「semiconductor problem」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

To solve the problem that, in a millimeter wave oscillator in which a Gunn diode element is mounted on a millimeter wave resonator substrate, a semiconductor substrate which constitutes the Gunn diode has a bad heat dissipation property, increases the temperature of a Gunn diode active layer during operation and thereby remarkably reduces the millimeter wave output.例文帳に追加

ミリ波共振器基板上にガンダイオード素子を搭載したミリ波発振器においては、ガンダイオードを構成する半導体基板の放熱性が悪く、動作中にガンダイオード活性層の温度が上昇してしまうため、ミリ波出力が著しく低下してしまう。 - 特許庁

To avoid the problem that a shadowing effect or a patterning accuracy is deteriorated by lowering the height of a capacitive element on a substrate in a technique for forming the element particularly in which a pair of electrodes are formed of a polycrystal semiconductor.例文帳に追加

容量素子で、特にその一対の電極がいずれも多結晶半導体で形成される容量素子の形成技術において、容量素子の基板に対する高さを低くすることにより、シャドウイング効果やパターニングの精度の劣化を招来するという問題点を回避することにある。 - 特許庁

Thus, the present invention utilizes observation such that the variation of the stray light component in the visual field and each variation of different stray light components of different projection objective appliances exhibit a bigger problem than the stray light component itself to manufacturers of a semiconductor constituent.例文帳に追加

このことにおいて、本発明は、視野にわたる迷光成分の変動、及び異なる投影対物器械の迷光成分の異なるそれぞれの変動が、半導体構成要素の製造業者に対して迷光成分それ自体よりもより大きい問題を呈するという観測を利用する。 - 特許庁

The above problem is solved by making a transparent resin film 1 overlaid with a first inorganic transparent conductive layer 3, an organic-inorganic composite transparent conductive layer 5, a second inorganic transparent conductive layer 7 and the porous oxide semiconductor layer 9 in this order to provide the conductive substrate 10.例文帳に追加

透明樹脂フィルム１上に、第１無機透明導電層３、有機−無機複合透明導電層５、第２無機透明導電層７、及び多孔質酸化物半導体層９をこの順番で積層して導電性基板１０とすることにより、上記課題を解決した。 - 特許庁

To solve the problem wherein since read properties of memory cells of a nonvolatile semiconductor memory device are varied by the number of times of rewriting, under the fixed read condition, as the number of times of rewriting increases, reduction in reading speed and misreading are caused, and a highly accurate load resistor is required for reading data.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置のメモリセルは、書換え回数によって読み出し特性がばらつくため、一定の読み出し条件下では、書換え回数の増加に伴い、読み出しスピード低下や誤読み出しが発生する上、データ読み出しのために高精度の負荷抵抗を必要とする。 - 特許庁

The stress relaxation structure, which has a wave-shaped insulating layer 4 that exists between a chip 5, on which a semiconductor device 6 is formed and a mounting substrate 7, has the above problem resolved by making the wiring 3 wave-shaped.例文帳に追加

半導体素子６が形成されたチップ５と実装基板７との間に存在する波形形状を有した絶縁層４と、その絶縁層４上に形成された配線３とを含む応力緩和構造であって、その配線３を波形形状とすることにより、前記課題を解決した。 - 特許庁

To provide a transfer-molded sealing composition which does not yellow, even when exposed to ultraviolet radiation, is capable of solving the problem of short life due to yellowing, can substitute a conventional epoxy resin, is excellent in durability and is suitable for a UV-blue optical semiconductor device.例文帳に追加

紫外線にさらされても黄変せず、黄変による短寿命化を克服することができ、従来のエポキシ樹脂の代わりに使用することができて耐久性に優れ、紫外乃至青色光半導体素子に好適なトランスファー成形封止用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a millimeter-wave oscillator which solves such a problem that, in a millimeter-wave oscillator mounted with a Gunn diode component on a millimeter-wave resonator substrate, an inferior heat dissipation of a semiconductor substrate constituent of the Gunn diode causes a temperature rise in an active layer of the Gunn diode during operation, resulting in a marked drop on a millimeter-wave output.例文帳に追加

ミリ波共振器基板上にガンダイオード素子を搭載したミリ波発振器においては、ガンダイオードを構成する半導体基板の放熱性が悪く、動作中にガンダイオード活性層の温度が上昇してしまうため、ミリ波出力が著しく低下してしまう。 - 特許庁

