「semiconductor process」に関連した英語例文の一覧と使い方(141ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an adhesive sheet for processing a semiconductor wafer, which facilitates peeling off a dicing sheet after finishing a dicing process and can sharply reduce contamination adhesion, even in an apparatus for bonding a dicing sheet directly to the underside of a wafer.例文帳に追加

本発明は、ウエハ裏面直後にダイシングシートを貼合させる装置においても、ダイシング工程終了後容易に剥離でき、汚染物質の付着を著しく少なくできる半導体ウエハ加工用粘着シートを提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a process for producing a curing agent for an epoxy resin that exhibits good moldability and good curability and has excellent heat resistance in the case where used as a semiconductor package material, and gives a cured molded article having a low elastic modulus.例文帳に追加

半導体パッケージ材料として用いた場合に、良好な成形性、硬化性を示すとともに、耐熱性に優れ、且つ低弾性率の硬化成形物を得ることができるエポキシ樹脂硬化剤の製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide an etching solution capable of selectively removing SiO_2 system deposit and CF system deposit in the same process, while controlling etching of a thermal oxidation film, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device using, such etchant.例文帳に追加

熱酸化膜のエッチングを抑制しつつ、ＳｉＯ_２系堆積物およびＣＦ系堆積物を同一工程で選択的に除去することができるエッチング液およびそのようなエッチング液を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The process of forming the through dislocation blocking layer alternately repeats a first step and a second step of performing the growth of the semiconductor film at mutually different growth rates, under a normal pressure and a temperature atmosphere lower than the growth temperature of a device function layer.例文帳に追加

貫通転位遮断層を形成する工程は、常圧且つデバイス機能層の成長温度よりも低い温度雰囲気の下、互いに異なる成長速度で半導体膜の成長を行う第１ステップおよび第２ステップを交互に複数回実施する。 - 特許庁

Organic substances and foreign substances are removed by mounting a plasma ashing apparatus 200, which covers the wafer holder 7 when cleaning and generates a plasma on the exposure system used in the photolithographic process for semiconductor manufacturing, and then by plasma- ashing the wafer holder.例文帳に追加

半導体製造のホトリソグラフィ工程で使用される露光装置に、ウェーハホルダ７のクリーニング時にウェーハホルダを覆ってプラズマを発生させるプラズマアッシング装置２００を装着して、ウェーハホルダをプラズマアッシングすることにより、有機物・異物を除去する。 - 特許庁

To provide a light proximity effect correcting device for a semiconductor production process, capable of performing the sufficient light proximity effect correction even under various conditions in the size and shape of a design pattern and the space width and positioning relationship between the design patterns.例文帳に追加

設計パターンの大きさ・形状や、設計パターン同士のスペース幅や位置関係が多様な状況下においても、十分な光近接効果補正を行うことのできる、半導体製造プロセスの光近接効果補正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which includes an etch-back process that prevents the generation of the etching residue of a tungsten film or a titanium nitride film at the time of forming a tungsten plug having a small plug loss and hence can make stable etching possible with less wiring defect.例文帳に追加

プラグロスの小さいタングステンプラグを形成する際に、タングステン膜または窒化チタン膜のエッチング残渣の発生を防止し、配線不良が少なく安定したエッチングを可能にするエッチバック工程を備えた半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a wiring structure of a semiconductor device and a method of forming the same which prevent a first contact pad from being damaged by a cleaning fluid in the formation of a second contact plug to be connected to the lower electrode of a capacitor in a downstream process.例文帳に追加

後工程における、キャパシタの下部電極と接続されるべき第２コンタクトプラグの形成の際の洗浄液による第１コンタクトパッドの損傷を防止できる、半導体装置の配線構造物及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

Ultrapure water treated by an ultrapure water production device and fed to a semiconductor manufacturing process as washing water is dispensed and passed through a degassing membrane to be degassed to a dissolved nitrogen of ≤3 mg/L, and a dissolved oxygen of ≤50 μg/L.例文帳に追加

超純水製造装置で処理され半導体製造工程へ洗浄水として供給される超純水を分取し脱気膜を通過させて溶存窒素ガス量が３ｍｇ／Ｌ以下、溶存酸素ガス量が５０μｇ／Ｌ以下になるまで脱気する。 - 特許庁

To form a sufficiently round shape at the upper edge of a trench and to suppress level difference in the vicinity of the trench when it is filled with an insulating material in the process for fabricating a semiconductor device forming an isolation region of STI structure.例文帳に追加

