「semiconductor problem」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

To suppress the occurrence of bonding failure by solving the problem of a boundary between the bottom face of a recess part and an inside face storing a semiconductor element being unclear, and of an automatic wire bonder that cannot discriminate a reference position determined by the boundary to stop by erroneous recognition and by preventing dust from adhering to the inside face.例文帳に追加

半導体素子を収容する凹部の底面と内側面との境界が不明確になり、自動ワイヤーボンダーがこれらの境界によって決まる基準位置を見分けられずに誤認識を起こして停止するという問題を解消し、また内側面にダストが付着するのを防いでボンディング不良の発生を抑えること。 - 特許庁

To solve the problem that a manufacturing margin is small and when the distance between source/drain wiring is made short, yield is lowered, in the conventional manufacturing method wherein the number of manufacturing steps is reduced by forming a semiconductor layer and the source/drain wiring of a channel etching type and insulating gate type transistor are formed in one photo etching step using a halftone exposure technique.例文帳に追加

ハーフトーン露光技術を用いて１回の写真食刻工程でチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタの半導体層とソース・ドレイン配線を形成して製造工程数を削減した従来の製造方法では製造裕度（マージン）が小さくソース・ドレイン配線間の距離が短くなると歩留が低下する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method which can efficiently manufacture a highly reliable semiconductor device which includes an insulation film made from a material containing a polymer of a polymerizable compound which is an organic compound having a chemical structure not containing Si, and in which a problem of increase in a dielectric constant is prevented.例文帳に追加

Ｓｉを含まない化学構造を有する有機化合物である重合性化合物の重合体を含む材料で構成された絶縁膜を備え、誘電率の増大の問題が防止された信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる製造方法を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem on conventional BIST technology represented by STUMPS that a PRPG and a MISR are necessary for constructing the STUMPS in addition to a combined circuit to be tested and scan registers fundamental to scan test, resulting in an increase in the circuit area of a semiconductor integrated circuit to be mounted thereon.例文帳に追加

ＳＴＵＭＰＳに代表される従来のＢＩＳＴ手法技術では、テスト対象となる組合せ回路および、スキャンテストに必須なスキャンレジスタの他に、ＳＴＵＭＰＳを構成するために新たにＰＲＰＧ、ＭＩＳＲが必要で、これを搭載する半導体集積回路の回路面積が増大するという問題が生じる。 - 特許庁

To solve the problem that it is difficult to reduce the conversion ratio of the control voltage depending on the phase noise to the oscillation frequency of a frequency-variable oscillator in a semiconductor device, resulting in a high phase noise because of the large variation of the oscillation frequency due to the temperature or power voltage variation or the manufacturing variation.例文帳に追加

半導体装置における周波数可変発振器について、温度や電源電圧の変動や製造ばらつきによって生じる発振周波数の変動が大きいために、位相雑音と依存性のある制御電圧と発振周波数の変換比を小さくすることが困難であり、そのために位相雑音が大きい。 - 特許庁

To dissolve the problem that conventional methods cost high because of using a cutting processed matter or a press molding of a complex shape as a cap member when an aspheric lens is formed instead of a spherical lens with large aberration in a lens cap for semiconductor laser or the like where a lens is formed at a window at a top part of a cap member.例文帳に追加

キャップ部材の頂部の窓にレンズを形成した半導体レーザー等用のレンズキャップにおいて、このレンズを、収差が大きい球レンズに代えて、非球面レンズを形成する場合、従来の方法では、キャップ部材を切削加工品や、複雑な形状のプレス成形品を使用しているため、コストが高い - 特許庁

To provide a gallium nitride based semiconductor light emitting device in which a lattice unmatching problem with an Al introduction is avoided, cracks are prevented from occurring without thinning a thickness of Al_xGa_1-xN, and an Al composition X of an AlGaN layer is increased with a large light emission output and a long lifetime.例文帳に追加

