「semiconductor process」に関連した英語例文の一覧と使い方(148ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide dry etching gas selectively etching a resist and underlying silicon while avoiding a reduction of an etching speed of a silicon oxide film, a silicon nitride film, and a silicon-containing film such as a silicon-containing low dielectric constant film in a manufacturing process of a semiconductor device; and to provide an etching method using the same.例文帳に追加

半導体デバイスの製造プロセスにおいて、シリコン酸化膜、窒化シリコン膜、シリコン含有低誘電率膜等のシリコン含有膜のエッチング速度の低下を防ぎ、レジストや下地のシリコンなどに対して、選択的にエッチングすることができるドライエッチングガス及びそれを用いたエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element with an epichannel structure which eliminates a limit of usable energy in an extremely low energy ion injecting method and which is suitable for improving a decrease in productivity in a extremely low energy ion injecting method which requires a process of a long period of time.例文帳に追加

極低エネルギーイオン注入法に伴う使用可能なエネルギーの限界を解消し、長時間の工程が要求される極低エネルギーイオン注入法の生産性低下を改善するのに好適のエピチャネル構造の半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, in the case of forming the wiring of different potential below the external terminal 8 in a semiconductor assembling process, the cracks generated in the insulation film 5 formed between the electrode 4 of an upper layer and the wiring layer 3 of a lower layer by the stress at the time of wire bonding are suppressed.例文帳に追加

このため、半導体組立プロセスにおいて外部端子８下に異電位の配線を有する場合、ワイヤボンド時の応力により発生する上層の電極４と下層の配線層３の層間にある絶縁膜５中に発生するクラックを抑制することが可能である。 - 特許庁

To provide a semiconductor film, a light receiving element, a photoreceptor, a process cartridge and image forming apparatus, that are formed even on a base material including an organic material, are excellent in a photoconductive characteristic, a mechanical characteristic, and resistance to oxidation, etc., and temporally stably keep these characteristics.例文帳に追加

有機材料を含む基材上へも形成可能であり、光導電特性や機械的特性、耐酸化性等に優れると共にこれらの特性が経時的にも安定して維持できる半導体膜、受光素子、感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

A manufacturing process in which the ion implantation for the implantation separation area of the high-withstand voltage transistor and the ion implantation for the retrograde well formation are performed at the same time is provided to decrease the number of masks, reduce manufacturing processes accompanying them, and further provide a low-cost semiconductor device.例文帳に追加

高耐圧トランジスタの注入分離領域とレトログレードウェルの作成の為のイオン注入を同時に行う製造プロセスを提供することによってマスク枚数の削減とそれに伴う製造工程の縮減さらには低コストの半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an abrasive composition for CMP (chemical mechanical polishing) work having a high selectivity, that is, high in abrasion rate of copper but low in that of tantalum, and also excellent in the smoothness of the copper film surface, in the CMP work process of a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

The method of removing the solar cell and the transparent resin from the transparent substrate includes processes (S2A, S3) of cutting a selected solar cell away and removing semiconductor waste together with a part of the transparent resin in a state that the solar cells are exposed, and a process (S5B) of rubbing an elastic body on the transparent substrate to peel off the remaining transparent resin.例文帳に追加

太陽電池セルが露出された状態で、選択された太陽電池セルを切削にて除去し半導体屑を透明樹脂の一部とともに除去する工程(S2A,S3)と、透明基板上に弾性体を擦り付けることで、残存する透明樹脂を剥し取る工程(S5B)とを有する。 - 特許庁

To obtain an organic semiconductor material (porphyrin based organic charge transporting material) thin film having a high carrier mobility by a simple process without requiring any special orientation technology, and to provide easy-to-fabricate field effect transistor and switching element using organic charge transporting material.例文帳に追加

