「semiconductor process」に関連した英語例文の一覧と使い方(139ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which has no problem of defect due to that a capacitor hole does not open in a process for forming a capacitor and no problem of contact between adjacent lower electrodes due to loss of a beam.例文帳に追加

キャパシタを形成する工程において、キャパシタ孔が開孔しないことに起因した不良の問題がなく、また、梁の消失に起因した隣接する下部電極同士の接触の問題がない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon laser element that includes, as a basic component, a group-IV semiconductor such as silicon and germanium based thereupon on a substrate of silicon etc., in a method for easy formation using a normal silicon process; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

通常のシリコンプロセスを用いて容易に形成可能な方法によって、シリコンなどの基板上に、シリコンやそれに順ずるゲルマニウムなどのＩＶ族半導体を基本構成要素としたシリコンレーザー素子及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To avoid the influence of the thickness ununiformity of an additional function layer on that of a laminated semiconductor thin layer, by forming a peeling ion-implanted layer by twice ion implanting steps before and after a deposition process of the additional function layer.例文帳に追加

剥離用イオン注入層を付加機能層の堆積工程を挟む２回のイオン注入で形成することにより、付加機能層の膜厚不均一が貼り合わせ半導体薄層の膜厚均一性に影響を及ぼさないようにする。 - 特許庁

This method can reduce the warp of the semiconductor wafer by the high fusing point metal, so this can reduce the faults in the subsequent patterning process for forming wiring, especially, in the exposure pattern by a stepper.例文帳に追加

本願の代表的な発明によれば、高融点金属膜による半導体ウエハの反りを低減できるので、以降の配線を形成するためのパターニング工程、特にステッパーによる露光工程においてフォーカスの不良を低減することができる。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device excellent in element characteristics with a better yield by removing a resist by wet cleaning and by sufficiently removing particles and metal impurities without damaging a micro pattern after dry etching in a lithographic process.例文帳に追加

リソグラフィ工程のドライエッチング後において、ウェット洗浄によりレジストを除去するとともに、微細パターンにダメージを与えることなくパーティクルや金属不純物を十分に除去し、素子特性に優れた半導体装置を歩留まりよく製造する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a laminated electronic component which can prevent failure due to a bonding process between electronic components, in manufacturing a laminate type electronic component by laminating a plurality of electronic components such as semiconductor elements.例文帳に追加

複数の半導体素子等の電子部品を積層して積層型電子部品を製造するにあたって、電子部品同士の接着工程に起因する不良発生を抑制する事を可能にした積層型電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To achieve the manufacture by a standard semiconductor integrated circuit manufacture process, to eliminate the need of a high breakdown voltage device as the tunable capacity (varactor) of an LC tank circuit, and to improve noise characteristics.例文帳に追加

標準的な半導体集積回路の製造プロセスで製造可能であり、ＬＣタンク回路のチューナブル容量（バラクタ）として高耐圧デバイスを不要とし、かつノイズ特性の良好な電圧制御発振回路と半導体集積回路を提供すること。 - 特許庁

To manufacture and process semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier adapted to light emission, and provide a method of manufacturing devices having a high breakdown voltage and a high current but low carrier density.例文帳に追加

光照射に適合した、少なくとも１つの電位障壁、又は表面障壁を持つ半導体デバイスの製造または処理に関し、高い絶縁破壊電圧と、大電流で低いキヤリア密度を有するデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a foreign matter inspection method for wafers capable of detecting foreign matters, particularly, on a wafer in carrying on the real-time base, and a foreign matter inspecting device for preventing a large quantity of defects to keep a yield in a mass production line of a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

特に搬送途中のウェハ上の異物を実時間で検出できるウェハの異物検査方法、および半導体製造工程の量産ラインにおいて、大量の不良を未然に防ぎ、歩留りを維持させるための異物検査装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of efficiently manufacturing a semiconductor device mounting thinned tape board which is capable of improving handling properties, such as the transfer of intermediate products from one to the other process in manufacturing processes or the formation of interconnecting lines on a base.例文帳に追加

