「semiconductor problem」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device solves the above-mentioned problem by continuously transmitting reset signals to an RS flip flop during an off-state period of an upper arm side switching element to prevent wrong turning-on of the upper arm side switching element against dv/dt phenomena, noises, and others during the off-state period of the upper arm side switching element without increasing a time constant of a filter circuit.例文帳に追加

上記課題は、上アーム側スイッチング素子がオフ状態の期間、ＲＳフリップフロップへのリセット信号を送り続けることによって、フィルタ回路の時定数を大きくすることなく、上アーム側スイッチング素子がオフ期間中のｄｖ／ｄｔ現象やノイズ等に対する上アーム側スイッチング素子の誤オンを防止することで達成される。 - 特許庁

To solve the problem, the semiconductor IC of this invention measures the temperature based on the variation of frequency from a oscillation circuit, wherein the capacitance of the oscillation circuit is a ferroelectric substance, therefore the oscillation frequency is characteristically varied based on the varying dielectric characteristics depending on the temperature variation of the ferroelectric substance.例文帳に追加

かかる課題を解決するため、本発明の半導体集積回路は、発振回路からの発振周波数の変化に基づいて温度を測定する半導体集積回路において、発振回路の容量が強誘電体であり、強誘電体の温度変化によって変化する誘電特性に基づいて、発振周波数を変化させることを特徴とする。 - 特許庁

To solve the problem wherein, in a conventional solid-state imaging device in which a single-layer silicon oxide film formed on a semiconductor substrate is patterned into a prescribed shape by wet etching to form a field insulation film, a short circuit between electrodes is easily caused on a side face (etching face) of the field insulation film when forming various electrodes by patterning a conductive film by etching.例文帳に追加

半導体基板上に形成した単層のシリコン酸化膜をウェットエッチングにより所定形状にパターニングしてフィールド絶縁膜を形成する従来の固体撮像素子では、導電膜をエッチングによってパターニングして種々の電極を形成する際に、フィールド絶縁膜の側面（エッチング面）上において電極同士の短絡が生じやすい。 - 特許庁

To provide semiconductor manufacturing equipment capable of solving a problem in that it is inconvenient because a screen for issuing a command is different from a screen for displaying equipment condition, displaying the equipment condition and the command on the same screen in module unit, inputting the command while watching the equipment condition, and improving efficiency of maintenance work.例文帳に追加

コマンドを発行する画面と装置状況を表示する画面とが別個であるため不便であるという課題を解決し、モジュール単位で装置状況とコマンドを同一画面上に表示し、装置状況を見ながらコマンドを入力することができ、保守作業の能率を向上させることができる半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

No particular problem occurs even when the coma aberration is generated for a light flux passing through an outer side optical function region of the objective lens 16 by turning the light flux passing through the outer side optical function region into a flare light, for example, when the information is recorded and/or reproduced on a compact disk (CD) with the light flux emitted from a semiconductor laser 112.例文帳に追加

ＣＤに対して半導体レーザ１１２からの光束によって情報の記録及び／又は再生を行う場合に、対物レンズ１６の外側光学機能領域を通過する光束を例えばフレア光とすることで、かかる外側光学機能領域を通過する光束にコマ収差が発生しても、特に問題が生じることがない。 - 特許庁

To provide a method for forming a photovoltaic element which can solve such a problem that a semiconductor layer formed on a metallic layer functioning as a photoelectric conversion layer can not cover the metallic layer sufficiently well and a defective part is produced because a projection projecting partly from the uneven area formed on the surface of the metallic layer or a part having a large difference in height in the uneven area exists.例文帳に追加

本発明は、金属層表面に形成した凹凸の一部に突出した部分や凹凸差が大きな部分が存在するため、その上に形成される光電変換層として機能する半導体層が金属層を十分に被覆できず、欠陥部位が生じてしまう問題、を解消できる光起電力素子の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a data transmission circuit that reduces the power consumption and the crosstalk between signal lines in order to solve a problem of interference between signal lines having been more serious because a ratio of parasitic parameters between wires is increased attended with progress of a sub micron process and to provide a semiconductor integrated circuit provided with the data transmission circuit.例文帳に追加

