「semiconductor process」に関連した英語例文の一覧と使い方(155ページ目) - Weblio英語例文検索

To reduce the amount of the wastes to be discharged and the cost of energy as well in treating the waste liquid containing a combustible organic solvent, such as isopropyl alcohol, used in rinsing, etc., of a resist peeling liquid discharged from a semiconductor manufacturing process step and the waste developing solution of a water system used for development of the resist.例文帳に追加

半導体製造工程から排出される、レジスト剥離液のリンス等に使用されたイソプロピルアルコール等の可燃性有機溶媒を含む廃液、及びレジストの現像に用いられた水系の現像廃液の処理にあたり、廃棄物の排出量を低減させるとともに、エネルギーコストも低減させる。 - 特許庁

To provide a process for spin-on depositing a silicon dioxide-containing film under oxidative conditions for gap-filling in high aspect ratio features for shallow trench isolation used in memory and logic circuit-containing semiconductor substrates, such as, silicon wafers having one or more integrated circuit structures contained thereon.例文帳に追加

記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、１つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film adhesive having both of process characteristics such as suitability to filling into an adherend, low-temperature laminating property and pickup property after dicing and characteristics which contribute toward improving reliability of a semiconductor device including reflow resistance, an adhesive sheet and an adhesive composition which achieves the same.例文帳に追加

被着体に対する充填性、低温ラミネート性及びダイシング後のピックアップ性などのプロセス特性、並びに、耐リフロー性などを含む半導体装置の信頼性向上に寄与する特性を十分に兼ね備えたフィルム状接着剤、接着剤シート及びその実現を可能とする接着剤組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a specimen making method and device for sampling (picking) only a specimen piece including a desired specified region out of semiconductor wafers or device chips and mounting it to the specimen stage of an analyzing/measuring device without the need for a specimen-making manual process requiring experiences, skills and a time.例文帳に追加

半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング（摘出）して、分析／計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント（搭載）する試料作製方法およびその装置を提供すること。 - 特許庁

In a process for mounting the semiconductor chip 10 on the substrate 30, the ball bump 20 is heated to a temperature which is lower than the melting point of the solder layer 36, and brought into contact with the electric connection part 32, and the ball bump 20 and the electric connection part 32 are heated to a temperature which is higher than the fusing point of the solder layer 36.例文帳に追加

半導体チップ１０を基板３０に搭載する工程では、ボールバンプ２０をはんだ層３６の融点よりも低い温度に加熱して電気的接続部３２に接触させた後に、ボールバンプ２０及び電気的接続部３２をはんだ層３６の融点よりも高い温度に加熱する。 - 特許庁

To provide a testpiece analyzing method and its equipment which samples (extracts) only a testpiece strip including a desired specific region from a semiconductor wafer or a device chip and mount it on the testpiece stage of analysis/measuring apparatus without taking a testpiece making-process executed by manual operation which requires experience, skill or time duration.例文帳に追加

半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング（摘出）して、分析／計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント（搭載）する試料作製方法およびその装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing device which recognizes an abnormality such as cracks, chips, displacements or the like of a glass substrate to be processed in a processing chamber using plasma without installing a special sensor, decreases a downtime of the processing device, and prevents a tarnsferring of the chipped glass substrate to a post-process.例文帳に追加

本発明は、プラズマを用いる処理室内において、被処理ガラス基板の割れ、欠け、位置のずれ等を異常を特別のセンサーを設置することなしに認識し、処理装置のダウンタイムの縮小や、欠けたガラス基板が後工程に搬送されてしまわないようにするための、半導体製造装置を提供するものである。 - 特許庁

To provide an yttrium-based ceramic coated material that is a material having a coating which is excellent in corrosion resistance to a corrosive gas, plasma, etc., that being excellent in adhesion between a substrate and the coating, and being suitably used for a semiconductor manufacturing process especially for repeated operations in a plasma treatment apparatus, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

腐食性ガス、プラズマ等に対する耐食性に優れた被膜を備えた材料であり、基材と被膜との密着性に優れており、半導体製造工程、特に、プラズマ処理装置での繰り返し操業においても好適に使用することができるイットリウム系セラミックス被覆材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To remove and clean exhaust gas containing molecular pollutant discharged from a superclean space in a resist treatment process like semiconductor manufacturing without stopping the operation of a manufacturing facility line, and to continuously and stably circulate and feed to the superclean space over a long period by precisely controlling temperature and humidity.例文帳に追加