Ａｌ導入に伴う格子不整問題を回避し、Ａｌ_xＧａ_1-xＮの厚みを薄することなくクラックの発生を防止し、かつ、ＡｌＧａＮ層のＡｌ組成Ｘを高くした、発光出力が大きく、しかも寿命が長い窒化ガリウム系半導体発光装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To solve the problem that a chemical liquid cannot enter a hole easily by the influence of centrifugal force by the rotation of a semiconductor substrate and that of surface tension operating between a cleaning chemical liquid and the sidewall of a fine hole, in a cleaning process of the fine hole having high aspect ratio by a sheet type cleaning apparatus.例文帳に追加

枚葉式洗浄装置による高アスペクト比の微細孔の洗浄過程において、半導体基板の回転による遠心力の影響と、洗浄薬液と微細孔の側壁との間に作用する表面張力の影響とで薬液が孔内に入り込むことが難しく洗浄が困難である。 - 特許庁

To solve the problem that a transistor varies in element characteristics resulting from unevenness in film thickness, patterning precision, etc., of a semiconductor film and a gate insulating film laminated in a manufacturing stage, and a polysilicon transistor further has variance in crystallinity depending upon a crystal growth direction, a defect at a crystal gain boundary, etc.例文帳に追加

トランジスタは、製造過程における積層された半導体膜やゲート絶縁膜の膜厚の不均一性や膜のパターニング精度等に起因して素子特性がばらつき、ポリシリコントランジスタの場合は加えて、結晶成長方向や結晶粒界における欠陥等により結晶性がばらついてしまう。 - 特許庁

To solve the problem of a performance enhancing technique in the microfabrication of a semiconductor device using electron beams or X-rays and to provide a negative type chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays satisfying such characteristics as sensitivity, resolution and resist shape when electron beams or X-rays are used.例文帳に追加

電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度と解像度、レジスト形状の特性を満足する電子線又はＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a jig for heat treatment of a semiconductor which is capable of suppressing the occurrence of fine particles in the order of submicrons that seems to be caused by a difference in a coefficient of thermal expansion between a nitride film and a SiC jig and has not been a problem so far, and which has a long life and can be repeatedly used in a heat treatment process.例文帳に追加

従来問題とされていなかった、窒化膜とＳｉＣ治具との熱膨張係数の差に起因すると思われる、サブミクロンサイズの微小なパーティクルの発生を抑制し、しかも耐用性に優れ、熱処理工程に繰り返し使用できる半導体熱処理用治具の提供を目的とする。 - 特許庁

To resolve a trade-off problem which is observed between a requiring of deducing a signal delay caused by a too long wiring which is generated by accompanied by making a high density, a high integration and a high speed operation of a semiconductor device and a requiring of eases for several tests such as burn-in and so on and for repairing.例文帳に追加

半導体装置の高密度化・高集積化・高速動作化などに伴って発生するところの、配線長が大きいことに起因する信号遅延の低減要求とバーンインなどの各種テストおよびリペア（修復）の容易性要求との間にみられるトレードオフ（二律背反）の問題を解消する。 - 特許庁

To solve the problem that, on a circuit board including a heat-dissipating parallelopiped semiconductor package 1 mounted on a substrate 2 with a different coefficient of linear expansion, stress is generated on a soldered region between an electrode 4 provided on one of surfaces 3a of the package 1 and a land 6A formed on the surface of the substrate 2, causing a failure such as a crack.例文帳に追加

放熱する直方体状の半導体パッケージ１を線膨張係数が異なる基板２上に実装した回路基板において、半導体パッケージ１の一つの面３ａに設けた電極４と基板２の表面に設けたランド６Ａとの半田付け部に応力が発生し、クラック等の不良が発生する。 - 特許庁

