「semiconductor problem」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a field effect transistor having a structure that facilitates semiconductor formation and uses a bank layer so that the semiconductor formation does not cause any problem to application of a voltage to an upper pixel electrode.例文帳に追加

電界効果型トランジスタにおいて、半導体形成が簡便であり、かつ半導体形成によって前記上部画素電極への電圧の印加に問題が生じないようにバンク層を用いた構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor micro actuator and a semiconductor micro valve using the same capable of eliminating a problem of inclination of a movable element occurring with rotation movement in a structure which the movable element is cantilever-supported.例文帳に追加

可動エレメントを片持支持する構造において、回転動作に伴って生じる可動エレメントの傾斜の不具合を解消することができる半導体マイクロアクチュエータ、及びこれを用いた半導体マイクロバルブを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which can easily solve a problem that an exposed pattern is shifted by the warp caused when light shielding film is formed on the surface of a substrate of a mask for exposure for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置製造用露光用マスクの基板面に遮光膜を形成する場合に生ずる反りによる露光のパターンずれの問題を容易に解決した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method using an SOI (silicon on insulator) substrate capable of high integration that is achieved by solving the problem of breakdown voltage lowering between source and drain which has been a problem in the conventional SOI FET (field effect transister), and by efficiently arranging a body contact region that may be a problem for achieving high integration.例文帳に追加

従来のＳＯＩ電界効果トランジスタの問題点であった、ソース／ドレイン間耐圧の低下を解消するとともに、高集積化に対して問題となるボディコンタクトの領域を効率的に配置することにより、高集積化を可能としたＳＯＩ基板を用いた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The problem can be solved by the field effect transistor constituted of nitride semiconductor and having a multi-layered structure, wherein a silicon nitride film, a silicon oxide film or an aluminum oxide film and a high dielectric film are laminated from the side of semiconductor, on the surface of semiconductor between source and drain.例文帳に追加

窒化物半導体により構成される電界効果トランジスタであって、ソースとドレインの間の半導体表面上に半導体側から窒化珪素膜、酸化珪素膜又は酸化アルミニウム膜、及び高誘電体膜の多層構造を有する電界効果トランジスタによって解決される。 - 特許庁

To provide an ultrasonic cleaning method of a semiconductor wafer and an ultrasonic cleaning apparatus of the semiconductor wafer in which there is no problem that the surface of a wafer at a part that is shielded from ultrasonic waves by a holder or the like is not sufficiently cleaned in a conventional ultrasonic cleaning apparatus of the semiconductor wafer.例文帳に追加

従来の半導体ウェーハの超音波洗浄装置の、保持具等により超音波が遮蔽された部分のウェーハ表面の洗浄が不十分となるという問題のない半導体ウェーハの超音波洗浄方法及び半導体ウェーハの超音波洗浄装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that the temperature of an electrilytic capacitor rises due to heat generated at a power pressure-welding semiconductor element, to shorten a life, related to a power pressure-welding semiconductor device in which the power pressure-welding semiconductor element is mounted on a printed board with the electrolytic capacitor mounted close to it.例文帳に追加

プリント基板に電力用圧接型半導体素子およびそれに接近して電解コンデンサを取り付けるタイプの電力用圧接型半導体装置では、電力用圧接型半導体素子で発した熱で電解コンデンサの温度が上昇して寿命が短くなる。 - 特許庁

To solve the problem that the cut waste of a gate part metal, provided on a substrate scatters on a solder ball surface and causes a short-circuit defect between the solder balls of a semiconductor device, in a cutting process of making the substrate provided with a plurality of semiconductor chip loading regions into the individual pieces of a semiconductor device single body.例文帳に追加

複数の半導体チップ搭載領域を備えた基板を半導体装置単体に個片化する切断工程において、基板に設けられたゲート部金属の切断くずがはんだボール面上に飛散して半導体装置のはんだボール間のショート不良を招く。 - 特許庁

To solve the problem wherein costs necessary for inspections when inspecting different types of semiconductor devices are increasing, and further, the semiconductor devices arranged at a fine pitch cannot be inspected, in inspections of semiconductor devices supplying a probe card by using both systems of a contact system and a non-contact system.例文帳に追加

