「semiconductor process」に関連した英語例文の一覧と使い方(151ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can facilitate the manufacturing process of TFTs and decrease the number of apparatuses used to manufacture the TFTs by performing hydrization treatment in a chamber for laser crystallization as well as laser crystallization.例文帳に追加

本発明は、レーザー結晶化のためのチャンバ内でレーザー結晶化と共に水素化処理を行うことにより、ＴＦＴの製造工程を簡略化でき、ＴＦＴの製造に使用する装置を削減することができる半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a means which can highly sensitively and easily sense a metal compound such as trimethylgallium, trimethylindium, trimethylaluminum and the like contained in a gas exhausted from a semiconductor manufacturing process or the like, without being affected by a carrier gas such as ammonia or the like, or a means which can carry out a concentration measurement about them.例文帳に追加

半導体製造工程等から排出されるガスに含まれるトリメチルガリウム、トリメチルインジウム、トリメチルアルミニウム等の金属化合物等を、アンモニア等の同伴ガスに影響されることなく、高感度で容易に検知あるいは濃度測定できる手段を提供する。 - 特許庁

The method for wiring the semiconductor integrated circuit comprises a step of extracting timing marginal information of each net from a timing verifying result obtained in a substantially wiring step and storing in a memory means, and a step of optimizing a wiring width of each net based on the timing marginal information to conduct a detailed wiring process.例文帳に追加

概略配線工程で得られたタイミング検証結果から各ネット毎のタイミング余裕情報を抽出して記憶手段に記憶するステップと、前記タイミング余裕情報を基に、各ネットの配線幅を最適化して詳細配線処理を行うステップと、含む。 - 特許庁

To provide a laminated optoelectric converter in which incident light quantity control effect is attained by providing an intermediate layer between the optoelectric conversion layers, and the optoelectric conversion efficiency is enhanced by reducing carrier recombination on the interface of the intermediate layer and a semiconductor layer, and also to provide its fabrication process.例文帳に追加

光電変換層の間に中間層を設けて上記入射光量制御効果を得るとともに、中間層と半導体層の界面におけるキャリア再結合を低減し、光電変換効率を向上させた積層型光電変換装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a dry cleaning method, a resist is provided on a plurality of portions of a metal layer formed on a semiconductor device and the metal layer is etched, and after the remaining metal-contaminated resistor is ashed through reactive ion etching(RIE), downstream type microwave process is performed so as to make the remaining resist easily removable.例文帳に追加

半導体デバイス上に形成された金属層の複数の部分上にレジストを設け、該金属層をエッチングし、このとき残留する金属汚染されたレジストをＲＩＥアッシングした後、ダウンストリーム型マイクロ波プロセスを行って残留レジストを除去しやすくする。 - 特許庁

To provide heat treatment equipment where a comparatively small amount of displacement between a semiconductor substrate 7 and a substrate supporting ring 8 is detected when it occurs in the silicide forming process of a high melting point metal in particular, and lamp heating treatment can thus stop without normally proceeding.例文帳に追加

特に高融点金属のシリサイド化工程において半導体基板７と基板支持リング８との比較的小さい位置ずれが発生した場合にそれを検知し、ランプ加熱処理が通常に進行することなく設備停止することができる熱処理装置を提供する。 - 特許庁

To minimize the warpage of the seal surface of a cap having a projected part (guide) caused by pressing work distortion without increasing the complication of a manufacturing process, and also to secure the maximum effective height of a semiconductor element mount part in a cavity, when the cap is manufactured by pressing a metallic plate.例文帳に追加

金属板のプレス加工によって凸部（ガイド）を有するキャップを製造する際に、製造工程を複雑にすることなく、プレス加工歪みに起因するシール面の反りを極小にすると共に、キャビティ内の半導体素子搭載部の有効高さを最大限に確保できるようにする。 - 特許庁

In a process where the liquid underfill material is injected into between a semiconductor chip 110 and the substrate 120; the generation of voids can be prevented where the air in the atmosphere is encapsulated by mutually different capillary actions, defective products can be eliminated, and a product-reliability can be increased.例文帳に追加

半導体チップ１１０と基板１２０との間に液状のアンダーフィル材を注入する工程において、相互異なる毛細管現象によって大気中の空気が包囲されるボイドの発生を防止し、製品不良を予防し、かつ製品信頼性を高めることができる。 - 特許庁