To solve the problem that since the TEG (test element group) of a semiconductor integrated circuit is configured of a plurality of shift registers, and the number of terminals of inputs and outputs of the shift registers is relatively smaller than the layout size, the density of wiring is made small after carrying out placing and routing, and the failure detecting sensitivity of a wiring layer is made low as a result.例文帳に追加

半導体集積回路のＴＥＧ（評価素子群）は、複数のシフトレジスタで構成されるが、シフトレジスタではセルレイアウトサイズに比べて相対的に入出力の端子数が少ないため、配置配線を行うと配線の密度が小さくなり、その結果として配線層の不良検出感度が低くなる。 - 特許庁

To solve the problem of a performance enhancing technique in the microfabrication of a semiconductor device using electron beams or X-rays and to provide a negative chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays satisfying sensitivity, resolution and resist shape in the use of electron beams or X-rays.例文帳に追加

電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度と解像度、レジスト形状の特性を満足する電子線又はＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁

To solve the problem that, when an external functional block becomes unnecessary in a system, another system LSI is developed and produced, or a system LSI containing an external functional block is produced, and royalty must be imposed on this so that it is difficult to sufficiently satisfy assurance of general purpose properties of the semiconductor integrated circuit and an optimization of a payment of the royality.例文帳に追加

外部機能ブロックがシステムで不要になった場合、別のシステムＬＳＩを開発、生産するか、外部機能ブロックを内蔵したシステムＬＳＩを生産し、これに対してロイヤリティを課する必要があり、半導体集積回路の汎用性の確保とロイヤリティ支払いの最適化をともに充分満たすことがむずかしい。 - 特許庁

To overcome the problem of wavelength controllability deteriorating due to mismatched phase conditions inside a wavelength variable light source, generating mode hopping and large skip of a wavelength, when continuously changing the wavelength in the case of varying an output light wavelength in an external resonator type semiconductor laser light source, without using a mechanical element such as piezoelectric element.例文帳に追加

外部共振器型半導体レーザ光源において、出力光波長を可変する際に連続して波長を変化させる場合に、波長可変光源内の位相条件が合わなくなり、モードホップが生じて、波長が大きく飛び波長の制御性が悪くなるのをピエゾ素子等の機械的要素を用いずに解決する。 - 特許庁

To solve the problem that when a thin film transistor on the TFT substrate side of a liquid crystal display device is irradiated with back light, the light is repeatedly reflected between the source-drain electrode and gate electrode of a TFT while transmitted through an amorphous silicon semiconductor area to impinge on a front channel, thereby generating a light off-leak current in the TFT.例文帳に追加

液晶表示装置のＴＦＴ基板側の薄膜トランジスタにバックライト光が照射されると、ＴＦＴのソース・ドレイン電極とゲート電極との間で、アモルファスシリコン半導体領域を透過しながら多重反射し、フロントチャネルに光が入射され、ＴＦＴに光オフリーク電流が発生する。 - 特許庁

To solve a problem of deterioration of transistor characteristics that a in a method for manufacturing a semiconductor device which carries out a self-aligning contact technique, if an offset insulation film, a side wall insulation film, an etching stopper film and the like are formed with a silicon nitride film, there occurs piercing into a substrate made of boron with hydrogen generated when a film is formed.例文帳に追加

自己整合コンタクト技術を行う半導体装置の製造方法において、オフセット絶縁膜、サイドウォール絶縁膜、エッチングストッパ層等を窒化シリコン膜で形成すると、成膜時に発生した水素によって、ホウ素の基板への突き抜けが生じ、それによって、トランジスタ特性を劣化させていた問題の解決を図る。 - 特許庁

To resolve the problem of memory cell region size increase and large increase of memory cell array region, in the case that the size of the memory cell region increases in the row direction, caused by the influence of the connection hole for connecting a first layer bit line and a second layer bit line in a semiconductor memory device constituted by the bit lines of two layers.例文帳に追加