接触方式及び非接触方式の両方式を用いて供給することが可能な半導体装置の検査において、異なる種類の半導体装置を検査する際の検査に要するコストが増大し、さらに、微細ピッチで配置された半導体装置を検査できない。 - 特許庁

To solve the problem with a prior art, wherein it is not considered to ensure a fixed thickness and to suppress an inclination of a package type semiconductor with a resin-sealed semiconductor element in a solder or conductive adhesive portion for connecting the package type semiconductor and a wiring board.例文帳に追加

従来技術によれば、半導体素子が樹脂で封止されたパッケージ型半導体と、配線基板とを接続する、はんだもしくは導電性接着剤部分においては、その厚みを一定厚確保し、かつパッケージ型半導体の傾きを抑制することについて考慮されていない。 - 特許庁

The problem is solved by the organic thin film solar battery in which the control is carried out in the orientation of the organic semiconductor molecules constituting the organic semiconductor layer, by providing an orientation control layer containing an orientation control agent adjacent to the organic semiconductor layer or via an intermediary layer.例文帳に追加

有機半導体層を構成する有機半導体分子の配向制御が、配向制御剤を含有する配向制御層を、該有機半導体層に隣接して又は仲介層を介して設けることによってなされている有機薄膜太陽電池により課題を解決した。 - 特許庁

To eliminate use of a relay for connecting semiconductor integrated circuit by switching it to an LSI tester or an external ROM, in inspection of the semiconductor integrated circuit requiring the external ROM, and to prevent a timing problem from being generated in the connection between the semiconductor integrated circuit and the ROM.例文帳に追加

外付けＲＯＭを必要とする半導体集積回路の検査において半導体集積回路をＬＳＩテスタまたは外付けＲＯＭに切り替えて接続するためのリレーの使用を不要にし、かつ半導体集積回路と外付けＲＯＭ間の接続においてタイミング問題の発生を防ぐ。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mesa type semiconductor device, solving the problem wherein cracks are easily formed from an interface between a semiconductor substrate and a passivation film, at a higher level than in a conventional method, the method for manufacturing a highly reliable mesa type semiconductor device.例文帳に追加

半導体基体とパッシベーション層との界面からクラックが入り易いという問題を従来よりも高いレベルで解決することが可能で、かつ、高信頼性のメサ型半導体装置を製造することが可能なメサ型半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for starting a semiconductor laser device which can prevent an excess thermomodule current from flowing in the heating direction of the thermomodule at a semiconductor laser device starting time and which can prevent the problem, caused by the excess thermomodule current from occurring and to provide an optical communication apparatus, using the semiconductor laser.例文帳に追加

半導体レーザ装置の起動時に、サーモモジュールの加熱方向に過大なサーモモジュール電流が流れることを防止し、その過大なサーモモジュール電流に起因する問題の発生を防止できる半導体レーザ装置の起動方法及び半導体レーザ装置を用いた光通信機器の提供。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor thin-film transistor and a manufacturing method for the organic semiconductor thin-film transistor in which pentacene crystal axis misalignment at the source electrode end and the drain electrode end, which is an essential problem of an organic semiconductor thin-film transistor of a bottom gate/bottom contact type, is eliminated and hole current can be increased.例文帳に追加

ボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機半導体薄膜トランジスタの本質的な課題であるソース電極端、ドレーン電極端でのペンタセン結晶軸不整合を解消し、正孔電流を増加させることのできる有機半導体薄膜トランジスタおよびその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing of a package for a semiconductor device for improving the reliability of the semiconductor device by lowering a resin molding cost, dissolving the problem of resin burrs and securing adhesion over the entire interface of a resin molding part and a lead in the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、樹脂成形コストを低く且つ樹脂バリの問題を解消する共に、樹脂成形部とリードとの界面全体に亘って密着性を確保することによって、半導体装置の信頼性を高める半導体装置用パッケージの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for managing and using a semiconductor design library for reducing the using amounts of a disk, and to quickly extract a semiconductor design library even from any version, and for simultaneously using the semiconductor design libraries with plural versions without generating any mismatching problem.例文帳に追加

