「semiconductor process」に関連した英語例文の一覧と使い方(146ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device, and its fabricating method, in which a diode having a negative resistance and a Schottky diode having good Schottky characteristics can be integrated on the same substrate by a simple fabrication process without causing any deterioration of contact resistance or epitaxial structure.例文帳に追加

製造プロセスが容易でコンタクト抵抗の劣化やエピタキシャル構造の劣化のない負性抵抗を有するダイオードと良好なショットキー特性を持つショットキーダイオードを同一基板上に集積することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid composition for removing resist which can completely remove a resist residue remaining after etching or ashing in the process of wiring a semiconductor device or a liquid crystal panel device at a low temperature in a short time and which does not corrode the wiring material or an inner wiring material.例文帳に追加

半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるエッチングまたはアッシング後に残存するレジスト残渣物を、低温、短時間で完全に除去でき、且つ配線材料、内部配線材料を腐食しないレジスト剥離液組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist pattern, a method for fabricating a semiconductor device, and an apparatus for forming the resist pattern, in which advantages of sililation process is displayed while line width can be controlled precisely and uniformly in plane irrespective of density or size of the pattern.例文帳に追加

パターンの粗密やサイズに関係なく、高精度且つ面内均一に線幅制御が可能でありながら、シリル化プロセスの利点を生かすことができるレジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法およびレジストパターンの形成装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition which has superior resolution and excellent line edge roughness, the positive photoresist composition being a photosensitive composition used for a process of manufacturing a semiconductor such as an IC, manufacture of liquid crystal, the circuit board of a thermal head, etc., other photofabrication processes, etc.例文帳に追加

ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される感光性組成物であり、解像力に優れ、且つ、ラインエッジラフネスが良好なポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To obtain a slurry for polishing a metal film, capable of polishing a metal film even under low-load conditions at a high speed and controlling occurrence of defects of a face to be polished such as scratch, dishing, erosion, etc. in a process for flattening a metal film on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上の金属膜を平坦化する工程において、低荷重条件においても金属膜を高速に研磨し、かつスクラッチやディッシング、エロージョン等の被研磨面の欠陥発生を抑制することができる金属膜研磨用スラリーを提供する。 - 特許庁

For keeping a process margin forming a recess region of the semiconductor device, a channel length of gate is increased by forming the bar shaped protruding portion at the bottom portion of the recess region, or the width of the channel is increased.例文帳に追加

半導体素子のリセス領域を形成する工程マージンを確保するため、リセス領域の底部分にバー形態の突出部を形成することによりゲートのチャネル長を増加させるか、チャンネルの広さを増加させ、半導体素子の電気的特性を向上させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide wafer which prevents complication of a manufacture process, does not restrict a silicon carbide substrate, and is capable of more surely converting a basal plane dislocation to a threading edge dislocation, and also to provide a silicon carbide semiconductor device using the silicon carbide wafer.例文帳に追加

製造工程の複雑化を防止し、炭化珪素基板の制約がなく、かつ基底面転位をより確実に貫通刃状転位に転換できる炭化珪素ウェハの製造方法及び前記炭化珪素ウェハを用いた炭化珪素半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method of extracting a hot spot in layout designing/verification of a semiconductor device in which it is feasible to appropriately extend a process margin and directly relate a result of extracting hot spots to an improvement in an yield of production steps.例文帳に追加

半導体装置のレイアウトの設計・検証の際にホットスポットを抽出する方法であって、適切なプロセスマージンの拡大を行うことができ、ホットスポットの抽出結果を製造段階での歩留向上に直結させることができる方法をを提供する。 - 特許庁

To provide a method of polishing a semiconductor substrate capable of obtaining a steady, high polishing rate while maintaining polishing characteristics, by making a surface state of a CMP polishing pad appropriate using an existing CMP polishing pad and an existing polishing agent in a low-pressure polishing process.例文帳に追加

ＣＭＰ用研磨パッドの表面状態を適正化し、低圧研磨プロセスにおいて、既存のＣＭＰ用研磨パッド及び研磨剤を用いて、研磨特性を維持しながら、安定して高い研磨速度を得られる半導体基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a convenient method for producing monofluoromethane, by which monofluoromethane is produced with a high yield, which is suitable for producing high-purity monofluoromethane usable as an etching agent or a cleaning agent etc., in a thin film process of a semiconductor industry, and which is conducted with a simple apparatus and an easy operation.例文帳に追加

