「semiconductor problem」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

In this semiconductor integrated circuit device including a capacitive element formed with an MISFET, a capacitive element C_1 in an analog PLL circuit wherein the leakage current becomes a problem is formed with a p-channel type MISFET using a thick gate oxide film (9B).例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴで構成された容量素子を有する半導体集積回路装置において、リーク電流が問題となるアナログＰＬＬ回路内の容量素子Ｃ_１は、厚いゲート酸化膜（９Ｂ）を使ったｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴで構成する。 - 特許庁

To solve the problem wherein, while it is necessary to cut the peripheral edge so that a protective tape does not bulge to the polishing surface, in the process of polishing a semiconductor wafer, such a cutting is very troublesome because merely a slight load or resistance can cause cracks or chipping.例文帳に追加

半導体ウエハの研磨加工中に保護用テープが研磨面に膨出しないように周縁を切断する必要があるが、その切断は僅かな負荷や抵抗が係るだけで割れたり欠けたりして、非常に厄介なものと成っている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device with high reliability by providing an etching method which can supply added gas stably for a future period, has less problems of particles and no problem of the peeling of a side-wall protection film, and also has high shape control capability.例文帳に追加

添加ガスが将来にわたって安定供給でき、パーティクルの問題が少なく、側壁保護膜の剥離の問題がなく、かつ形状制御能力が高いエッチング法を提供し、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The detection efficiency of the photo detector for detecting power is calculated from a waveheight value in emission with a long pulse width and a waveheight value used for actual recording to solve the problem, thus controlling the power of the semiconductor layer based on the operation result.例文帳に追加

上記課題解決の為に本発明では、長いパルス幅で発光させた時の波高値と、実記録に用いる波高知からパワー検出用フォトディテクタの検出効率を演算し、演算結果を基に半導体レーザのパワー制御を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device preventing the problem in which leakage light of a laser and radiation heat from a heating element are remained in a package to increase a temperature in the package, resulting in deterioration of reliability and quality.例文帳に追加

本発明は半導体レーザ装置に関し、レーザの漏れ光および発熱体からの輻射熱がパッケージ内部に留まることでパッケージ内部の温度が上昇し、信頼性や品質が悪化するのを防止することを目的とするものである。 - 特許庁

To solve the following problem: outputting of a voltage near the midpoind potential in a semiconductor switch which operates based on a low voltage power supply, causes a decrease in operation speed and a deterioration in accuracy of the output voltage due to an increase in ON-resistance or the occurrence of current leakage.例文帳に追加

低電圧電源を用いた半導体スイッチにおいて中間電位付近の電圧を出力する際に、オン抵抗の増大やリーク電流の発生により、動作速度の低下と、出力電圧の精度低下とが課題となる。 - 特許庁

To solve the problem, wherein since a conventional performance monitor circuit which monitors the performance of a semiconductor integrated circuit affects the performance to be monitored at the outputting of a monitor result to a data bus 17, it monitors a performance different from the original performance.例文帳に追加

半導体集積回路のパフォーマンスをモニタする従来のパフォーマンス・モニタ回路は、モニタ結果をデータバス１７に出力する際に、モニタ対象であるパフォーマンスに影響を与えるため、本来のパフォーマンスとは異なるモニタをすることになる。 - 特許庁

To solve a problem in which the crystal grain size is as small as several nanometers to several ten nanometers because of a short melting time caused by a very short pulse width of a laser light emitted from an excimer laser and because of a low transmittance of the semiconductor film for the laser light.例文帳に追加

エキシマレーザから、射出されるレーザ光のパルス幅は数十ｎｓ程度と非常に短く、半導体膜に対する透過率が低いため、溶融時間が短くなり、結晶粒の大きさは数ｎｍ〜数十ｎｍ程度と非常に小さくなる。 - 特許庁

To solve such a problem that in a test of a semiconductor memory, as a chip itself does not store nature of the chip, in order to perform analysis of a defective product by a wafer test after assembling, a test corresponding to the wafer test must be performed again and a defective product must be selected.例文帳に追加

半導体記憶装置の検査において、チップの素性をチップ自身は記憶していないので、ウエハ検査不良品の解析を組み立て後に行うためには再度、ウエハ検査相当の検査を実施して不良品を選別しなければならない。 - 特許庁