ＳＴＩ構造の素子分離領域を形成する半導体装置の製造方法において、トレンチの上縁部に充分な丸み形状を形成でき、且つ、トレンチ内部への絶縁材料の埋込みに際してその付近での段差を抑制する。 - 特許庁

To prevent the sticking of a conductive film for absorbing laser beams and to improve a COD level and surge breakdown voltage at the time of plasma-cleaning an end face as the preprocessing of a process of coating the resonator end face of a semiconductor laser with a dielectric film.例文帳に追加

半導体レーザの共振器端面を誘電体膜でコーティングする工程の前処理として前記端面をプラズマクリーニングする際に、レーザ光を吸収する導電性膜の付着を防止し、ＣＯＤレベルやサージ耐圧の向上を図る。 - 特許庁

In a semiconductor manufacturing process, an organic reflection preventing film provides selectivity for a lower layer and/or minimizes the etching speed in the lateral direction of photoresist of an upper layer which maintains a critical dimension determined by a photo resist.例文帳に追加

半導体製造プロセスであって、このプロセスは、有機反射防止膜が、下層に対して選択性を与え、及び／又は、フォトレジストによって定められるクリティカルディメンジョンを維持する上層のフォトレジストの横方向のエッチング速度を最小化する。 - 特許庁

To provide layout designing means for semiconductor devices, whereby layout designing can be performed by properly evaluating the extent of plasma damages in each of a plurality of process steps, without increasing the number of manufacturing processes or complicating a manufacturing apparatus.例文帳に追加

製造工程数の増加や製造装置の複雑化を伴うことなく、複数の工程におけるプラズマ損傷の度合いを適切に評価してレイアウト設計を行うことができる半導体装置のレイアウト設計手段を提供すること。 - 特許庁

To solve above problem by the optoelectrochemical device, including an organic compound producing a radical compound, at least in one process of electrochemical oxidation reaction or deoxidation reaction and a semiconductor provided contacting with the organic compound.例文帳に追加

電気化学的酸化反応または還元反応の少なくとも一方の過程でラジカル化合物を生成する有機化合物と、その有機化合物に接して設けられる半導体とを有する光電気化学デバイスにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

This stencil mask for the ion implantation is used in the ion implantation process in the manufacture of the semiconductor device, and comprises at least a substrate portion and a stencil portion, and the stencil portion has a diamond layer.例文帳に追加

半導体デバイスの作製における、イオン注入工程で使用する、イオン注入用ステンシルマスクであって、少なくとも、基材部、ステンシル部を具備し、前記ステンシル部がダイヤモンド層を有するものであることを特徴とするイオン注入用ステンシルマスク。 - 特許庁

The polishing solution for metal used for chemical mechanical planarization in the production process of a substrate for semiconductor integrated circuit contains (A) an organic/inorganic composite particles, (B) quinoline carboxylic acid or its derivative, (C) an amino acid, and (D) an oxidizing agent.例文帳に追加

半導体集積回路用基板の製造工程における化学的機械的平坦化に用いられ、（Ａ）有機無機複合粒子、（Ｂ）キノリンカルボン酸又はその誘導体、（Ｃ）アミノ酸、及び（Ｄ）酸化剤を含有することを特徴とする金属用研磨液。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which planarity of an interconnection forming layer is ensured in planarization processing performed during an interconnection forming process, and circuit simulation can be performed with high precision by reducing capacitance between the interconnection and dummy wiring.例文帳に追加

配線形成工程で実行される平坦化処理の際の配線形成層の平坦性の確保と、配線とダミー配線との間の容量の低減化による回路シミュレーションの高精度化を図ることができるようにした半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a polyimide-polyamic acid block copolymer; a process for producing the same; a positive type photosensitive composition containing the polyimide-polyamic acid block copolymer; and a semiconductor protective film and ITO insulating film of OLED.例文帳に追加

ポリイミド-ポリアミド酸(ｐｏｌｙａｍｉｃ ａｃｉｄ)のブロック共重合体、その製造方法および前記ポリイミド-ポリアミド酸のブロック共重合体を含むポジ型感光性組成物及び、半導体保護膜とＯＬＥＤのＩＴＯ絶縁膜を提供する。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor element which can be manufactured in a simple application process, has good characteristics as a transistor, has stability for oxygen in the air and has sufficiently suppressed secular deterioration.例文帳に追加

