「semiconductor process」に関連した英語例文の一覧と使い方(145ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which includes a wafer precleaning process capable of hydroplilically treating the wafer face, at the same time with suitably removing the Cu metal pollution adhering to the rear, etc., of a wafer when a Cu plating film is made on the surface of the wafer.例文帳に追加

ウェハ表面にＣｕメッキ膜を形成したときにウェハ裏面等に付着するＣｕ金属汚染を好適に除去すると同時に、ウェハ面を親水化処理することが可能なウェハ前洗浄工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize speed-up of a soldering process by shortening the fusion time of a solder membrane, and to surely avert the thermal influence on a semiconductor element etc., and to make a contribution to an improvement in the membrane quality and homogeneity due to stabilization of a fusion temperature and fusion time.例文帳に追加

ハンダ膜の融解時間を短縮することにより、ハンダ工程の高速化を実現し、かつ半導体素子等に対する熱影響を確実に回避するとともに、融解温度及び融解時間の安定化による膜品質及び均質性の向上に貢献する。 - 特許庁

To provide a transistor having sufficient withstand pressure, including a gate insulating film which can be formed by easy processes, and not requiring a high-temperature crystallizing process, and to provide a method of manufacturing the transistor, and an electro-optical device, a semiconductor device and an electronic apparatus.例文帳に追加

十分な耐圧を有し、しかも容易なプロセスで形成することのできるゲート絶縁膜を備え、さらに高温での結晶化処理を不要にしたトランジスタとその製造方法、及びこのトランジスタを備えた電気光学装置、半導体装置、電子機器を提供する。 - 特許庁

Position correction as a stage whose processing time is short and outward shape inspection are combined as a stage process group, and two stages are performed for the semiconductor device S at one stop position of the conveying mechanism 1 to decrease stop positions of the conveying mechanism 1.例文帳に追加

処理時間の短い工程である位置補正と外観検査を工程処理群として組み合わせて構成し、搬送機構１の一つの停止位置において、半導体素子Ｓに２つの工程を施すことによって、搬送機構１の停止位置を減らす。 - 特許庁

This cleaning apparatus, which cleans a wafer c for use in a semiconductor manufacturing process with pure water or a chemical agent, has a tilting mechanism 7 for setting a wafer cassette 6 housing a wafer c or a boat so as to be tilted with respect to a cleaning bath.例文帳に追加

半導体製造工程で用いられるウエハｃを純水又は薬液で洗浄する洗浄装置において、前記ウエハを収納したウエハカセット（６や２３）又はボートを、洗浄槽内に対し傾いて設置させる傾斜機構（７や２４）を有しているものである。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device and its manufacturing method hardly obstructing high integration even if a dummy capacitor is provided in order to prevent a process of a memory capacitor of a memory cell from being deteriorated, and preventing a smoothing capacitor from undergoing temporal dielectric breakdown of a smoothing capacitor as much as possible.例文帳に追加

メモリセルのメモリキャパシタの工程劣化を防止すべくダミーキャパシタを設けるも、高集積化を何等妨げることなく、しかも平滑キャパシタの経時絶縁破壊を可及的に防止する、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of controlling position by which an ultra-fine pattern can be formed in a highly reproducible state with high accuracy when an auto-alignment mechanism is unusable or the fine adjustment of a sample holder is difficult after the holder is fixed in a lithography step performed in the manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程のリソグラフィー工程において、オートアライメント機構の使用が不可能な場合、またはサンプルホルダー固定後の微調整が困難な場合に極微細パターンを高精度で再現性良く形成できる位置制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for patterning a metal foil, which can form a pattern to have different thickness depending on parts with a simple process, and to provide an electric wiring substrate and a manufacturing method therefor, a semiconductor device and a manufacturing method therefor, and a circuit board and an electronic device.例文帳に追加

簡単な工程で、部分的に異なる厚みを有するように形成することができる金属箔のパターニング方法、配線基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。 - 特許庁

Thereafter, a thermal oxidizing process for exposing the semiconductor thin film 5 to the atmosphere containing gas with oxidization ability, where a pressure is 0.1 Mpa to 5 Mpa and a temperature is 100°C to 700°C, thermally oxidizing the surface of the polycrystalline silicon and forming the oxidized film 3 is carried out.例文帳に追加

この後、圧力が０．１Ｍｐａから５Ｍｐａ、温度が１００℃から７００℃で、酸化能力の有る気体を含む雰囲気に半導体薄膜５を暴露し、多結晶シリコンの表面を熱酸化して酸化膜３を形成する熱酸化工程を行う。 - 特許庁