For solving the problem that a nitride layer directly grown on the diamond substrate is made to be a polycrystal, the semiconductor laminated structure includes: the diamond substrate; a first layer containing Si provided on the diamond substrate; and a second layer composed of a single crystal nitride provided on the first layer.例文帳に追加

ダイヤモンド基板上に直接成長した窒化物層が多結晶となる上記課題を解決するため、本発明に係る半導体積層構造は、ダイヤモンド基板と、ダイヤモンド基板上の、Ｓｉを含む第１の層と、第１の層上の、単結晶窒化物で構成される第２の層とを備える。 - 特許庁

To provide a stem for semiconductor package and the manufacturing method of the same, superior in heat dissipating properties and facilitated in assembling work, such as bonding of a cap by resistance welding or the like, while not receiving restrictions in the configuration, arrangement or the like of a heat sink due to problem in processing.例文帳に追加

熱放散性に優れ、抵抗溶接によってキャップを接合する等の組み立て作業が用にでき、加工上における問題によって放熱体の形状、配置等に制約が受けることがない半導体パッケージ用ステムおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing apparatus for semiconductors that solves the problem of the installation position of a display operation section for displaying an operation state and operating command action, and accommodates the display operation section in a portion within a standard dimension that is specified by SEMI Standards (Semiconductor Device and Material Institute).例文帳に追加

稼動状況表示および稼動命令操作を行う表示操作部の設置位置が不都合な位置である事を解決し、しかも、ＳＥＭＩ規格（半導体装置・材料協会規格）が定める規格寸法内の部分に表示操作部を収納した半導体製造装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor which is free of the problem of image blur by gaseous NOx, has sufficient wear resistance and is capable of dealing with a blue semiconductor laser beam source as well, an electrophotographic device which provides high image quality and is substantially maintenance-free by using the same and a process cartridge for the electrophotographic device.例文帳に追加

ＮＯｘガスによる画像ボケの問題が無く、十分な耐摩耗性があり、又、青色半導体レーザー光源にも対応できる電子写真感光体ならびにそれを用いて高画質でメンテナンスが少ない電子写真装置及び電子写真装置用プロセスカートリッジを提供すること。 - 特許庁

To solve the problem of a crystalline silicon film being formed at low temperatures, e.g. by a high density plasma, etc., without having to use a crystallizing means such as a laser, but a transition layer exists between a substrate and the crystalline silicon film to result in deterioration of the characteristics/reliability and productivity of thin-film semiconductor elements.例文帳に追加

レーザー等による結晶化の手段を用いずに、例えば高密度プラズマ等で低温で結晶性のシリコン膜を形成する場合、基体と形成した結晶性のシリコン膜との間に、遷移層が存在し、薄膜半導体素子の特性・信頼性や生産性を下げる。 - 特許庁

To solve the problem that a reactor of a converter circuit for controlling harmonics and improving the power factor with a semiconductor switching element cause the ambient temperature to rise, because a large amount of heat is generated and the size is considerably large, quickly deteriorates the parts, restricts layout and design of structure and makes impossible the loading of a substrate.例文帳に追加

半導体スイッチング素子により、高調波抑制、力率改善を行なうコンバータ回路のリアクトルは、発熱量やサイズが大きいため周囲温度を上昇させ部品劣化を早めたり、配置や構造設計制約や基板実装ができないといった課題。 - 特許庁

To solve the problem that, when an N-type impurity is implanted by using a mask for forming a gate pattern of a cell transistor to reduce manufacturing steps of a semiconductor memory device, the N-type impurity is also implanted in a region for forming a P-type contact so that a sufficient impurity concentration cannot be obtained to take a contact.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造工程を削減するため、セルトランジスタのゲートパターンを形成するためのマスクを用いてＮ型不純物を注入すると、Ｐ型コンタクトを形成する領域にもＮ型不純物が注入されて、コンタクトをとるのに十分な不純物濃度を得られない。 - 特許庁

To provide a fluid controller that is easily installed in a semiconductor manufacturing device and easy to be connected to piping and wiring, can perform flow rate control without any problem even if pulsational fluid flows, and can control a flow rate over a wide flow rate range in detail.例文帳に追加