製造過程の中間製品の工程間の搬送やベース上への配線形成を含めたハンドリング性を向上させることができる、半導体装置実装用の薄型化したテープ基板を効率よく製造可能な方法を提供すること。 - 特許庁

In the method for producing a substrate for mounting a semiconductor, lands are formed through a process for bonding a conductor spot formed on a conductive frame to a substrate being bonded through a bonding metallic material and an adhesive layer and then removing the conductive frame.例文帳に追加

導電性フレーム上に形成された導体ポストを被接合基板に接合用金属材料及び接着層を介して接合し、該導電性フレームを除去する工程を経てランド形成する半導体搭載用基板の製造方法。 - 特許庁

Thus, as an element of the group III is restricted to diffuse during a heat processing between the well layer 12 and the barrier layer 11, it is possible to heat-process under a temperature ambience of 700°C to 800°C, and to obtain a high quality semiconductor laser.例文帳に追加

こうして井戸層１２と障壁層１１の間で、熱処理中にＩＩＩ族元素が拡散が抑制されるため、７００℃〜８００℃の温度雰囲気下で熱処理することが可能になり、高品質な半導体レーザを得ることができる。 - 特許庁

The grinding auxiliary device comprises a data processing means (3) to process data of the electric resistance rate of a work for a semiconductor wafer ; a speaker (4), serving as an alarming means, operated by an alarm signal from the data processing means (3); alarm lamps (5A and 5B); and a CRT (6).例文帳に追加

半導体ウェーハのワークの電気抵抗率のデータを処理するデータ処理手段（３）と、データ処理手段（３）からの警報信号により作動する警報手段としてのスピーカ（４）、警告灯（５Ａ，５Ｂ）およびＣＲＴ（６）を備えている。 - 特許庁

To solve the problem wherein when a composite material composed of an insulator 106 and a metal foil 107 is cut through a full-cut process, it is at least needed for a width of 200 μm to be allocated and the number of electronic parts obtained from a semiconductor wafer 101 is unlikely to be increased.例文帳に追加

絶縁物１０６と金属箔１０７の複合材料をフルカットによって切削する場合、少なくとも２００μｍの幅を設けることが必要となり、半導体ウェハ１０１一枚あたりの取れ数を増やすことが難しい。 - 特許庁

To obtain a coating composition for producing an electrical insulating thin film, capable of producing such a porous silica thin film that is low in relative dielectric constant, has mechanical strength sufficiently endurable to a CMP (chemical-mechanical polishing) operation in a copper wiring process for a semiconductor device, and scarcely generates gas when viae are formed.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有し、かつビア形成時のガス発生の少ない多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

To obtain a coating composition for producing an electrical insulating thin film, capable of producing such a porous silica thin film that is low in relative dielectric constant, has mechanical strength sufficiently endurable to a CMP (chemical-mechanical polishing) operation in a copper wiring process for a semiconductor device, and scarcely generates contaminant gas when viae are formed.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有し、かつビア形成時の汚染ガス発生量の少ない、多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a pad structure in which crack resistance is enhanced against an impact being applied directly under a pad by wire bonding in semiconductor assembling process and further enhanced against an ultrasonic wave being oscillated at the time of wire bonding.例文帳に追加

半導体組立プロセスのワイヤボンドによりパッド直下が受ける衝撃に対し耐クラック性を向上させ、更にワイヤボンド時に発振される超音波に対し耐クラック性を向上することができるパッド構造を提供することを目的とする。 - 特許庁

The trench 106 is formed in a semiconductor silicon substrate 101 by dry etching using the mask, and hydrophilic treatment is performed on the interior of the hydrophobic trench 106, and then, the SiO_2 film 104 used as the mask for trench formation is removed by a wet process.例文帳に追加