A first etching stopper film 2, a first insulating film 3, a second etching stopper film 4, a second insulating film 5 and inorganic anti-reflection film 6 are formed on a semiconductor substrate 1 sequentially from its lower layer, on which a resist layer 7 is formed and then subjected to a photolithographical process to form a hole pattern.例文帳に追加

半導体基板１上に、下層から順に第１エッチングストッパ膜２、第１絶縁膜３、第２エッチングストッパ膜４、第２絶縁膜５、無機反射防止膜６を成膜し、その上にフォトリソグラフィによりレジスト７を用いてホールパターンを形成する。 - 特許庁

To provide an etching device and its monitoring method that can minimize the loss of an extremely expensive semiconductor element by rapidly finding the film quality change in an object to be etched and the fluctuations of process parameters caused by the failure in the etching device.例文帳に追加

被エッチング対象物の膜質変化やエッチング装置の異常に起因するプロセスパラメータの変動を逸早く発見することにより、非常に高価な半導体素子の損失を最小限に止めることが可能なエッチング装置及びエッチングのモニタリング方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that the reliability of a dielectric formed on the pore bottom more reduces as pores for capacitors, etc. are more fined and deepened on a semiconductor substrate in an ALD film forming process using a longitudinal batch processor advantageous in improving the throughput.例文帳に追加

スループット向上に有利な縦型バッチ処理装置を用いたＡＬＤ成膜では、半導体基板上に形成されているキャパシタ用などの孔が微細化され深くなるほど、孔底に形成される誘電体の信頼性が低下する問題を解決する。 - 特許庁

To provide a polishing composition for use in a CMP process for a semiconductor device having a copper film, a barrier layer of a tantalum compound and a SiO_2 insulation layer so as to be sufficiently greater in the polishing rate of the tantalum compound than copper and hardly cause SiO_2 polishing.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、タンタル化合物の研磨レートが銅に比べて充分に大きく、ＳｉＯ_２の研磨は実質的に殆んど起こらない研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a mask data creation method by which what kind of OPC (optical proximity correction) process is performed can be easily read out and removal of an OPC pattern in an inhibited region can be easily checked, and to provide a mask manufacturing apparatus, a mask, a program and a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

どの種類のＯＰＣ処理が行われているかを容易に読み取れ、かつ禁止領域でＯＰＣパターンが除去されていることが容易に確認できるマスクデータ作成方法、マスク製造装置、マスク、プログラム及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of delivering a semiconductor manufacturing composite solution, a manufacturing method, a pipe line and a manufacturing apparatus, thoroughly restraining the mixing-in of a foreign matter that can cause a defect in a manufacturing process, and remarkably reducing a content of the foreign matter.例文帳に追加

製造過程においてディフェクト要因となり得る異物の混入を十分に抑制することができ、異物含有量が極力低減された半導体製造用組成物溶液の送液方法、製造方法、配管、及び製造装置を提供する。 - 特許庁

To establish a manufacturing method of a semiconductor device using a residue removing liquid by providing the residue removing liquid after the dry process capable of suppression of slight crack-like corrosion which can not have been resolved by a conventional polymer peeling liquid without giving damage to a Cu and low-k film.例文帳に追加

本発明は、Cu及びlow-k膜にダメージを与えずに、従来のポリマー剥離液で解決し得なかったわずかな亀裂状のCu腐食の抑制が可能なドライプロセス後の残渣除去液を提供し、これを用いた半導体デバイスの製造方法を確立する。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device wherein thermal stress is small, a terminating end length is short since a guard ring diffusion layer is shallow, the variation of the depth of the guard ring diffusion layer is small, the working process difficulty of a fine element structure is low and loss is low, and its manufacturing method.例文帳に追加

熱ストレスが小さく、ガードリング拡散層が浅いため終端長が短く、ガードリング拡散層の深さのばらつきが小さく、微細な素子構造の加工プロセス難度が低く、損失が低い電力用半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof, an increase in series resistance being suppressed while wiring reliability is secured by avoiding damage to a low-dielectric-constant film surface exposed after a CMP process of a trench constituting copper multi-layered wiring having a damascene structure.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、ダマシン構造を有する銅多層配線を構成するトレンチのＣＭＰ工程後に露出した低誘電率膜表面のダメージを回避して配線信頼性を確保するとともに、直列抵抗の増大を抑制する。 - 特許庁

