「semiconductor process」に関連した英語例文の一覧と使い方(133ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the oxide film of a silicon wafer can be substantially improved in terms of its property, and a high-property oxide can be formed in a low-temperature process, a higher-performance, highly integrated semiconductor device can be materialized.例文帳に追加

シリコンウエハの酸化膜を特性を大幅に改善することが可能となり、また低温プロセスにおいても高特性の酸化膜を形成することが可能となるため、より高性能、高集積半導体デバイスを実現することができる。 - 特許庁

To provide a specified structure which serves to reduce the acceleration resistance of a landing bearing as much as possible and also provide sufficient durability to chemical corrosion by process gas and plasma used in the manufacturing of a semiconductor.例文帳に追加

ランディングベアリングの加速抵抗を可能な限り低減し、同時に、半導体製造で使用されるプロセス気体およびプラズマによる化学的侵食に対する十分な耐久性を提供する働きをする特定の構造を提供する。 - 特許庁

To provide a dye sensitized solar battery capable of obtaining high photoelectric transfer efficiency by using a sensitized dye which can suppress a carrier recombination process caused by contact between a semiconductor layer and the sensitized dye.例文帳に追加

半導体層と増感色素との接触に起因するキャリア再結合過程を抑制し得る増感色素を用いることにより、高い光電変換効率を得ることができる色素増感太陽電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

After a Cu interconnection M1 is formed by Damascene process, a semiconductor substrate 1 is heat treated at about 350°C in a pressure reduced atmosphere of silane based gas thus forming a silicide layer (CuSix) 6 selectively on the surface of the Cu interconnection M1.例文帳に追加

ダマシンプロセスでＣｕ配線Ｍ_1 を形成した後、半導体基板１に減圧状態においてシラン系ガス雰囲気中で約３５０℃の熱処理を施し、Ｃｕ配線Ｍ_1 の表面に選択的にシリサイド層（ＣｕＳｉ_x ）６を形成する。 - 特許庁

By selectively depositing in the region of a gate electrode that is respectively provided in a set of a semiconductor, an insulator and a conductor and a set of source/drain electrodes and formed in the post-process, an array of a thin film transistor is formed.例文帳に追加

そして、半導体、絶縁体及び導電体、ソース及びドレイン電極の組にそれぞれ設けられ後の工程で形成されるゲート電極の領域に選択的に蒸着することによって、薄膜トランジスタのアレイを形成する。 - 特許庁

To provide technology for omitting a process for setting a mode register again at the time of power-up of a system by setting the mode register utilizing especially a nonvolatile ferroelectric register, with respect to a semiconductor memory device.例文帳に追加

本発明は半導体メモリ装置に関し、特に不揮発性強誘電体レジスタを利用してモードレジスタをセッティングすることにより、システムのパワーアップ時にモードレジスタを再びセッティングする過程を省略できるようにする技術を開示する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an organic transistor can directly form a patterned organic semiconductor layer by a simple process and can manufacture the organic transistor with excellent transistor characteristics.例文帳に追加

簡易な工程によりパターン状の有機半導体層を直接的に形成することが可能であり、トランジスタ特性に優れた有機トランジスタを製造することが可能な有機トランジスタの製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁

By the relative movement of the semiconductor wafer W and the adhesive film 1 and the cutting blade 51, the beard-like extension pieces 6 are efficiently removed in a return operation immediately after performing cutting without providing a separate process.例文帳に追加

半導体ウェーハＷ及び接着フィルム１と切削ブレード５１との相対移動によって、別途の工程を設けずに切削を行った直後の戻り動作においてヒゲ状延出片６を効率良く除去することができる。 - 特許庁

In a process for forming a p-type AlGaInP III-V compound semiconductor layer comprising zinc by using dimethylzinc, etc., by a metal organic vapor phase epitaxy, a growth velocity is made at least 0.3 nm/s.例文帳に追加