特殊な配向技術を要せず、簡単な方法でキャリア移動度が高い有機半導体材料（ポルフィリン系有機電荷輸送性材料）薄膜を得ることにあり、該有機電荷輸送性材料を用いて製造の容易な電界効果トランジスタ、スイッチング素子を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film of metal oxide, metal nitride and metal having superior characteristics on a substrate of semiconductor or flat display element according to a time-divisional source supply CVD process in which plasma in synchronization with source supply cycle is used.例文帳に追加

原料供給サイクルに同期させたプラズマを用いる時分割的な原料供給ＣＶＤ法により半導体またはフラット表示素子の基板上に優れた特性を有する金属酸化物、金属窒化物及び金属の薄膜を形成する方法を提供すること。 - 特許庁

In the process for growing the semiconductor crystal, either a group II element or a group VI element is filled in excess compared to a stoichiometric ratio of the group II-VI compound of 1:1 in the sealed tube.例文帳に追加

ハロゲンを輸送媒体とする化学輸送法によって封管中でＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶を育成する方法において、そのＩＩ−ＶＩ族化合物の化学量論的比率の１：１に比べてＩＩ族元素またはＶＩ族元素のいずれか一方を封管中に過剰に充填する。 - 特許庁

To improve current characteristics or to prevent the current characteristics from degrading without making its manufacturing process more complex in a semiconductor device comprising a stress applying insulating film on the top surface of a gate electrode of a MOS type transistor element.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタ素子のゲート電極上面に応力印加用絶縁膜を備える半導体装置において、製造工程を複雑化させることなく電流特性の向上若しくは電流特性の悪化防止を図ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Scanning in a horizontal direction is performed while causing a detection part arranged approximately vertically to a surface to be inspected to perform bending operation at high speed repeatedly, by forming detecting electrodes on a piezoelectric element by using a semiconductor process, and applying a voltage to both ends of the piezoelectric element.例文帳に追加

半導体プロセスを用いて圧電体上に検出用電極を形成し、圧電体両端に電圧を印加することにより、検査対象面に対しほぼ垂直に配置した検出部を高速に繰返し湾曲動作をさせながら水平方向に走査させる。 - 特許庁

To provide a process for facilitating manufacture of field effect semiconductor devices, capable of employing a carbon nanotube having reduced defect in wall face structure and proper characteristics, having a current passage, such as a channel layer dispersed uniformly with the carbon nanotubes and exhibiting superior device characteristics such as high mobility.例文帳に追加

壁面構造の欠陥がより少なく特性の良いカーボンナノチューブを用いることができ、このカーボンナノチューブを均一に分散させたチャネル層等の電流通路を有し、高移動度を有する等のデバイス特性に優れた電界効果半導体装置を容易に製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which improves an electric characteristic and keeps high reliability by means of a structure without using a bonding wire, and which can improve a productivity by removing a laser machining process and shortening a manufacturing time, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ボンディングワイヤを使用しない構造を備えることで電気特性を向上させつつ高い信頼性を確保し、レーザー加工工程をなくし製造時間の短縮を進めて生産性の向上を図ることの可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide metal wiring of semiconductor element and its method for production which can prevent galvanic corrosion at a contact part of a wiring metal film with a barrier metal film made of different substance from the wiring metal film when damascence process is used for forming the metal wiring.例文帳に追加

ダマシン法を適用して金属配線を形成する際に、金属配線用の金属膜とこの膜とは異種の物質で形成されたバリア金属膜との接触部で発生するガルバニック腐食を抑制することができる半導体素子の金属配線及びその形成方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor element comprises an epitaxial layer using a solid phase epitaxy process, a first metal layer on the epitaxial layer, a nitride barrier metal on the first metal layer, a second metal layer on the barrier metal and metal silicide formed between the epitaxial layer, and the first metal layer.例文帳に追加

固相エピタキシー工程を用いたエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層上の第１金属層と、前記第１金属層上の窒化物系バリヤメタルと、前記バリヤメタル上の第２金属層と、前記エピタキシャル層と第１金属層との間に形成された金属シリサイドとを含む。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance transistor which can obtain different emitter current inputs at a fixed voltage, which can further change a base current by changing while the emitter current input is controlling and which does not need a manufacturing process of a complicated semiconductor.例文帳に追加