To readily provide a semiconductor device for solving a problem for manufacturing a system on a chip by a manufacturing method which is a combination of a memory specific manufacturing process and a logic-specific manufacturing process; and a number of LSI chips in the system on a chip are sealed by resin.例文帳に追加

メモリ特有の製造プロセスとロジック特有の製造プロセスとを組み合わせたシステムＬＳＩを製造するための問題を解決し、システムＬＳＩを複数のＬＳＩチップを樹脂にて封止した半導体装置を容易に提供する。 - 特許庁

To solve the problem wherein when a composite material composed of an insulator 106 and a metal foil 107 is cut through a full-cut process, it is at least needed for a width of 200 μm to be allocated and the number of electronic parts obtained from a semiconductor wafer 101 is unlikely to be increased.例文帳に追加

絶縁物１０６と金属箔１０７の複合材料をフルカットによって切削する場合、少なくとも２００μｍの幅を設けることが必要となり、半導体ウェハ１０１一枚あたりの取れ数を増やすことが難しい。 - 特許庁

To provide a semiconductor inspection device for diagnosing using pattern data capable of solving the problem that the pattern data stored in a hard disc are transferred to a memory at a plurality of times, and thus, an amount of time is increased by the number of the times of transfer, and it takes longer to diagnose.例文帳に追加

パターンデータを用いて診断を行う半導体検査装置において、ハードディスクに保存されたパターンデータを複数回メモリに転送するので、転送回数分時間が増加し、診断時間が長くなってしまうという課題を解決する。 - 特許庁

To solve the problem that lead-free solder has a melting point higher than that of Sn-Pb solder, and therefore, if mounted using a flow heating apparatus, it deforms due to a large thermal stress appearing in a semiconductor device surface-mounted in advance, causing a separation in bonding sections.例文帳に追加

鉛フリーはんだは、Ｓｎ−Ｐｂはんだより溶融温度が高く、フロー加熱装置を用いて実装すると、予め表面実装している半導体装置に生じる熱応力が大きいため変形し接合部にはく離が起きる。 - 特許庁

To solve a problem that tunnel field-effect transistors (TFETs) are regarded as successors of metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs), but silicon-based TFETs generally have defects on low on-currents and large resistance of a tunnel barrier.例文帳に追加

トンネル電界効果トランジスタ（ＴＦＥＴ）は、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）の後継者と考えられるが、シリコンベースのＴＦＥＴは一般に低いオン電流、トンネルバリアの大きな抵抗に関する欠点を有する。 - 特許庁

To provide a photomask without generating the problem due to static electricity in inspection by SEM and a correction process by FIB by avoiding the damage of a pattern due to static electricity or the like, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device using the photomask.例文帳に追加

静電気等によるパターンの破損を回避できるとともに、ＳＥＭによる検査やＦＩＢによる修正プロセスで静電気による問題が発生することがないフォトマスク及びそのフォトマスクを使用した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve a problem wherein a data format used in a semiconductor testing device is not controlled seamlessly with versatile network equipment controlled using an SNMP, even when connected to the same network, because the data format is a peculiar format.例文帳に追加

半導体テスト装置で用いるデータ形式は独自の形式であるため、同じネットワークに接続されていても、ＳＮＭＰを用いて管理することができる汎用ネット機器とシームレスに管理することができなかったという課題を解決する。 - 特許庁

To effectively solve the problem of a decline in internal supply voltage level by voltage drop in an interconnection while considering the effective use of a free space and a low power consumption of a circuit, in a large-scale semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

大規模な半導体集積回路装置において、配線における電圧降下によって内部電源電圧のレベルが低下する問題を、空きスペースの有効利用や回路の低消費電力性も考慮しつつ、効果的に解消すること。 - 特許庁

To solve the problem that a fluctuation in propagation time of high-frequency signals is to be reduced for a wiring board with a plurality of electric wirings conducting the input and output of signals from electronic components such as semiconductor elements.例文帳に追加

半導体素子などの電子部品から信号の入出力を行う電気配線を複数備えた配線基板においては、これらの電気配線における高周波信号の伝播時間のばらつきを小さくすることが求められている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device whose source region and base region are formed by ion injection by using the same mask and a manufacturing method therefor by improving the tradeoff relation between a channel resistance and a JFET resistance which is a problem arising when an element is made thin.例文帳に追加