半導体製造等のレジスト処理工程における超清浄空間から排出される分子状汚染物質を含有する排気を、製造設備ラインの操業を停止させることなく除去清浄化し、精密に調温・調湿して、超清浄空間に長期間に亘って連続安定に循環供給する。 - 特許庁

The recess gate forming method of the semiconductor device can improve the process failure by sufficiently taking an overlap margin between the recess gate region and a gate electrode, and minimize the amount of Vt movement between right/left cells for preventing a phenomenon generated by incorrect matching at the time of recess gate electrode formation.例文帳に追加

本発明は半導体素子のリセスゲート形成方法に関し、リセスゲート電極形成時の誤整合により発生する現象を防止するため、リセスゲート領域とゲート電極間のオーバーラップマージンを十分取るようにして工程不良の改善、及び左右セル間のＶｔ移動量を最少化させる技術に関するものである。 - 特許庁

In a rewinding method in which the bonding wire for the semiconductor device reeled out of an unwinding machine is rewound by a take-up machine with assist of the rewinding guide after a wiredrawn process, the hard base material surface of the rewinding guide is covered with a diamond-like carbon film including a hard metal content.例文帳に追加

伸線工程後に巻戻機から繰り出されたボンディングワイヤを巻替ガイドで案内して巻取機で巻取るボンディングワイヤの巻替方法において、該巻替ガイドが硬質基材表面に超硬質合金成分を含有したダイヤモンドライクカーボン膜が被覆されている半導体素子用ボンディングワイヤの巻替方法。 - 特許庁

To provide a jig for heat treatment of a semiconductor which is capable of suppressing the occurrence of fine particles in the order of submicrons that seems to be caused by a difference in a coefficient of thermal expansion between a nitride film and a SiC jig and has not been a problem so far, and which has a long life and can be repeatedly used in a heat treatment process.例文帳に追加

従来問題とされていなかった、窒化膜とＳｉＣ治具との熱膨張係数の差に起因すると思われる、サブミクロンサイズの微小なパーティクルの発生を抑制し、しかも耐用性に優れ、熱処理工程に繰り返し使用できる半導体熱処理用治具の提供を目的とする。 - 特許庁

This method for purifying the resin used for the purification of the semiconductor lithographic resin is characterized by comprising a process (i) of washing the resin (A1') containing a constituting unit (a2') having a lactone-containing ring type group with an organic solvent (S1') having 17.0 to 20.5 (J/cm^3)^1/2 range solubility parameter (SP value).例文帳に追加

半導体リソグラフィー用樹脂の精製に用いられるものである、ラクトン含有環式基を有する構成単位（ａ２’）を含有する樹脂（Ａ１’）を、溶解度パラメータ（ＳＰ値）が１７．０〜２０．５（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２の範囲にある有機溶剤（Ｓ１’）で洗浄する工程（ｉ）を有することを特徴とする樹脂の精製方法。 - 特許庁

To suppress the characteristics variation of MOS transistors due to charging by a plasma to lessen the influence causing the characteristics deterioration of an analog circuit on both gate electrodes of the MOS transistors paired in the analog circuit of a MOS type semiconductor integrated circuit device in a process of patterning a metal wiring layer by plasma etching.例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体集積回路装置におけるアナログ回路の互いにペアとなるＭＯＳトランジスタ対の双方のゲート電極への金属配線層をプラズマ・エッチングによりパターニングする工程で、プラズマの帯電によるＭＯＳトランジスタの特性変動を抑制し、アナログ回路の特性の悪化の原因となる影響を軽減する。 - 特許庁

To provide a producing method for semiconductor device, with which the deposition of polymerized films on the surface of a wafer is suppressed in the case of etching an insulating film with a resist pattern as a mask and satisfactory alloy reaction can be provided between a metal depositing film and the surface of the wafer while unnecessitating the mask formation of a side in a following lift-off process.例文帳に追加