固定した電圧で異なるエミッタ電流入力を得ることができ、さらに、エミッタ電流入力を制御しながら変化させることによってベース電流を変化することができ、且つ複雑な半導体の製造工程を必要としない磁気抵抗トランジスタを提供する。 - 特許庁

In a rewinding method in which the bonding wire for the semiconductor device reeled out of an unwinding machine is rewound by a take-up machine with assist of the rewinding guide after a wiredrawn process, the hard base material surface of the rewinding guide is covered with a ceramics coating film.例文帳に追加

伸線工程後に巻戻機から繰り出されたボンディングワイヤを巻替ガイドで案内して巻取機で巻取るボンディングワイヤの巻替方法において、該巻替ガイドが硬質基材表面にセラミックスコーティング膜を被覆されている半導体素子用ボンディングワイヤの巻替方法。 - 特許庁

In the method for fabricating the diamond substrate, an SiC layer is formed on the lower surface of a diamond film layer for preventing the diamond film layer from being deformed in the process of forming the diamond substrate, and then a semiconductor layer is formed on the diamond film layer or directly formed on the lower surface of the SiC layer.例文帳に追加

ダイヤモンド基板を形成する工程でダイヤモンド・フィルム層の変形を防止するためダイヤモンド・フィルム層の下部表面にＳｉＣ層が形成され、次に半導体層がダイヤモンド・フィルム層の上に形成されるか、またはＳｉＣ層の下部表面に直接形成される。 - 特許庁

the values of the critical dimensions of the die can be obtained from a scan image of low resolution obtained at a relatively high scanning speed, so the method can obtain values of critical dimensions of respective dies in the whole wafer within an acceptable inspection time to monitor uniformity of a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

ダイの限界寸法の値は、相対して高いスキャン速度により得られる低解像度の走査像から得られるので、上述の方法は、受け入れ可能な検査時間内で、ウェハ全体中の各ダイの限界寸法の値を得て、半導体製造プロセスの均一性を監視することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of achieving high density, thin shape and low cost, which achieves chip mounting with high precision, which needs no preparation of position marks on a base material at the time of chip mounting on the base material in a manufacturing process, and which can make removing of the base material easy, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

高精度なチップ搭載を実現し、製造工程中において、基材上にチップ搭載時の位置マークを設ける必要がなく、基材の除去を容易にすることができる、高密度、薄型及び低コストを実現する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a means of improving reliability while reducing a cost and simplifying a manufacturing process for a manufacturing method of an electronic device having a structure for connecting a substrate body with a conductive pattern formed thereon via an insulation layer using a bump, a substrate and a semiconductor device.例文帳に追加

基板本体とその上部に絶縁層を介して形成される導電パターンとをバンプを用いて接続する構造を有する電子装置の製造方法及び基板及び半導体装置に関し、低コスト化及び製造工程の簡単化を図りつつ信頼性の向上を図る手段を提供する。 - 特許庁

In the process of forming a thin film having a different lattice constant on the substrate 1, the semiconductor containing Sb is first formed and a buffer layer to vary the lattice constant is formed as an overlay, which facilitates formation of a thin film having no crystal defect using the buffer layer that is thinner than a conventional layer.例文帳に追加

基板１上に格子定数の異なる薄膜を形成する際に、まずＳｂを含む半導体を形成し、その上層に格子定数を変化させるためのバッファ層を形成することで、従来に比べ薄いバッファ層で結晶欠陥のない薄膜形成が可能となる。 - 特許庁

To provide a crosslinkable elastomer composition in which generation of HF under high temperature conditions can be reduced, a change in weight to both NF_3 plasma treatment and O_3 treatment in a semiconductor manufacturing process is small and generation of foreign substances (particles) in these treatments is suppressed significantly.例文帳に追加