簡便な塗布プロセスによって製造することができ、トランジスタとしての特性が良好であり、さらに空気中の酸素に対して安定で経時劣化が十分抑制された有機半導体素子及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing a semiconductor device in which highly reliable wire bonding can be carried out stably by suppressing adverse effect of low molecule siloxane component, while using heat resistant silicon based die bonding material having a low elastic modulus.例文帳に追加

耐熱性及び低弾性率であるシリコーン系ダイボンド材を使用しつつ、低分子シロキサン成分の悪影響を抑制し、信頼性の高いワイヤーボンディングを安定して行なうことが可能である半導体装置の製造方法を提供する - 特許庁

The resin composition for sealing the semiconductor is a resin composition that is useful in a sealing and packing process of flip chip mounting and contains a compound having one or more latent carboxy groups and one or more latent oxetane groups in one molecule, respectively.例文帳に追加

フリップチップ実装の封止充填工程に用いられる樹脂組成物であって、１分子中に潜在化されたカルボキシル基とオキセタン基をそれぞれ１個以上有する化合物を含有することを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。 - 特許庁

To provide an inexpensive filter cartridge having resistance characteristics to high-temperature filtration from 60 to 80°C of a liquid mixture composed of hydrochloric acid and hydrogen peroxide water in a semiconductor manufacturing process step and isopropanol, etc., and having excellent flow rate characteristics.例文帳に追加

半導体製造工程で頻繁に用いられる塩酸過水と略称される塩酸と過酸化水素水との混合液及びイソプロパノール等の60℃から80℃の高温ろ過に耐性を有し、流量特性に優れ、安価なフィルターカートリッジを提供すること。 - 特許庁

In the fabrication process of semiconductor device having a multilayer interconnection layer, hydrogenation heat treatment is performed at least after formation of an insulation layer 107 covering a first interconnection layer 106 and an insulation layer 113 covering a last interconnection layer 112.例文帳に追加

多層配線層を有する半導体装置の製造工程において、少なくとも第一配線層１０６を覆う絶縁層１０７の形成後及び最終配線層１１２を覆う絶縁層１１３の形成後に水素化熱処理を行う。 - 特許庁

A manufacturing method of semiconductor device comprises a process of forming the transfer pattern including a line in which width or angle varies by performing multiplex exposure using a plurality of masks including patterns 1A, 1B on a different mask substrate.例文帳に追加

半導体装置の製造方法を、異なるマスク基板上に異なるパターン１Ａ，１Ｂを有する複数のマスクを用いて多重露光を行なって、幅又は角度が変化するラインを含む転写パターンを形成する工程を含むものとする。 - 特許庁

So, a high chemical reaction of ozone is utilized to highly clean the pBN crucible in a short process time, and the cleaned crucible is used to grow a compound semiconductor crystal of high quality.例文帳に追加

このように、オゾンの高い化学的反応性を利用することによって、短い処理時間でｐＢＮ坩堝を高度に清浄化することができ、その清浄化された坩堝を用いて高品質の化合物半導体結晶を育成することができる。 - 特許庁

An amorphous semiconductor film is once molten and when performing crystallization in a subsequent process, a magnetic field is applied to the surface or zone of the molten film with the principal aim of controlling the Marangoni convection in a surface of the molten film.例文帳に追加

非晶質半導体膜を一旦溶融して、その後の冷却過程で結晶化するに際し、その溶融表面のマランゴニ対流を制御することを主たる目的として、溶融表面又は溶融帯に磁場を印加することを特徴とする。 - 特許庁

To sufficiently guarantee defect detection sensitivity corresponding to minute defects occurring in an actual semiconductor process and, in particular, to use the defect detection sensitivity for production management as an indicator for judging sensitivity adjustment after a light source replacement is performed in a lighting means of a defect detecting device.例文帳に追加

実際の半導体プロセスおいて発生する微小欠陥に対応した欠陥検出感度を十分に保証し、特に欠陥検査装置の照明手段の光源交換後の感度調整を判断する指標として製造管理に利用する。 - 特許庁

To provide a check apparatus and a check method, capable of obtaining the distribution and tendency for the electrical resistance and capacitance of the entire surface of a substrate equipped with fine circuit patterns such as semiconductor devices or liquid crystals in a short time in a process of manufacturing the substrate.例文帳に追加

半導体装置や液晶等の微細な回路パターンを有する基板製造過程で基板全面の電気抵抗および電気容量の分布や傾向を短時間に求めることが可能な検査装置および検査方法を提供する。 - 特許庁