マスクを用いて、シリコン基板１０１にドライエッチングにより溝部１０６を形成し、その疎水性の溝部１０６の内部に親水化処理を行った後に、溝部形成にマスクとして用いたＳｉＯ_２膜１０４をウェット処理により除去する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device having a high degree of element integration while using the same trench isolation as that of a high power supply voltage circuit section even in a low power supply voltage circuit section, and imparting sufficient latchup resistance to the high power supply voltage circuit section without increasing the process.例文帳に追加

工程の増加なく高電源電圧回路部に十分なラッチアップ耐性を持たせつつ、低電源電圧回路部においても高電源電圧回路部と同じトレンチ分離を使用しながら高い素子集積度を持った半導体装置を得る。 - 特許庁

To provide a liquid detergent composition having a high flash point so as to be excellent in terms of handling safety, and capable of effectively removing flux adhered in a production process for a semiconductor printed board.例文帳に追加

半導体プリント基板の製造工程において付着するフラックスを高度に除去できる洗浄剤組成物に関するものであり、更に、引火点が高い特徴を有する取り扱い安全性の観点に優れた液体洗浄剤組成物を提供する。 - 特許庁

This method for waste gas treatment comprises a step of adding a halogen-type gas absorbing liquid to an adsorbent and a step of bringing a waste gas containing a halogen-type gas discharged from a semiconductor production process into contact with the adsorbent to remove the halogen-type gas from the waste gas.例文帳に追加

吸着剤にハロゲン系ガス吸収液を添加する段階と、半導体製造工程から排出されるハロゲン系ガスを含む排ガスを、該吸着剤と接触させる段階とからなり、該排ガスから該ハロゲン系ガスを除去する。 - 特許庁

The process for preparing a phosphor comprises introducing a mixture comprising a group II-VI compound semiconductor and a salt containing a doping element together with a carrier gas into a flame whose temperature is controlled to 1,700 to 2,700°C.例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体とドーピング元素を含む塩とを含む混合物をキャリアガスとともに温度を１７００℃〜２７００℃に制御した火炎内に導入することを特徴とする蛍光体の製造方法によって上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a display device, in which the shift in the threshold voltage of a thin-film transistor, including an oxide semiconductor layer can be suppressed, even if it is subjected to ultraviolet-light irradiation in a process of manufacturing the display device.例文帳に追加

表示装置の作製工程で紫外線の照射を行っても、酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタのしきい値電圧のシフトを低減させることができる、表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。 - 特許庁

In the same impurity ion introduction process, a p^- type semiconductor region 10 and a p^- type field limiting ring 11 are formed collectively in a gate wiring region GLA to contact a groove 5 with a gate extraction electrode 8 formed therein.例文帳に追加

同一の不純物イオン導入工程にて、ゲート配線領域ＧＬＡでｐ^−型半導体領域１０およびｐ^−型フィールドリミッティングリング１１をゲート引き出し電極８の形成された溝５と接するように一括して、形成する。 - 特許庁

To provide an anodization apparatus capable of preventing the contamination to a substrate to be treated during anodization for forming a porous layer on a semiconductor wafer with a simple process to efficiently form the high grade porous layer.例文帳に追加

半導体ウェーハに多孔質層を形成するための陽極酸化中に、被処理基板への汚染を簡易な方法で防止することができ、良質な多孔質層を効率的に形成することができる陽極酸化装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a single-crystal 3C-SiC substrate with which it is possible to greatly reduce surface defects generated during epitaxial growth process and thereby simplify subsequent steps while ensuring quality as a semiconductor device.例文帳に追加

エピタキシャル成長過程において発生する表面欠陥を大幅に減少させることができ、後工程を簡略化しながら半導体デバイスとしての品質を確保できる単結晶３Ｃ−ＳｉＣ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an indium metal target capable of improving productivity by increasing a deposition rate (sputter rate) of sputtering in a deposition process of a light-absorbing layer of a thin film solar cell using a compound semiconductor, and a method for manufacturing the target.例文帳に追加