モノオフルオロメタン収率が高く、半導体工業の薄膜プロセスでのエッチング剤、クリーニング剤等として使用できる高純度のモノフルオロメタンの製造に適し、かつ簡易な装置と容易な操作で行える簡便なモノオフルオロメタンの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device with which thinning of a gate insulating layer in an STI end of a transistor element having an STI (Shallow Trench Isolation) structure, especially, a high breakdown voltage transistor element, and the structure is formed without adding a large process.例文帳に追加

ＳＴＩ構造を有するトランジスタ素子、特に高耐圧トランジスタ素子のＳＴＩ端部でのゲート絶縁層のシニングを防止し、なおかつ大幅な工程を追加することなくその構造を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する - 特許庁

To solve the problem that it is impossible to flexibly cope with the use of a user since preliminarily decided bit length or the number of timer channels is prepared in a manufacturing process although the generation of various time cycles is requested for a timer to be used for a semiconductor circuit such as a microcomputer.例文帳に追加

マイクロコンピュータ等の半導体回路に用いるタイマは、様々な時間周期の生成が要求されるが、予め決められたビット長やタイマチャンネル数は製造工程時に作りこまれる為、ユーザーの使用用途に対してフレキシブルに対応することができない。 - 特許庁

To provide a polishing composition to be used in a CMP process of a semiconductor device with a copper layer, a barrier layer of a tantalum compound and an insulating layer of SiO_2, showing a sufficiently large polishing rate of the tantalum compound compared with that of the copper and essentially little polishing of SiO_2.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、タンタル化合物の研磨レートが銅に比べて充分に大きく、ＳｉＯ_２の研磨は実質的に殆んど起こらない研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor integrated circuit in which the surface of polished copper is clean even when a polishing liquid containing colloidal silica, where the surface exhibiting excellent polishing performance is covered at least partially with aluminum, as abrasive grains is employed.例文帳に追加

優れた研磨性能を示す表面の少なくとも一部がアルミニウムで覆われたコロイダルシリカを砥粒として含む研磨液を用いた場合であっても、研磨された銅表面が清浄である半導体集積回路の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method of forming a pattern of a semiconductor device, in which a photoresist pattern of a line pattern is formed, and by using a resist flow process, a further finer line pattern can be formed, wherein the photoresist pattern of the line pattern is formed by overlapping a plurality of contact hole patterns on a line.例文帳に追加

本発明は、複数のコンタクトホールパターンが重なりながら一列に形成されたラインパターンのフォトレジストパターンを形成することにより、レジストフロー工程時にさらに微細なラインパターンを形成することができる半導体素子のパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a structure capable of securing reliability concerning adhesion by filling a gap between wiring on the wiring layers for ground in the semiconductor device of a two-metal T-BGA structure without void and capable of improving production costs by shortening a production process.例文帳に追加

２メタルＴ−ＢＧＡ構造の半導体装置におけるグランド用配線層の配線間の隙間をボイドレスに埋め込むことを可能として接着に関する信頼性を確保し、且つ製造工程を短縮可能として製造コストを改善し得る構造とする。 - 特許庁

To achieve high speed operation by using Ge or SiGe as a semiconductor material composing a channel, and to achieve a CMOSFET which can attain desired threshold control and high effective mobility characteristics by a simple low temperature fabrication process.例文帳に追加

チャネルを構成する半導体材料にＧｅ又はＳｉＧｅを用いて高速動作を実現するとともに、低温且つ簡易な製造プロセスにより、所望の閾値制御及び高い実効移動度特性を達成することを可能とするＣＭＯＳＦＥＴを実現する。 - 特許庁

The average linear expansion coefficient at 20 to 30°C in the obtained composite material is the low one of ≤3×10^-6/°C, and is made optimum as the material for various devices such as an exposure device used in a semiconductor fabrication process, parts and fixtures.例文帳に追加

得られた複合材料の２０〜３０℃における平均の線膨張係数は、３×１０^-6／℃以下と低熱膨張であり、例えば半導体製造工程で使用される露光装置等の各種装置、部品及び治具の材料として最適なものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which circuit component members are composed of a layer common to a connection conductive layer between a pad electrode and a bump electrode, and the connection conductive layer can be employed for other uses in order to enhance cost performance, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