本発明の課題は、半導体製造装置内などへの設置、配管及び配線接続が容易であり、脈動した流体が流れても問題なく流量制御することができ、幅広い流量範囲で微細に流量を制御することができる流体制御装置を提供することにある。 - 特許庁

To dissolve the problem that raising performance precision is not expected with respect to a production schedule in a production line concerning a production scheduling system PP (Plant Planner), since the production scheduling of a product having multiple processes such as semiconductor wafer manufacturing is not a maintenance schedule corresponding to production change.例文帳に追加

半導体ウェハ製造のように多数の工程を持つ製品の生産スケジューリングにおいて、生産の変動に対応したメンテナンススケジュールになっていないため、生産計画スケジューリングシステムＰＰ（Plant Planner）における、生産ラインでの生産計画に対する実行精度の向上が見込まれない。 - 特許庁

To solve the problem where the upper-limit of variable wavelength characteristics is limited since a conventional variable-wavelength semiconductor laser has a small total loss of a resonator and oscillates with a small threshold gain (first quantum level) and hence has a gain spectrum of only several tens to approximately 100 nm in terms of a wavelength region.例文帳に追加

従来の波長可変半導体レーザは共振器の全損失が小さく、低い閾値利得（第一量子準位）で発振するので、波長領域で見れば、数１０から約１００ｎｍ程度までの利得スペクトルにしかならず、波長可変特性の上限値が制限されている。 - 特許庁

To solve the problem, wherein a replica bit line is rapidly drawn out by a leak current of a dummy cell, and wherein desired start timing of a sense amplifier cannot be obtained, in a semiconductor storage device having a memory array, a sense amplifier circuit, a replica circuit connected to the replica bit line, the dummy cell, and a sense amplifier control circuit.例文帳に追加

メモリアレイと、センスアンプ回路と、レプリカビット線に接続されたレプリカ回路、ダミーセルおよびセンスアンプ制御回路とを有する半導体記憶装置であって、レプリカビット線をダミーセルのリーク電流により速く引き抜いてしまい、所望のセンスアンプ起動タイミングが得られない。 - 特許庁

To avoid a so-called process antenna problem that an insulating film under a gate electrode of a transistor formed over a semiconductor substrate is damaged by accumulated charge when wiring connected to the relevant gate electrode is formed while the requirement for the signal transmission characteristic of a wiring region is satisfied and the number of manufacturing processes requiring mask correction is controlled.例文帳に追加

半導体基板上に形成されるトランジスタのゲート電極下の絶縁膜が、当該ゲート電極に接続される配線の形成時の蓄積電荷によりダメージを受けるプロセスアンテナ問題を回避しつつ配線レイアウトの変更を行うことが容易でない。 - 特許庁

To provide the manufacture of a semiconductor device having multilayer wiring which provides the wiring structure having removed the discrepancy of dimensions and film thickness between a groove wiring congested section and an isolated section and also solves the problem of the erosion in chemical mechanical polishing(CMP) of metallic material at the same time.例文帳に追加

溝配線の配線密集部分と孤立部分の寸法・膜厚のズレを無くした配線構造を提供するとともに、金属材料のＣＭＰにおけるエロージョンの問題も同時に解決する多層配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that effects of shades of beams remain or accuracy is deteriorated because an area to be irradiated is expanded when eliminating the effects when a semiconductor wafer is irradiated with energy beams by using a stencil mask which periodically formes a plurality of through holes within an aperture range.例文帳に追加

開孔範囲内に複数個の貫通孔が周期的に形成されているステンシルマスクを使用して半導体ウェーハにエネルギービームを照射する場合、梁による陰の影響が残り、その影響を解消しようとすると照射範囲が拡大して精度が低下する。 - 特許庁

To solve the problem wherein relatively long time is needed since a chucking means (8) is required to be moved in an X-axis direction to detect the oblique angle of an object to be machined in the conventional alignment method in an object (90) to be machined, such as a semiconductor wafer (98).例文帳に追加

半導体ウエーハ（９８）の如き被加工物（９０）における従来の位置合わせ方法には、被加工物の傾斜角度を検出するためにチャック手段（８）をＸ軸方向に移動せしめることが必要であることに起因して比較的長時間を要する、という問題が存在する。 - 特許庁

To solve the problem that the uniformity in film thickness becomes poor when a treatment temperature is reduced in the so called dry oxidation method for obtaining a silicon oxide film, by supplying oxygen and hydrogen chloride gases into the reaction tube of, for example, a vertical heat-treating device and oxidizing the silicon layer of a semiconductor wafer.例文帳に追加