有機金属気相成長法によりジメチル亜鉛などを用いて亜鉛を含有するｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程において、成長速度を０．３ｎｍ／秒以上とする。 - 特許庁

To provide a circuit which, in detecting a duty of a clock, performs an initial measurement operation for removing offsets caused by variation in environment parameters, such as process, voltage level, and temperature within a semiconductor memory device.例文帳に追加

クロックのデューティ検出において、半導体メモリ装置内のプロセス、電圧レベル、及び温度などによる環境変数の変化によって発生するオフセットを除去するための初期測定動作を行うことができる回路を提供すること。 - 特許庁

To provide a member for a heat treatment and its manufacturing method which can reduce partial deformation during a heat treatment process for prevention of slippage of semiconductor wafers by controlling a bulk micro defect density of the component for the heat treatment.例文帳に追加

熱処理用部材のバルク微小欠陥密度を制御することで、熱処理時における部分的な変形を抑制し、半導体ウエハのスリップの発生を防止できる熱処理用部材、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

(2) In the method for exposing the photoresist in the semiconductor device manufacturing process using the exposing device, the variation of the best focus position during exposure is found and exposure is performed by drawing the optimum focus position at every exposure unit based on the found variation.例文帳に追加

半導体装置製造工程においてフォトレジストを露光する露光方法及び装置で、露光中のベストフォーカス位置の変動を求めて、これに基づいて露光単位毎に最適なフォーカス位置を導いて露光を行う。 - 特許庁

To provide polishing solution containing solid abrasive grains and being used for chemical mechanical polishing in a process for planarizing a semiconductor integrated circuit having a barrier layer while suppressing occurrence of dishing and erosion, and to provide a polishing method.例文帳に追加

バリア層を有する半導体集積回路の平坦化工程において、化学的機械的研磨に用いる固体砥粒を含む研磨液であって、ディッシング及びエロージョンの発生を抑える研磨液および研磨方法を提供する。 - 特許庁

Since a dicing device 10 is provided with peeling means 17, a semiconductor wafer W with a protection tape on a circuit surface thereof is carried to the dicing process and integrated with a frame, then the protection tape is peeled in the dicing device.例文帳に追加

ダイシング装置に剥離手段を設けることにより、保護テープが半導体ウェーハの回路面に貼着されたままの状態でダイシング工程までの搬送及びフレーム一体工程を遂行し、ダイシング装置内で保護テープを剥離する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device including a process for dry etching a silicon nitride film, a mixed gas obtained by doping methanol gas with a prescribed density for a total gas flow rate to fluorocarbon gas is used for the dry etching of a silicon nitride film 15.例文帳に追加

シリコン窒化膜をドライエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法において、シリコン窒化膜１５のドライエッチングに、フロロカーボンガスと、総ガス流量に対し所定の濃度のメタノールガスとを添加した混合ガスを用いる。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition capable of giving a polyimide film by a low-temperature process, a pattern forming method using the photosensitive resin composition, and a semiconductor device with a film produced from the photosensitive resin composition.例文帳に追加

低温プロセスでポリイミド膜を得ることができる感光性樹脂組成物、当該感光性樹脂組成物を用いたパターンの形成方法、当該感光性樹脂組成物により製造される膜を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device receiving an external input signal from which a high speed output is obtained when variations in a threshold take place due to variations in a manufacturing process in a transistor in an amplifier circuit receiving a reference voltage.例文帳に追加

基準電圧が入力される増幅回路内のトランジスタにおいて製造プロセスの変動に起因する閾値の変動が生じた場合に外部入力信号に対して高速な出力を得られる半導体装置を提供する。 - 特許庁

An interlayer insulation film including lower layer wirings of the predetermined shapes is formed on a semiconductor substrate, and a first groove aperture and a first hole aperture are simultaneously formed by a half-etching method in the first photolithography process.例文帳に追加