パッド電極と突起電極の間の接続導電層と共通の層から回路構成部材が構成されており、接続導電層が他の用途に用いられてコストパフォーマンスを向上できる半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a pre-process for processing a substrate before forming a gate oxide film on a silicon carbide semiconductor substrate, while keeping the temperature of the substrate in a range from the room temperature to 1200 degree centigrade and applying ultraviolet rays to the substrate, the substrate is exposed to ozone to form the interface between oxide film/silicon carbide.例文帳に追加

炭化珪素半導体基板上に、ゲート酸化膜を形成する前の基板前処理工程において、基板の温度を室温から１２００℃の範囲に保ち、紫外線を照射しつつオゾン暴露を行って酸化膜／炭化珪素界面の作成する。 - 特許庁

To provide a method for etching metals in order to form a fine electrode and a metallic wiring in a manufacturing process of a substrate for a semiconductor device or for a liquid crystal element, which easily keeps the etching rate in a desired range over a long period of time.例文帳に追加

半導体装置基板や液晶素子基板の製造工程等における微細な電極や金属配線を形成するための金属エッチング方法において、エッチング速度を容易且つ長期間に亘り所望の範囲とするような、エッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition that has a long pot life at room temperature in the pressure bonding process, hardens in a short time and can form a hardened resin layer that is voidless and has insulation characteristics in order to improve the production efficiency of a semiconductor device by flip chip mounting.例文帳に追加

フリップチップ実装による半導体装置の製造効率を改善するため、圧接工程において室温での可使時間が長く、短時間で硬化し、ボイドレスで絶縁特性を備えた硬化樹脂層を形成することができるエポキシ樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

In the manufacture of the defective mask for inspecting a defect in a pattern transfer mask used in a semiconductor lithography process, the mask pattern 4 that is the same as a pattern transfer mask to be inspected is formed on a mask substrate that becomes the base of the defective mask.例文帳に追加

半導体体リソグラフィ工程にて用いられるパターン転写マスクの欠陥を検査するための欠陥マスクを製造するのにあたり、その欠陥マスクの基となるマスク基板上に、検査対象となるパターン転写マスクと同一のマスクパターン４を形成する。 - 特許庁

To provide a method which can remove easily the resist material and the planarizing material, without damaging an insulating film, after a fine pattern is formed in an interlayer insulating film of low permittivity on a substrate, in a manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程において、基板上の低誘電層間絶縁膜に微細パターンを形成した後、絶縁膜にダメージを与えることなく、絶縁膜加工に用いたレジスト材や平坦化材を容易に除去することができる方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor chip has a dicing process for dividing a wafer 1, to which a dicing tape 2 having an adhesive layer 22 containing a blowing agent has been stuck into individual semiconductor chips 1' by dicing; and an adhesive force reduction process for reducing the adhesive force of the adhesive layer 22 in the dicing tape 2, by foaming a blowing agent by giving a stimulus to the dicing tape 2.例文帳に追加

発泡剤を含有する粘着剤層２２を有するダイシングテープ２が貼付されたウエハ１をダイシングして、個々の半導体チップ１’に分割するダイシング工程と、前記ダイシングテープ２に刺激を与えて発泡剤を発泡させることによりダイシングテープ２の粘着剤層２２の粘着力を低下させる粘着力低下工程とを有する半導体チップの製造方法であって、半導体チップ１’の任意の１辺の長さをＡ、発泡剤の発泡の間隔をＢとしたときにＡとＢとが下記式（１）を満たす半導体チップの製造方法。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises steps of: forming a recognition mark which defines a region for forming a well in a semiconductor substrate; forming a mask patterned to open the well forming region by using the recognition mark; introducing impurities into the well forming region; performing heat treatment for forming a well by diffusing impurities; and forming an isolation region in the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板にウェルを形成するためのウェル形成領域を規定する認識マークを形成する認識マーク形成工程と、認識マークを用いて、ウェル形成領域が開口されているようにパターン形成されたマスクを形成するマスク形成工程と、ウェル形成領域に不純物を導入する不純物導入工程と、不純物を拡散させてウェルを形成するための熱処理をする熱処理工程と、半導体基板に素子分離領域を形成する素子分離領域形成工程と、を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate with ceramics and its manufacturing method wherein a heat can be efficiently radiated from a semiconductor element; properties superior in heat radiation, optical transparency, mechanical strength or the like can be obtained; a problematic warpage of the substrate or chip can be reduced while the complicated manufacturing process and an increase in cost are suppressed; and cleavage and dicing during formation of the semiconductor substrate into chips can be eased.例文帳に追加

