「semiconductor problem」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To solve such a problem that appropriate control of dimensional variance of a photomask of which the occupancy area can be reduced is difficult while keeping or improving the basic performance and yield of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの基本性能や歩留まりの維持または向上を図りながら、その占有面積の縮小が可能な、適切なフォトマスクの寸法ばらつき管理が困難である。 - 特許庁

To solve the problem that light reflected from a substrate is interrupted by a peripheral edge electrode and does not go outside an element in a conventional gallium nitride based compound semiconductor light emitting element having the peripheral edge electrode.例文帳に追加

従来の周縁電極を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子では、基板から反射されてきた光は周縁電極に遮られて、素子外部に出て行かない。 - 特許庁

To solve a problem that a graphite laminar substance and a nanotube substance can be synthesized using only a light element and a technology combining a carbon nanotube and an ordinary semiconductor is not yet realized.例文帳に追加

軽元素以外の元素ではグラファイト層状物質、そしてナノチューブ状物質は合成できず、カーボンナノチューブと通常半導体を組み合わせた技術は実現していない。 - 特許庁

To solve the problem that malfunction occurs since changing of a scan test signal becomes a noise occurrence source during a normal mode in a semiconductor integrated circuit having a scan test signal wiring.例文帳に追加

スキャンテスト信号配線を有する半導体集積回路において、ノーマルモード時にスキャンテスト信号が変化することでノイズの発生源となり、半導体集積回路が誤動作してしまう。 - 特許庁

To solve a problem that break takes place in a low melting point solder material connecting the connection pad on a wiring board with an external electric circuit to lower the connection reliability of a semiconductor element to the external electric circuit.例文帳に追加

配線基板の接続パッドと外部電気回路とを接続する低融点ロウ材に破断が発生し、半導体素子の外部電気回路への接続信頼性が低下する。 - 特許庁

To solve such a problem that the inplane uniformity of a first insulation film becomes poor after its shape is processed, due to a difference in thickness of a deposition film in the conventional manufacturing method for a semiconductor device.例文帳に追加

従来の半導体装置の製造方法では、デポジション膜の厚みの相違に起因して、第１の絶縁膜を加工した後の加工形状の面内均一性が悪くなる。 - 特許庁

To solve such a problem that a publicly known heat insulating member such as hollow glass or one obtained by applying a photo-semiconductor layer mainly comprising titanium oxide on the surface of glass suffers from dew condensation under a condition of high temperature and ultra-high humidity.例文帳に追加

公知の中空ガラス或いはガラス表面に酸化チタンを主成分とした光半導体層を塗布した断熱部材では、高温、超高湿時には結露してしまう。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that overcomes the problem of the peeling of a through electrode and the problem of the peeling of a back wiring at the same time, by independently controlling the film thickness of the through electrode and the film thickness of the back electrode, in the semiconductor device having the through electrode and the back electrode formed integrally with the same, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

貫通電極およびこれと一体的に形成された裏面電極を有する半導体装置において、貫通電極の膜厚と裏面電極の膜厚とを独立に制御することにより、貫通電極の剥離の問題と裏面配線の剥離の問題を同時に解消することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that accurate positioning of a semiconductor device with a substrate is not performed because the body tubes of two recognition cameras are expanded owing to rise in temperature while the semiconductor element and the substrate are heated for bonding and positions of such cameras are changed from those at the beginning.例文帳に追加

半導体素子と基板との接続時の加熱状態においては、認識カメラの鏡筒部が温度上昇のために膨張して、２台の認識カメラの位置が初期の状態から変化し、半導体素子と基板との高精度な位置決めができなくなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device provided with an organic TFT having high reliability while manufactured through a simplified production process, in view of the problem that an organic semiconductor layer of an organic TFT tends to deteriorate under influence of water, light, oxygen, or the like.例文帳に追加

