂を供給した配線基板上で半導体ペレットを対向させ半導体ペレットと配線基板の各電極を電気的に接続した構造の半導体装置では、電極寸法を縮小させると樹脂中の無機フィラーによって電気的接続が不安定になる。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device such as a semiconductor laser which avoids a problem that the output decreases as a contaminant gas produced in a manufacturing process sticks on a projection light end surface of an optical semiconductor element, facilitates high power and miniaturization, and has superior efficiency of packaging.例文帳に追加

製造工程で発生する汚染ガスが光半導体素子の出射光端面に付着して出力低下する問題を回避するとともに、高出力かつ小型化を容易に図ることができ、パッケージング効率に優れる半導体レーザー等の光半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In order to solve the problem, the MOS semiconductor device is provided with a gate insulating film formed on the surface of a semiconductor region on an insulating supporting substrate, a gate electrode arranged so as to be contacted with the semiconductor region through the gate insulating film, a source electrode and a drain electrode.例文帳に追加

上記の課題を解決するため、絶縁性支持基板上の半導体領域の表面に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して前記半導体領域に接するように配置されたゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極を有するＭＯＳ型半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a gallium nitride based semiconductor layer which solves the problem that can not make a GaN based semiconductor layer having a uniform orientation sufficiently stable even if forming a group III GaN nitride semiconductor layer on a sapphire substrate through a low temperature buffer layer, its manufacturing method, a compound semiconductor element using it, and a luminous element thereof.例文帳に追加

サファイア基板上に低温緩衝層を介してＧａＮ系III族窒化物半導体層を形成しようとしても、画一的な配向性を有するＧａＮ系半導体層を充分に安定してもたらすことができない問題点を解決する窒化ガリウム系半導体積層構造体、その製造方法、及びそれを用いた化合物半導体素子、発光素子を提案する。 - 特許庁

To solve the problem of reduction in stability of a floating slider caused by stress of a waveguide when a semiconductor laser is disposed outside the slider and a light is guided to the floating slider by using the waveguide, and the problem of blocking of the movement of the slider by the waveguide when an actuator is disposed near the floating slider.例文帳に追加

半導体レーザをスライダ外部に配置し導波路を用いて浮上スライダに光を導く際、導波路の応力により浮上スライダの安定性が低下する問題、及び浮上スライダ近傍にアクチュエータを配置した際、導波路によりスライダの動き妨げられる問題を解決する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device avoiding the problem of causing etch stop owing to reduced aperture diameters and the problem of increased contact resistance owing to reduced contact areas caused by the tapered bottom part in the case of forming a through hole by dry-etching a thick insulating film.例文帳に追加

厚い絶縁膜をドライエッチングしてスルーホールなどを形成する場合、開口径が小さくなるとエッチング停止が生じる問題や底部ほど先細りして接触面積が小さくなり接触抵抗が増大する問題を回避する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which forms a highly reliable wiring structure by solving the problem at the time of using xerogel or fluororesin for the interlayer insulating film between wirings for reducing the interwiring capacitance, the problem, when misalignment occurs, and others.例文帳に追加

配線間容量を低減するために配線間の層間絶縁膜にキセロゲルもしくはフッ素樹脂を用いた際の問題点、ミスアライメントを生じた場合の問題点等を解決して信頼性の高い配線構造を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a substrate floating problem and a hot carrier problem liable to occur in an SOI device can be sufficiently suppressed, and crystal defect generation in a neighboring structure of a partial separation insulating film hardly occurs even if the partial separation insulating film is widely distributed.例文帳に追加

ＳＯＩデバイスにおいて生じやすい基板浮遊問題やホットキャリアの問題を充分に抑制することが可能で、広く分布する部分分離絶縁膜であっても周囲の構造に対し結晶欠陥を生じさせにくい半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element of dual-damascene interconnection structure, and manufacturing method of the element, in which there is solved the problem that a contact hole is not opened, and there is suppressed the problem that the permittivity of an interlayer insulation film is increased through use of an etching block layer so that the parasitic capacitance is in creased.例文帳に追加