２層のビット線で構成される半導体記憶装置において、第１層のビット線と第２層のビット線を接続する接続孔の影響により、メモリセル領域の行方向のサイズ大きくなる場合に、メモリセル領域のサイズが拡大し、さらにはメモリセルアレイ面積が大幅に拡大する。 - 特許庁

To solve the problem that a manufacturing margin is small and when the distance between source/drain wiring is made short, yield is lowered, in the conventional manufacturing method wherein the number of manufacturing steps is reduced by forming a semiconductor layer and source/drain wiring of a channel etching type and insulating gate type transistor are formed in one photo etching step using a halftone exposure technique.例文帳に追加

ハーフトーン露光技術を用いて１回の写真食刻工程でチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタの半導体層とソース・ドレイン配線を形成して製造工程数を削減した従来の製造方法では製造裕度（マージン）が小さくソース・ドレイン配線間の距離が短くなると歩留が低下する。 - 特許庁

To solve the problem that, in the conventional semiconductor image sensor IC, a small number of carriers is generated in an unintended surface part of a wafer due to slight moisture existing in the atmosphere and hence outputs of the photoelectric conversion (light receiving) elements of a plurality of photodiodes or phototransistors existing on the IC are fluctuated.例文帳に追加

従来の半導体イメージセンサＩＣでは、ウェハ状態で大気中に存在する僅かな水分の影響により意図しないウェハ表面部分での少数キャリアが発生し、前記ＩＣ上に存在する複数個のフォトダイオードあるいはフォトトランジスタの光電変換（受光）素子間の出力にばらつきが発生してしまう。 - 特許庁

To solve the problem wherein a via land is prevented from being mistaken (mistake) for an alignment mark so as to eliminate a misalignment independently of a state of interconnect lines connected to the via land, when the installation position and direction of a wiring board are measured using the wiring board in processes of assembling and mounting the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の組み立てや実装工程において、アライメントマークを使って配線基板の設置状態の位置、方向を測定する際に、ビアランドに接続する配線の状態に係わらず、ビアランドをアライメントマークと誤って認識すること（誤認識）を防止し、位置あわせ不良を解消することを目的とする。 - 特許庁

To provide an etchant composition which is used for etching a metallic thin film and a metal oxide film, in a process of manufacturing electronic equipment such as a semiconductor device and a flat panel display device, has no problem with an odor of acetic acid, has superior etching performance, is easily handled and has superior practicability.例文帳に追加

半導体装置ならびにフラットパネルディスプレイ装置等の電子装置の製造工程において、金属薄膜及び金属酸化物膜をエッチングする際に用いることができる、酢酸の臭気の問題がなく、エッチング性能に優れ、また取り扱いが容易で実用性に優れている、エッチング液組成物を提供する。 - 特許庁

The method of designing a semiconductor integrated circuit includes the steps of: calculating the risk of occurrence of a problem for each place on the semiconductor integrated circuit to be designed, based on the result of process simulation performed using a previously designed layout pattern 204 and physical model 201; and correcting a design standard 203 according to the risk for each place and generating a compaction condition 206 for each place.例文帳に追加

本発明による半導体集積回路の設計方法は、事前に設計されたレイアウトパタン２０４と物理モデル２０１とを用いて行われるプロセスシミュレーションの結果に基づいて、設計対象となる半導体集積回路上の場所毎に、不具合の発生する危険度を算出するステップと、場所毎の危険度に応じて設計基準２０３を修正し、場所毎のコンパクション条件２０６を生成するステップとを具備する。 - 特許庁

In the dye-sensitized solar cell having a porous semiconductor layer on which sensitized dye is absorbed and a carrier transport layer between a transparent conductive film and a pair of electrodes formed on a transparent base plate, a problem is solved by making the absorbance peak of the porous semiconductor layer absorbing the sensitized dye locate at shorter wave length side than that just after absorption of the sensitized dye.例文帳に追加