有機TFTの有機半導体層は、水、光または酸素等の影響で劣化しやすいことを鑑み、本発明は、作製工程を簡略化するとともに、信頼性の高い有機ＴＦＴを有する半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a novel semiconductor chip mounting method which can avoid a problem such as an improper connection between bump electrodes of a printed circuit board and terminals of semiconductor chips in a simple step and at low cost, and also to provide a mounting sheet used for embodying the method.例文帳に追加

工程が単純で、コストが掛らず、しかもプリント配線基板のバンプ電極と半導体チップの端子との接続不良等の問題を生じることのない新規な半導体チップ実装方法及びその方法の実施に用いる装着用シートを提供する - 特許庁

To provide a novel semiconductor chip mounting method which can avoid a problem such as a defective connection between bump electrodes of semiconductor chips and terminal parts of a printed circuit board, in a simple step and at low cost, and also to provide a mounting sheet used for embodying the method.例文帳に追加

工程が単純で、コストが掛らず、しかも半導体チップのバンプ電極とプリント配線基板の端子部との接続不良等の問題を生じることのない新規な半導体チップ実装方法及びその方法の実施に用いる装着用シートを提供する - 特許庁

To provide an electronic circuit device that has no influence on internal wiring and the like on a semiconductor chip, and causes no problem in electrical continuity between a board and the semiconductor chip even when thermal stress is repeatedly applied or impact and the like are externally applied.例文帳に追加

半導体チップの内部配線等に影響を与えることなく、しかも熱応力が繰り返し加わった場合や外部から衝撃等が加わった場合でも、基板と半導体チップとの間の電気的導通に支障が生じない電子回路装置を提供する。 - 特許庁

To provide a precise and inexpensive piezoelectric device having structure capable of performing high temperature processing necessary and sufficient for anneal processing regardless of the problem of the thermal resistance of a semiconductor integrated circuit in a piezoelectric device where the semiconductor integrated circuit and a piezoelectric oscillator are incorporated in a package.例文帳に追加

半導体集積回路と圧電振動子とをパッケージに内蔵した圧電デバイスにおいて、半導体集積回路の耐熱性の問題に拘わることなくアニール処理に必要充分な高温処理が行える構造で、高精度で安価な圧電デバイスを提供する。 - 特許庁

To solve the problem of a flip chip mounted semiconductor device, that the external dimensions of a circuit board 31 exceeds those of a semiconductor chip 11, because a through-hole 33 is made on the outer circumferential side of the circuit board 31 and the mounting area is at a disadvantage at surface mounting.例文帳に追加

フリップチップ実装による半導体装置は、回路基板３１の外周側にスルーホール３３を設けるため、半導体チップ１１より、回路基板３１の外形寸法が大きくなってしまい、表面実装において実装面積上不利になる。 - 特許庁

To solve such a problem that a nonvolatile memory circuit to be used as a redundant address storage circuit, etc., of a semiconductor storage device becomes large-scale due to the increase of a storage capacity of the semiconductor storage device and the occupied area is increased.例文帳に追加

従来、例えば、半導体記憶装置の冗長アドレス記憶回路等として使用される不揮発性メモリ回路は、その半導体記憶装置の記憶容量の増大に伴って大型化しており、その占有面積の増大が問題になって来ている。 - 特許庁

To solve the problem in a package for an optical semiconductor element that since the wiring conductor and the metal terminal of an insulating substrate are bonded perpendicularly, high frequency signals of 10 GHz or above interfere and increase the reflection loss extremely thus causing significant deterioration of the optical semiconductor element due to the transmission length.例文帳に追加

絶縁基板の配線導体と金属製端子が垂直に接合されていることから、１０ＧＨｚ以上の高周波信号が干渉し反射損失が極めて大きくなり、光半導体素子の伝送距離の長さによる劣化が大きい。 - 特許庁

To realize a semiconductor device which is low-cost to manufacture and is high-frequency and high-power by ensuring its high moisture resistance by solving the problem of deterioration in moisture resistance of the semiconductor device which occurs during conventional bare chip packaging by a simple structure.例文帳に追加