To enable a metal plating film to be subjected uniformly to CMP processing in an after process by a method, wherein the metal plating film buried in an insulating film to serve as a wiring material is formed uniformly on a semiconductor substrate.例文帳に追加

絶縁膜中に埋め込まれる配線材料となる金属めっき膜を半導体基板上に均一に形成し、後工程のＣＭＰ処理を均一に行うことができる半導体製造装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for determining process alignment when a phase shift region is formed in the manufacture of a phase shift mask to be used for the manufacture of a semiconductor device, and to provide a method for determining photoresist pattern alignment when a phase shift region is formed in the manufacture of a phase shift mask.例文帳に追加

半導体装置の製造で用いられる位相シフトマスクの製造における位相シフト領域の形成時の処理アライメントの決定方法、位相シフトマスクの製造における位相シフト領域の形成時のフォトレジストパターンアライメントの決定方法を提供する。 - 特許庁

Film thicknesses of the etched cap layers 16 are reduced in the case of the self-alignment process forming the via plugs 22 in a self-alignment manner to the wiring layers 15 and the protective films 16 and 17 for the wiring layers, and design spaces of the via plugs 22 are decreased, thus fining the semiconductor device 10.例文帳に追加

ビアプラグ２２を、配線層１５及びその保護膜１６、１７と自己整合的に形成するセルフアラインプロセスに際して、エッチングされるキャップ層１６の膜厚を小さくし、ビアプラグ２２の設計間隔を縮小することで、半導体装置１０を微細化する。 - 特許庁

According to a normal manufacturing process for double diffused MOSFET, p-base region 2, a p+ contact region 3, an n+ source region 4, a gate electrode layer 5, and a source electrode 15 are provided on the surface layer of an n-type semiconductor base body to form a surface MOSFET.例文帳に追加

通常の２重拡散ＭＯＳＦＥＴの製造工程に従い、ｎ型半導体基体の表面層に、ｐベース領域２とｐ^+コンタクト領域３とｎ^+ソース領域４とゲート電極層５とソース電極１５を設けて表面ＭＯＳＦＥＴを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, where defects occur on the surface of a wafer before and after the water is subjected to processing are compared with each other, in a manner in which defects are assorted by kind, and the defects of the same kind are compared with each other so as enable precise discrimination of one from the other, in a process of manufacturing an LSI wafer.例文帳に追加

ＬＳＩウェハの製造工程において、ウェハを処理する前と後とでウエハ上に発生した欠陥を種類毎に比較することにより、欠陥を的確に判別することができる半導体デバイスの製造方法を提供する - 特許庁

To provide an yttria ceramic sintered body which has an excellent corrosion resistance to halogen-based corrosive gases, plasma or the like and can be suitably used as a member in manufacturing apparatuses for semiconductor and liquid crystal devices, particularly in a plasma process apparatus, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ハロゲン系腐食性ガス、プラズマ等に対する耐食性に優れており、半導体・液晶製造装置等、特に、プラズマ処理装置用の部材として好適に使用することができるイットリアセラミックス焼結体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In forming a laminated layer film comprising a first conductive film 106, a dielectric film 108 and a second conductive film 110 on a semiconductor substrate 102, an etching process is performed after protecting a sidewall of the second conductive film 110 with a second protective film (buffer film).例文帳に追加

半導体基板１０２上に第１導電膜１０６と、誘電体膜１０８と、そして第２導電膜１１０からなる積層膜を形成する際、第２導電膜１１０の側壁を第２保護膜（バッファ膜）で保護してからエッチング工程を実施する。 - 特許庁

To obtain a process for producing a semiconductor product in which pattern dimensions are brought close to the target dimensions when a resist pattern is formed by a double exposure method, and light exposure is corrected individually for two sheets of masks by correcting the light exposure while relating respective correction quantities with each other.例文帳に追加

半導体製品の製造方法に関し、二重露光法でレジスト・パターンを形成する場合、２枚のマスクに対する露光量を別個に補正する際、それぞれの露光量に於ける補正量を関連させて補正し、パターン寸法を目標に近付ける。 - 特許庁

To provide a method for producing an organic porous film having ≤2.2 relative dielectric constant, with which processes of etching processing, cleaning liquid treatment, etc., are facilitated in an insulating film processing process of semiconductor device of advanced micronization and to obtain a composition for forming the organic porous film.例文帳に追加