サブミクロンプロセスが進展するに伴い、配線間の浮遊パラメータの割合が増大し、信号線間の干渉の問題はより深刻になってきている状態を解決するための、消費電力を低減し、かつ信号線間のクロストークを減少させるデータ伝送回路及びそれを備えた半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that because a conventional semiconductor integrated circuit incorporating a CPU, a ROM and a circuit for the partial modification of a program in the ROM is composed of hardware whose logic can not be modified, the number of modification spot prepared is fixed, and it is impossible to deal with if modification is required for the spots of which number exceeds the number.例文帳に追加

従来のＣＰＵとＲＯＭとＲＯＭ内のプログラムを部分的に修正する回路を内蔵する半導体集積回路は、論理変更不可能なハードウェアで構成されているため、用意されている修正個所数が固定であり、修正個所数より多くの修正が必要になった場合に、対応することができない。 - 特許庁

To solve the problem of a performance enhancing technique in the microfabrication of a semiconductor device using active light or radiation, particularly electron beams or X-rays and to provide a resist composition which simultaneously satisfies sensitivity, resolution, a rectangular pattern shape and good edge roughness when electron beams or X-rays are used.例文帳に追加

活性光線又は放射線、特に電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度と、解像性、矩形なパターン形状、良好なエッジラフネスの特性とを同時に満足するレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a liquid state epoxy resin for a COF (chip-on film) capable of inhibiting the reduction of insulation property caused by a migration occurring under a high temperature and high humidity and especially becoming a problem in the COF type semiconductor device having a narrow circuit width and circuit interval and equipped with a circuit driven by a high electric voltage such as a FPD (flat panel display)-driving package.例文帳に追加

ＦＰＤ駆動パッケージのように、回路幅及び回路間隔が狭く、高電圧で駆動する回路を備えたＣＯＦ形式の半導体装置において特に問題となる、高温高湿下で生じるマイグレーションによる絶縁性の低下を抑制することができるＣＯＦ用液状エポキシ樹脂組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

The above problem is solved by providing this oxide semiconductor electrode which includes: a base material; the bonding layer formed on the base material and made of a thermoplastic resin; a first electrode layer formed on the bonding layer and made of a metal oxide; and a porous layer formed on the first electrode and containing fine particles of a metal oxide semiconductor, and which is characterized in that the thermoplastic resin includes a silane-modified resin.例文帳に追加

本発明は、基材と、上記基材上に形成され、熱可塑性樹脂からなる接着層と、上記接着層上に形成され、金属酸化物からなる第１電極層と、上記第１電極層上に形成され、金属酸化物半導体微粒子を含む多孔質層と、を有する酸化物半導体電極であって、上記熱可塑性樹脂が、シラン変性樹脂を含むことを特徴とする酸化物半導体電極を提供することにより上記目的を達成するものである。 - 特許庁

To solve the problem of a performance enhancing technique in the microfabrication of a semiconductor device using electron beams or X-rays and to provide a negative type chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays which satisfies characteristics such as sensitivity and resolution in the use of electron beams or X-rays, resist shape, development defects, appliability and solubility in a solvent.例文帳に追加

電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度と解像度、レジスト形状、現像欠陥、塗布性及び溶剤溶解性の特性を満足する電子線又はＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

The problem is solved by the thin-film solar cell 10 comprising at least a glass substrate 1 with a thickness of 30 to 200 μm, a damage prevention layer 7 formed on at least one surface of the glass substrate 1, an electrode layer 2 provided on the glass substrate 1 or the damage prevention layer 7, and a chalcopyrite compound semiconductor layer 3 provided on the electrode layer 2.例文帳に追加

厚さ３０〜２００μｍのガラス基板１と、ガラス基板１の少なくとも一方の面に成膜された破損防止層７と、ガラス基板１上又は破損防止層７上に設けられた電極層２と、電極層２上に設けられたカルコパイライト化合物半導体層３とを少なくとも有する薄膜太陽電池１０により上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide an expansion device capable of repeatedly detecting expansion and contraction remarkably larger than that of conventional arts, in view of the problem that, because a conventional expansion device of metal, semiconductor, or the like detecting expansion and contraction does not use a member capable of sufficiently expanding and contracting, the expansion and contraction allowing repeated detection is limited to about 5%.例文帳に追加