化合物半導体による薄膜太陽電池の光吸収層の成膜工程において、スパッタリングの成膜速度（スパッタ速度）を上げ、生産性を向上させることができるインジウムメタルターゲット及び同ターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

A method comprises a process for applying high frequency voltage into a vacuum chamber 5 through a dielectric plate 4 to generate a plasma, and plasma-processing the interlayer insulating film formed in the semiconductor substrate 8 disposed in the vacuum chamber 5 by using the plasma.例文帳に追加

真空室内５に誘電体板４を介して高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、このプラズマを用いて、真空室５内に設置された半導体基板８に形成された層間絶縁膜をプラズマ処理する工程を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor element wherein a plurality of contact holes are formed at the same time in one etching process without causing excessive etching and yield and productivity are excellent, a method of manufacturing the same, and a display device.例文帳に追加

過剰なエッチングを生じることなく、同一のエッチング行程において、複数のコンタクトホールを同時に形成することができ、歩留まりおよび生産性に優れた半導体素子およびその製造方法並びに表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor package substrate with high reliability that can effectively perform bumping and remove resist on forming a metal post by bumping, without damaging to the metal post while achieving an economical and efficient process.例文帳に追加

バンピングによるメタルポストの形成時、効果的にバンピングでき、メタルポストに損傷を与えることなくレジストの除去が可能であるとともに、経済的かつ効率的な工程によって高信頼性の半導体パッケージ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In order to recover crystallinity of a semiconductor film after a doping process, activate impurity elements, and reduce contact resistances after the formation of a wiring, a laser beam is irradiated from the backside of the substrate after the formation of a wiring.例文帳に追加

本発明は、ドーピング処理後の半導体膜の結晶性の回復、不純物元素の活性化および配線形成後のコンタクト抵抗の低減を行なうために、配線形成後に基板の裏面側からレーザ光を照射することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a transparent electrode substrate which can keep sheet resistance at a low level as well as to prevent a semiconductor layer formed on a transparent electrode substrate from peeling off during a calcination process, and also to provide a photoelectric conversion device using the same.例文帳に追加

透明電極基材上に形成された半導体層の焼成処理時における剥離を防止すると共にシート抵抗値を低く維持することができる透明電極基材及びそれを用いた光電変換装置を提供する。 - 特許庁

To provide a benzoxazole precursor which gives a varnish having good storage stability, and gives a resin film having a low dielectric constant and having various process suitabilities in combination as a resin film for a semiconductor device, and a resin composition containing the precursor.例文帳に追加

ワニスとした場合に保存性が良く、樹脂膜とした場合に誘電率が低減され、半導体装置の樹脂膜として適用する際の種々のプロセス適合性を両立するベンゾキサゾール前駆体及びそれを含む樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To decrease inferiority of resin sealing by decreasing flow of a compression molding resin among a plurality of semiconductor elements arranged mutually separately on a substrate each other as much as possible in a compression molding process without decreasing working efficiency.例文帳に追加

作業効率を低下させずに、圧縮成形工程において基板上に相互に離間して複数配置された半導体素子同士の間への圧縮成形用樹脂の流動などを最小限に低減することで、樹脂封止不良を低減する。 - 特許庁

A plurality of capacitance libraries are prepared according to variations, for instance, wiring width, wiring film thickness, interlayer film thickness, in the manufacturing process for the semiconductor integrated circuit, and one among these capacitance libraries is appropriately selected according to object layout.例文帳に追加

例えば配線幅、配線膜厚や層間膜厚などの半導体集積回路の製造プロセスばらつきに応じて複数の容量ライブラリを準備し、これらの容量ライブラリの中から１つを対象レイアウトに応じて適切に選択する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a compound semiconductor crystal (an epitaxial substrate) capable of improving the alignment precision for a mask pattern with reference to an orientation flat in a device manufacturing process without reducing the device forming region of a substrate.例文帳に追加