素子の微細化で問題となるチャネル抵抗とＪＦＥＴ抵抗のトレードオフの関係を改善し、ソース領域とベース領域をイオン注入で作製するときに同一のマスクを用いて作製する半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To solve such a problem that reliability of a light source being a semiconductor laser is reduced by diffraction efficiency of an interchangeable type optical pickup when the interchangeable type optical pickup performing recording or playback of a BD and a HD-DVD is composed by using a diffraction type light diffraction means.例文帳に追加

ＢＤ、およびＨＤ ＤＶＤの記録または再生を行う互換型の光ピックアップを回折型の光回折手段を用いて構成する場合に、その回折効率によって、半導体レーザである光源の信頼性が低くなる。 - 特許庁

To solve the following problem: although an ultraviolet-shielding wavelength close to a theoretical value is expected to be obtained because zinc oxide is a direct transition semiconductor, the application of zinc oxide to a sunscreen material is limited because recombination luminescence due to exciton occurs even at room temperature.例文帳に追加

酸化亜鉛は直接遷移型半導体であるため，理論値に近い紫外線遮蔽波長を得ることが期待できるが，室温においても励起子による再結合発光が生じるため，サンスクリーン材への応用は制限されている。 - 特許庁

The semiconductor device that is the new matter corresponding to the problem to be solved of the specified invention is substantial part of matters in the claim of the related invention. Therefore the substantial parts of matters in the claims of the inventions are the same. 例文帳に追加

一方、関連発明は、特定発明の解決しようとする課題に対応した新規な事項である半導体装置を請求項に記載する事項の主要部としているので、両発明の請求項に記載する事項の主要部は同一である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is subjected to resin sealing that is improved in mechanical strength and reliability, capable of avoiding a problem caused by insulating resin creeping up in a manufacturing process, and high in performance and quality, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

樹脂封止の強度や信頼性の向上を図るとともに、絶縁性樹脂の這い上がりによる製造過程上の問題の発生も回避することのできる、高性能で高品質の半導体装置とその製造方法とを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method of the same, forming a control gate electrode without a problem such as causing a positional deviation at the time of forming a control gate electrode and further preventing a leakage from occurring between the control gate electrode and a floating gate electrode.例文帳に追加

コントロールゲート電極を形成する際の位置ずれの問題を起こさず自己整合的に形成し、さらにコントロールゲート電極とフローティングゲート電極間でリークを発生させない半導体装置及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that, since an indirect TCXO obtained by one-chip integrating a semiconductor temperature sensor together with a temperature compensation voltage generating circuit and an oscillation circuit has a low sensor sensitivity, an amplifier circuit of the sensor output is provided, and hence the phase noise characteristics of the TCXO is deteriorated.例文帳に追加

半導体温度センサを温度補償電圧発生回路、発振回路と共に１チップＩＣ化した間接型ＴＣＸＯは、センサ感度が低いため、センサ出力の増幅回路を設けるので、ＴＣＸＯの位相雑音特性が劣化する。 - 特許庁

To solve the problem that stress being applied to a translucent cover after sealing increases as a container for an optical semiconductor element, e.g. an imaging element, decreases in size and thickness and the cover is removed from the container.例文帳に追加

撮像素子等の光半導体素子を収容する光半導体素子収納用容器の小型化・薄型化に伴い封止後に透光性蓋体に加わる応力が大きくなってきており、透光性蓋体が容器から外れてしまう。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device, capable of reducing the problem of an RC delay caused by the extension of a data line, such as a global data line or a local data line, and achieving high speed and large capacity for, e.g., an eDRAM constituted by stacking submacros.例文帳に追加

グローバルデータ線やローカルデータ線等のデータ線の線長に由来するＲＣ遅延の問題を軽減し、サブマクロを積み重ねて構成される例えばｅＤＲＡＭを高速、大容量化できる半導体記憶装置を提供することである。 - 特許庁

To solve the problem that a conventional heat treatment technique needs to coat the surface of a boron phosphide layer with a silicon nitride protective layer so as to obtain a low-resistance boron phosphide semiconductor layer, and further needs heat treatment for a long time.例文帳に追加

