「semiconductor process」に関連した英語例文の一覧と使い方(135ページ目) - Weblio英語例文検索

The panel module with a sidelight system backlight using LEDs 13 as a light source includes thin-film type LEDs 13 directly formed on the glass substrate 11 constituting the panel module with the use of the semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

光源としてＬＥＤ１３を用いたサイドライト方式バックライトを備えたパネルモジュールにおいて、パネルモジュールを構成するガラス基板１１上に半導体製造プロセスを用いて直接形成した薄膜型のＬＥＤ１３を有する。 - 特許庁

To provide a method of treating waste liquid containing silicon particles discharged from a polishing or cutting process of silicon wafer in a semiconductor manufacturing; and to provide a safe and economical method of collecting silicon from waste liquid containing silicon particles.例文帳に追加

半導体製造におけるシリコンウエハの研磨または切断工程から排出されるシリコン粒子を含む廃液の処理、及び該シリコン粒子を含む廃液からのシリコンの回収を安全かつ経済的に行う方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an array type semiconductor laser device that improves a process for joining metal in a laser array and a base efficiently, and can solve a short-circuiting problem by a metal junction substance fused in the junction.例文帳に追加

レーザーアレイとベースの金属接合工程を効率的に改善し、さらには接合の際の溶融された金属接合物質によるショート問題を解決することができるアレイ型半導体レーザー装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a ferroelectrics memory wherein repeated recording characteristic in 100°C environment is excellent with a high curie temperature while film-forming is allowed at such low temperature order as 600°C for matching the semiconductor process.例文帳に追加

高いキュリー温度を有することで１００℃の環境下での繰り返し記録特性に優れ、なおかつ半導体プロセスと整合性のとれる低い温度６００℃台で成膜することができる強誘電体メモリを提供すること。 - 特許庁

To provide a process for producing a semiconductor substrate having an SiGe layer in which the SiGe layer can be made thin, dislocation density can be reduced and the surface of the SiGe layer is flattened.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層を有する半導体基板の製造方法において、ＳｉＧｅ層の薄層化、かつ、転位密度の低減化を図ることができ、しかも、ＳｉＧｅ層表面が平坦化された半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A polishing pad 100 comprises a polishing pad body 11 having an aperture 18 formed therein, and a window 30 secured in the aperture for performing optical measurement of a semiconductor substrate to be polished during the polishing process.例文帳に追加

研磨パッド１００は、中に形成された開口部１８を有する研磨パッド本体１１と、被研磨体である半導体基材の光学計測を研磨中に実施するための、開口部中に固定された窓３０を含む。 - 特許庁

(1) In a method for exposing a photoresist in a semiconductor device manufacturing process using an exposing device IIa, focus positions are detected at every exposure unit and exposure IIIa is performed by drawing the optimum focus position from the detected results.例文帳に追加

半導体装置製造工程においてフォトレジストを露光する露光方法及び装置ＩＩａで、露光単位毎にフォーカス位置を検出し、その結果から露光単位毎に最適なフォーカス位置を導いて露光ＩＩＩａを行う。 - 特許庁

To provide a method for creating photomask data by which design data can be easily converted into photomask data on forming an integrated circuit pattern through a sidewall leaving process, and to provide a method for manufacturing a photomask and a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

側壁残しプロセスで集積回路パターンを形成する場合に、設計データからフォトマスクデータへ容易に変換することが可能なフォトマスクデータの作成方法、フォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of multilayer wiring structure in which the height or shape of solder bumps can be prevented from becoming uneven, and to provide its manufacturing process and an electronic apparatus employing it.例文帳に追加

多層配線構造の半導体装置において、はんだバンプの高さや形状が不均一になるのを防ぐことができる半導体装置、およびその製造方法、ならびにこの半導体装置を用いた電子機器を提供する。 - 特許庁

To reduce etching residue of a metal layer which constitutes the electrode of a capacitance element by eliminating depression caused by step coverage of etching in a process for fabricating a semiconductor integrated circuit device which performs thickness adjustment of an LOCOS film.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ膜の膜厚調整を行う半導体集積回路装置の製造方法において、エッチングの回り込みによる窪みの無い、その結果容量素子の電極を構成する金属層のエッチング残りの発生を少なくする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which contains an I/O buffer or an output buffer which can control a switching speed of a buffer transistor to be an appropriate value even when process conditions and/or temperatures, etc., change.例文帳に追加