コンタクトホールが開口されないという問題が解決でき、しかもエッチング阻止層を用いることにより、層間絶縁膜で誘電率が高くなって寄生キャパシタンスが増加するという問題が抑えられるデュアルダマシン配線構造の半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a semiconductor device which can prevent an increase in the parasitic capacitance of a field effect transistor while eliminating a problem with lift-off performance or the erosion of a T-shaped gate electrode.例文帳に追加

リフトオフ性の問題やＴ型ゲート電極の侵食が無く、電界効果トランジスタの寄生容量の増大を防ぐことができる半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To solve the problem of temperature being raised by the increase in power consumption, while high integration is proceeding, and strain in a package being caused due to severe mounting of a semiconductor device to a bottom plate for fixing.例文帳に追加

高集積化が進む中で消費電力の増加による高温化が生じ、また苛酷な取付け台への半導体装置の取付け固定は、パッケージにひずみを誘発する。 - 特許庁

To solve the problem caused by the difference between the thermal expansion of a C/C composite material and that of a SiC coated layer and to provide a member useful for easily producing even large-sized semiconductor materials.例文帳に追加

Ｃ／Ｃ複合基材とＳｉＣ被覆層との熱膨張差に起因する問題を解決するとともに、大型のものでも容易に製造できる半導体製造用部材を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, along with its manufacturing method, by which the problem of creeping up of an underfill is surely prevented in mounting by flip-chip connection.例文帳に追加

フリップチップ接続による実装において、アンダーフィルの這い上がりによる問題の防止をより確実なものにすることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a synchronous flip-flop circuit of a semiconductor device which can settle the ratio problem of a transistor by using a pre-charge node and also a differential latch and can improve its operating speed.例文帳に追加

プレチャージノードを使用するとともに、差動型ラッチを使用してトランジスタのレシオ問題を解決し、動作速度を向上させた半導体素子の同期式フリップフロップ回路を提供する。 - 特許庁

To solve the problem with a conventional storage tray for a semiconductor that it is difficult to specify at which stage after shipment a solder ball is lost when the loss of the ball is detected.例文帳に追加

従来の半導体装置用収納トレイでは、半田ボールの欠落が確認された場合に、その欠落が出荷後のどの段階で発生したかを特定することが困難である。 - 特許庁

To provide a thermosetting coating composition to be used as a semiconductor package bonding material, hardly generating void at the time of curing, without problem of metallic corrosion after bonding.例文帳に追加

硬化時にボイドが発生しにくく、接着後の金属腐食の問題も起こらない半導体パッケージ接着用材料として使用できる熱硬化性コーティング組成物を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that a potential difference is generated between a coaxial connector and an outer-periphery conductor of a coaxial adapter, reflection loss grows larger at inputting and outputting of signals, and operating property of a light semiconductor device is damaged.例文帳に追加

同軸コネクタと同軸アダプタの外周導体間に電位差が発生し、信号入出力時に反射損失が大きくなり、光半導体素子の作動性が損なわれる。 - 特許庁

To solve the problem of the conventional passivation method in the vicinity of a semiconductor bonding pad that, whichever the etching time of a polyimide film 38 is long or short, it causes a trouble in wire bonding, and the margin of the etching time is small in the etching process of the polyimide film 38, failure rate is high.例文帳に追加

従来の半導体のボンディングパッド付近のパッシベーション方法は、ポリイミド膜３８のエッチング時間が長くても短くてもワイヤボンディングに支障をきたす。 - 特許庁

To solve such a problem that a point where wiring is impossible by leading out a plating wire to the outer periphery of a wiring board occurs in a method of manufacturing a semiconductor device such as a μBGA.例文帳に追加

μBGAのような半導体装置の製造方法において、配線基板の外周にめっき用配線を引き出すことによって配線できない箇所が生じるという課題を解消する。 - 特許庁

To solve the problem that a fast driving semiconductor and fast responding liquid crystal are needed to avoid color mixing when a liquid crystal panel is driven on an FSC basis.例文帳に追加

解決しようとする問題点は、液晶パネルをＦＳＣ駆動する場合、混色を避けるためには高速の駆動用半導体、高速応答の液晶が必要となってしまった点である。 - 特許庁

To provide a method and a device for cleaning semiconductor wafer capable of surely performing washing and efficiently removing fine grains, to become a problem when microfabrication progresses.例文帳に追加