例えば縦型熱処理装置の反応管内に酸素ガスと塩化水素ガスとを供給して半導体ウエハのシリコン層を酸化し、シリコン酸化膜を得るいわゆるドライ酸化法において、処理温度を低くしようとすると膜厚均一性が悪くなることを解決する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method by which the problem of high on-voltage and high switching loss which occurs when a molybudenum silicide (MoSi) film of a conventional structure is used as a barrier metal can be changed to low on-voltage and low switching loss without deteriorating the resistance to wire bonding.例文帳に追加

本発明の目的は、従来構造であるモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）膜をバリアメタルとして用いた場合に問題となる高オン電圧と高スイッチィング損失を、耐ワイヤボンディング性を損なわずに、低オン電圧、低スイッチィング損失にできる半導体装置及びその製造法を提供することにある。 - 特許庁

To solve the problem that an optical transmission module composed of a driving circuit and a semiconductor laser and an optical reception module composed of a photodiode and a preamplifier are closed as themselves and impossible to be extended, therefore an amplifier must be connected by using a fiber, thus the composition is complicated and the cost is pushed up.例文帳に追加

駆動回路と半導体レーザからなる光送信モジュールや、フォトダイオードと前置増幅器からなる光受信モジュールはそれ自体で閉じており拡張の可能性がなく増幅器を付ける場合はファイバを使って結合する必要があり構成が複雑になり高コストになる。 - 特許庁

To solve the problem of the signal detection of a semiconductor integrated circuit which is adaptable to both the parallel control and the bidirectional serial control needing two terminals (DATA, CLOCK) in the bidirectional serial control and the same number of indicator terminals as the number of signals to be detected in the parallel control, resulting in the increase in the terminal number.例文帳に追加

パラレル制御と双方向シリアル制御の両方に対応する半導体集積回路の信号検出は、双方向シリアル制御の場合に２端子（DATA、CLOCK）、パラレル制御の場合は検出させる信号の数だけインジケーター端子が必要であり、端子数が増える。 - 特許庁

To solve the problem that the signal quality of signal lines degrades during normal operations in chip laminated semiconductor devices due to test stab conductors and test signal pins added to test each chip for a pad which establishes the connection only among laminated chips and does not include external terminal.例文帳に追加

チップ積層された半導体装置においては、積層されたチップ間のみの接続で外部端子を備えていないパッドに対し個々のチップをテストするためのテスト用スタブ配線、テスト用信号ピンが付加されるため通常動作時において信号線の信号品質が劣化する。 - 特許庁

To provide a technology of solving such a problem that there is the case that no acceptable product chips are present on an entire wafer at an early stage of developing a semiconductor since a margin of a process decreases accompanied by the micro-fabrication of the semiconductor and the complexity of the process, it becomes difficult to satisfy conditions in the process, and when fixed point inspection is executed, a suitable reference image for relative inspection cannot be imaged.例文帳に追加

半導体の微細化、プロセスの複雑化に伴いプロセスのマージンは減り、プロセスの条件出しが難しくなっているため半導体の開発初期においてはウェーハ全面において良品チップが存在しない場合があり、定点検査を実行する場合において、比較検査のための適切な基準画像を撮像することができないという課題を解決する技術を提供する。 - 特許庁

When a semiconductor device provided with at least an organic material film on a semiconductor substrate is etched to form a gate electrode, or the organic material film is etched, or when the dimension of a resist mask pattern is adjusted, a process wherein the organic material film is etched by using an etching gas atmosphere containing oxygen-contained gas, chlorine- contained gas and bromine-contained gas, is contained, thereby solving the problem.例文帳に追加

半導体基板上に少なくとも有機材料膜を有する半導体装置をエッチングしてゲート電極を形成し、又は有機材料膜をエッチングするにあたり、若しくはレジストマスクパターンの寸法を調整するにあたり、酸素含有ガスと塩素含有ガスと臭素含有ガスとを含むエッチングガス雰囲気を用いて、この有機材料膜をエッチングする工程を含むことにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a circuit carrier for a semiconductor chip and a structure element having the semiconductor chip and the circuit carrier capable of sufficiently avoiding to some extent the problem that a "contaminated" or impurity contained bonding pad makes it impossible to execute an allowable adhesive bonding without a cleaning process at a higher costs incrementally involved therein and further an area demand on the circuit carrier is expected to be increased.例文帳に追加