従来技術による、伸縮を検出できる伸縮装置は、金属・半導体等のいわば、十分に伸縮可能な部材を用いていなかったために、繰り返し検出できる伸縮は５％程度に限られており、このような従来技術の問題点に鑑み、本発明では、従来よりも格段に大きな伸縮を、繰り返し検出できる、伸縮装置を提供する。 - 特許庁

To provide a lead frame of an optical semiconductor device capable of reducing bad effect from an out gas originating from an enclosure resin material, to effectively prevent degradation in wire bonding characteristic even if a plating area ratio between a die pad area and a wire bonding area grows much, and to suppress degradation in reliability which is caused by such problem as decoloration of a reflecting surface when increase in size of a package is contrived.例文帳に追加

外囲樹脂材料由来のアウトガスによる悪影響を低減し、ダイパッドエリアとワイヤーボンディングエリアのめっき面積比が極めて大きくなってもワイヤーボンディング性の低下を効果的に防止でき、またパッケージの大型化を図っても、反射面の変色等の問題による信頼性の低下を抑制できる光半導体装置のリードフレームを提供する。 - 特許庁

To provide a memory element, a memory device, and a reading method, each of which is applicable to data reading from a nonvolatile optical memory element, since a nonvolatile optical memory element in which a ferromagnetic body is provided on a semiconductor causes such a problem that in a case where magnetization of the ferromagnetic body is read by light, magneto-optical response becomes very small when the ferromagnetic body is small in volume.例文帳に追加

半導体上に強磁性体が形成された不揮発性光メモリ素子において、光により該強磁性体の磁化を読み出す場合に、該強磁性体の容積サイズが小さくなると磁気光学的応答が非常に小さくなるという問題があったので、不揮発性光メモリ素子の読み出しに有効なメモリ素子とメモリデバイス及び読み出し方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for quantitatively measuring the surface potential distribution of a solid, especially a semiconductor with high space dissolving capacity using a scanning type tunnel microscope by solving the conventional technical problem that the distance between a probe and the surface of a sample and the thickness of the depleted layer of the surface of the sample are unclear and the measurement in the depleted layer region is difficult, and an apparatus therefor.例文帳に追加

探針／試料表面距離が不明、試料表面の空乏層 厚が不明、空乏層領域での計測が困難、という従来技術の問題点を解決し、固体表面、特に半導体表面の表面電位分布を、走査型トンネル顕微鏡を用いて高い空間分解能で定量的に計測する方法とそのための装置を提供する。 - 特許庁

To provide a printed-wiring board enabling strong solder bonding for improving long-term reliability by solving the problem wherein solder is biased on a solder bonding surface depending on an electrode shape in the printed-wiring board, where an electrode for bonding a flip-chip packaged semiconductor device is formed by an exposed portion of a wiring pattern prescribed by a solder resist film.例文帳に追加

フリップチップ実装される半導体素子接合用の電極を、ソルダーレジスト被膜により規定した配線パターンの露出部分により形成したプリント配線板に於いて、電極形状によりはんだ接合面にはんだの偏りが生じる不都合を解消して、強固なはんだ接合を可能にし、長期信頼性を向上させたプリント配線板を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of low productivity due to time taken for delivery and measurement of a wafer, requiring long hours of work by a skilled engineer, and requiring a positioning device even in a steady production process, owing to entirely manual teaching of a reference position at each port when initiating a conventional facility in a semiconductor manufacturing device having the positioning device and a carrying robot.例文帳に追加

位置決め装置と搬送ロボットとを具える半導体製造装置における従来の設備立ち上げの際の各ポートでの基準位置教示が全て手動で、熟練技術者による長時間作業が必要であり、定常生産工程でも位置決め装置が必要でウエハの受け渡し、測定と時間が掛かり生産性が低いという問題を解決することにある。 - 特許庁

To improve the yield rate of the semiconductor device by solving the problem that a free area surrounded by an I/O area occurring, in the case of a highly integrated circuit or a circuit, having a small number of gates since the minimum chip size is determined by the number and the size of input/output pads formed on the chip of a conventional LSI.例文帳に追加