To provide a polishing device which can be applied to a dry-in/dry-out type polishing device and respond to cleaning of semiconductor wafers accompanying miniaturization, having three or more cleaning steps in a cleaning process without spoiling processing capacity per unit time and per unit footprint.例文帳に追加

ドライイン／ドライアウト方式のポリッシング装置に適用可能であり、単位時間あたり及び単位設置面積あたりの処理能力を損なうこと無く、洗浄工程における洗浄段数を３段以上備え、微細化に伴う半導体ウエハのクリーン化に対応できるポリッシング装置を提供する。 - 特許庁

In a lead frame in which a unit lead frame is arranged in such a manner that the unit lead frame is lined up in a matrix shape and the rear surface of a portion for mounting a semiconductor element and the rear surface of a lead which is not subjected to a thinning process are exposed, the distance to an adjacent lead is not equal.例文帳に追加

単位リードフレームがマトリックス状に並べて配置され、半導体素子搭載部の裏面及び薄肉化処理を行っていないリードの裏面が露出するように形成されたリードフレームにおいて、隣接するリードとの距離が不等間隔であることを特徴とするリードフレーム。 - 特許庁

To provide a Cu wiring film forming method which can improve, using a simple structure and a simple process, the adhesiveness between a diffusion barrier base film and a Cu wiring film, when Cu wiring is used in a semiconductor device, and can realize low manufacturing cost and improved production efficiency.例文帳に追加

半導体デバイスでＣｕ配線を用いる場合に、拡散バリア用下地膜とＣｕ配線膜との密着性を、簡易な構成と簡略な工程で向上させることができ、製作コストの低下と生産効率の向上を実現できるＣｕ配線膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate inspection apparatus, capable of precisely measuring automatically and analyzing at least the stress and film thickness at a prescribed measuring point in each of all the manufactured semiconductor substrates, so as to contribute to the establishment of a substrate production process of high performance and high productivity.例文帳に追加

製造された全ての半導体基板の所定の測定点における少なくとも応力と膜厚とを自動的に測定し、かつ、的確に分析して高性能で生産性よい基板製造工程の確立に寄与する基板検査装置を提供できるようにする。 - 特許庁

To provide an optical modulator module package which is minimized, in which electric/optical characteristics are not concentrated on a transparent lid, a standard semiconductor process is used, an influence of foreign material is reduced and the manufacturing cost of an optically transparent substrate is small.例文帳に追加

最小化可能な、光透過性蓋に電気的／光学的特性が集中されることがなく、 標準半導体工程を用いることができ、異物による影響を減らすことができる、光透過性基板の製作費用が安価な光変調器モジュールパッケージを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which prevents reduction in hFE in low current due to an increase of the surface recombination current in a bipolar transistor and can microscopically form the device by forming an external base region in a self alignment manner to an emitter polycrystalline silicon film in a BiCMOS process.例文帳に追加

ＢｉＣＭＯＳプロセスにおいて、バイポーラトランジスタの表面再結合電流の増大による低電流でのｈ_FEの低下を防止し、外部ベース領域をエミッタ多結晶シリコンに対して自己整合的に形成することで微細化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which requires only one voltage generation and control circuit, can form a source/drain region of self-alignment type, can contract a cell area and a chip area and can raise process yield and the reliability of an element and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

一つの電圧発生及び制御回路だけが必要で自己整合方式のソース／ドレイン領域の形成が可能であり、セル面積及びチップ面積が縮小して工程収率及び素子の信頼性を向上させることができる半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for planarizing a planarizing film provided on the surface of a substrate to be worked having an unevenness in a production process for a semiconductor device or a display device capable of obtaining high planarity even with a thin planarizing film by a simple method without using an expensive apparatus.例文帳に追加

半導体装置や表示装置などの製造工程における凹凸を有する被加工基板表面に設けた平坦化膜の平坦化方法において、高価な装置を用いずに簡便な方法で薄い平坦化膜でも高い平坦度を得ることができる平坦化方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor thin film constituted in a chalcopyrite structure containing a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element comprising Se uses cracked and radicalized Se by the plasma in a film-forming process.例文帳に追加

Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＳｅを含むＶＩｂ族元素とからなるカルコパイライト構造の半導体薄膜の製造方法であって、上記半導体薄膜は製膜過程において、プラズマによってクラッキングされてラジカル化したセレンを用いたことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive relief pattern forming material for which an alkali developer can be used in a development process as a material for a surface protective film or an interlayer insulation film of a semiconductor device, and which ensures a low residual stress because of a low curing temperature and exhibits excellent heat resistance and mechanical characteristics.例文帳に追加