半導体素子の熱を効率的に放熱することができ、放熱特性、光透過性及び機械的強度等に優れたセラミックス付き半導体基板及びセラミックス付き半導体チップを得ることができ、更に特に問題となる基板又はチップの反りを、製造プロセスの複雑化及び高コスト化を抑制しつつ、低減することができ、更にまた、半導体基板からチップにするときの劈開及びダイシング加工を容易にすることができるセラミックス付き半導体基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for forming an insulating film comprises a process for irradiating a substrate surface having a silicon oxide thin film on a semiconductor substrate with vacuum ultraviolet rays in a vacuum container retained in high vacuum; and a process for performing either nitriding or oxynitriding treatment in the vacuum container retained in a high vacuum state without exposing the substrate to the atmosphere after the irradiation of vacuum ultraviolet rays.例文帳に追加

本発明の絶縁膜の形成方法は半導体基板上にシリコン酸化薄膜を有する基体表面を高真空に保持された真空容器内で真空紫外光を照射する工程と、真空紫外光照射後に基体を大気に暴露することなく、高真空状態に保持された真空容器内で窒化或いは酸窒化いずれかの処理を行う工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor element comprises: a first process for forming a first conductive type source region 4 in a second conductive type body region 3 formed on a first conductive type substrate 1 through ion pouring employing a pouring mask; and a second process for forming a doped region 13 doped by pouring acceptor impurities into the second conductive type body region 3 employing the pouring mask.例文帳に追加

第１導電型の基板１上に形成された第２導電型のボディ領域３内に注入マスクを用いたイオン注入により第１導電型のソース領域４を形成する第１の工程と、前記注入マスクを用いて第２導電型のボディ領域３内にアクセプタ不純物を注入することによりドーピングされた領域１３を形成する第２の工程とを含む。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, exposure is performed to form a resist pattern differing from a pattern in a chip region in an exposure range that includes a non-effective reference chip region adjacent to an effective reference chip region and does not include any effective chip regions and effective reference chip regions in a reference exposure process using a reduction projection type aligner in a photolithography process.例文帳に追加

本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、フォトリソグラフィの工程において、縮小投影型露光装置を用いた基準露光工程において、有効基準チップ領域に隣接する無効基準チップ領域を含み、かつ有効チップ領域および有効基準チップ領域を含まない露光範囲で、チップ領域のパターンとは異なるレジストパターンを形成するように露光を行う。 - 特許庁

To provide a method for removing a standing wave caused by the variation of ArF light and the thickness of photoresist by preventing the reflection from a lower film layer in the process for forming an ultrafine pattern using a lithographic photoresist in the production process of a semiconductor element, an antireflection composition containing the organic antireflection polymer, an antireflection film produced by using the composition and a method for forming the antireflection film.例文帳に追加

半導体素子の製造工程中におけるリソグラフィー用フォトレジストを使用する超微細パターンの形成工程において、下部膜層の反射を防止してＡｒＦ光およびフォトレジスト自体の厚さの変化によって生じる定在波の除去法および、このような有機反射防止重合体を含む反射防止用の組成物、これを利用した反射防止膜およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device using the adhesive sheet for spacers comprises: a process for preparing the adhesive sheet for spacers having a spacer layer with an adhesive layer at least on one surface, dicing the adhesive sheet for spacers, and forming a chip-like spacer having the adhesive layer; and a process for fixing the spacer to the body to be deposited via the adhesive layer.例文帳に追加

スペーサ用接着シートを用いた半導体装置の製造方法であって、前記スペーサ用接着シートとして、少なくとも一方の面に接着剤層を備えたスペーサ層を有するものを用意し、前記スペーサ用接着シートをダイシングして、接着剤層を備えたチップ状のスペーサを形成する工程と、前記スペーサを、前記接着剤層を介して被着体に固定する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a suitable method and equipment for treating a waste water, particularly from a process of manufacturing a semiconductor, which renders a hardly treatable substance to promptly become treatable and treats the same to a biologically treatable product substance which can be combined with a process of bio-treatment by conducting an ozone oxidative treatment with the most suitable condition depending on substances contained in the waste water.例文帳に追加