基板のデバイス形成領域を狭めることなく、デバイス製造プロセスにおいてオリエンテーションフラットを基準とするマスクパターンの位置合わせの精度を向上させることができる化合物半導体結晶（エピタキシャル基板）の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a ferroelectric non-volatile semiconductor memory capable of effectively preventing the characteristic deterioration of a memory cell and peeling from an electrode of a ferroelectric layer even when heat is applied to the memory cell in a manufacturing process.例文帳に追加

製造プロセスにおいてメモリセルに熱が加えられた場合にあっても、メモリセルの特性劣化や強誘電体層の電極からの剥離を効果的に防止し得る強誘電体型不揮発性半導体メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photomask without generating the problem due to static electricity in inspection by SEM and a correction process by FIB by avoiding the damage of a pattern due to static electricity or the like, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device using the photomask.例文帳に追加

静電気等によるパターンの破損を回避できるとともに、ＳＥＭによる検査やＦＩＢによる修正プロセスで静電気による問題が発生することがないフォトマスク及びそのフォトマスクを使用した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In respective circuit blocks CB constituted in each chip region CHIP on a semiconductor wafer WF, a prescribed signal path can be changed by a fuse-cut process, and a fuse 11 for repair normalizing operation of the circuit block CB is constituted.例文帳に追加

半導体ウェハＷＦ上の各チップ領域ＣＨＩＰに構成されるそれぞれの回路ブロックＣＢにおいて、ヒューズカット工程により所定の信号経路が変更でき、回路ブロックＣＢの動作を正常化するリペア用ヒューズ１１が構成される。 - 特許庁

The method for manufacturing an element including the structures 3, 5 having the photonic crystal effect comprises the steps of forming a GaN system semiconductor layer 3 including a crystal inverting region 4 and removing the crystal inverting region 4 with the wet etching process.例文帳に追加

フォトニック結晶効果を有する構造３，５を含む素子を製造する方法であって、結晶反転領域４を含むＧａＮ系半導体層３を形成する工程と、結晶反転領域４をウェットエッチングにより除去する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a heat dissipation substrate being used in a substrate for mounting a semiconductor in which high density can be attained at a relatively low sintering temperature while ensuring required thermal expansion coefficient and thermal conductivity using a relatively simple production process.例文帳に追加

半導体搭載用基板に使用される放熱基板に関するもので、比較的低い燒結温度で高密度を得ることができ、しかも必要な熱膨張係数と熱伝導度を備え、製法が比較的簡単な放熱基板材料を提供すること。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing method capable of attaining high planarization as well as having high polishing speed even under a low pressure condition, in a chemical mechanical polishing (CMP) method for such as a film to be processed in the manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程における被加工膜等の化学的機械的研磨（ＣＭＰ）において、低圧条件下であっても、高い研磨速度を有し、且つ、高い平坦化を達成しうる化学的機械的研磨方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor which is highly sensitive, in particular, highly sensitive in a semiconductor laser wavelength area and supplies images having few image defects, such as ghosts, and to provide a process cartridge and an electrophotographic system which have the electrophotographic photoreceptor.例文帳に追加

高感度、特に半導体レーザー波長領域で高感度であり、かつ、ゴーストなどの画像欠陥の少ない画像を供給可能な電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method or the like for a semiconductor device capable of making the time required for a plasma etching process forming a trench for an element isolation shorter than conventional devices, and capable of improving a productivity by enhancing a throughput.例文帳に追加

素子分離のためのトレンチを形成するプラズマエッチング工程に要する時間を従来に比べて短縮することができ、スループットの向上による生産性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit in which setting of reference voltage generated by a constant voltage generating circuit can be change even after a sealing process when information stored in a reference voltage information storing ROM is change.例文帳に追加

基準電圧情報格納ＲＯＭに記憶させる情報を変更するとき、封止工程後でも、定電圧発生回路が発生する基準電圧を、設定変更することができる半導体集積回路を提供することを目的とする。 - 特許庁