微細化が進んだ場合に問題となる微粒子の洗浄を確実に、且つ効率よく除去することができる半導体基板の洗浄方法及びその洗浄装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that the transmission of an output voltage of a differential amplifier circuit converting an input voltage of an inverter to a CPU 40a via a wire harness causes the enlargement of a semiconductor substrate 50.例文帳に追加

インバータの入力電圧を変換する差動増幅回路の出力電圧を、ワイヤーハーネスを介してＣＰＵ４０ａに伝達する場合、半導体基板５０の大型化の要因となる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device which is good in response characteristics, can improve the problem of current collapse, and also can form a gate recess portion exactly equal to device design values with good reproducibility.例文帳に追加

応答特性が良く電流コラプスの問題を改善できると同時に、デバイス設計値どおりのゲートリセス部を再現性よく形成しうる窒化物半導体装置を得ること。 - 特許庁

To solve the problem wherein determination of whether operation of a latch circuit for latching each bit of parallel data is normal or not is complicated, in a semiconductor integrated circuit for converting serial data into parallel data to output the data.例文帳に追加

シリアルデータをパラレルデータに変換して出力する半導体集積回路において、パラレルデータの各ビットをラッチするラッチ回路の動作が正常か否かの判定が煩雑である。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus which eliminates the problem that a great number of on-screen manipulations makes operation troublesome to improve work efficiency and operation comfortability.例文帳に追加

画面操作数が多く、操作が面倒であるという問題点を解消し、作業効率を向上させるとともに、操作の快適さを向上させる半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate treatment device that solves the problem of sticking of a sealing member to a sealing surface and can be maintained safely, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

密閉部材がシール面に固着してしまうという問題を解決し、安全にメンテナンスを行うことができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that reflection loss occurs due to the mismatching between differential impedances in a part on a wiring board where a line distance between differential transmission lines is increased, and the operationality of a semiconductor element is deteriorated.例文帳に追加

配線基板上の差動伝送線路の線路間隔が広がる部分において、差動インピーダンスの不整合から反射損失が生じ、半導体素子の作動性が損なわれる。 - 特許庁

To solve the problem that a conventional semiconductor transfer device has a complicated structure and includes many driving mechanisms; the device is large-sized; the manufacturing cost is high; and accidents during handling increases due to the thickness reduction.例文帳に追加

従来の半導体移載装置は構造が複雑で、駆動機構も多く、装置が大型化し、製造コストが高価であり、薄型化によりハンドリング時の事故が増加している。 - 特許庁

To improve a structural problem when potting resin is sealed on an LD and a PD in a semiconductor element module structure and further, to a space part in the vicinity of an end surface of an optical fiber.例文帳に追加

半導体素子モジュール構造におけるＬＤ及びＰＤ更には光ファイバの端面付近の空間部にポッティング樹脂封止する際の構造的難点を改善する。 - 特許庁

To solve a problem that high-frquency signal leaks when the high frequency signal is propagated from a circuit board to a board for mounting a high-frequency circuit component or a high frequency semiconductor package.例文帳に追加

高周波信号が回路基板から高周波回路部品搭載用基板または高周波半導体パッケージへ伝搬される際に、高周波信号の漏れ出しが生じる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a gate electrode whose resistance has been lowered, which is free from lowering of the insulating-film capacitance due to depletion, and which is free from the problem of impurity intrusion into the substrate.例文帳に追加

ゲート電極の低抵抗化、空乏化による絶縁膜容量低下、不純物突き抜け問題のないゲート電極を有する半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an integrated light power generation element for which the problem of performance decline to the exposure of a formed semiconductor layer in the air is solved, and also to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

成膜された半導体層が大気中に曝露されることを原因とする性能低下の問題を解決した集積型光発電素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element capable of improving temperature characteristics, while sufficiently preventing a problem that a laser light emitting end face is destroyed by heat due to a window structure.例文帳に追加

窓構造によりレーザ光の出射端面部が熱により破壊されるのを十分に抑制しながら、温度特性をより向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