オゾン酸化処理を廃水に含有されている物質に応じて最適な条件で行えるようにすることにより、難処理性の物質を迅速に処理可能とするとともに、生物処理が可能な生成物質へと処理して生物処理工程と組み合わせることも可能とすることのできる、とくに半導体製造工程等からの廃水の処理に好適な廃水処理方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming metal wirings of a semiconductor element capable of easily forming copper wirings in a fine structure because of facilitating a selective copper vapor deposition using a copper precursor by implementing a plasma process or a radical plasma process and leaving a chemical reinforcing material layer only at the bottom of damacine patterns after a chemical reinforcing material layer accelerating the copper vapor deposi tion, is formed.例文帳に追加

銅蒸着を加速化させる化学的強化剤層を形成した後、プラズマ処理またはラジカルプラズマ処理を行ってダマシンパターンの底面にのみ化学的強化剤層を残留させることにより、銅前駆体を用いた銅の選択的蒸着工程を行なうことが出来るから、微細な構造における銅配線を容易に形成することが出来る半導体素子の金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a detoxification treatment method for an asbestos-containing material, capable of simultaneously and efficiently executing the detoxification treatment at a low heating temperature of the asbestos-containing material such as asbestos waste, fluoride sludge containing phosphate ions discharged in the manufacture process of a semiconductor material or the like, and a chlorine compound such as chlorine bypass dust discharged from a cement manufacturing process, and a manufacturing method of cement utilizing it.例文帳に追加

アスベスト廃棄物等のアスベスト含有物と、半導体材料等の製造工程などで排出されたリン酸イオンを含むフッ化物汚泥と、セメント製造工程から排出される塩素バイパスダストなどの塩素化合物とを、同時に、かつ低い加熱温度で効率的に無害化処理することができるアスベスト含有物の無害化処理方法ならびにこれを利用したセメントの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an evaluation method of a silicon substrate where surface defect observation due to etching after device film peeling is facilitated, by creating a clear surface for observing crystal defects on a semiconductor substrate and surface defects due to a device process, and it can be made clear that defects on the surface are caused by crystal itself or stress and contamination due to the process.例文帳に追加

半導体基板上の結晶欠陥やデバイスプロセス起因の表面欠陥を観察するための綺麗な表面を作成することによってデバイス膜剥離後のエッチングによる表面欠陥観察がし易くなり、表面にある欠陥が結晶起因の欠陥か、又はプロセス起因のストレスや汚染による欠陥なのかを明らかにすることができるようにしたシリコン基板の評価方法を提供する。 - 特許庁

This method includes the steps of forming a film 2 on a semiconductor substrate 1 and forming an interlayer insulating film 3 thereon, subjecting the film 3 through photolithography to a patterning process to form a hole 4, subjecting the film 3 to wet etching process with use of an etchant having a etching rate larger than that of the film 2 to the film 3, and observing the hole 4 from an open side thereof.例文帳に追加

半導体基板１上に膜２を形成し膜２の上に層間絶縁膜３を形成する工程と、層間絶縁膜３をフォトリソグラフィ法によりパターニングしてホール４を形成する工程と、層間絶縁膜３に対する膜２のエッチング速度の比が大きいエッチング液を使用して層間絶縁膜３をウェットエッチングする工程と、ホール４を開口側から観察する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can easily form T-type patterns in different degrees of apertures to remarkably reduce the manufacturing processes with the single process of reactive ion etching with a kind of BCB film and a kind of the etching gas, by utilizing the property that the etching characteristic of benzocyclobutene film for reactive ion etching changes isotropically and anisotropically depending on execution of hardening process with the Ar plasma.例文帳に追加

Ａｒプラズマによる硬化処理の有無により反応性イオンエッチングに対するベンゾシクロブテン膜のエッチング特性が異方的、等方的と変わる性質を利用し、ＢＣＢ膜一種、エッチングガス一種で、一度の反応性イオンエッチングでＴ型の開口度の異なるパタンを簡易に形成でき、製造工程の大幅な短縮を図ることができるＴ型ゲート電極有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is fabricated by a process of selectively introducing halogen element or argon to an element region 14 of a silicon substrate 10 and a process of forming a silicon oxide film 24 over an element region 16 and a silicon oxide film 22, which is thicker than film 24, over the element region 14 by wet oxidation of the substrate 10 under the reduced pressure or the diluted atmosphere by nitrogen or rare gas.例文帳に追加