従来のＬＳＩにおいて、チップ上に形成される入出力パッドの数及びサイズによって必然的に最小のチップサイズが決まってしまうことに起因して、高集積化された回路またはゲート数が少ない回路の場合にはＩ／Ｏ領域に囲まれたアクティブ領域に空き領域が生じてしまうという問題を解決し、半導体の歩留まりを向上させる。 - 特許庁

The above problem can be solved by comprising a process for forming a first optical transmissive film forming a column-like projection by spacing a prescribed interval on a semiconductor substrate, a process for forming a second optical transmissive film of the same material of the first optical transmissive film on the first optical transmissive film, and a process for irradiating argon ion toward the second optical transmissive film.例文帳に追加

半導体基板上に所定の間隔を隔てて柱状の突起部が形成された第１の光透過膜を形成する工程と、第１の光透過膜上に第１の光透過膜と同一の材料の第２の光透過膜を形成する工程と、第２の光透過膜に向けてアルゴンイオンを照射する工程と、を備えることで上記課題を解決することができる。 - 特許庁

By forming a trench 102a on a semiconductor substrate between the select line and the adjacent word line and increasing a distance between the select line and the word line, an electron migration path between the select line and the word line adjacent to the select line is increased and, therefore, the problem of disturbance in which an unintentional program operation is generated in the select line and the adjacent word line is solved.例文帳に追加

選択ラインと隣接したワードライン間の半導体基板にトレンチ１０２ａを形成して選択ラインとワードライン間の距離を増加させることにより、選択ライン及び選択ラインと隣接したワードライン間の電子移動経路を増加させて選択ラインと隣接したワードラインが所望しないプログラム動作時に発生するディスターバンスの問題を解決することができる。 - 特許庁

To solve the technical problem in microfabrication of a photomask and semiconductor element, especially providing a chemically amplified positive resist composition which satisfies high sensitivity, high resolution (for instance, high resolution power), excellent exposure latitude (EL) and excellent line edge roughness (LER) simultaneously, and a resist film, a resist-coated mask blank and a resist pattern forming method using the same.例文帳に追加

フォトマスク・半導体素子の微細加工における技術課題を解決することであり、特に高い感度、高い解像性（例えば、高い解像力）、良好な露光ラチチュード（ＥＬ）及び良好なラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を同時に満足する化学増幅ポジ型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、及び、レジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

When data processing is speeded up with raster data and layout information on components which are constituents repeatedly described on design data for semiconductor devices, the constituents, which are repeatedly described in a hierarchy of the design data and satisfies prescribed extraction conditions, are automatically extracted, as the components, from the design data to solve the problem.例文帳に追加

半導体デバイスなどの設計データ上で繰り返し記述されている構成要素を部品として、部品のラスターデータおよびレイアウト情報を持つことでデータ処理を高速化するに際し、設計データの１つの階層で繰り返し記述され、かつ、所定の抽出条件を満たす構成要素を設計データから部品として自動抽出することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

To well trim a gate electrode, to prevent a resist from falling or deforming after the resist trimming, further to solve the problem caused by a fact that conventional trimming takes place by plasma etching, and further to prevent a STI part from being excessively damaged when forming a sidewall in trimming the gate electrode in a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極のトリミングを良好に実施できるように、また、レジストトリミングを行ってもレジスト倒れやレジスト変形が発生しないように、更に、従来のトリミングがプラズマエッチングで実施されていることに起因する問題を解消し、更にまた、ゲート電極のトリミングに関連してサイドウォールの形成時にＳＴＩ部が過剰に損傷されないようにしようとする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method solving the problem that need replacing an inferior cell by a redundant cell is increased with the minuteness of an element, the shape of a positioning mark specifying the position of a fuse cut corresponding to a replaceable element is deformed by etching gas and position specification is difficult, and a redundant circuit is not accurately replaced to the extracted inferior circuit.例文帳に追加

素子の微細化に伴い、不良セルを冗長セルで置き換える必要性が増大し、置き換えるべき素子に対応した切断すべきフューズの位置を特定する位置合わせマークの形状がエッチングガスにより変形して位置特定が困難になり、抽出された不良回路に対して、対応する冗長回路が正確に置き換えられなくなってしまう課題を解決する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