プロセス条件及び／又は温度等が変化した場合にも、バッファ用トランジスタのスイッチング速度を適正値に制御することができる入出力バッファ又は出力バッファを含む半導体装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a process for purifying a 5-100 vol.% ammonia-containing exhaust gas discharged from semiconductor production processes, by which such exhaust gas can be efficiently and completely purified without producing by-products and needing any secondary treatment.例文帳に追加

半導体製造工程から排出される５〜１００ｖｏｌ％のアンモニア含有排ガスを、副生物を生じることがなく、二次処理を必要せず、効率よく、完全に浄化することのできる浄化方法を提供する。 - 特許庁

In the method, an impurity ion is implanted to a silicon substrate 11, thus manufacturing a semiconductor device with a process for forming the diffusion layer of source or drain region 25 or 19.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１１に不純物イオンを注入することにより、ソース領域２５又はドレイン領域１９の拡散層を形成する工程を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The composition for forming a resist underlay film to be used in a lithographic process in manufacturing a semiconductor device contains a resin (A) comprising a polysilane resin, a polysiloxane resin or their mixture, a polycarbosilane resin (B), a crosslinking catalyst (C) and a solvent (D).例文帳に追加

ポリシラン樹脂、ポリシロキサン樹脂、又はその混合物からなる樹脂（Ａ）、ポリカルボシラン樹脂（Ｂ）、架橋触媒（Ｃ）、及び溶剤（Ｄ）を含む半導体装置の製造のリソグラフィ−工程において使用されるレジスト下層膜形成組成物。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition which forms a hardened resin layer quickly hardened in a pressure welding process and having an excellent voidless adhesiveness and results in an improved efficiency for the production of semiconductor devices by flip chip mounting.例文帳に追加

フリップチップ実装による半導体装置の製造効率を改善するため、圧接工程において短時間で硬化し、ボイドレスの優れた接着性を備えた硬化樹脂層を形成できるエポキシ樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an industrially advantageous method for efficiently producing a perfluoroalkyne compound useful as a raw material for producing gas for plasma reaction, a fluorine-containing polymer, a medicine and an agrochemical or as an etching agent useful in a semiconductor production process.例文帳に追加

プラズマ反応用ガス、含フッ素ポリマーや医農薬の製造原料または半導体製造工程で使用されるエッチング剤などとして有用であるパーフルオロアルキン化合物を効率良く、工業的に有利に製造する方法を提供する。 - 特許庁

An ERC rule data generation part 20 automatically generates ERC rule data for deciding the ERC rule of the semiconductor device by an automatic conversion program based on the process rule data inputted from the input part 10.例文帳に追加

ＥＲＣルールデータ生成部２０は、入力部１０から入力されたプロセスルールデータに基づいて、その半導体装置のＥＲＣルールを判定するためのＥＲＣルールデータを自動変換プログラムによって自動的に生成する。 - 特許庁

Missing oxygen generated at the interface between the zinc oxide system oxide semiconductor and the gate insulating film is completed with a surface process using sulfur and celenium as the oxygen group elements rarely generating change in physical property values and compound of these elements.例文帳に追加

酸化亜鉛系酸化物半導体とゲート絶縁膜の界面に発生する酸素欠陥を物性値変化のほとんど起こらない酸素族元素である硫黄やセレンおよびこれらの化合物を用いた表面処理により終端する。 - 特許庁

In a process for applying catalyst for crystallizing an amorphous silicon film formed on a substrate surface, the catalyst is deposited by applying a catalyst solution by using a semiconductor manufacturing device such as a spin coater at the time of applying the catalyst.例文帳に追加

基板表面上に形成した非結晶シリコン膜を結晶化するための触媒を塗布する工程において、触媒の塗布にはスピンコータ等の半導体製造装置を用いて触媒溶液を塗布して触媒を析出させる。 - 特許庁