半導体装置に関し、従来のベアチップ実装に於ける半導体装置の耐湿性劣化の問題を簡単な構成に依って抑止して高耐湿性を確保し、製造コストが低い高周波高出力の半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To solve such problem of a hollow resin package 1 in which a semiconductor element 7 having an imaging function is mounted as a moisture present inside the package condenses on the main surface of the semiconductor element 7 and a glass plate 12 fitted to a package sealing surface 4 when an ambient temperature changes.例文帳に追加

撮像機能を有する半導体素子７を塔載する中空型樹脂パッケージ１においてパッケージ内部に存在する湿気が環境温度変化によりパッケージ封着面４に取り付けたガラス板１２や半導体素子７の主面に結露する。 - 特許庁

To solve a problem with prior art wherein a nonvolatile memory circuit is used as, for example, a redundancy address storage circuit etc., of a semiconductor storage device heretofore and the size of the nonvolatile memory circuit increases with an increase in the storage capacity of the semiconductor storage device and requires an increased occupied area accordingly.例文帳に追加

従来、例えば、半導体記憶装置の冗長アドレス記憶回路等として使用される不揮発性メモリ回路は、その半導体記憶装置の記憶容量の増大に伴って大型化しており、その占有面積の増大が問題になって来ている。 - 特許庁

To solve such a problem that if an oxide semiconductor layer is formed on the surfaces of a source electrode layer and a drain electrode layer with a film of oxide or contaminant generated on the surfaces, an interface with high electrical resistance is formed on the contact surface between the source electrode layer or the drain electrode layer and the oxide semiconductor film and the ON current of a semiconductor element is suppressed.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層表面に酸化物や汚染物の皮膜が生じたまま、その上に酸化物半導体層を形成すると、ソース電極層またはドレイン電極層と酸化物半導体膜との接触面に電気的に高抵抗な界面が形成され、半導体素子のオン電流が抑制されてしまう。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element whereby warpage of a wafer is reduced to a degree not causing a problem on device characteristics and handling of the wafer when a semiconductor layer is selectively grown on a mask by ELO growth, and a semiconductor laser by which warpage of the wafer is reduced in the case of LD while a dislocation density of a stripe light-emitting part is reduced.例文帳に追加

ＥＬＯ成長によりマスク上に半導体層を選択成長する場合に、ウェハの反りをデバイス特性やウェハのハンドリングに支障がない程度に小さくし得る半導体発光素子の製法およびＬＤにする場合にストライプ状発光部の転位密度を小さくしながら、ウェハの反りを抑制する半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a nitride-semiconductor film forming substrate suitable for the nitride-semiconductor film formation, capable of solving a problem of a pit caused by thermal stresses due to thermal expansion coefficient difference and structural change of porous silicon, and reducing warping and stress generated in the coating, during the formation of the nitride-semiconductor film on a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上への窒化物半導体薄膜の形成時における、熱膨張係数差から生じる熱応力および多孔質シリコンの構造変化に起因したピットの問題を解消し、更に該被膜に生じる反りと応力を低減できる、窒化物半導体薄膜形成に好適な窒化物半導体薄膜形成用基板を提供。 - 特許庁

A problem is solved by the semiconductor device and the manufacturing method for sequentially laminating a barrier metal layer and a soldering possible metal layer, which become the electrode, on the electrode forming face of a semiconductor layer and forming the barrier metal layer of the alloy layer of the constitution element of the semiconductor layer, barrier metal and soldering possible metal.例文帳に追加

半導体層の電極形成面に電極となるバリアメタル層および半田付け可能金属層が順次積層され、バリアメタル層が半導体層の構成元素、バリアメタルおよび半田付け可能金属の合金層で形成されてなることを特徴とする半導体装置およびその製造方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

To solve the problem that the laser light emitting time corresponding to one dot is changed by changing the response speed of a semiconductor laser caused by a change in temperature and change with time in an electrophotographic apparatus, to deteriorate the quality of printing.例文帳に追加

電子写真装置において、温度変化、経時変化に起因する半導体レーザの応答速度変化により、１ドット相当のレーザ発光時間が変化し、印刷品質が低下することである。 - 特許庁