高温下でのＨＦの発生を低減でき、半導体の製造工程で曝されるＮＦ_3プラズマ処理およびＯ_3処理に対してともに重量変化が小さく、これらの処理において異物（パーティクル）の発生を顕著に抑制し得る架橋性エラストマー組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor memory element wherein deterioration of characteristics of a ferroelectric capacitor which is to be caused by increase of electron density and ion density can be prevented in a process, in which an interlayer insulating film which covers an upper part of the ferroelectric capacitor is etched by using a plasma.例文帳に追加

本発明は、プラズマを利用して強誘電体キャパシタ上部を覆う層間絶縁膜をエッチングする過程において、電子密度及びイオン密度増加による強誘電体キャパシタ特性低下を防止できる、半導体メモリ素子の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

A projection part formation step for forming a projection part on a rear side face of the substrate, and an electron element forming step for forming the electron element on the surface of the substrate while the substrate is supported by the projection part are included in a process for forming the semiconductor device, in which the electron element is formed on the surface of the substrate.例文帳に追加

基板の表面上に電子素子が設けられた半導体装置を製造する工程中に、基板の裏面側に凸部を形成する凸部形成ステップと、凸部により基板を支持した状態で、基板の表面上に電子素子を形成する電子素子形成ステップとを設けた。 - 特許庁

Furthermore, the database 1 holds a quality maintenance frequency, which is a minimum value necessary for maintaining the quality of a semiconductor device, correlating it with the inspection process, and the inspection frequency calculating device may be furthermore equipped with a judging unit 5 which selects the minimum values of the quality maintenance inspection frequency and the theoretical inspection frequency.例文帳に追加

工程データベース１は更に、半導体装置の品質保持に必要な検査頻度の最小値である品質保持検査頻度を、検査工程に対応付けて保持しており、品質保持検査頻度及び前記理論検査頻度の最小値を選択する判断部５を更に具備してもよい。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can attain improvement of a capacitance equivalent thickness and a leakage current characteristic through the formation of an amorphous high-dielectric insulating film with a high density using a precursor which can be vapor-deposited by means of an atomic layer vapor-deposition process at a temperature of 400°C or higher.例文帳に追加

400℃以上の温度で原子層蒸着法により蒸着が可能な前駆体を用いて高密度を有する非晶質の高誘電絶縁膜形成を通じてキャパシタンス等価厚及び漏洩電流特性を向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device comprises an etching process, using an etchant 5 that includes H_2SO_4 of 86 wt.%-97.9 wt.%, HF of 0.1 wt.%-10 wt.%, and H_2O of 2 wt.%-4 wt.%, wherein ozone of 10 ppm or higher is dissolved therein.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、８６ｗｔ％〜９７．９ｗｔ％のＨ_２ＳＯ_４と、０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％のＨＦと、２ｗｔ％〜４ｗｔ％のＨ_２Ｏとを含む液体に１０ｐｐｍ以上のオゾンを溶解させたエッチング液５を用いたエッチング工程を具備する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayer wiring board, by which an adhesion between an insulating layer and a conductor circuit in the multilayer wiring board to carry out a face-down packaging of a semiconductor chip can be improved, a peeling between the conductor circuit and the insulating layer during a processing process can be reduced, and a fine wiring can be formed.例文帳に追加

半導体チップをフェイスダウン実装するための多層配線板における絶縁層と導体回路の密着性を向上させ、加工工程中の導体回路と絶縁層の剥離を低減し、微細配線を形成きる多層配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that prevents deterioration in RF characteristics such as high-frequency characteristics, can reduce the development period or the like of a high-frequency characteristic process, can easily perform inspection in the occurrence of a characteristic fail or the like, is manufactured at low costs, and can miniaturize the package.例文帳に追加