より微細化が進む半導体デバイスの絶縁膜加工プロセスに対し、エッチング加工あるいは洗浄液処理等の工程が容易となる、比誘電率２．２以下の有機多孔化膜の製造方法および当該有機多孔化膜を形成できる組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a submount which can bond the entire region of the bonding surface of a semiconductor laser chip stably, and can use a substrate in common to an Ag paste type product by taking out the substrate temporarily into the atmosphere at a stage in the fabrication process where an Au layer is formed.例文帳に追加

半導体レーザチップの接合面全域を安定に接合できるとともに、作製プロセスにおいてＡｕ層が形成された段階で基板を大気中に一旦取り出すことでＡｇペーストタイプの製品へ共用することが可能なサブマウントを提供すること。 - 特許庁

To provide a treatment method using discharge plasma capable of realizing a stable discharge state under an atmospheric condition and being treated in a simple device and a small amount of a treatment gas in removing treatment of a remaining photo-resist in a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

半導体製造工程における残フォトレジストの除去処理において、大気圧条件下で安定した放電状態を実現させることができ、簡便な装置でかつ、少量の処理ガスで処理の可能な放電プラズマを用いた処理方法の提供。 - 特許庁

To provide a device for supplying a polishing liquid used for a polishing machining in a semiconductor device manufacturing process, and capable of managing continuously with higher precision on in-line basis occurrence of abrasive grains with a particle size not less than the given one.例文帳に追加

半導体デバイス製造プロセスの研磨加工に使用される研磨液の供給装置であって、研磨液中における所定粒径以上の粒径の砥粒の発生をインラインで連続的に且つ一層高精度に管理できる研磨液の供給装置を提供する。 - 特許庁

To evaluate the embedded depth of the gate electrode of a vertical MOSFET by fabricating the vertical MOSFET becoming an actual product and an evaluation element on the same semiconductor substrate by the same process and then measuring the electrical characteristics of the evaluation element.例文帳に追加

同一半導体基板上に、実際の製品となる縦型ＭＯＳＦＥＴと評価用の素子を同一プロセスで作製し、その評価用素子の電気的特性を測定することにより縦型ＭＯＳＦＥＴのゲート電極の埋め込み深さを評価すること。 - 特許庁

To provide an yttria ceramic sintered body which has an excellent corrosion resistance to halogen-based corrosive gases, plasma or the like and can be suitably used as a member in manufacturing apparatuses for semiconductor and liquid crystal devices, particularly in a plasma process apparatus; and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ハロゲン系腐食性ガス、プラズマ等に対する耐食性に優れており、半導体・液晶製造装置等、特に、プラズマ処理装置用の部材として好適に使用することができるイットリアセラミックス焼結体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

During a process, a flow of pigment solution is formed in a gap between a substrate G and solution guide surfaces 92L and 92R of a nozzle 20, and a porous semiconductor layer on the surface of substrate is subjected to a pigment adsorption treatment in the flow of pigment solution.例文帳に追加

処理中に、ノズル２０の溶液案内面９２Ｌ，９２Ｒと基板Ｇとの間のギャップの中で色素溶液の流れが形成され、基板被処理面の多孔質半導体層はそのような色素溶液の流れの中で色素吸着処理を受ける。 - 特許庁

To provide a method of forming an interlayer insulation film of semiconductor device which allows easily embedding of an insulation material between metal wirings having narrow spacing without generating a void in a process of embedding an insulation material between metal wirings for electrical insulation.例文帳に追加

金属配線同士の間に絶縁物質を埋め込んで電気的に絶縁させる過程において、間隔の狭い金属配線同士の間にもボイドなく容易に絶縁物質を埋め込むことが可能な半導体素子の層間絶縁膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

The detergent composition usable in a production process of a semiconductor integrated circuit or a liquid crystal display comprises (A) at least one kind of hydrofluoric acid and a hydrofluoric acid salt, (B) at least one kind of a sulfite and a disulfite, and (C) water.例文帳に追加

（Ａ）フッ化水素酸及びフッ化水素酸塩のうち少なくとも１種と、（Ｂ）亜硫酸塩及び二亜硫酸塩のうち少なくとも１種と、（Ｃ）水とを含有する、半導体集積回路又は液晶ディスプレイの製造工程で用いられる洗浄剤組成物。 - 特許庁

A conductive material 19 for mounting in which a semiconductor element 111 is allocated is connected with a heat radiating material (heat sink) 13 (or a cooling material 15) with a heat radiating insulator sheet 17 which is formed with the pressurized molding process in the thickness of 80% or less for the initial thickness of a basic material.例文帳に追加