To solve the problem wherein noise is generated and the receiving light signal level of starting point detection sensors is varied due to the influence of irregular reflection or the like of the laser light emitted from a laser light source of a semiconductor laser.例文帳に追加

レ−ザ−光源から出射された半導体レ−ザのレ−ザ−光による乱反射等の影響により、ノイズが発生し始点検出センサの受光信号レベルを変動する問題が生じる。 - 特許庁

To solve the problem, wherein when a pass transistor is different from a drive transistor in their gate length and gate width, manufacture of a semiconductor memory device becomes complex because the number of parameters to be managed during the manufacture is increased.例文帳に追加

通過トランジスタと駆動トランジスタとでゲート長およびゲート幅が相異なると、製造時において管理すべきパラメータの数が多くなるため、半導体記憶装置の製造が煩雑になってしまう。 - 特許庁

To solve the problem that a space can be made between the outer peripheral pads of a staggered pads, a connection metal connecting the pads and an IO circuit is long and chip size is large in a semiconductor integrated circuit having the pad of staggered arrangement.例文帳に追加

千鳥配置のパッドをもつ半導体集積回路で、千鳥パッドの外周パッド間にスペースができ、またパッドとＩＯ回路を接続している接続メタルが長くなり、チップサイズが大きくなる。 - 特許庁

To be able to set proper threshold voltages respectively to both nMOS-type and pMOS-type elements, and in addition, to improve the problem of "a gate depletion", with respect to a complete-depletion type SOI semiconductor device.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩ半導体装置に関し、ｎＭＯＳ型素子及びｐＭＯＳ型素子の何れにも適切な閾値電圧を設定できるように、しかも、「ゲート空乏化」の問題を改善しようとする。 - 特許庁

To solve the problem that a current to be controlled gradually changes with time and adjustment is required because an analog pulse width modulation controller is manufactured in a special-purpose semiconductor factory by using a special-purpose analog process technique.例文帳に追加

アナログパルス幅変調コントローラは専用のアナログプロセス技術を用いて専用の半導体工場で製造され、制御される電流は時間がたつにつれて徐々に変化し、調整が必要である。 - 特許庁

To resolve a problem that an absorption amount of infrared rays fluctuates due to a thickness of a semiconductor wafer and a dope amount of impurities and the like, which makes hard the recognition of a pattern formed on a surface and the detection of street positions.例文帳に追加

半導体ウエハの厚さ、不純物のドープ量等によって、赤外線の吸収量が変動して、表面に形成されているパターンの認識、及びストリート位置の検出が困難になる。 - 特許庁

To shorten time required until the working without variation of dimensions in products is realized after an etching apparatus is cleaned in the open atmosphere, wherein the apparatus gives rise to a problem regarding the etching of interconnect wiring and gate electrodes of semiconductor devices.例文帳に追加

半導体素子の配線やゲート電極のエッチングで問題となるエッチング装置を大気開放にて清掃してから製品を寸法変動無く加工できるまでの時間を短縮できる。 - 特許庁

To solve the following problem: an allowable current amount cannot be increased since impedance increases because of a GND through-hole, a signal through-hole, etc., formed in a power supply pattern provided in an interposer substrate of a semiconductor apparatus.例文帳に追加

半導体装置のインターポーザ基板内部に設けられた電源パターンに、ＧＮＤ用スルーホール、信号用スルーホール等によりに、インピーダンスが上昇するため、許容電流量を上げることができない。 - 特許庁

To solve a problem that a semiconductor device in which the minimum wiring width is 0.1 μm or less is particularly required to control generation of voids because the generated voids will cause a serious defect in some cases.例文帳に追加

最小配線幅が０．１μｍ以下の半導体装置においては、ボイドの発生が重大な欠陥を引き起こす場合もあるため、それを抑制することが特に強く求められている。 - 特許庁

To provide a method for forming a fine pattern of a semiconductor element, which removes a problem that a critical dimension due to an overlay and forms a fine pattern of all forms by the DEET method.例文帳に追加