ディスクの使用量を抑え、かつ、どのバージョンからも高速に半導体設計ライブラリの取り出しができ、そして、複数のバージョンの半導体設計ライブラリを整合性の問題を起こさずに同時に使用できる半導体設計ライブラリの管理方法及び使用方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of high cost caused by an increase in the number of components resulting from attachment of various devices, pieces of equipment, and mechanisms in a semiconductor molding means, and to solve the problem of restrictions on facility device installation places resulting from scattering of dust during metal mold cleaning.例文帳に追加

半導体モールド加工手段において、多種の装置・機器・機構を付設することによる部品数増加により生じてくるコスト高の解決と、金型清掃の際の塵埃飛散による設備装置設置場所の制約を解決する点にある。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which has no problem of defect due to that a capacitor hole does not open in a process for forming a capacitor and no problem of contact between adjacent lower electrodes due to loss of a beam.例文帳に追加

キャパシタを形成する工程において、キャパシタ孔が開孔しないことに起因した不良の問題がなく、また、梁の消失に起因した隣接する下部電極同士の接触の問題がない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of conventional vertical resonator type light emitting element with a high-resistance semiconductor for current constriction, which has large additional capacity resulting from a pn junction at the peripheral part of a light emission area and the problem of its difficulty to drive the element at a high speed.例文帳に追加

従来の高抵抗半導体を電流狭窄に用いた垂直共振器型半導体発光素子は、発光領域周辺部におけるｐｎ接合などによる付加的な容量が大きく、素子の高速動作が困難である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a contact hole can be opened in a self-alignment manner and the problem of an electric leakage between an active region and a well can be solved in a CMOS (complementary metal oxide semiconductor) transistor device with a dual gate electrode.例文帳に追加

デュアルゲート電極を備えるＣＭＯＳトランジスタ装置において、自己整合的にコンタクトホールの開口を可能とし、活性領域とウェルとの間の電気的リークの問題を解消できるような、半導体装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of the conventional semiconductor devices that when a high-breakdown voltage semiconductor device is used over a long term, corrosions of its aluminum wirings and its increased leakage currents, etc., which are caused by the moisture contained in its mold resins are generated and shortens its life time.例文帳に追加

高耐圧デバイスを長期間使用した場合にモールド樹脂中の水分に起因するアルミ配線の腐食やリーク電流の増加等による、半導体装置の寿命を短くするといった課題を解決する。 - 特許庁

To overcome a problem that an epoxy resin having big thermal conductivity of 0.3 W/m°C, which is filled into an thermoelectric device comprising a p-type thermoelectric semiconductor and an n-type thermoelectric semiconductor so as to enhance mechanical strength thereof, reduces thermoelectric performance of the thermoelectric device.例文帳に追加

ｐ型熱半導体とｎ型熱半導体からなる熱電素子に、機械的強度を向上させるために充填したエポキシ樹脂は熱伝導率が０．３Ｗ／ｍ℃と大きいために、熱電素子の熱電性能が低くなる。 - 特許庁

To solve the problem associated with semiconductor devices of silicon or the like having a low band gap, wherein the accuracy of temperature estimation using a voltage drop in a semiconductor device is low and this complicates a circuit for temperature detection suitable for practical use or a configuration for obtaining a detection method.例文帳に追加

シリコンなどのバンドギャップが低い半導体デバイスにおいては、半導体デバイスの電圧降下を使った温度推定の精度が低いため、実用的な温度検出用の回路や、検知方式を得るための構成が複雑になる。 - 特許庁

To solve the problem of the application of ICP-RIE involving the use of chlorine-based gas to the dry-etching of a gallium nitride-based semiconductor that inductive coupled plasma forms irregularities in an etched surface and damages the semiconductor because of a high temperature thereof, and leaves chlorine.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体のドライエッチングに、塩素系ガスを用いたＩＣＰ−ＲＩＥを用いると、誘電結合型プラズマは、温度が高いので、エッチングされた面に凹凸ができ、半導体にダメージを与え、塩素が残留する。 - 特許庁