透明基板上に形成された透明導電膜と対電極との間に、増感色素が吸着された多孔性半導体層とキャリア輸送層を有する色素増感太陽電池において、増感色素が吸着された多孔性半導体層の吸光度ピークが、増感色素を吸着させた直後の吸光度ピークよりも短波長側にあることを特徴とする色素増感太陽電池により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

To resolve a problem where a first electrode and a second electrode are short-circuited each other by the occurrence of breakdown in a protective film when a semiconductor device, in which the first high potential electrode and the second low potential electrode that are arranged on one side of a substrate are covered with the insulating protective film, is used with conductive particles adhering to the portion from the first electrode to the second electrode.例文帳に追加

基板の一面上に配置された高電位の第１電極と低電位の第２電極とを絶縁性の保護膜で覆った半導体装置が、第１電極から第２電極にかけてに導電性異物が被さったまま使用されると、保護膜に絶縁破壊が発生して、第１電極と第２電極とが短絡する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a circuit device for cleaning and roughening a surface of conductive foil by irradiation with plasma, and a manufacturing method of a circuit device that solves a problem that a semiconductor element is broken etc., when contaminants sticking on a surface of a conductive material are removed using plasma.例文帳に追加

導電箔の表面にプラズマを照射することにより導電箔表面の洗浄及び粗化を行う回路装置の製造方法、及びプラズマを用いて導電性材料の表面に付着した汚染物質を除去する際に発生する半導体素子の破壊等の問題を解決する回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of a semiconductor device constituted to include a plurality of wiring layers covering the highest wiring layer with a protection film that when a cavity is formed among wires to reduce wiring capacitance, junction interface is formed within the protection film at the upper part of the cavity, and the wiring is corroded with water invaded through the junction interface.例文帳に追加

複数の配線層を有し、最上の配線層を保護膜で覆って構成される半導体装置において、配線容量低減のために配線間に空洞を形成した場合、空洞上方の保護膜中に接合界面が形成され、その接合界面を通して浸入した水分によりはいせんが腐食する問題を解決する。 - 特許庁

To solve the problem of light-receiving element malfunctions due to a gap generated between a frame body and a ceramic substrate, dust remained in the gap, and the dust adhered to the light-receiving element, and to prevent adhesive from spreading out to the mounting surface of the semiconductor light-receiving element when the frame body and the ceramic substrate are bonded together.例文帳に追加

樹脂枠体とセラミック基板との間に隙間が発生し、その隙間にダストが残留し、ダストが半導体受光素子に付着して半導体受光素子が誤動作するという問題点を解消し、また樹脂枠体とセラミック基板との接合時に接着剤が半導体受光素子の搭載面へはみ出すのを抑えること。 - 特許庁

To provide a reverse blocking insulated gate type bipolar transistor for reducing the occupation area ratio of the isolation region per chip, which becomes a problem if the thickness of a thin wafer (semiconductor substrate) is equal to 150 μm or less, which can avoid the tradeoff between on voltage property and turn off loss, and also for shortening diffusion time, and its fabrication method.例文帳に追加

オン電圧特性とターンオフ損失とのトレードオフを回避できる１５０μｍ以下の薄いウェハ（半導体基板）の場合でも問題となる一チップあたりの分離領域の占有面積比率を小さくすることができ、拡散時間の短縮も図れる逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

To solve the problem that wiring resources of the whole integrated circuit are likely to be deficient when the integrated circuit of a semiconductor device is designed by automatic wiring, and static signal wiring for simultaneously supplying static signals such as an SMC (Scan Mode Control) signal to a plurality of circuit cells is arranged in the same wiring layer with normal signal wiring.例文帳に追加

半導体装置の集積回路を自動配線にて設計する際、ＳＭＣ（Ｓｃａｎ Ｍｏｄｅ Ｃｏｎｔｒｏｌ：スキャンモード制御）信号などの静的信号を複数の回路セルに同時に供給する静的信号配線を、通常信号配線と同じ配線層に配置すると、集積回路全体の配線リソースが不足しやすい。 - 特許庁