レジストパターンをマスクとする絶縁膜のエッチングの際に基板表面への重合膜の堆積を抑制し、その後のリフトオフ工程におけるサイドのマスク形成を不要としながら金属蒸着膜と基板表面との間の良好なアロイ反応を得ることができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a junction process, a silicon substrate (semiconductor substrate) 20 on which a plurality of detection parts 4a in which a plurality of strain gauges having a piezoresistance effect in its thin diaphragm part are provided to form a bridge circuit is provided on a glass substrate 21 and put the silicon substrate 20 and the glass substrate 21 together by an anodic junction method.例文帳に追加

接合工程は、薄肉のダイアフラム部にピエゾ抵抗効果を有する複数の歪みゲージをブリッジ回路状に形成してなる検出部４ａを複数備えるシリコン基板（半導体基板）２０をガラス基板２１上に配設し、シリコン基板２１及びガラス基板２１を陽極接合法によって接合する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which ARL is used for processing a silicon oxide film in the upper layer of a local interconnection tungsten film and subsequently even if passing through a high temperature film forming process, a defect due to the exfoliation of a boundary face between the local interconnection tungsten film and the silicon oxide film is prevented from occur.例文帳に追加

ローカル配線タングステン膜の上層のシリコン酸化膜の加工にＡＲＬを使用し、その後に高温の成膜プロセスを経ても、ローカル配線タングステン膜とシリコン酸化膜界面の膜剥がれによる欠陥の発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an adhesive resin film capable of preventing cell crack generated in a laminate process that is one among manufacturing processes of a solar cell module using a thinned cell, and of reducing false mounting between the solar battery cell and a light emitting element, and between the cell and an adhesive resin, and to provide a manufacturing method of a semiconductor module.例文帳に追加

薄型化されたセルを用いた太陽電池モジュール製造工程の一つであるラミネート工程において発生するセル割れを防止し、かつ、太陽電池セルや発光素子と接着樹脂との実装不良を低減することができる、接着樹脂フィルムおよび半導体モジュールの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The production process of a semiconductor device has the steps of generating a matrix for associating capacitance changes of a variable capacitance element with high frequency power changes of reflected waves, setting a specific value from this matrix as an initial capacitance of the variable capacitance element, and measuring the above power of reflected waves and comparing it against a predetermined upper limit.例文帳に追加

可変容量素子の容量変化と高周波電力の反射波の電力変化とを対応させたマトリックスを生成し、このマトリックスから特定の値を可変容量素子の初期容量として設定し、上記反射波の電力を計測して所定の上限値と比較する工程を備える。 - 特許庁

To provide metal polishing composition, having quick polishing speed and being capable of improving wiring metal/barrier metal selectivity in polishing, while capable of suppressing the generation of erosion in a surface to be polished, upon employing for chemical mechanical polishing, in the manufacturing process of a semiconductor device, and to provide a chemical mechanical polishing method that uses the composition.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨に用いた際に、研磨速度が迅速であり、研磨における配線メタル／バリアメタル選択性を向上でき、且つ、被研磨面におけるエロージョンの発生を抑制しうる金属研磨用組成物、及びそれを用いた化学的機械的研磨方法の提供。 - 特許庁

To provide a forming method of a contact hole/interlayer insulating film, etc. which form the contact hole/interlayer insulating film, shorten and simplify the entire manufacturing process, reduce a cost, and use a dispersant or solvent which does not damage during the usage of organic semiconductor material without limiting a selection of insulating film material.例文帳に追加

コンタクトホール／層間絶縁膜を形成・製造する工程全体の短縮化、簡素化、コストダウンを図れ、また絶縁膜材料の選定が限定されることなく有機半導体材料を使用しても損傷を与えない溶剤・溶媒を用いることが可能なコンタクトホール／層間絶縁膜の形成方法等を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device using the silicon carbide single-crystal substrate, a metal contamination removing process for the silicon carbide surface is applied which comprises: a step of oxidizing the silicon carbide surface; and a step of removing a film mainly composed of silicon dioxide, the film being formed on the silicon carbide surface in the step.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面を酸化するステップと、該ステップにより炭化珪素表面に形成された二酸化シリコンを主成分とする膜を除去するステップとからなる炭化珪素表面の金属汚染除去工程を適用する。 - 特許庁