The semiconductor device can solve a problem by electrically connecting a battery as a power supply source to a specific circuit through a transistor in which a channel formation region is composed of an oxide semiconductor.例文帳に追加

当該半導体装置は、電力供給源となる電池と、特定の回路とがチャネル形成領域が酸化物半導体によって構成されるトランジスタを介して電気的に接続することによって解決することができる。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor vapor growth device capable of solving a problem in a decrease in manufacturing throughput of a compound semiconductor epitaxial wafer caused by an exchange of a filter cartridge of a trap device to contribute to improve the manufacturing throughput.例文帳に追加

トラップ装置におけるフィルターカートリッジの交換に起因する化合物半導体エピタキシャルウェハの製造スループットの低下を解決し、製造スループット向上に寄与できる化合物半導体気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problem about the fact that the periphery of a semiconductor substrate is less cleaned than its center in a conventional cleaning method, and this fact causes notable troubles with an increase of the semiconductor substrate in area or diameter.例文帳に追加

従来の洗浄方法では、被処理基板の中央部上に比べ、その周縁部上では洗浄効果が低くなり、半導体基板の大口径化等、被処理基板の面積が大きくなるに伴い顕著な問題となる。 - 特許庁

Heavy metals having a large mass number are used generally but the silicon as a base material for a semiconductor element is used from the viewpoint of the facility of the manufacture of the mask for minimizing the problem of a metallic pollution to the semiconductor element.例文帳に追加

一般には質量数の大きい重金属が使われるが、本発明では半導体素子への金属汚染の問題を最小限にするため、またマスク製造の容易さから半導体素子の基盤材料であるシリコンを使用する。 - 特許庁

To solve the problem, where it is normally difficult for a nitride semiconductor device to meet requirements such as high performance, annealing controllability, and characteristic uniformity at the same time, so as to provide a nitride semiconductor device which possesses an N-type electrode suitable to these requirements and method of manufacturing the same.例文帳に追加

従来の窒化物半導体を用いた素子では、困難であった高機能でありながらアニーリングの制御性に優れ、素子ばらつきの少ないｎ型電極を有する窒化物半導体素子及びその製造を提供する。 - 特許庁

To provide an analysis means surely reproducing a trouble in a semiconductor device with a functional trouble therein and analyzing which part of a circuit in the semiconductor device has a problem in early failure analysis.例文帳に追加

初期の故障解析において、機能不具合を内在する半導体装置に対して確実な不具合の再現を可能とし、半導体装置に内蔵された回路のどの部分に問題があるかを解析する手段を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that a large number of unpaired bonding hands are formed at crystal grain boundaries, when a crystalline semiconductor film composed of crystal grains is low in orientation properties, and the crystal semiconductor film is deteriorated in carrier (electron, hole) transfer properties.例文帳に追加

複数の結晶粒から成る結晶質半導体膜において配向性が低いと結晶粒界で不対結合手が多く形成され、結晶質半導体膜中のキャリア（電子・ホール）の輸送特性を低下させる。 - 特許庁

To solve a problem that in a semiconductor light emitting device wherein a sub-mount is adhered onto a stem of a package and a semiconductor laser chip is mounted thereupon with a junction down, rotation of polarization is caused by residual stress applied to an active layer of the semiconductor laser chip after assembly owing to a difference in coefficient of linear expansion between a mount portion and the semiconductor laser chip.例文帳に追加

パッケージのステム上にサブマウントを接着し、その上に半導体レーザチップをジャンクションダウンで実装する半導体発光装置において、マウント部と半導体レーザチップとの線膨張係数の違いにより、組み立て後の半導体レーザチップの活性層に残留応力がかかり、それによって偏光の回転が起こってしまう。 - 特許庁

To solve the problem of electrodes of a second semiconductor element being unable to be stably wire-bonded due to the difficulty of adhering entire surfaces semiconductor elements to each other due to warpages of a circuit board and a first semiconductor element caused by the difference of thermal expansion coefficients, when a first resin between the board and the first semiconductor element is cooled to ambient temperature by heating and curing the first resin.例文帳に追加