半導体装置の表面保護膜または層間絶縁膜材料用途として、現像工程でアルカリ現像液が使用でき、低いキュア温度により、残留応力が低く、優れた耐熱性、機械特性等を発現するポジ型感光性レリーフパターン形成材料を提供する。 - 特許庁

To provide a regulated current circuit whose current level is regulated even when process fluctuation or operating temperature fluctuation is generated at the time of manufacturing an FET, a differential amplifier which is provided with the regulated current circuit as a constituting element, and a semiconductor integrated circuit whose stable operation is always assured.例文帳に追加

ＦＥＴの製造時のプロセス変動や動作温度が変動した場合でも、電流値を一定にすることのできる定電流回路、この定電流回路を構成要素とする差動増幅回路、並びに常に安定した動作をさせることのできる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To obtain an epoxy resin composition which is used for sealing semiconductors, doses not flow gold wires, is scarcely curved at a room temperature and in a soldering process, has excellent adhesive property to organic substrates, therefore has excellent reliability on soldering resistance, temperature cycling resistance, and so on, and is suitable for area-mounting type semiconductor devices.例文帳に追加

金線流れがなく、室温及び半田付け工程での反りが小さく、更に有機基板との密着性に優れるため耐半田性や耐温度サイクル性等の信頼性に優れる、エリア実装型半導体装置に適した半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得ること。 - 特許庁

To provide a method for separating and purifying a gas mixture and an apparatus for the same using a low-temperature adsorption-process optimized for separation and recovery of krypton from the gas mixture containing krypton having a high value added, and for recycling of krypton utilized as an atmospheric gas in a semiconductor manufacturing device or the like.例文帳に追加

半導体製造装置等に雰囲気ガスとして使用される付加価値の高いクリプトンを含むガス混合物から、クリプトンを分離回収し、再利用するのに最適な、低温吸着を用いたガス混合物の分離精製方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

The probe beam 26 is amplified by optical gain of the semiconductor optical amplifier 22, but gain to the probe beam 26 is reduced only for the time at which the optical signal 25 is inputted since carrier density is reduced in an induction and emission process in which the optical signal 25 is amplified.例文帳に追加

プローブ光２６は、半導体光増幅器２２の光利得によって増幅されるが、光信号２５を増幅する誘導放出過程によりキャリア密度が減少するため、光信号２５が入力された時間のみプローブ光２６に対する利得が減少する。 - 特許庁

Subsequently, an organic metal containing not more than 0.01 ppm of silicon, not more than 10 ppm of oxygen and not more than 0.04 ppm of germanium is employed as a material containing the group III elements to carry out a growth process (S20) for growing the group III-V compound semiconductor on the seed substrate.例文帳に追加

そして、ＩＩＩ族元素を含む原料として０．０１ｐｐｍ以下のシリコンと、１０ｐｐｍ以下の酸素と、０．０４ｐｐｍ未満のゲルマニウムとを含む有機金属を用いて、種基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる成長工程（Ｓ２０）を実施する。 - 特許庁

To provide a microstructure in which a new microstructure having a frame shape and a semiconductor element for controlling the microstructure are integrally formed on a same insulative surface by a same process, and a manufacturing method thereof, by which cost reduction can be achieved.例文帳に追加

枠形状を有する新たな微小構造体と、当該微小構造体を制御する半導体素子とを同一絶縁表面上に同一工程で一体形成することで、より低コスト化を図ることが可能な微小構造体ならびにその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer transferring device having simplified constitution and mechanism capable of facilitating processing and assembly, capable of simplifying a manufacturing process and reducing a manufacturing cost by minimizing the use of precision components, and capable of making an interval between each finger adjustable by an adjustment of a cum.例文帳に追加

構成と構造が単純化され、加工及び組み立てが容易で、精密部品の使用を最小化して製作過程の簡素化と原価低減をすることができ、カムの調整によって各フィンガーの間隔を調節可能にすることができる半導体ウエハ移送装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor which is excellent in potential stability while retaining high sensitivity in any environment, particularly high sensitivity characteristics in the wavelength range of a semiconductor laser and forms an image free of image defects, and to provide a process cartridge comprising the electrophotographic photoreceptor, and an electrophotographic apparatus.例文帳に追加

あらゆる環境下において高感度、特に半導体レーザー波長域で高感度特性を維持しつつ電位安定性に優れ、画像欠陥のない画像が得られる電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供する。 - 特許庁