不純物が含まれるかまたは”汚染される”結合パッドは、付加的に費用のかかる清浄化工程なしの許容される接着剤結合の実施をもはや不可能なものにするという問題を、或る程度十分に回避させることはでき、更に、回路担体上での面積需要が高まることがない、半導体チップのための上記種類の回路担体ならびに半導体チップおよび回路担体を有する構造素子。 - 特許庁

To improve the light utilizing efficiency in view of the distribution of tolerance and also to attain high output of emitting power as a drive by restraining the dispersion of the distribution of light source intensity in the emitting direction using an existing semiconductor laser so as to solve such problem that the high output of the semiconductor laser is not easily attained although the light source having higher output is required in a recording optical disk drive.例文帳に追加

記録用光ディスクドライブではより高出力の光源が必要とされているが、半導体レーザの高出力化は簡単には達成できないという課題を解決すべく、現状の半導体レーザを用いて、その光源強度分布の出射方向のバラツキを抑えることにより、公差配分上の光利用効率を向上させるとともに、ドライブとしての出射パワーの高出力化を達成する。 - 特許庁

To provide a cleaning composition, a cleaning method using the same, and a manufacturing method of a semiconductor device, capable of solving a problem particular to a cleaning composition containing a specific detergent adjusted substantially to neutral, preventing corrosion by washing not only a semiconductor substrate and a metal layer but also a silicon, and sufficiently removing a plasma etching residue and an ashing residue generated during a manufacturing process.例文帳に追加

実質的に中性に調整された特定の洗浄剤を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層のみならず、シリコンの洗浄により腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, the rear surfaces of chips of the element 4 and the IC 3 can obtain common GND potential, and both can be die-bonded by using one kind of die bonding paste represented by an Ag paste 5, thereby enabling taking measures against an electrostatic discharge damage which is a problem in a bipolar type semiconductor.例文帳に追加

このため、電力供給用素子４と制御用ＩＣ３のチップ裏面は、共通のＧＮＤ電位をとることができ、Ａｇペースト５に代表される一種類のダイボンディング用ペーストを使用して一緒にダイボンディングすることができ、これによりバイポーラ型半導体の問題である静電破壊対策を行うことができる。 - 特許庁

To solve the problem in performance enhancing technique in micromachining of a semiconductor element using electron beams or X-rays, and provide a negative chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays which satisfies the sensitivity, degree of resolution and resist shape characteristics.例文帳に追加

電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度と解像度、レジスト形状の特性を満足する電子線又はＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁

To improve photoelectric conversion efficiency of a general solar cell using a general plastic film since a thin film solar cell having a photoelectric conversion layer using amorphous silicon or microcrystal silicon and a dye-sensitized solar cell using electrodes constituted by carrying dye on a semiconductor layer surface has the most important problem of low efficiency of conversion from sunlight to electricity associated with solar cell popularization.例文帳に追加

アモルファスシリコンや微結晶シリコンを光電変換層とした薄膜太陽電池や半導体層表面に色素を担持させて構成した電極を用いた色素増感太陽電池では、太陽光から電気への変換効率の低さが太陽電池普及への最大の問題となっている。 - 特許庁

To solve the problem that the conditions are hard to be realized in the distance between a first layer which is patterned and has a step to a periphery and a second layer formed thereafter, in the case of a semiconductor device which is important to the distance between the two layers and yield of high dispersion thereof and needs to reduce the distance.例文帳に追加

２つの層間の距離とそのばらつきが高い歩留まりに対し重要となり、更にその距離を近づける必要がある半導体装置の場合、パターン化され、周辺と段差のある第１の層とそれ以降に形成する第２の層との距離においてこの条件を実現するのは困難である。 - 特許庁

To solve a problem of causing a lowering of purity by metallic impurities caused by the material of a high-pressure gas container although manganese steel or chromium molybdenum steel is generally used as the material of the high-pressure gas container used for storing and transporting high-purity compressed gas or high-purity liquefied gas in a semiconductor industry field or the like.例文帳に追加

半導体産業分野等における高純度圧縮ガスや高純度液化ガスの貯蔵、輸送に使用される高圧ガス容器の材質はマンガン鋼、もしくは、クロムモリブデン鋼が一般に用いられているが、高圧ガス容器材質に起因する金属不純物により純度低下を起こしている。 - 特許庁