高周波特性等のＲＦ特性を劣化させず、高周波特性プロセスの開発時間等を節減することができ、特性不良が発生した際の検査等を容易に行うことができ、製造コストが低く、パッケージの小型化が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device, metal silicide films 64 are so formed by a silicide process on a gate electrode 30 and an n^+-type source region 53 of an LDMOSFET as to form no metal silicide film on an n^--type offset drain region 33, an n-type offset drain region 51, and n^+-type drain region 52.例文帳に追加

ＬＤＭＯＳＦＥＴのゲート電極３０およびｎ^+型ソース領域５３上にサリサイド工程により金属シリサイド膜６４を形成し、ｎ^-型オフセットドレイン領域３３、ｎ型オフセットドレイン領域５１およびｎ^+型ドレイン領域５２上にはこの金属シリサイド膜を形成しない。 - 特許庁

To facilitate the exact arrangement of a recrystallization region (21) formed on an amorphous or polycrystalline semiconductor thin film (12), and to form an alignment mark (15) capable of being utilized in a process for manufacturing an electronic element, e.g. a thin film transistor (98), in the recrystallization region.例文帳に追加

非晶質または多結晶半導体薄膜（１２）に形成される再結晶領域（２１）の正確な配置を容易にし、さらにこの再結晶領域に形成される薄膜トランジスタ（９８）等の電子素子の形成工程に利用可能なアライメントマーク（１５）を形成する。 - 特許庁

The MOS transistor 33 can be incorporated into an IC as a unit with a CMOS inverter or the like which constitutes the inverting amplifier 32 in the normal transistor making process, and can be made into a single chip IC together with the RMSDC converter 34 comprising a semiconductor rectifier or the like.例文帳に追加

前記ＭＯＳトランジスタ３３は反転増幅器３２を構成するＣＭＯＳインバータ等と一体で通常のトランジスタ作成プロセスでＩＣ内に作込むことができ、半導体整流器等を備えて構成される前記ＲＭＳＤＣコンバータ３４と共に１チップＩＣすることができる。 - 特許庁

In this manufacturing method of a semiconductor device, another silicon oxide film 14 is formed on a second transistor 12, and a silicon oxide film 18 of a predetermined thickness is formed on the second transistor 12 in a prior stage of a process of forming a stress imparting layer 16 covering a first transistors 11, the second transistor 12 and a gate structure 13.例文帳に追加

第一のトランジスタ１１、第二のトランジスタ１２、ゲート構造１３を被覆する応力付与層１６を設ける工程の前段で、第二のトランジスタ１２上に他のシリコン酸化膜１４を形成し第二のトランジスタ１２上に所定の厚みのシリコン酸化膜１８を形成する。 - 特許庁

Furthermore, a fixing process of fixing the lead to the bonding region of the front surface of the semiconductor device comprises the steps of arranging solder material in the bonding region, melting the solder material in the state that the lead is made to stand independently so that the lead may touch with the solder material, and fixing the lead in the bonding region.例文帳に追加

また、半導体素子の表面の接合領域にリードを固定する固定工程が、接合領域に半田材を配置し、半田材にリードが接するようにリードを自立させた状態で半田材を溶かし、接合領域にリードを固定する工程からなる。 - 特許庁

To provide a highly reliable nitride based compound semiconductor light emitting element with high yield by enhancing adhesion of a bonding metal layer and an ohmic electrode, and adhesion of a conductive substrate and the ohmic electrode, and also to provide its structure and its fabrication process.例文帳に追加

接着用金属層とオーミック電極との密着性、さらに導電性基板とオーミック電極との密着性を良好にして、信頼性の高く、歩留まりの良好な窒化物系化合物半導体発光素子、その構造体およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a process for manufacturing a faultless ferroelectric liquid crystal display(FLCD), a substrate 1a side provided with a semiconductor element for driving TFT or the like aligns liquid crystal molecules by optical alignment and a substrate 1b side opposed thereto aligns the liquid crystal by rubbing treatment.例文帳に追加