To provide a method for effectively doping a dopant by controlling reaction of a dopant element in a method for forming a group III nitride semiconductor layer using a nitrogen source in a state of radicals, plasmas, or atoms such as MBE and sputtering process.例文帳に追加

ＭＢＥやスパッタなどのラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたＩＩＩ族窒化物半導体層の成膜法において、ドーパント元素の反応を抑制し、効率良くドーパントをドーピングする方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an industrially economical monomer useful as a monomer for a base polymer for improving the insulation, heat resistance and substrate adhesivity of a resin for a liquid crystal device, a photoresist for a semiconductor production process, an antireflection film.例文帳に追加

本発明は、液晶デバイス用樹脂、半導体製造プロセスに用いられるフォトレジスト、反射防止膜等の絶縁性、耐熱性、基板密着性向上を目指したベースポリマー用モノマーとして、工業的に経済的なモノマーを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectric capacitor of a semiconductor element where an electrode can be formed without performing a patterning of a capacitor electrode by etching, process is stabilized and a parasitic capacitance is suppressed.例文帳に追加

エッチングによるキャパシタ電極のパターニングを行わずに電極を形成することができ、かつ工程の安定性及び寄生キャパシタンスの抑制が可能である半導体素子の強誘電体キャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its fabricating method in which a contact can be made easily in a diffusion layer located between gate electrodes of relatively narrow interval without short-circuiting the gate electrode even when a salicide process is employed.例文帳に追加

サリサイドプロセスを用いた場合でも、ゲート電極とショートすることなく、比較的間隔の狭いゲート電極の相互間に位置する拡散層に容易にコンタクトをとることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a gate electrode portion containing a metal which controls oxidation of a metal contained in the gate electrode portion during formation of a film on the side surface thereof and subsequent process.例文帳に追加

メタルを含むゲート電極部を有する半導体装置において、ゲート電極部の側面に形成される膜の形成時およびその後の工程で、ゲート電極部に含まれるメタルの酸化を抑えることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor having a ferroelectric capacity capable of obtaining the characteristic of an equivalent transistor when heat treatment by hydrogen is performed in a final process without deteriorating the characteristic of a ferroelectric substance.例文帳に追加

強誘電体特性の劣化させることなく、最終工程で水素による熱処理をしたときと同等のトランジスタ特性を得ることができる強誘電体容量を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method for allowing a user to inexpensively and easily grasp various information such as flow information and product specifications, even without an identification tag during the flow in the middle of an FPC board manufacturing process, and to provide a flexible circuit board.例文帳に追加

ＦＰＣ基板製造工程途中の流動時、識別票が無くとも、低コストで流動情報や製品仕様等の各種情報を容易に把握できる半導体装置の製造方法及びフレキシブル回路基板を提供する。 - 特許庁

To specify a process of generating a defect, or to detect the defect, even in an area that is not formed with a repeeated pattern on a wafer surface, when detecting the defect appearing on the semiconductor wafer surface by visual inspection.例文帳に追加

外観検査により半導体ウエハの表面に現れる欠陥を検出する際に、欠陥を生じた工程を特定する、或いはウエハ表面に繰り返しパターンが成形されていない領域においても欠陥を検出する。 - 特許庁

To provide a method and device for manufacturing a semiconductor devices, including a plasma treatment process using an inductively coupled plasma treatment device, in which electronic shading damages can be made difficult to generate, and working accuracy can be increased, and reliability can be increased.例文帳に追加

電子シェーディングダメージが発生しにくく、加工精度が高く、かつ信頼性の高い、誘導結合型プラズマ処理装置を用いたプラズマ処理工程を含む半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide an organic thin film transistor display panel capable of securing desired electrical characteristics of the organic thin film transistor by suppressing an unfavorable influence upon an organic semiconductor in a manufacturing process to a minimum, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

製造工程で有機半導体に与えられる悪影響を最小限に抑えることで、有機薄膜トランジスタの所望の電気的特性を確保できる有機薄膜トランジスタ表示パネル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To enhance the uniformity of the amount of processing on a wafer, especially, in the inner area and the periphery of the wafer, while keeping high processing efficiency, concerning the planalizing technique of the surface pattern of the wafer used in the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路の製造工程で用いられるウェハの表面パターンの平坦化技術に関して、高い加工能率を維持したまま、ウェハ面内、特にウェハ周辺部での加工量の均一性を向上させる。 - 特許庁