To solve the following problem that the operation of a transponder having a structure of an antenna conductor connecting the both sides of a radio recognizing semiconductor chip having a double-sided electrode structures by an anisotropic conductive adhesive agent fails by a short-circuit between the surface of the electrode and a silicon substrate caused by conductive particles in the anisotropic conductive adhesive agent.例文帳に追加

両面電極構造をもつ無線認識用半導体チップを用いて、その上下を異方導電性接着剤でアンテナ導体で接続する構造のトランスポンダでは、異方導電性接着剤の中にある導電性粒子によって、表面の電極とシリコン基板がショートして、トランスポンダが動作不能となってしまう。 - 特許庁

To solve such a problem that a scope determined to be a reflux mode is small, wherein, when the reflux mode at which a current flows to a freewheel diode is determined on the basis of the output current of a micro-electrode formed on a semiconductor substrate configuring a power switching element forming an inverter, and the power switching element is turned off when a mode is determined to be the reflux mode.例文帳に追加

インバータを構成するパワースイッチング素子を構成する半導体基板上に形成される微小電極の出力電流に基づき、フリーホイールダイオードに電流が流れる還流モードを判断し、還流モードと判断される場合にパワースイッチング素子をオフとする場合、還流モードと判断できる領域が狭くなること。 - 特許庁

To provide an abrasive composition which can solve the problem that, when a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound is polished, the polishing selectivity ratio of the copper and tantalum compound is insufficient or, when the selectivity ratio to the copper is raised, copper films in wiring grooves or holes are excessively polished or the surface smoothness of the copper film is detracted, or the like.例文帳に追加

銅膜およびタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a one-pack type epoxy resin composition for underfill sealing, surely connecting semiconductor devices such as CSP and BGA on a circuit board and increasing connecting reliability in heat cycle treatment after curing, wherein the filling property of the underfill material is kept at a level of practically no problem and productivity is kept.例文帳に追加

アンダーフィル材料の充填性を実用上問題のない水準として、生産性を維持しながら、配線基板上にＣＳＰやＢＧＡ等の半導体装置を確実に接続でき、かつ、硬化後のヒートサイクル処理時の接続信頼性を向上させることができるアンダーフィル封止用の一液型エポキシ樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To realize a semiconductor light emitting device well matching with the conventional Si-MOS transistor structure, using a Si based material containing an additive of fine light emitting element such as Er, make the device utilizable for light interconnections and solve the problem of the signal propagation delay ascribed to wirings in an LSI.例文帳に追加

半導体発光装置に関し、Ｅｒ元素などの微細発光要素を添加したＳｉ系材料を用い、従来のＳｉ−ＭＯＳトランジスタ構造と整合性が良好な半導体発光装置を実現し、光インターコネクトに利用可能であるようにし、ＬＳＩに於ける配線に起因する信号伝播遅延の問題を解消しようとする。 - 特許庁

To solve the problem of DC biased magnetization control being not sufficiently functioning when pulse width is changed to secure on-delay time or the like after the creation of a PWM pulse even if the PWM pulse for switching a semiconductor device for inverters is created to prevent DC biased magnetization of a transformer in a voltage type self-excitation inverter apparatus for applying AC output to the transformer.例文帳に追加

交流出力を変圧器に印加する電圧形自励インバータ装置において、変圧器の直流偏磁が起こらないようにインバータ用半導体素子のスイッチング用ＰＷＭパルスを作成しても、このＰＷＭパルスの作成後にオンディレイ時間等を確保する目的でパルス幅が変更されると、直流偏磁制御が十分に機能しなくなる。 - 特許庁

To solve such a problem that an integration circuit is used to prevent an unstable feedback system due to the input capacity of a semiconductor to be measured, a by-pass capacitor, or an output cable, and the time constant of the integration circuit is fixed, so that a larger time constant than required has to be set and its response is delayed.例文帳に追加