所定の形状の下層配線を有する層間絶縁膜を、半導体基板上に形成し、一回目のフォトリソグラフィ工程で、第一の溝状開口部と第一の孔状開口部とをハーフエッチングにより同時に形成する。 - 特許庁

An APC parameter value calculation apparatus 1 uses other types of reticles sorted into the same group to find the exposure parameter from the data in a lot processed in a close range by a semiconductor device manufacturing apparatus using a lithography process in a lot unit.例文帳に追加

ＡＰＣパラメータ値の算出装置１は、ロット単位でリソグラフィ工程を用いる半導体装置の製造装置にて、同一グループに分類された他品種のレチクルを用い、直近に処理されたロットのデータから露光パラメータを求める。 - 特許庁

To obtain a semiconductor integrated circuit that can correct electric characteristic in manufacturing process and can improve the electric characteristic and the yield, and can reduce a dispersion in characteristics as products.例文帳に追加

製造工程内で電気特性の補正をおこない、電気特性の改善、歩留まりの向上および製品としての特性のばらつきを低減することができる半導体集積回路および半導体集積回路の製造方法を得ること。 - 特許庁

The cleaning solution is used after a chemical mechanical polishing process in production of a semiconductor device, and contains a compound represented by a general formula (I) and an organic acid.例文帳に追加

半導体デバイス製造工程における化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄液であって、下記一般式（Ｉ）で表される化合物と有機酸とを含有することを特徴とする半導体デバイス用基板の洗浄液である。 - 特許庁

To provide a plasma etching method wherein a side wall spacer shoulder part formed around a gate during a manufacturing process of a semiconductor device having an LDD structure is so removed as the upper part of gate is exposed with high dimension control precision.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有する半導体装置の製造工程中にゲート周囲に形成する側壁スペーサ肩部を、高い寸法制御精度でゲート上部が露出するように除去するプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element suitable for a solar battery or the like comprised of compound semiconductor, which can reduce the usage of rare metal such as In, and can obtain high photoelectric conversion efficiency without depending on a vacuum process expensive in manufacturing cost.例文帳に追加

Ｉｎ等のレアメタルの使用量を低減できるとともに、製造コストの高い真空プロセスに頼らずに、高い光電変換効率が得られる、化合物半導体からなる太陽電池等に適した光電変換素子を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method capable of accurately inspecting very small foreign matter and pattern defects which occur in manufacturing processes at high speed in a device manufacturing process for forming circuit patterns on substrates of semiconductor devices etc.例文帳に追加

半導体デバイス等の基板上に回路パターンを形成するデバイス製造工程において、製造工程中に発生する微小な異物やパターン欠陥を、高速で高精度に検査できる装置および方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a resist patterning method yielding finer resist patterns than resolution of an exposure apparatus and capable of processing, in a relatively short process, even a multilayer photoresist film (having a plurality of layers), and to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

露光装置の解像度に比べて微細なレジストパターンが得られると共に、多層（複数層）のフォトレジスト膜を用いても比較的に短いプロセスで処理できるレジストパターニング方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an manufacturing apparatus, an exhaust gas cleaning equipment, or a manufacturing facility which are capable of preventing an electrostatic charge caused from a powder of ammonium chloride and of high safety in a process of a semiconductor of gallium nitride film by a HVPE method.例文帳に追加

ＨＶＰＥ法による窒化ガリウム膜半導体のプロセスにおいて、塩化アンモニウム粉末による静電気の帯電を防止することが可能な安全性が高い製造装置、排ガス浄化装置、あるいは製造設備を提供する。 - 特許庁

A correlation analysis arithmetic unit 7 forms analysis data on a correlation between a semiconductor characteristic value and a product characteristic value, and performs a correlation analysis using the formed correlation analysis data so as to subject process specifications to feedback control.例文帳に追加

相関分析演算装置７が、半導体特性値と製品特性値の相関分析用データを作成し、作成された相関分析用データを利用して相関分析を行うことにより、工程規格値をフィードバック制御する。 - 特許庁