シリコン基板１０の素子領域１４に、ハロゲン元素又はアルゴンを選択的に導入する工程と、シリコン基板１０を、減圧下又は窒素若しくは希ガスにより希釈された雰囲気でウェット酸化することにより、素子領域１６にシリコン酸化膜２４を、領域１４にシリコン酸化膜２４より厚いシリコン酸化膜２２を、それぞれ形成する工程とを有する製造方法により半導体装置を製造する。 - 特許庁

To provide equipment for the treatment of waste water containing gallium which treats waste water containing gallium discharged from the polishing process or the like in manufacturing factories of compound semiconductor wafers, manufacturing factories of devices or the like or waste water containing gallium in which waste water from a polishing process is mixed in a reservoir and with which gallium being a rate and valuable metal can be completely and efficiently collected as hydroxides in a highly concentrated state.例文帳に追加

化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等の研磨工程等から排出されるガリウム含有廃水、あるいは、研磨工程の廃水が貯槽で混合されるガリウム含有廃水を処理して、特に希少かつ有価金属であるガリウムを水酸化物として高濃縮された状態で余すことなく効率的に回収し得るガリウム含有廃水の処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming an element isolation layer of a semiconductor memory device, capable of filling a fluid first insulating film on the bottom surface of a trench, forming a second insulating film, then performing a dry etching process and a wet etching process and reducing the amount of fluorine (F) included in the second insulating film while expanding the top width of the trench.例文帳に追加

本発明は、トレンチの底面に流動性の第１の絶縁膜を満たし、第２の絶縁膜を形成した後に乾式エッチング工程及び湿式エッチング工程を行ってトレンチの上部の幅を広げながら第２の絶縁膜に含まれるフッ素(Ｆ；fluorine；フローリン)の量を減少させることができる半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

This method includes a process 216 wherein conductive material having one work function is so formed as to cover an insulated semiconductor substrate, and a process 218 wherein part of the conductive material is reformed to change the work function of the conductive material, a first gate electrode is formed with the conductive material, and a second gate electrode is formed with the reformed part of the conductive material.例文帳に追加

本方法は、半導体基板を覆って、１つの仕事関数を有する伝導性材料を絶縁して形成する工程（図２の工程２１６）、および伝導性材料の一部を改質して伝導性材料の仕事関数を変化させることによって、伝導性材料が第１ゲート電極を、また改質された伝導性材料が第２ゲート電極を形成するようにする工程（図２の工程２１８）を含む。 - 特許庁

To provide a vacuum suction stage avoiding problems due to the remaining of water, steam and chemical, which are used in a wet process, on the wafer rear face and the surface of the vacuum suction stage, and to provide a semiconductor manufacturing method that uses the stage.例文帳に追加

本発明は、ウェット工程で用いられる水、水蒸気（蒸気）、薬液などがウェーハ裏面又は真空吸着ステージ表面に残留することによる諸問題を回避できる真空吸着ステージおよびそれを用いた半導体製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a pre-amorphous process, an amorphous region is formed in a semiconductor region by performing the ion implantation of a IV group element, or an ion implantation of at least any one of arsenic (As), phosphorous (P), halogen, and inert gas elements, or an ion implantation under the conditions of a low temperature lower than -10°C.例文帳に追加

半導体領域内に、プレアモルファス工程では、IV族元素のイオン注入、又はヒ素（Ａｓ），リン（Ｐ），ハロゲン元素及び不活性ガス元素のうち少なくともいずれか１つのイオン注入、又は−１０℃よりも低い低温条件でイオン注入を行なってアモルファス領域を形成する。 - 特許庁

To provide a developing method for photoresist film which can not only shorten the process time but also can improve the wavelength area selection ratio to enable the formation of a photoresist pattern of a sharp shape, a manufacturing method for a semiconductor device using the developing method, and a developer suitable for excuting the developing method.例文帳に追加

処理時間を短縮できるのはもちろん選択比を向上してシャープな形状のレジストパターンの形成を可能にしたレジスト膜の現像方法、及びこの現像方法を用いた半導体装置の製造方法、さらに現像方法の実施に好適な現像装置を提供する。 - 特許庁