A process for accumulating the insulating protective film on the semiconductor substrate is performed, and the surface of the insulating protective film is dry-etched, and the tip of the bump 5 is removed to form a second insulating protective film 6 coating the barrier metal layer.例文帳に追加

半導体基板上に絶縁性保護膜を堆積する工程と、前記絶縁性保護膜表面をドライエッチングして、バンプ５の先端部分を除いてバリアメタル層を被覆する第２の絶縁性保護膜６を形成する。 - 特許庁

To provide a waveguide which suppresses distortion and defects that occur in a semiconductor at an initial stage or during operation due to a manufacturing process, for example, and by which improvement in properties such as oscillation properties and achievement in stabilization are expected, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

製造プロセスなどに起因する歪や欠陥や、初期又は動作中に半導体に生じる歪や欠陥を抑制して、特性の向上や安定化が期待される導波路及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the flip chip bonding method of a semiconductor device using a solder material not containing Pb at 11 in the manufacture of a printed circuit board for the flip chip bonding and a packaging circuit board using the flip chip bonding process.例文帳に追加

フリップチップボンディング用の印刷回路基板とフリップチップボンディングを用いた実装回路基板の製造方法とに関し、Ｐｂを含まない半田材料を用いた新規な半導体装置のフリップチップボンディング方法を提供する。 - 特許庁

Contaminations deposited on a wiring pattern are removed in-line in a carrier process from a feeding reel 1 to a take-up reel 5 of a semiconductor device tape carrier 2, which is subjected to automatic visual inspection.例文帳に追加

配線パターン上に付着している異物の除去操作を、半導体装置用テープキャリア２の自動外観検査がなされる送出しリール１から巻取りリール５までの搬送過程中においてインラインで行うことを特徴としている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can form a proper crystallized film with high yield and reduce the stress exerted on an amorphous film during temperature rise in a crystallizing process.例文帳に追加

良質な結晶化膜を歩留まりよく形成することができるとともに、結晶化工程における昇降温時に非晶質膜に作用する応力を低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a novel semiconductor wafer, with which a crystal azimuth and the front/back can be easily discriminated visually, without providing an 'OF part' or 'IF part' and further, eccentricity will not occur even when it is made to rotate at a high speed during a device production process.例文帳に追加

ＯＦ部やＩＦ部を設けることなく、目視により容易に結晶方位及び表裏を判別でき、しかもデバイス製造プロセス中に高速回転させるても偏心が生じない新規な半導体基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can minimize damage to a solder bump caused by a difference in thermal expansion coefficient thereby having enhanced reliability and achieves the simplification of a manufacturing process thereby achieving reduction in manufacturing cost and enhancement in productivity.例文帳に追加

熱膨張係数の差によるソルダーバンプの破損を低減して信頼性を向上すると共に、製造工程を単純化して製造コストの削減及び生産性の向上を図れる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a photoresist supply device that is capable of supplying a constant amount of a photoresist and of previously detecting the presence of an abnormality in the constant discharge of a photoresist and the presence of air bubbles, and is employed in a semiconductor photolithography process.例文帳に追加

フォトレジストの定量供給が可能な、且つフォトレジストの定量吐出の異常の有無及び気泡の有無を予め感知できる、半導体素子のフォトリソグラフィ工程に使用されるフォトレジスト供給装置を提供する。 - 特許庁

TMAH-containing waste water is supplied to a thin film evaporation kettle 202 from the semiconductor plant 201 to obtain distilled water and the distilled water is supplied to the process for manufacturing ultrapure water through piping without coming into contact with outside air.例文帳に追加

ＴＭＡＨ含有廃水は、半導体製造工場２０１より薄膜蒸発缶２０２に供給され、留出水を得、上記留出水は、外気と接触することなく配管を通じて超純水製造工程に供給される。 - 特許庁

To provide a heater with a wafer holder attached which can be suitably used for heat treatment of a wafer, etc., in a semiconductor manufacturing process and which can suppress scattering of dust, etc., and which can facilitete mounting and taking-out of a wafer and which has a good soaking property and can be manufactured easily.例文帳に追加