In the D/A converter, an output load resistor is composed of a resistor element and a switch which can be formed by a semiconductor process, and incorporated in the D/A converter for the wafer-level burn-in test.例文帳に追加

そして、ウエハ状態でバーンイン試験（ウエハ・レベル・バーンイン試験）を実施する場合には、半導体チップ上のパッド間隔が狭い等の制約により、ウエハに抵抗器や配線を接続するスペースを確保できないことが多く、Ｄ／Ａコンバータのウエハ・レベル・バーンイン試験の実施が困難なものになっていた。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a sidewall structure for reducing failure such as void when an interlayer insulating film is formed even if the clearance between a sidewall formed at the sidewall portion of the gate electrode of an MISFET and the sidewall of an adjacent MISFET is narrow, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのゲート電極の側壁部に形成されるサイドウォールと、隣接するＭＩＳＦＥＴのサイドウォールとの間隔が狭くても、層間絶縁膜の形成時にボイド等の不良を低減させるためのサイドウォールの構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an equipment authentication part for authenticating second electronic equipment using authentication information obtained from the second electronic equipment different from the first electronic equipment having the semiconductor device, a first storage part for storing authentication process information including the authentication result by the equipment authentication part, and an authentication analysis part for analyzing the authentication result by the equipment authentication part.例文帳に追加

半導体装置は、当該半導体装置を有する第１の電子機器とは別の第２の電子機器から得られた認証情報を用いて、第２の電子機器を認証する機器認証部と、機器認証部による認証結果を含む認証経過情報を記憶する第１の記憶部と、前記認証経過情報を参照して、前記機器認証部による認証結果を分析する認証分析部と、を備える。 - 特許庁

To provide a photoresist stripper capable of easily removing a photoresist layer formed on an inorganic substrate, photoresist residue and dust generated in etching in a process for manufacturing various liquid crystal displays or semiconductor devices without corroding various semiconductor layer materials, electrically conductive materials or insulating film materials and to provide a method for stripping a photoresist.例文帳に追加

各種液晶表示素子や半導体素子の製造工程において、無機質基体上に形成されたフォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびエッチング時に発生するダスト等を容易に剥離することができ、しかもその際に、使用される各種半導体層材料、導電性材料あるいは絶縁膜材料等を腐食する恐れのないフォトレジスト剥離剤およびフォトレジスト剥離方法を提供すること。 - 特許庁

The process for cleaning a semiconductor wafer uses a cleaning solution containing an ammonium-alkaline ammonium component in an initial composition, wherein the semiconductor wafer is brought into contact with the cleaning solution in an individual-wafer treatment, and in the course of cleaning hydrogen fluoride is added as further component to the cleaning solution, and the cleaning solution has at the end of cleaning, a composition that differs from the initial composition.例文帳に追加

初期の組成においてアンモニウム−アルカリ性の成分を含有する洗浄溶液を用いて、その際、前記半導体ウェハを枚葉式処理で洗浄溶液と接触させ、かつ洗浄の経過において、フッ化水素を他の成分として前記洗浄溶液に添加し、かつ前記洗浄溶液は、洗浄の完了時に、初期と組成とは異なる組成を有する、半導体ウェハを洗浄する方法 - 特許庁

In a double-hetero light emitting layer unit 10, a ZnO semiconductor active layer 4 is formed of ZnO semiconductor which contains ZnO as a main component including Se or Te, by which Se or Te of the same family can be introduced into oxygen-deficient sites in ZnO crystal in a process of forming the active layer 4, and the active layer 4 can be improved in crystallinity.例文帳に追加

ダブルへテロ型の発光層部１０において、ＺｎＯ系半導体活性層４を、ＳｅもしくはＴｅを含むＺｎＯを主体としたＺｎＯ系半導体より形成することで、活性層４の形成過程におけるＺｎＯ結晶の酸素欠損したサイトに同族であるＳｅもしくはＴｅを導入することが可能となり、活性層４の結晶性を向上させることができる。 - 特許庁

The manufacturing method of the solar cell at least having a front electrode at a light reception surface side, a semiconductor substrate having a pn junction, and a rear electrode comprising the aluminum electrode includes a process for applying aluminum paste to the rear electrode side of the semiconductor substrate, repeating heat treatment operation for a plurality of times, and forming the rear electrode.例文帳に追加