In memory cells of a non-volatile semiconductor memory, a charge storage layer 26 is formed on a control gate 22 made of high melting point metal formed on a glass substrate 2 through a gate insulating film 24, and an active layer 34 which process at right angles with the control gate 22 is formed through an insulating film 32 for transferring charges.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ１２のメモリセルでは、ガラス基板２上の高融点金属材の制御ゲート２２上にゲート絶縁膜２４を介して電荷蓄積層２６が形成され、さらに電荷授受用絶縁膜３２を介して制御ゲート２２と交差する活性層３４が形成されている。 - 特許庁

To provide a composition for polishing for CMP machining that has superior selectivity where the polishing rate of a tantalum compound is small, even though that of copper is large in the CMP machining process of a semiconductor device having a copper film and the tantalum compound, and also has smoothness in the surface of the copper film.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for polishing and a polishing method for improving the polishing rate of a tantalum composition by increasing the polishing rate of copper at polishing the surface of copper, and reducing the polishing rate of copper at polishing the tantalum composition in a CMP working process of a semiconductor device having a copper film and a tantalum composition.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅表面を研磨する際は銅の研磨レートが大きいがタンタル化合物の研磨の際には銅の研磨レートが減少し、タンタル化合物の研磨レートが向上する研磨用組成物ならびに研磨方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide an electronic instrument and its production process that can stably and equally fill up reinforcement resin material and can get an increase and reliability of reinforcement strength after having done surface mounting of a BGA-type semiconductor device in which solder ball bumps are densely and sparsely arranged.例文帳に追加

本発明は、はんだボールバンプ配列に疎密のあるＢＧＡタイプの半導体装置をプリント配線基板に表面実装したあと、補強用の樹脂材を安定して均一に充填でき、補強強度の増大と信頼性の向上を得られる電子機器および電子機器の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor such that the stability of the electrification potential of an electrophotographic photoreceptor for a semiconductor laser is improved, particularly the property of ΔV12 is improved and that deterioration in the sensitivity accompanied with repeated formation of images is improved, and to provide a method for image formation, device for image formation and process cartridge by using the above photoreceptor.例文帳に追加

半導体レーザー用の電子写真感光体の帯電電位の安定性、特に前記ΔＶ_12の改善、繰り返し画像形成に伴う感度劣化等を改善した電子写真感光体を提供することであり、又、該感光体を用いた画像形成方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジの提供。 - 特許庁

In this case, in order to suppress the extrusion of the conductive bonding layer 12 on the end face 11a of the substrate 11, a process for forming a covering layer 21, consisting of a material having poor wetting properties at the conductive bonding layer 12 than the substrate 11 is effected on a region neighbored to the semiconductor laser chip 13 in the end face 11a.例文帳に追加

そして、基体１１の端面１１ａに、導電性接着層１２のはみ出しを抑制するように、端面１１ａにおける半導体レーザチップ１３の近傍となる領域に、基体１１よりも導電性接着層１２との濡れ性が悪い材料からなる被覆層２１を形成する工程を行う。 - 特許庁

The manufacturing process of a semiconductor chip of 0.18 μm or less of a working line width using the copper wiring and the low dielectric constant insulation film whose dielectric constant is 3.0 or less is provided with the constitution of the substrate carrying container maintaining, particularly, particle concentration in environmental gas, humidity, organic matter concentration and ion gas concentration at least a constant value or less.例文帳に追加

銅配線と比誘電率３．０以下の低誘電率絶縁膜を用いた加工線幅０．１８μｍ以下の半導体チップの製造工程において、特に環境気体中の粒子濃度、湿度、有機物濃度、イオン性ガス濃度を少なくとも１つ一定値以下に維持する基板搬送容器の構成を備えた。 - 特許庁

To provide a positive resist composition capable of achieving improvement of exposure latitude, PEB temperature dependency and profile and reduction of scum, in a process of producing a semiconductor such as IC and in production of a circuit board of a liquid crystal, a thermal head or the like, and a pattern forming method using the positive resist composition.例文帳に追加

ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造に於いて、露光ラチィチュード、ＰＥＢ温度依存性改良、プロファイル改良、スカム低減について、高次元での両立を可能にしたポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device and its manufacturing method, capable of eliminating the need for managing completion of a process of removing a carbon system by-product and a silicified contact base metal, suitably removing the carbon system by-product and the silicified contact base metal, and preventing peeling of a conductive film.例文帳に追加