オーバーレイによって臨界寸法が不良になる問題を除去すると共に、ＤＥＥＴ方法で全形態の微細パターンを形成することが可能な半導体素子の微細パターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor storage device using a trench type element separation wherein the word line interval sandwiching a source line is minimized to cause no such problem as the resistance rise of the source line.例文帳に追加

ソース線を挟んだワード線間隔を最小サイズにすることができ、ソース線の抵抗上昇などの問題が生じないトレンチ型素子分離を用いた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that it is difficult to form a plurality of transistors having different threshold voltages on the same semiconductor substrate by adjusting the threshold voltages of the transistors to appropriate values in a completely depleted SOI transistor.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩトランジスタ等において、閾値電圧を適正な値に調整して、同一の半導体基板上に、異なる閾値電圧を有する複数のトランジスタを形成することが困難である。 - 特許庁

To solve the problem that heavy metal mixing in an alumite membrane scatters when an earth electrode forming the alumite membrane of a plasma treatment apparatus is exposed to plasma and adheres to a wafer performing plasma treatment and the adhered heavy metal deteriorates the characteristic of a semiconductor device.例文帳に追加

プラズマ処理装置のアルマイト皮膜を形成したアース電極がプラズマに曝されるとアルマイト皮膜中に混在した金属元素が飛散し、プラズマ処理したウエハ上に付着する。 - 特許庁

To solve the problem that if a semiconductor substrate has nonlinear strain, a component thereof can not be corrected through alignment measurement before exposure in a step-and-repeat type alignment method, and misalignment is caused after the exposure.例文帳に追加

ステップアンドリピート方式のアライメント方法においては、半導体基板に非線形な歪みがあると、その成分は、露光前のアライメント計測にて補正する事が出来ず、露光後にアライメントずれとなってしまう。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is easy to acquire a normally-off property and can suppress a problem that, if a voltage is applied to a drain electrode when no voltage is applied to a gate electrode, a drain current is caused to flow.例文帳に追加

ノーマリーオフ特性を得やすく、ゲート電極に電圧を印加しない状態でドレイン電極に電圧を印加すると、ドレイン電流が流れてしまうのを抑制できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that a current to be controlled gradually changes with time and adjustment is required because an analog pulse width modulation controller is manufactured in a special-purpose semiconductor plant by using a special-purpose analog process technique.例文帳に追加

アナログパルス幅変調コントローラは専用のアナログプロセス技術を用いて専用の半導体工場で製造され、制御される電流は時間がたつにつれて徐々に変化し調整が必要となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having no problem of optical oozing-out to a GaN substrate and the generation of crack or dislocation of an n-type clad layer while being small in the half-value width of an FFP (Far Field Pattern) in the vertical direction.例文帳に追加

ＧａＮ基板への光滲み出し、及びｎ型クラッド層のクラックや転移の発生の問題なく、垂直方向のＦＦＰ（遠視野像）全半値幅の小さな半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that a conventional five-level power conversion apparatus has a large number of series connections of a DC power supply, has the expensive DC power supply, has a large number of semiconductor switch elements through which an electric current passes, and has a large loss.例文帳に追加

従来の５レベル電力変換装置では、直流電源の直列接続数が多く直流電源が高価で、また電流が流れる半導体スイッチ素子数が多く損失が大きい。 - 特許庁

To provide a control apparatus of an electric motor which solves the problem that generated torque is restricted and acceleration of a vehicle is slow since the current of a switching semiconductor element is restricted to be not more than the maximum rated current in a steady state in a conventional case and which improves acceleration performance.例文帳に追加

従来は定常状態での最大定格電流以下にスイッチング用半導体素子の電流を制限しているので、発生トルクも制限され、車両の加速が緩慢になる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, the method enhancing design flexibility for wiring, generating hardly a problem when forming a contact part connected to a gate electrode and a source/drain area, and being suitable for a refining process.例文帳に追加

配線の設計自由度が高く、ゲート電極及びソース／ドレイン領域に接続されるコンタクト部の形成に問題が生じ難く、微細化プロセスに適した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