受光面側の表面電極、ｐｎ接合を有する半導体基板、およびアルミニウム電極からなる裏面電極を少なくとも具備する太陽電池の製造方法であって、半導体基板の裏面電極側にアルミニウムペーストを塗布し、熱処理する操作を複数回繰り返して、裏面電極を形成する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing equipment which can secure the uniformity of plasma density over the entire wafer to be processed by including a device which is provided in a chamber, wherein a process of manufacturing a semiconductor element by using plasma is carried out and converges the plasma by narrowing down a plasma area formed more adjacently to the processed object than the plasma area formed at the upper stage of the chamber.例文帳に追加

プラズマを用いる半導体素子の製造工程が行われるチャンバ内に設けられて、チャンバの上段に形成されるプラズマ領域よりも工程処理対象の隣接部分に形成されるプラズマ領域を狭めることによりプラズマを集束させる装置を含んで、処理対象となるウェーハの全体に亘ってプラズマ密度の均一性を確保できる半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor wafer 14 is pasted on a polisher plate 10 with wax 12, then polished, cleaned and dried out as it is pasted on the polisher plate 10, separated from the polisher plate 10, transferred by supporting its rear while the wax 12 is kept attached to the rear of the semiconductor wafer 14, undergoes a laser marking process, and then is cleaned up.例文帳に追加

半導体ウエハ１４をワックス１２によりポリッシャプレート１０に貼り付けて研磨した後に、半導体ウエハ１４をポリッシャプレート１０に貼り付けたまま洗浄および乾燥し、半導体ウエハ１４をポリッシャプレート１０から剥ぎ取り、半導体ウエハ１４の裏面にワックス１２が付着したまま半導体ウエハ１４の裏面を支持して搬送し、レーザーマーキングを行い、その後、半導体ウエハ１４を洗浄する。 - 特許庁

The process for fabricating a ridge type semiconductor laser comprises a step for forming a structure of a plurality of semiconductor layers including an active layer on a substrate, a step for forming a first electrode having a width narrower than that of the multilayer structure on the surface thereof, and a step for forming a ridge structure by etching the multilayer structure using the first electrode as a mask.例文帳に追加

本発明による製造方法は、基板上に活性層を含む複数の半導体層を積層して積層構造を形成する積層構造形成ステップと、その積層構造の表面において、積層構造よりも狭い幅を有する第１の電極を形成する第１電極形成ステップと、第１の電極をマスクとして積層構造をエッチングし、リッジ構造を形成するリッジ構造形成ステップとを含む。 - 特許庁

When a laminated film formed on a semiconductor substrate is etched in the manufacture of a semiconductor device, a process for etching and removing the underlying dielectric film located on the bottom of the via is carried out by depositing carbon fluoride hydride, cyclized olefin fluoride hydride or a polymer of hydrocarbon, using carbon fluoride hydride, cyclized olefin fluoride hydride or hydrocarbon gas plasma, and also by etching and removing the underlying dielectric film.例文帳に追加

半導体装置の製造において、半導体基板上に形成した積層膜をエッチングする際に、ビアの底部にある下地誘電体膜をエッチング除去するプロセスを、水素化フッ化炭素、水素化フッ化環化オレフィン又は炭化水素ガスプラズマを用いて、水素化フッ化炭素、水素化フッ化環化オレフィン又は炭化水素のポリマを堆積すると共に、下地誘電体膜をエッチング除去することにより行う。 - 特許庁

To provide a processing method for compensating or suppressing the defects left or created within an implantation layer by adding a process of irradiation of accelerated particles including elements belonging to a lower group of the periodic table out of the constituent elements of compound semiconductor material, when performing the valence electron control of the above compound semiconductor material by irradiation of particles including impurity atoms and anneal treatment for activation.例文帳に追加

不純物原子を含んだ粒子照射及び活性化アニール処理によって化合物半導体材料の価電子制御を行なう際、注入層内に残留／生成される欠陥を前記化合物半導体材料の構成元素のうち小さな族に属する元素を含む粒子を加速して照射する工程を付加することで補償／生成抑制する処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor characteristic evaluation method and apparatus capable of evaluating a characteristic value of a semiconductor and a characteristic value distribution in an ingot with high accuracy in the ingot state before being sliced like a wafer, performing selective milling including various machining specifications at the stage before slicing, to thereby improve yield in manufacturing a wafer, and quickly performing feedback to a crystal growth process.例文帳に追加