炭素系副産物および珪化したコンタクト母材膜を除去する工程の終了を時間で管理する必要がなく、炭素系副産物および珪化したコンタクト母材膜を適切に除去し、導体膜の剥離をより防止できる炭化珪素半導体装置とその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A solution or suspension of a substance containing, in a composition, an element constituting a metal or semiconductor or ions formed of the element is applied to a surface of a substrate, dried, and thereafter subjected to an exposure process by atmospheric-pressure hydrogen plasma, whereby thin-film growth nuclei for forming a thin film are formed on the substrate.例文帳に追加

金属若しくは半導体を構成する元素、又はその元素からなるイオンを組成中に含む物質の溶液又は懸濁液を、基板上に塗布し、乾燥させた後、大気圧水素プラズマにて曝露処理することにより、基板上に薄膜を形成するための薄膜成長核を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing overlap of a doped region by cell channel ion implantation with a junction region by source/drain ion implantation and damage of a substrate in isotropic etching for formation of a valve pattern of a valve-shaped recess, improving refreshing characteristics of the element, and stabilizing a process.例文帳に追加

セルチャネルイオン注入によるドーピング領域とソース／ドレインイオン注入による接合領域とのオーバーラップ、及び、バルブ型リセスのバルブパターン形成のための等方性エチング時の基板の損傷を防止し、素子のリフレッシュ特性の改善及び工程の安定化が可能な半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an etchant composition which is used for etching a metallic thin film and a metal oxide film, in a process of manufacturing electronic equipment such as a semiconductor device and a flat panel display device, has no problem with an odor of acetic acid, has superior etching performance, is easily handled and has superior practicability.例文帳に追加

半導体装置ならびにフラットパネルディスプレイ装置等の電子装置の製造工程において、金属薄膜及び金属酸化物膜をエッチングする際に用いることができる、酢酸の臭気の問題がなく、エッチング性能に優れ、また取り扱いが容易で実用性に優れている、エッチング液組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a porous substrate used as a base substrate for growing GaN crystals, which enables epitaxial growth of GaN single crystals through a conventional crystal-growth process but with a smaller defect density than that of a conventional one, a substrate onto which a GaN semiconductor is mounted and their manufacturing processes.例文帳に追加

従来の結晶成長方法がそのまま適用可能で、かつ従来よりも大幅に欠陥密度の少ないＧａＮ単結晶のエピタキシャル成長を可能とするＧａＮ結晶成長用下地基板としての多孔質基板とその製造方法、ＧａＮ系半導体積層基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To conduct electrical connection to the embedded bare chip of a semiconductor element without through a bonding process which requires an exclusive facility such as for wire bonding and flip chip bonding, and to arrange a conductive layer and a electronic circuit on an insulating layer covering the buried bear chip to cover the bare chip.例文帳に追加

ワイヤボンディングやフリップチップボンディングのような専用設備を要するボンディング工程を経由せずに、埋設された半導体素子のベアチップへの電気的接続を行え、しかも、埋設されたベアチップを覆う絶縁層上にそのベアチップと重なるように導電層や電子回路部品を配置できるようにする。 - 特許庁

A device structure 13 is formed by growing an epitaxial crystal layer of a compound semiconductor on a circular single crystal substrate 1 according to a vapor growth process, and the orientation flat 20a is formed for the circular substrate 20 after the formation of the device structure 13 by naturally cleaving a periphery thereof at a specific crystal plane.例文帳に追加

円形の単結晶基板１上に気相成長法により化合物半導体のエピタキシャル結晶層を成長してデバイス構造１３を形成し、そのデバイス構造１３が形成された後の円形の基板２０に対し、周辺の一部を特定の結晶面で自然劈開してオリエンテーションフラット２０ａを形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a high-voltage junction for a semiconductor device, capable of forming a junction structure of a high breakdown voltage and low surface resistance in a shallow position by minimizing the occurrence of lattice defects in a process of forming a junction to which a high voltage is applied.例文帳に追加

高電圧が印加される接合構造を形成する過程で格子欠陥が発生することを最小化し、ブレークダウン電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｖｏｌｔａｇｅ）及び面抵抗の低い接合構造を浅く形成することが可能な半導体素子の高電圧接合領域方法を提供すること。 - 特許庁