無欠陥強誘電性液晶（ＦＬＣＤ）ディスプレイを作製する工程において、ＴＦＴなどの駆動用半導体素を備えた基板１ａ側は光配向により液晶分子を配向し、それに対向する基板１ｂ側はラビング処理により液晶を配向する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device outputting internal data to the outside constantly at a predetermined time point even when PVT (Process, Voltage and Temperature) is changed, by eliminating a delay element affected by the change of the PVT in a clock alignment training operation.例文帳に追加

クロック整合トレーニング動作において、ＰＶＴ（Ｐｒｏｃｅｓｓ、Ｖｏｌｔａｇｅ、Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）の変動に影響される遅延要素を除去することにより、ＰＶＴが変動した場合でも、常に所定の時点で内部データを外部に出力する半導体メモリ素子を提供すること。 - 特許庁

PROCESS OF FORMING SUBSTANCE FILM TO ENHANCE EFFICIENCY OF VAPOR DEPOSITION OF NOBLE METAL FILM ON FERROELECTRIC FILM, MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC FILM CAPACITOR USING METHOD, FERROELECTRIC FILM CAPACITOR FORMED BY METHOD, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING FERROELECTRIC FILM CAPACITOR, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

強誘電膜上で貴金属膜の蒸着率を向上させうる物質膜の形成方法、この方法を利用した強誘電膜キャパシタの製造方法及びこの方法で形成された強誘電膜キャパシタ、このような強誘電膜キャパシタを備える半導体メモリ装置及びその製造方法 - 特許庁

In a first process, by irradiating electron beam to the surface of a group III-V compound semiconductor substrate 1 in vacuum, a natural oxide film 2 on the surface of the substrate 1 is replaced with group III oxide 3 which is chemically stable, forming a reformed mask part 3 periodically.例文帳に追加

第１工程では、真空中でIII−Ｖ族化合物半導体基板１の表面に電子ビームを照射することにより、当該基板１の表面の自然酸化膜２を化学的に安定なIII族酸化物３に置換させ、改質マスク部３を周期的に形成する。 - 特許庁

After a nitride-based III-V compound semiconductor layer 15 is grown in a recess 13 between the protrusions 12 through a process having a triangular section with its bottom as a base, lateral growth takes place from the layer 15.例文帳に追加

凸部１２の間の凹部１３に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させた後、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５から横方向成長を行う。 - 特許庁

To provide a pretreatment method in the direct drawing process of an organic film pattern onto a semiconductor substrate capable of preventing the problems of drawing properties or adhesion which occur easily when forming a film pattern of resist or an organic film pattern for passivation by direct drawing.例文帳に追加

直接描画法によりレジストの膜パターンやパッシベーション用などの有機膜パターンを形成する際に発生し易い描画性や密着性の問題を防ぐことのできる半導体基板への有機膜パターンの直接描画プロセスにおける前処理方法を提供すること。 - 特許庁

In order to prevent a substrate from being charged with static by a heating treatment or to favorably reduce static with which a substrate is charged in a manufacturing process of a semiconductor device, heating treatment is performed by storing the substrate with a thin film transistor fabricated therein in a vessel having conductivity.例文帳に追加

加熱処理で基板に静電気が帯電することを防ぐ、また、半導体装置の製造工程において基板に帯電した静電気を好適に低減するため、薄膜トランジスタが作製された基板を導電性を有する容器内に収納して加熱処理を行う。 - 特許庁

According to the AD method, a high-film-quality and dense film suitable for solar cell use having photoresponsiveness at room temperature can be formed while keeping a crystalline structure and a band structure of the compound semiconductor without passing through a high-vacuum, selenization or sulfurization process.例文帳に追加

ＡＤ法によれば、高真空、あるいはセレン化ないし硫化工程を経ることなく、化合物半導体の結晶構造やバンド構造が保持されたまま、室温において光応答性を有する、太陽電池用途に適した膜質の良好な緻密質膜を容易に形成することができる。 - 特許庁