To overcome the problem that the fluctuation in a resistance value due to the potential fluctuation is caused since the divided potential control of respective wells is difficult, when a silicon active layer in an SOI substrate is used as a resistor and wells are diligently formed in a semiconductor support substrate under the resistor since an embedded insulating film is formed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板のシリコン活性層を抵抗体として利用する場合、埋込絶縁膜があるため抵抗体の下部の半導体支持基板部分にウェルをこまめに形成し、さらにこのウェルの電位分割の制御が困難であるため、電位変動による抵抗値変動を招くという問題を有している。 - 特許庁

To solve a problem of improving a joint between the flange of a reaction tube and a quartz cap in airtightness, where a large number of semiconductor wafers are loaded into the above vertical quartz reaction tube, and the silicon surface of a wafer is subjected to an oxidation treatment by the use of oxidizing gas containing hydrogen chloride gas.例文帳に追加

縦型の石英製の反応管内に多数の半導体ウエハを搬入し、塩化水素ガスを含む酸化用のガスを用いてウエハ上のシリコン表面部を酸化処理するにあたって、反応管のフランジ部と石英製のキャップ部との接合では気密性が不十分である点を解決すること。 - 特許庁

To solve the problem of disturbing a high-speed operation due to a mixture of an interference noise generated at one bit line of adjacent bit lines to each other with the other bit line in a semiconductor device only by a memory cell layout without increasing the area of a memory cell array.例文帳に追加

半導体装置において、互いに隣接するビット線どうしのうちの一方のビット線で発生する干渉ノイズが他方のビット線に混入しないようにして、この混入により高速動作を阻害するという問題を、メモリセルアレイ部における面積を増大させることなく、メモリセルレイアウトのみで解決する。 - 特許庁

To improve corrosion resistance and heat resistance of a ceramic porous composite member such as a ceramic filter, without lowering its handleability, and to make it possible to use the ceramic porous composite member under severer environment in order to solve the problem found in a conventional composite member suited to a ceramic filter for a semiconductor.例文帳に追加

本発明は、従来の半導体用セラミックスフィルターに適した複合部材における問題を解決するためになされたものであり、セラミックスフィルターなどのセラミックス多孔質複合部材のハンドリング性を損なうことなく、耐食性、耐熱性を改善し、より過酷な環境下での使用を可能にするものである。 - 特許庁

To provide a method for forming a coated film which can have an excellent environmental resistance with a practically low cost and can avoid degradation of thermoelectric material characteristics, by solving the problem that a thermoelectric material, in particular, a semiconductor-based thermoelectric material tends to deteriorated in such a harsh environment as a high temperature or an oxidizing atmosphere.例文帳に追加

熱電材料、特に半導体系熱電材料は、高温や酸化性雰囲気等の激しい環境に対して、劣化されやすいという問題を抱えている現状に鑑み、実用的でコストの低い耐環境性に優れ、熱電材料特性を損なわない被覆膜形成法を提供しようというものである。 - 特許庁

To solve the problem that it is difficult to grasp occurrence tendency of a defect since a defect size becoming fatal is miniaturized with miniaturization of a pattern and manufacturing tolerance which is originally not a defect is detected when sensitivity of a fault inspecting device is improved for detecting the minimal defect in a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

半導体製造プロセスにおいて，パターン微細化に伴い，致命となる欠陥サイズも微小化しており，微細な欠陥を検出するために欠陥検査装置の感度を上げると，本来は欠陥ではない製造公差などを検出してしまい，欠陥の発生傾向を捕らえることが困難となる。 - 特許庁

To provide a clock generation circuit, a semiconductor integrated circuit, and a test device therefor which can prevent a decrease in detection rate and an increase in circuit size, reduce the effect of a multi-cycle path, correctly identify problem parts, and test at a higher frequency even if provided with test objects with different frequencies in a non-scanned cell test.例文帳に追加

非スキャンセルの試験において、検出率低下、回路規模の増大を防止でき、マルチサイクルパスの影響を低減でき、不具合箇所を的確に特定でき、異周波数の試験対象があっても高速側の周波数で試験をすることが可能な、クロック生成回路、半導体集積回路およびその試験装置を提供する。 - 特許庁