Because the semiconductor chip 1 is unlikely to produce chipping and cracking, it is possible to apply vibration at a large acceleration in a process for disaggregating for conveyance, and therefore, it is unlikely that a plurality of chips are conveyed erroneously and packaging yield can be improved.例文帳に追加

半導体チップが割れや欠けが生じにくいため、凝集を解き、搬送する工程で、大きな加速度で振動を加えることができるので、誤って複数のチップが搬送されることがなく、実装歩留まりを上げることができる。 - 特許庁

To verify whether or not a part which should not be replaced is changed and to avoid being determined that a latch circuit, etc., not relating to logic is inconsistency in a re-order process when verifying a logical equivalence property of a net list after re-ordering in logical designing of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路の論理設計においてリオーダー後のネットリストの論理等価性検証を行うとき、リオーダーによって行われたスキャンフリップフロップ回路の置き換えが論理等価性不一致と判定され、誤ったエラー表示がなされる。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device which improves an integration degree by reducing an influence of a back bias effect, in which a ratio of capacities of a floating gate to a control gate is further increased without increasing an occupying area and an unevenness of characteristics due to a manufacturing process is suppressed.例文帳に追加

バックバイアス効果による影響を低減させることにより集積度を向上させ、占有面積を増加させずに浮遊ゲートと制御ゲートとの容量の比をより増大させ、製造プロセス起因の特性ばらつきのない半導体記憶装置。 - 特許庁

To provide a method of forming an element separation film of semiconductor elements which removes an FSG film produced at etching of a first oxide film by an etching process using oxygen to prevent fluorine from diffusing, thereby avoiding the characteristics deterioration of the elements.例文帳に追加

第１酸化膜のエッチング時に生成されるＦＳＧ膜を、酸素を利用したエッチング工程により除去することによって、フッ素の拡散を防止して、素子の特性劣化を防止できる半導体素子の素子分離膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain a process for manufacturing a semiconductor device in which generation of resin bur can be prevented in the clearance between an end side of a substrate other than the end side straddled by the cull side runner of the substrate and the sidewall of a recess in the lower die without reducing the product area.例文帳に追加

製品エリアを小さくすることなく、基板のカル側ランナーがまたがる端辺とは別の端辺と下金型の凹部の側壁との間の隙間に樹脂バリが発生するのを防ぐことができる半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

In a masking process ST3, an etching-resistant, film-like mask member 12, where the outer-periphery section is held by a ring-shaped frame member 14, is stuck onto a back 1b at a side opposite to a circuit formation surface 1a of a semiconductor wafer 1.例文帳に追加

マスキング工程ＳＴ３において、半導体ウェハ１の回路形成面１ａとは反対側の裏面１ｂに、外周部がリング状の枠部材１４によって保持された耐エッチング性を有するフィルム状のマスク部材１２を貼り付ける。 - 特許庁

To keep the filtration effect of a filter for a long time in the case that water produced by removing various ions from waste water of a semiconductor manufacturing process is circulated and recycled, thereby increasing the purity of the circulated water and extending the life of the filter.例文帳に追加

半導体製造工程の排水から各種イオンを取り除いた水を循環させて再利用する場合に、フィルタのろ過効果を長期に亘って維持し、循環した水の純度を高めると共に、フィルタ自体の寿命を延ばすことである。 - 特許庁

Consequently, the semiconductor wafer WF housed in the process tube 4 can be heated so that the temperature of the wafer WF may become uniform by making the moving speed of the heater 17 slower in a low-temperature section and faster in a high-temperature section in the tube 4.例文帳に追加

移動式ヒータ１７の移動速度をプロセスチューブ内の温度の低い部分では遅く、温度の高いところでは速くして、プロセスチューブ４に収容された半導体ウェハＷＦの温度が均一になるように加熱することができる。 - 特許庁

To provide a window structure which is effective in COD prevention without diffusing an impurity or irradiating a resonator end surface with laser light so as to expand a band gap nearby the resonator end surface in a process of manufacturing a semiconductor laser device.例文帳に追加

半導体レーザ装置の製造工程の中で、共振器端面近傍のバンドギャップを拡大するために、不純物の拡散を行なったり、共振器端面にレーザ光を照射したりしなくても、ＣＯＤ防止に有効な窓構造を実現する。 - 特許庁

To prevent interfacial delamination between an etching stopper layer and an SiOF film which are used when a wiring trench for buried wiring is formed, in a semiconductor integrated circuit device where the buried wiring is formed in an interlayer dielectric containing the SiOF film by a damascene process.例文帳に追加