半導体素子１１１が配置されているマウント用導電体１９と、放熱体１３（または冷却器１５）との間を、基材の初期厚さに対して８０％以下の厚さに加圧成形したシート状放熱絶縁体１７により接続する。 - 特許庁

To provide a composition for polishing, having a sufficiently large polishing rate of a tantalum compound compared to that of copper and substantially hardly causing polishing of SiO_2 in a CMP processing process of a semiconductor device having a copper film, a barrier layer of the tantalum compound and an insulation layer of the SiO_2.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、タンタル化合物の研磨レートが銅に比べて充分に大きく、ＳｉＯ_２の研磨は実質的に殆んど起こらない研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a resist pattern forming method which is capable of making the best of a merit of a silylation process although width of a line can be precisely and uniformly controlled through a plane independently of size and density of a pattern, a method of manufacturing a semiconductor device, and a silylation device.例文帳に追加

パターンの粗密やサイズに関係なく、高精度且つ面内均一に線幅制御が可能でありながら、シリル化プロセスの利点を生かすことができるレジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法およびシリル化装置を提供すること。 - 特許庁

Since the time constant of the filter circuit is regulated automatically, conventionally required regulation work of the filter circuit is not required, the production process of the filter circuit or a semiconductor device is simplified, and production time is greatly shortened.例文帳に追加

このように、フィルタ回路の時定数は自動的に調整されるため、従来必要としていたフィルタ回路の調整作業が不要となり、フィルタ回路又は半導体装置の製造工程が簡略化されるとともに、製造時間が大幅に短縮化される。 - 特許庁

To provide a delay circuit that can be set a very small delay time with respect to an input signal with high accuracy without being affected by a manufacture process for each product or each semiconductor circuit while being hardly affected by external factors such as an environmental change.例文帳に追加

製品ごとあるいは半導体回路ごとの製造プロセスに影響されずに、また、環境変化等の外部要因に影響されにくく、入力信号に対して微少な遅延時間を高精度に設定することができる遅延回路を提供することにある。 - 特許庁

To provide a doping agent supply device controlling the input amount in a single process with high accuracy to prevent the doping agent from scattering or vaporizing, and easily changing the input amount, and to provide an apparatus for producing a semiconductor single crystal equipped with the doping agent supply device.例文帳に追加

ドープ剤の飛散や蒸発を防ぐために一度の投入量を高精度に管理でき、更に投入量を容易に変更することができるドープ剤供給装置及びこのドープ剤供給装置を備える半導体単結晶製造装置を提供する。 - 特許庁

These wire- shaped semiconductor films 2a play the role as protective films to protect the leader wiring 14 and protect the leader wiring 14 from an etchant of a contact hole forming process step even in case of the occurrence of pinholes in insulating films 15 covering the leader wiring 14.例文帳に追加

この線状半導体膜２ａが引出し配線１４を保護する保護膜としての役割を果たすのであり、引出し配線１４を覆う絶縁膜１５にピンホールが生じた場合にも、コンタクトホール形成工程のエッチング液から引き出し配線１４を保護する。 - 特許庁

To provide a constant current circuit for fitting a ripple current into a certain range even when a property of a light-emitting diode (LED) changes due to variation of ambient temperature, etc. in an LED drive unit in which constant current is available, without using a high-breakdown semiconductor process.例文帳に追加

高耐圧半導体プロセスを用いずに、定電流が可能な発光ダイオード駆動装置において、発光ダイオードの特性が周辺温度等の変化により変わったとしてもリップル電流を一定の範囲に収める定電流回路を提供する。 - 特許庁

To provide a visual inspection device and a visual inspection method, capable of confirming the propriety of a production process of forming a pattern appearing on the surface of a semiconductor wafer or the like, at the same time as with the visual inspection of a defect appearing on a wafer surface.例文帳に追加

半導体ウエハなどの表面に現れるパターンを形成した製造プロセスが適切であるか否かを、このウエハ表面に現れる欠陥の外観検査と同時に確認することが可能な外観検査装置及び外観検査方法を提供する。 - 特許庁

In the method for controlling the semiconductor device, having two main electrodes and a control electrode part which controls current between the main electrodes, in a detection process, an amount of charge accumulated at the control electrode part is detected, based on voltage of the control electrode part.例文帳に追加

２つの主電極と、前記各主電極間の電流を制御する制御電極部とを有する半導体装置の制御方法であって、検出工程は、制御電極部の電圧に基づいて、制御電極部に蓄積された電荷量を検出する。 - 特許庁