半導体製造プロセスにおけるウエハ等の熱処理用に好適に使用されるダスト発散等が抑制され、均熱性、ウエハの搭載、取出しが容易に行え、製作が容易なウエハホルダー付ヒータを提供する。 - 特許庁

To provide a high density plasma chemical vapor deposition apparatus in which a PID phenomenon is suppressed while maintaining gap fill capability at a forming process for an HDP CVD, and to provide a method for manufacturing a semiconductor element using the apparatus.例文帳に追加

ＨＤＰ ＣＶＤの形成工程時にギャップフィル能力を維持しながらも、ＰＩＤ現象を抑制できる高密度プラズマ化学気相蒸着装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a process of previously protecting the device formation region with a thin protective film 10 upon forming a shallow trench portion 20 serving as a device isolation region in the semiconductor substrate 1, the protective film 10 comprises a harder material than a nitrided film (Si_3N_4).例文帳に追加

半導体基板１に素子分離領域となる浅溝部２０を形成する際に、素子形成領域をあらかじめ薄膜の保護膜１０で保護する工程において、保護膜１０は窒化膜（Ｓｉ_３Ｎ_４）よりも硬い材料からなる。 - 特許庁

Included are a process of generating voltage waveform information by finding voltage waveforms of respective instances of the semiconductor integrated circuit at a power terminal according to circuit information 1001 and analyzing the voltage waveforms by the instances, a process of generating voltage abstracted information 1033 by abstracting the voltage waveform information 1031, and a process 1005 of calculating delay values of the instances according to the voltage abstracted information 1033.例文帳に追加

回路情報１００１に基づいて、前記半導体集積回路の各インスタンスの電源端子での電圧波形を求め、前記インスタンス毎の電圧波形を解析して電圧波形情報を形成する工程と前記電圧波形情報１０３１を抽象化し、電圧抽象化情報１０３３を形成する工程と、前記電圧抽象化情報１０３３に基づいて前記インスタンスについて遅延値を算出する工程１００５とを含む。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR RETRIEVAL OF DEFECTIVE CLUSTERING, RECORDING MEDIUM WITH STORED DEFECTIVE- CLUSTERING-RETRIEVAL PROGRAM, OPTIMIZATION METHOD FOR RELIEF CIRCUIT, PROCESS CONTROL METHOD, CLEAN-ROOM CONTROL METHOD, MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD AND APPARATUS FOR EXTRACTION OF PROBLEMATIC PROCESS AND PROBLEMATIC APPARATUS, RECORDING MEDIUM WITH STORED EXTRACTION PROGRAM FOR THE PROBLEMATIC PROCESS AND THE PROBLEMATIC APPARATUS AND SCRAP DETERMINING METHOD FOR RETRIEVAL PARENT BODY例文帳に追加

不良クラスタリング検索方法、不良クラスタリング検索装置、不良クラスタリング検索プログラムを格納した記録媒体、救済回路最適化方法、工程管理方法、クリーンルーム管理方法、半導体装置の製造方法、問題工程及び問題装置の抽出方法、問題工程及び問題装置の抽出プログラムを格納した記録媒体、問題工程及び問題装置の抽出装置、及び検索母体のスクラップ判断方法 - 特許庁

A fabrication method of semiconductor device includes a process for pressing a mold 1 having a pattern formed thereon to a negative-type photoresist 2, a process for selectively irradiating an irradiated light 7 to the photoresist 2 by pressing the mold 1 to the photoresist 2 through the mold 1, and a process for patterning the photoresist 2 by removing an area of the photoresist 2 where the irradiated light 7 is not irradiated by developing the photoresist 2.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、パターンの形成されたモールド１をネガ型のフォトレジスト２に押し付ける工程と、モールド１をフォトレジスト２に押し付けた状態で、照射光７をモールド１を通じてフォトレジスト２に選択的に照射する工程と、フォトレジスト２を現像することによりフォトレジスト２の照射光７が照射されていない領域を除去してフォトレジスト２をパターニングする工程とを備えている。 - 特許庁