配線基板と第１の半導体素子との間の第１の樹脂を加熱して硬化し、室温まで冷却すると、熱膨張率の相違により配線基板および第１の半導体素子が反るので、半導体素子どうしを全面にわたって接着することが困難となり、第２の半導体素子の電極に安定してワイヤボンディングできない。 - 特許庁

To solve a problem that the long-term reliability of a conventional semiconductor memory device is reduced due to early deterioration of an FET included in a reference cell therein.例文帳に追加

従来の半導体記憶装置においては、リファレンスセルを構成するＦＥＴの劣化が早くなり、当該半導体記憶装置の長期信頼性が低下してしまう。 - 特許庁

To solve the problem wherein a gate insulating film and a semiconductor are attacked to deteriorate the characteristics and reliability of an insulated gate field effect transistor when a gate electrode whose work function varies in the direction of channels is formed.例文帳に追加

仕事関数がチャネル方向に変化しているゲート電極を形成する際に、ゲート絶縁膜および半導体がアタックされ、特性および信頼性が低下する。 - 特許庁

To solve a problem that prolonged recording is difficult since recording capacity is generally less in a video camera using a hard disk and a semiconductor memory as a recording part in comparison with that of a VTR.例文帳に追加

記録部としてハードディスク、半導体メモリを用いているビデオカメラにおいて、記録容量が一般的にＶＴＲに比べ少ないので長時間記録は困難である。 - 特許庁

To solve the problem that writing performance is deteriorated since it is necessary to initialize a card using a nonvolatile semiconductor memory represented by a flash memory once when data are overwritten.例文帳に追加

フラッシュメモリに代表される不揮発性半導体メモリを用いたカードは、データを上書きする場合に一旦初期化を行う必要があり、書き込み性能が低下する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which a defective word line can be relieved increasing hardly chip size and a problem relating to layout is not caused even if miniaturization is progressed.例文帳に追加

チップサイズをほとんど増大させずにワード線不良を救済でき、微細化が進んでもレイアウト上の問題を生じない半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technique capable of reading out a recognition number without causing a radio interference problem in a semiconductor device in which the recognition number of an article or the like is written.例文帳に追加

物品等の認識番号が書き込まれた半導体装置において、電波障害の問題を発生させないで認識番号の読み出しができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a negative photosensitive resin composition that is free from a problem of metal corrosion as the composition does not generate an acid during thermosetting, and to provide a production method of a cured relief pattern and a semiconductor device.例文帳に追加

熱硬化時に酸を発生せず、メタル腐蝕の問題がないネガ型感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To solve the following problem: since it is difficult to find a bonding defect of a semiconductor device bonded in a flip-chip manner, even a defective product continues to be assembled.例文帳に追加

フリップチップ方式でボンディングされた半導体デバイスは、接合不良を発見することが困難であるので、不良の製品についても組み立て作業が続行されてしまう。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit that allows the power consumption thereof during operation to be reduced as much as possible while avoiding a problem in which a sub threshold leakage current is increased.例文帳に追加

サブスレッショルドリーク電流が増大するという問題を回避しつつ、動作時における消費電力を極力低減し得る半導体集積回路を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem that a load of high heat is applied to both a base package and a sub package when fusion-welding the packages due to a solder bump with a high melting point used in a conventional semiconductor device.例文帳に追加

従来の半導体装置においては、高融点の半田バンプを用いるため、ベースパッケージと子パッケージとを溶融接合する際に、両パッケージに高熱負荷がかかる。 - 特許庁

To solve the problem wherein an edge of a semiconductor device and conductor wiring make contact due to deformation of a tape carrier substrate in a COF, without having to increase the manufacturing cost of the tape carrier substrate.例文帳に追加

ＣＯＦでのテープキャリア基板の変形による半導体素子端部と導体配線が接触する問題をテープキャリア基板の製造コストの増加無しで解決する。 - 特許庁