従来の熱処理技術では、低抵抗のリン化硼素半導体層を得るために、リン化硼素層の表面に窒化珪素の保護膜を被着させる必要がある上に、長時間に亘る熱処理が要求される問題点を解決する。 - 特許庁

To solve above problem by the optoelectrochemical device, including an organic compound producing a radical compound, at least in one process of electrochemical oxidation reaction or deoxidation reaction and a semiconductor provided contacting with the organic compound.例文帳に追加

電気化学的酸化反応または還元反応の少なくとも一方の過程でラジカル化合物を生成する有機化合物と、その有機化合物に接して設けられる半導体とを有する光電気化学デバイスにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a production method of a semiconductor device by which an STI having a small width is formed with an insulating film having advantageous embedding properties and with respect to an STI having a large width, the problem of a film peeling by a stress etc. can be avoided.例文帳に追加

幅の狭いＳＴＩを埋め込み性の良い絶縁膜で形成すると共に、幅が広いＳＴＩの絶縁膜においては応力による膜はがれの問題等を回避することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To solve a problem in a semiconductor integrated circuit mounted with a flash ROM wherein in achieving an EEPROM function using two or more flash ROM sectors, if a writing target sector is filled with data at reception of writing request, writing cannot be executed until transfer is completed.例文帳に追加

フラッシュROMを搭載した半導体集積回路において、フラッシュROMのセクタを２つ以上使用しEEPROM機能を実現するに当たり、書き込み要求受理時に書き込み対象セクタがデータで埋め尽くされていると、転送が完了するまで書き込みが実行できない。 - 特許庁

To improve product quality and productivity by improving the difficulty and instability in control of a sealing shape, i.e., a problem occurring in a sealing process by a gel type sealant by a conventional technology in a method of protecting electrical connections of a semiconductor chip.例文帳に追加

半導体チップの電気接合部の保護方法において、従来技術のゲル状封止剤による封止工程で問題となっている、封止形状の制御の困難さと不安定の改善による製品品質と生産性の向上を目的とする。 - 特許庁

To resolve a problem that additional screw holes are needed in a heat radiation fin in order to fix a temperature sensor to the heat radiation fin, and manual work becomes necessary for tightening the temperature sensor together with a semiconductor switching element because screwing with an automatic machine can not be carried out, causing cost increase.例文帳に追加

温度検出器の放熱フィンへの固定のため、放熱フィンにネジ止め用の別個の穴が必要であったり、温度検出器と半導体スイッチング素子をネジで共締めするために、自動機によるネジ止めが出来ず手作業となり、コスト高になる。 - 特許庁

To solve such a problem that in a conventional optical pickup device using a semiconductor laser of two wavelength, since a light beam from a bad optical information recording medium is transmitted through a 1/4 wavelength plate and it does not become (s) polarization and becomes (p) polarization, a focus tracking error signal cannot be controlled.例文帳に追加

２波長の半導体レーザを用いた従来の光ピックアップ装置では、粗悪な光情報記録媒体からの光ビームは１／４波長板を透過しｓ偏光にならず、ｐ偏光となってしまうためフォーカス・トラッキング誤差信号の制御が出来ない。 - 特許庁

To solve such a problem that it becomes very difficult to design a circuit with high linearity because of making a semiconductor process micro and, lowering of source voltage, etc., although the nonlinearity of a control code and an output phase of a phase composing circuit should be made as small as possible.例文帳に追加

位相合成回路における制御コードと出力位相との非線型性は極力小さくしなければならないが、半導体プロセスの微細化や電源電圧の低下等によりリニアリティの高い回路の設計が非常に困難になって来ている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of suppressing the deformation and non-uniformity of the temperature of a treated substrate caused by a one-side heating system, which are a problem in a conventional one, and treating the substrate with excellent uniformity.例文帳に追加

従来技術で問題となる半導体装置の製造方法における片面加熱方式で発生する処理基板の変形及び温度の不均一性を抑制し、均一性良く基板を処理することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a light, thin, short and small-sized semiconductor device by solving the problem that the planar size of a package becomes large and further, the thickness thereof becomes large because a metal thread and a thick chip like a CSP66 are used.例文帳に追加