被測定半導体の入力容量、パスコンや出力ケーブルによって帰還系が不安定になるのを防止するために積分回路を用いているが、この積分回路の時定数が固定であったために必要以上の時定数を設定しなければならなかったために、応答が遅くなってしまうという課題を解決する。 - 特許庁

To solve the problem that, though, for depositing a titania film on the surface of a substrate composed of an Mg alloy, ordinarily, a solution containing a photocatalytic semiconductor is applied on the surface of the substrate, and, next, sintering is executed at 300 to 500°C in the air, by this method, the film has not been firmly deposited on the substrate.例文帳に追加

Ｍｇ合金からなる基体の表面にチタニア膜を形成するために、通常は、光触媒半導体を含む溶液を基体の表面に塗布し、次いで大気中で３００℃超乃至５００℃以下の温度で燒結することが行われるが、この方法では基体の表面に強固に造膜できないという問題が発生する。 - 特許庁

To provide a search method of a novel barrier material for a semiconductor integrated circuit device composed of a metal of relatively low cost or an intermetallic compound containing the metal, and having the excellent effect of suppressing copper diffusion similarly to a conventional ruthenium barrier material, with no problem in terms of supply performance.例文帳に追加

従来のルテニウムバリア材と同様に優れた銅拡散の抑制効果を有し、供給性の点で問題がなく、比較的低コストの金属又はその金属を含む金属間化合物からなる新規な半導体集積回路装置用バリア材の探索方法及び当該探索方法によって探索される半導体集積回路用バリア材を提供する。 - 特許庁

In this semiconductor device, logic circuits (representatively, a driving circuit driving pixels, an image processing circuit, etc.) which are conventionally mounted as a silicon chip are formed on a substrate where pixels are formed and a problem of power consumption at this time is solved by making nonvolatile registers and a latches circuit that logic circuits have.例文帳に追加

本発明は半導体装置において、従来はシリコンチップで実装される論理回路（代表的には、画素を駆動する駆動回路、画像処理回路等）を、画素を形成する基板上に形成すると共に、その際に問題となる消費電力の課題に対しては、論理回路が有するレジスタ及びラッチ回路に不揮発性を持たせることで解決する。 - 特許庁

To solve the problem that an inter-wiring capacitance value is changed since a dummy metal is inserted to a layout after timing is matched after the end of layout routing processing when preparing a mask required for manufacturing a semiconductor device, timing design is required again and a design period (TAT) from the end of the layout routing processing to mask preparation becomes long.例文帳に追加

半導体装置製造に必要なマスク作成時において、配置配線処理終了後のタイミングを合わせ込んだ後のレイアウトにダミーメタルを挿入するために、配線間容量値が変化してしまい、再度タイミング設計が必要となり、配置配線処理終了からマスク作成までの設計期間（ＴＡＴ）が長くなってしまう。 - 特許庁

To enhance performance and to solve technical problem in the microfabrication of a semiconductor device using electron beams or X-rays and to provide a negative type chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays which satisfies characteristics such as sensitivity, resolution, resist shape, development defects and appliability in the use of electron beams or X-rays.例文帳に追加

電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能の向上及び技術課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度、解像度、レジスト形状、現像欠陥、及び塗布性の特性を満足する電子線又はＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a circuit substrate, preventing an ion residue problem of the ion for the cleavage separation in a semiconductor circuit and eliminating an effect, such as shrinking, on the target substrate by a deionizing process under a high temperature, even if an insulating substrate such as a glass substrate, which can not withstand the high temperature, is used as a target substrate.例文帳に追加

半導体回路における、劈開分離のためのイオンのイオン残りを防止するとともに、ターゲット基板としてガラス基板等の、高温に耐えることができない絶縁基板を用いた場合でも、高温下での脱イオン処理によるシュリンク等のターゲット基板への影響を排除することができる回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