ＳｉＯＦ膜を含む層間絶縁膜にダマシン法で埋め込み配線を形成する半導体集積回路装置において、埋め込み配線用の配線溝を形成する際に用いるエッチングストッパ層とＳｉＯＦ膜との界面剥離を防止する。 - 特許庁

Although the conductive support structure 112 is formed by the same process as that used for forming a metal interconnection part in an element region 109 of the integrated circuit, a semiconductor element existing inside the element region 109 is not electrically connected.例文帳に追加

集積回路の素子領域（１０９）内に金属相互接続部を形成するために用いるのと同じプロセスを用いて、導電性支持構造（１１２）を形成するが、素子領域（１０９）内部にある半導体素子には電気的に結合しない。 - 特許庁

To provide a resist pattern forming method capable of reducing development defect due to deposition of a resist film and re-adhesion of a semi-insoluble material in a developing and rinsing process with a normal hardware environment, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

通常のハード環境のままで、現像、リンス工程において、レジスト膜の析出及び半不溶化物の再付着による現像欠陥を低減させることができるレジストパターンの形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

PFC gases are used in the process of manufacturing liquid crystals or semiconductors. PFC is one of the Kyoto Protocol gases that needs to be reduced, so liquid crystal or semiconductor factories are equipped with PFC abatement equipment to reduce PFC emissions. 例文帳に追加

また、液晶テレビの液晶などを作る時には、京都議定書で削減の対象となっている温室効果ガスのＰＦＣを使用するのですが、液晶工場では、ＰＦＣガス除害装置を設置しＰＦＣの排出を抑えています。 - 経済産業省

Prof "PFC gases are used in the process of manufacturing liquid crystals or semiconductors. PFC is one of the Kyoto Protocol gases that need to be reduced, so liquid crystal or semiconductor factories are equipped with PFC abatement equipment to reduce PFC emissions.例文帳に追加

"先生「また、液晶テレビの液晶などを作る時には、京都議定書で削減の対象となっている温室効果ガスのＰＦＣを使用するのですが、液晶工場では、ＰＦＣガス除害装置を設置しＰＦＣの排出を抑えています。" - 経済産業省

As a result, the liquid chemical having small bubble content is supplied to the liquid chemical discharge part and the high quality coating film is formed and, for example, in a photolithography process in the manufacture of a semiconductor, the yield is improved by decreasing pattern defects.例文帳に追加

その結果、薬液吐出部には気泡の含有率が少ない薬液が供給され、良質の塗布膜を形成することができ、例えば半導体の製造におけるフォトリソグラフィー工程においてパターン不良による歩留まりが向上する。 - 特許庁

The manufacturing method for the semiconductor device has a process for forming a first amorphous carbon film 24 on a silicon board 1, a process for forming BPSG film 13 on the first amorphous carbon film 24 and a process for forming a second amorphous carbon film 16 on the BPSG film 13.例文帳に追加

シリコン基板１上に第１アモルファスカーボン膜２４を形成する工程と、第１アモルファスカーボン膜２４上にＢＰＳＧ膜１３を形成する工程と、ＢＰＳＧ膜１３上に第２アモルファスカーボン膜１６を形成する工程と、第２アモルファスカーボン膜１６をパターニングし、第２アモルファスカーボン膜１６をハードマスクとしてＢＰＳＧ膜１３を第１アモルファスカーボン膜２４が露出するまでエッチングする工程と、露出した第１アモルファスカーボン膜２４および第２アモルファスカーボン膜１６をアッシングする工程とを備える。 - 特許庁

The method of manufacturing a dynamic random access memory, having a memory array region arranged on a semiconductor substrate, a peripheral circuit region, and a silicon nitride film provided in between the memory array and peripheral circuit regions includes at least a process 1 for removing the silicon nitride film provided in the peripheral circuit region and a process 2 for treating a substrate to be treated obtained by the process 1 under a hydrogen gas atmosphere.例文帳に追加

半導体基板に配置されたメモリアレイ領域と、周辺回路領域とを備え、 前記メモリアレイ領域と前記周辺回路領域とに設けられた窒化シリコン膜を有するダイナミックランダムアクセスメモリの製造方法であって、（１）前記周辺回路領域に設けられた窒化シリコン膜を除去する工程と、（２）水素ガス雰囲気下に前記工程（１）により得られた被処理基板を処理する工程と、 を少なくとも有することを特徴とする、ダイナミックランダムアクセスメモリの製造方法。 - 特許庁