ウエハ状にスライスする前のインゴット状態のままで、半導体の特性値およびインゴット内の特性値分布を高精度に評価し、スライス前の段階で各種の加工仕様を含めた選別スライス加工ができるようにして、ウエハの製造における歩留まりを向上させるとともに、結晶成長プロセスへのフィードバックを迅速に行い得る半導体の特性評価方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

When a semiconductor device provided with at least an organic material film on a semiconductor substrate is etched to form a gate electrode, or the organic material film is etched, or when the dimension of a resist mask pattern is adjusted, a process wherein the organic material film is etched by using an etching gas atmosphere containing oxygen-contained gas, chlorine- contained gas and bromine-contained gas, is contained, thereby solving the problem.例文帳に追加

半導体基板上に少なくとも有機材料膜を有する半導体装置をエッチングしてゲート電極を形成し、又は有機材料膜をエッチングするにあたり、若しくはレジストマスクパターンの寸法を調整するにあたり、酸素含有ガスと塩素含有ガスと臭素含有ガスとを含むエッチングガス雰囲気を用いて、この有機材料膜をエッチングする工程を含むことにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a circuit carrier for a semiconductor chip and a structure element having the semiconductor chip and the circuit carrier capable of sufficiently avoiding to some extent the problem that a "contaminated" or impurity contained bonding pad makes it impossible to execute an allowable adhesive bonding without a cleaning process at a higher costs incrementally involved therein and further an area demand on the circuit carrier is expected to be increased.例文帳に追加

不純物が含まれるかまたは”汚染される”結合パッドは、付加的に費用のかかる清浄化工程なしの許容される接着剤結合の実施をもはや不可能なものにするという問題を、或る程度十分に回避させることはでき、更に、回路担体上での面積需要が高まることがない、半導体チップのための上記種類の回路担体ならびに半導体チップおよび回路担体を有する構造素子。 - 特許庁

To provide manufacturing technology of a semiconductor device, which can extract a representative defect that reflects an occurrence situation of a detected defect in a process for detecting a plurality of the defects existing in a pattern formed in a semiconductor substrate, extracting the prescribed number of the defects from a plurality of the detected defects and inspecting an appearance on the prescribed number of the extracted defects.例文帳に追加

半導体基板に形成されたパターンに存在する複数の欠陥を検出し、検出した複数の欠陥の中から所定数の欠陥を抽出した後、抽出した所定数の欠陥について外観検査を実施する工程において、検出した欠陥の発生状況を反映した代表的な欠陥を抽出することができる半導体装置の製造技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method for returning wear resistance and durability of a semiconductor manufacturing device, especially various semiconductor manufacturing devices used in a dry process and a movable part member of constituent members thereof to their initial state or further improving them, by repairing and recovering a surface thereof readily when they wear because of corrosion and erosion wear due to halogen and halogenated compound gas.例文帳に追加

本発明の目的は、半導体製造装置、とくにドライプロセスにおいて使用されている各種の半導体製造装置およびその構成部材のうち可動部部材が、ハロゲンやハロゲン化合物のガスによる腐食とエロージョン摩耗によって減肉した場合に、その表面を簡便に補修して復元させることにより、これらの耐摩耗性、耐久性を初期状態に戻すかさらに向上させるための方法を提案する。 - 特許庁

To provide a cleaning composition, a cleaning method using the same, and a manufacturing method of a semiconductor device, capable of solving a problem particular to a cleaning composition containing a specific detergent adjusted substantially to neutral, preventing corrosion by washing not only a semiconductor substrate and a metal layer but also a silicon, and sufficiently removing a plasma etching residue and an ashing residue generated during a manufacturing process.例文帳に追加

実質的に中性に調整された特定の洗浄剤を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層のみならず、シリコンの洗浄により腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the group III nitride semiconductor layer, a substrate and a target containing a group III element are arranged in a chamber, and a gas for forming a plasma is introduced into the chamber, for forming the group III nitride semiconductor layer in which Si is added as a dopant on the substrate, by a reactive sputtering process, wherein a silicon hydride is added into the gas for forming the plasma.例文帳に追加

チャンバ内に基板及びＩＩＩ族元素を含有するターゲットを配置すると共に、プラズマ形成用のガスを前記チャンバ内に導入し、反応性スパッタ法によって前記基板上に、ドーパントとしてＳｉが添加されたＩＩＩ族窒化物半導体層を製造する方法であって、前記プラズマ形成用のガス中に、Ｓｉ水素化物を添加させることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法。 - 特許庁