The polishing solution not containing solid abrasive grain and being used for chemical-mechanical polishing in a process for planalizing a semiconductor integrated circuit contains (A) a benzotriazol derivative represented by general formula (1), (B) acid, and (C) a water soluble polymer.例文帳に追加

半導体集積回路の平坦化工程において化学的機械的研磨に用いる固体砥粒を含まない研磨液であって、（Ａ）一般式（１）で示されるベンゾトリアゾール誘導体、（Ｂ）酸、（Ｃ）水溶性高分子を含む研磨液。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element which can planarize a device region, without the further addition of processes to a conventional STI formation process flow, and to provide a photomask which is used for the manufacturing method.例文帳に追加

従来のＳＴＩ形成工程フローに対して新たな工程を追加することなく、デバイス領域の平坦化を図ることが可能な半導体素子の製造方法、およびその製造方法に用いられるフォトマスクを提供する。 - 特許庁

According to this method, electron beam data conversion can be performed in one process, which reduces the required time and system resources to about a half, and the method is particularly effective in verifying cell array region or the like of a semiconductor memory element.例文帳に追加

この方法によれば、電子ビームデータの変換過程が一回で済み、所要時間及び必要とされるシステムの資源を半分程度に低減でき、特に半導体メモリ素子のセルアレイ領域などを検証するのに有効である。 - 特許庁

The respective layers of the antennas 120 and 122 are formed by the same conductive materials or semiconductor materials as those for the pixel electrodes 110 or the display element driving wiring simultaneously with the process of forming the pixel electrodes 110 or the display element driving wiring.例文帳に追加

画素電極１１０または表示部駆動配線形成する工程と同時に、画素電極１１０または表示部駆動配線と同じ導電材または半導体材により、アンテナ１２０，１２２の各層を形成する。 - 特許庁

This optical head is produced in large quantities at once by integrating a slider array wafer consisting of plural sliders and a single lens array wafer consisting of plural lenses and cutting off the same one by one by using a semiconductor process or its equivalents.例文帳に追加

半導体プロセス或いはそれに準じたプロセスにより、複数のスライダーからなるスライダアレイウェハと、複数のレンズからなる単レンズアレイウェハとを一体として、それを個々に切り離すことにより、光学ヘッドを一度に多く製造する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device equipped with a hydrogen diffusion preventing film, which is composed of an oxidized aluminium film, capable of effectively preventing the diffusion of hydrogen generated in a passivation process inside a capacitor, and a production method therefor.例文帳に追加

パッシべーション工程で発生する水素がキャパシタ内部に拡散されることを効果的に防止することのできる酸化アルミニウム膜からなる水素拡散防止膜を備えた半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize electrolytic polishing in the state where excessive polishing and unpolished remainder do not occur due to the local step produced in a material to be polished, and to introduce the electrolytic polishing into a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

被研磨材料に生じている局所段差に起因する過剰研磨や研磨残りを生じることのない状態にして電解研磨を行うことを実現し、半導体製造プロセスに電解研磨を導入することを可能にする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of reducing membrane stress by a nitride film and protecting a semiconductor substrate from damage by preventing an etching stop film from disappearing, when forming source/drain contact holes by a self-alignment process.例文帳に追加

ソース/ドレインコンタクトホールを自己整列工程で形成する際に、窒化膜による膜ストレスを減らすことができ、エッチング停止膜の消失を防ぐことにより半導体基板を損傷から保護することができる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device where an interlayer insulating film having a hollow structure and a relative permittivity as near as 1 is formed by employing an oxide film having a high selectivity and carrying out a selective etching process.例文帳に追加

高い選択性を有する酸化膜を使用して選択エッチング処理を行うことにより、比誘電率が限りなく１に近い中空構造の層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a coating liquid for forming a porous film which can easily form a thin film having an arbitrarily controlled thickness by a method used in a usual semiconductor process and gives a porous film exhibiting excellent dielectric characteristics and mechanical characteristics.例文帳に追加