In the process for fabricating a semiconductor device by forming a shallow trench isolation (STI) 12 on a silicon substrate 11 and forming a gate insulation film covering the corner part of the STI 12 in a region isolated by the STI 12, fluorine ions are implanted into a gate electrode 15 and diffused to the gate insulation film 14.例文帳に追加

シリコン基板１１上にシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）１２を形成し、このＳＴＩ１２で分離された領域にＳＴＩ１２のコーナー部を覆うゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ゲート電極１５にフッ素イオンを注入し、該フッ素イオンをゲート絶縁膜１４に拡散させる。 - 特許庁

In the heat treatment device having a boat 8 for placing a semiconductor wafer (substance to be treated) thereon and capable of moving up and down in a process tube 1, a tray 9 for recovering the byproduct dropping from an exhaust port 1a to which the exhaust pipe 3 is connected via a joint 4 is mounted on the top plate 8a of the boat 8.例文帳に追加

半導体ウェハ（被処理物）を搭載してプロセスチューブ１内を昇降可能に配置されたボート８を備えた熱処理装置において、継手部４を介在して排気管３が連結された排気口１ａから落下する副生成物を回収するためのトレー９を上記ボート８の天板８ａに搭載する。 - 特許庁

To provide a cleaning facility capable of stably removing a harmful gas discharged from a semiconductor manufacturing process in safety for a long time by inhibiting the lowering of a decomposition ratio of a treated harmful gas and the accumulation of powdered matter on a wall face of a decomposition chamber without using a large-scaled or complicated constitution.例文帳に追加

半導体製造工程から排出される有害ガスを、大型あるいは複雑な構成を用いることなく、処理対象有害ガスの分解率の低下、及び分解室壁面における粉化物の堆積を抑制することができ、長時間にわたり安全で安定して浄化できる浄化装置を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor manufacturing apparatus 1 including wafer cleaning devices 30A to 30C washing the wafer W and a drying machine DS drying the wafer W having been cleaned, with IPA, a gas/liquid separation tank DT is incorporated which functions as a scrubber for removing the IPA used in the drying process.例文帳に追加

ウェーハＷを洗浄するウェーハ洗浄装置３０Ａ〜３０Ｃと、洗浄された前記ウェーハＷをＩＰＡにより乾燥させる乾燥機ＤＳと、を備える半導体製造装置１に、乾燥処理で用いられたＩＰＡを除去するスクラバーとして機能する気液分離タンクＤＴを内蔵させる。 - 特許庁

The method for splitting the semiconductor wafer contains a mirror finishing in which the working surface of the wafer is mirror finished, and a quality-changing layer forming process in which the quality-changing layer is formed in the wafer by applying laser beams while conforming the ray converging point to the inside through the mirror finished working surface.例文帳に追加

半導体ウエーハの分割方法は、半導体ウエーハの加工面を鏡面加工する鏡面加工工程と、該鏡面加工された加工面を通して内部に集光点を合わせてレーザー光線を照射して半導体ウエーハの内部に変質層を形成する変質層形成工程とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the quartz jig 10 for holding the semiconductor wafers W upright respectively in a plurality of grooves 10a opened vertically upward, includes a process of carrying out blast treatment on bottom surfaces of the grooves 10a using beads of which a minimum value and maximum value of particle sizes are previously set.例文帳に追加

鉛直上向きに開口した複数の溝１０ａの各々に半導体ウエハWを立てて保持する石英治具の製造方法１０であって、粒度の下限値と上限値とが予め定められたビーズを用いて、溝１０ａの底面に対してブラスト処理を行う石英治具の製造方法による。 - 特許庁

The wall oxide film forming method of the flash memory element comprises a stage of offering a semiconductor substrate in which the trench has been formed, and a stage of forming the wall oxide film in the inner wall of the above-mentioned trench by performing the oxidation process by ISSG oxidation system in an atmosphere of H_2 and O_2.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法は、トレンチの形成された半導体基板を提供する段階と、Ｈ_２とＯ_２の雰囲気でＩＳＳＧ酸化方式によって酸化工程を行って前記トレンチの内側壁にウォール酸化膜を形成する段階とを含む構成としたことを特徴とする。 - 特許庁