ＣＳＰ６６のように、金属細線や厚いチップを用いるためにパッケージの平面的なサイズが大きくなったり、更にはパッケージの厚みが厚くなってしまう問題を解消し、軽薄短小を実現できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve a problem wherein the enhancement of sensitivity and speedup are constantly pursued in the inspection of the circuit pattern of a semiconductor or the like but the discrimination between a flaw and a normal part becomes difficult because of the difference of the roughness or the like of the pattern accompanied by the micronization of the pattern to largely make inspection sensitivity insufficient.例文帳に追加

半導体などの回路パターンの検査は、高感度化と高速化が絶えず追求されているが、パターンの微細化に伴い、パターンのラフネス等の違いに起因して、欠陥と正常部の識別が困難となり、検査感度が大きく不足している。 - 特許庁

To solve the cause of an inclination by finding the gradient or the inclination of the end of wiring (particularly a word line, a bit line) caused by the microminiaturization of a pattern of a semiconductor device such as a DRAM or the like and to solve the problem associated with the cause.例文帳に追加

ＤＲＡＭ等、半導体装置のパターンの微細化によって生じる配線（特に、ワード線、ビット線）端部における傾き、倒れの現象を見出し、この現象の原因を解明すると共に、この現象によって生じる問題を解決することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor element in which adverse effects due to damage occurring during polishing or dry etching in a manufacturing process are eliminated, and a problem of difficulty in patterning by wet etching is solved, consequently reliability is improved.例文帳に追加

製造工程における研磨またはドライエッチングの際に発生したダメージによる悪影響を解消すると共に、ウェットエッチングによるパターニングが難しいという問題を解決することができ、信頼性を向上させることができる半導体素子を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that a crack is generated in an insulating film directly or indirectly adjacent to a thin film resistor in a semiconductor device which regulates a resistance value by melting the thin film resistor by energizing and generating heat in the thin film resistor.例文帳に追加

薄膜抵抗体に通電して発熱させることによってその薄膜抵抗体を溶断することによって抵抗値を調整する半導体装置において、その薄膜抵抗体に直接又は間接に隣接する絶縁性膜にクラックが生じる。 - 特許庁

To solve a problem in high-speed operating the external interface of a semiconductor circuit that, though measures are taken for the high-speed operation such as: to increase a current; to reduce a voltage; and to eliminate a protective diode, the measures have defects such as: being increased in heat generation; weak for noise; and likely causing electrostatic breakage.例文帳に追加

半導体回路の外部インターフェースを高速動作させるには、電流を増やす、電圧を下げる、保護ダイオードを削除する等の手段があるが、それぞれ、発熱量が増える、ノイズに弱い、静電破壊が起こり易いなどの欠点を有する。 - 特許庁

To solve a throughput degrading problem when a resist is formed on an almost entire substrate if the resist is intended to be coated and formed on a film other than places where contact holes are formed when forming the contact holes in the manufacturing process of a conventional semiconductor device.例文帳に追加

従来の半導体装置の作製工程においてコンタクトホールを開孔する際、コンタクトホールが形成される箇所以外の膜上にレジストを塗布形成しようとすると、ほぼ基板全面にレジストを形成する事になるため、スループットが大幅に低下する。 - 特許庁

To settle the problem that polyacene compounds have high carrier mobility and are expectable of used as an organic semiconductor but have low and unstable light resistance and oxidation resistance and have faults of difficulties in electronic device performance reproductivity, which difficulties are caused by low solubility in organic solvents.例文帳に追加

ポリアセン化合物は高いキャリア移動度を有し有機半導体としての利用が期待できるものの、耐光、耐酸化性が低く不安定であり、かつ、有機溶媒への溶解度が低いため電子デバイスの性能の再現性が困難であるとの欠点を有している。 - 特許庁

In wiring possessing a silicide film on silicon, to which impurity ions are implanted in a semiconductor device, the problem is solved by keeping the oxygen concentration in the silicon at 1×10^18/cm^3 or lower.例文帳に追加

本願発明の発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、半導体装置において、不純物イオンが注入されたシリコン上に、シリサイド膜を有する配線において、前記シリコンの酸素濃度が１×１０^18／ｃｍ^3以下とすることにより上記問題を解決した。 - 特許庁