通常の半導体プロセスに用いられる方法によって、容易に、任意に制御された膜厚の薄膜が形成可能であり、優れた誘電特性及び機械的特性有する多孔質膜形成用塗布液を提供する。 - 特許庁

To provide a method for eliminating restrictions originated in the manufacture process of forming a quantum box on a semiconductor substrate and forming the quantum box of an optimum size by a material optimum for a desired quantum element in the quantum element.例文帳に追加

半導体基板上で量子箱を形成させる製造工程に由来する制約をなくし、所望の量子素子に最適な材料で最適な大きさの量子箱を量子素子中に形成させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element for preventing damage to metal wiring caused by etching in forming a capacitor by eliminating a useless mask process by forming metal wiring after forming an MIM capacitor, and provide a method of forming the same.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタを形成した後に金属配線を形成することにより無駄なマスク工程を省略し、キャパシタ形成時のエッチングでの金属配線の損傷を防止できる半導体素子及びその形成方法を提供すること。 - 特許庁

To silicify a metal film uniformly within a plane even if arsenic (As) is ion-implanted into a source/drain region with high concentration in a semiconductor device manufacturing method having a process for forming a metal silicide layer.例文帳に追加

金属シリサイド層を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法において、ソース／ドレイン領域に砒素（Ａｓ）が高濃度でイオン注入される場合であっても、金属膜のシリサイド化が面内で均一になされるようにする。 - 特許庁

To provide an isolation method of an element having a semiconductor layer of such as silicon/germanium, having lattice strain which is weak with respect to high temperature process, and to ensure reliability by reducing leakage current at the isolation edge.例文帳に追加

高温プロセスに弱い、シリコン・ゲルマニウムのような格子歪みを有する半導体層を持つ素子の分離方法を提供し、素子分離端でのリーク電流を低減し、信頼性の確保を可能にすることを目的としている。 - 特許庁

To improve corrosion resistance of Al or an Al alloy without complicating a process for patterning a semiconductor layer and a layered metal film comprising a high melting point metal film and a low resistance metal film made of Al or an Al alloy.例文帳に追加

半導体層及び高融点金属膜とＡｌまたはＡｌ合金からなる低抵抗金属膜との積層金属膜をパターン形成するに当たり、工程を複雑化することなく、ＡｌまたはＡｌ合金の耐腐食性を改善する。 - 特許庁

To provide a substrate film for dicing which leaves little cut chips (string-like or whisker-like chips occurring from a film after dicing) in a dicing process of a semiconductor wafer, and capable of preventing occurrence of blocking, and to provide a dicing film.例文帳に追加

本発明は、半導体ウエハのダイシング工程における切削屑（ダイシング後にフイルムから発生する糸状又はヒゲ状の屑）の発生がほとんどなく、ブロッキングが発生しないダイシング用基体フイルム、及びダイシングフイルムを提供する。 - 特許庁

After a step of the CMP process of polishing the formed film on the semiconductor wafer by the polishing cloth, while the slurry containing polishing particles is supplied, a step of hydrophile-processing the surface of the polishing cloth is executed.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、研磨粒子を含むスラリーを供給しながら研磨布により半導体ウェーハ上の成膜をポリッシングするＣＭＰ処理工程の後に、研磨布表面を親水性処理する工程を実施する。 - 特許庁

To provide an automatic designing apparatus and an automatic designing method which suppress decrease in yield, realize excellent reliability, excellent wiring efficiency and shortening of the process time, and also to provide a reticle set and a semiconductor integrated circuit which is manufactured by using the above apparatus and method.例文帳に追加

歩留まりの低下を抑制し，信頼性，配線効率に優れ，プロセス処理時間を短縮できる自動設計装置，自動設計方法，及びこれらを用いて製造可能なレチクルセット，半導体集積回路を提供する。 - 特許庁