「semiconductor process」に関連した英語例文の一覧と使い方(158ページ目) - Weblio英語例文検索

In a process of manufacturing the optical semiconductor device, a diffraction grating is formed in an active layer, a wafer is placed in a growth device (steps S1 and S2), a thermal deformation prevention layer is formed on the surface of the diffraction grating at a first temperature (step S3), and then a temperature is raised to a second temperature for forming a buried layer of the diffraction grating (step S4).例文帳に追加

光半導体装置の製造過程において、活性層に回折格子を形成してウェハを成長装置内に配置し（ステップＳ１，Ｓ２）、この成長装置内で、第１の温度で回折格子表面に熱変形防止層を形成した後（ステップＳ３）、回折格子の埋め込み層を形成する第２の温度まで昇温する（ステップＳ４）。 - 特許庁

To provide a positive type resist processing liquid composition which prevents a contamination source such as polish waste from attaching to a positive type resist surface, by imparting hydrophilicity to the positive type resist surface in a manufacturing process, including applying resist as a surface protective film of a semiconductor wafer or the like and polishing the peripheral part of the substrate (such as, a beveled part, an edge part and a notch part).例文帳に追加

半導体ウェハ等の表面保護膜としてレジストを塗布し、基板の周縁部（ベベル部、エッジ部、ノッチ部等）の研磨を行う製造工程において、ポジ型レジスト表面に親水性を付与することにより研磨屑等の汚染源がポジ型レジスト表面に付着するのを防止するレジスト処理液組成物を提供する。 - 特許庁

When a solder bump that is formed either a semiconductor device or the connection pad of a wiring board, or both of them is to be connected, a process for applying ultrasonic waves in a plurality of directions or while a circular track is being drawn under pressure, heating, and the contact/melting of the solder bump is provided, thus achieving the flip-bonding without using any flux.例文帳に追加

半導体素子または配線基板の接続パッドのどちらかあるいは両方に形成した半田バンプを接続する際に、加圧、加熱、および半田バンプが接触・溶融した状態で、複数方向または円軌道を描きながら超音波を印加する工程を有することで、フラックスを用いることなくフリップチップボンディングを行う。 - 特許庁

In an active layer formation process of the semiconductor device using a ZnO film 40 for an active layer, laser annealing L1 is executed to the ZnO film 40 by a pulse laser of ultraviolet light to reduce resistance thereof, and a specific resistance value of a channel part of the ZnO film 40 excessively reduced in resistance then is increased to a value ≥10^3 Ω cm by an oxidation treatment.例文帳に追加

ＺｎＯ膜４０を活性層に用いた半導体素子の活性層形成過程において、ＺｎＯ膜４０に対して紫外光のパルスレーザによってレーザアニールＬ１を行い低抵抗化し、このとき過度に低抵抗化したＺｎＯ膜４０のチャネル部の比抵抗値を酸化処理によって１０^３Ω・ｃｍ以上にまで上げる。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming a first thin film composed of GeCOH or GeCH on a substrate to be processed, a step for removing a part of the first thin film, a processing step for performing a certain process on the substrate through the region formed by removing the first thin film, and a step for removing the first thin film.例文帳に追加

被処理基体上にＧｅＣＯＨまたはＧｅＣＨからなる第１の薄膜を形成すると、この第１の薄膜の一部を除去する工程と、第１の薄膜の除去された部位を介して被処理基体に所定の処理を施す処理工程と、第1の薄膜を除去する工程とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the solar cell comprises the steps of baking the semiconductor substrate with a conductive paste formed on a main surface at a maximum burning temperature of not less than 450°C, and maintaining a cooling speed of not more than 7.5°C/sec for the predetermined time at the temperature range of not less than 250°C from the maximum burning temperature in a cooling process.例文帳に追加

一主面に導電性ペーストが形成された半導体基板を、４５０℃以上の最高焼成温度で焼成する焼成工程と、前記最高焼成温度からの冷却過程の２５０℃以上の温度領域において、７．５℃／秒以下の冷却速度を所定時間維持する維持工程とを備えて成る太陽電池素子の製造方法とする。 - 特許庁

To provide an improved electrostatic chuck member capable of coping with the super-microfabrication of a semiconductor device, improving effects deriving from embossing, a soaking property during wafer work and a dechuck operation after work for instance without complicating the structure and manufacture process of an electrostatic chuck, and also avoiding the generation of particles.例文帳に追加

半導体装置の超微細化に対処することができ、静電チャックの構造や製造工程を複雑にすることなく、エンボスに由来する効果、例えばウエハ加工中の均熱性や加工後のデチャック操作を改善することができ、しかもパーティクルの発生を回避することができるような、改良された静電チャック部材を提供すること。 - 特許庁

To improve a method for manufacturing a solar cell for attaining an improved surface passivation and volume passivation, besides excellent optical properties of a substrate in manufacturing a semiconductor element, with respect to the process for forming a layer containing a hydrogen-containing silicon on a substrate formed of silicon or a substrate containing silicon such as a wafer or a film substrate.例文帳に追加

本発明はシリコンからなる基板はシリコンを含む基板、例えばウエハ又はフィルムの基板上に水素含有シリコンを含む層を形成して半導体素子を製造する方法に関し、良好な光学的性質のほかに基板の良好な表面不動態化も体積不動態化も可能なように太陽電池の製造方法を改良することを課題とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a MOS structure capable of solving problems such as fermi-level pinning, gate electrode depletion, and diffusion phenomena; and capable of appropriately adjusting (controlling) a threshold voltage by using a material suitable for respective gate electrodes of the MOS structure with different threshold voltages by a more simplified manufacturing process.例文帳に追加

本発明は、フェルミレベルピニング、ゲート電極空乏化、拡散現象等の各問題を解決することができ、より簡略化した製造プロセスにより、閾値電圧が異なるＭＯＳ構造のそれぞれのゲート電極に適した材料を採用して閾値電圧を適切に調整（制御）することができる、ＭＯＳ構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A metal forming a nitride is stuck to a pit 8 or a crack penetrating from the front surface to the rear surface of a self-standing substrate 7 of a nitride semiconductor in a manufacturing process, and then a nitride is formed by nitriding the metal in order to bury the penetrated pit or crack by the formed nitride.例文帳に追加

表面から裏面まで貫通する貫通ピット８又は貫通クラックをその製造過程で有する窒化物半導体の自立基板７に対し、前記貫通ピット８又は貫通クラックに窒化物を形成可能な金属を付着させた後、前記金属を窒化させて窒化物を形成し、前記窒化物により前記貫通ピット又は貫通クラックを埋める。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate and a field effect transistor, a method for forming an SiGe layer, a method for forming a strained Si layer and a method for manufacturing a field effect transistor in which dislocation density of the SiGe layer is reduced by a method by which restriction on the process and on the degree of freedom in the placement of device design is suppressed.例文帳に追加

半導体基板と電界効果型トランジスタ並びにＳｉＧｅ層の形成方法及びこれを用いた歪みＳｉ層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法において、プロセスの制約が少なく、またデバイス設計の配置自由度における制限が少ない方法で、ＳｉＧｅ層の転位密度を低減すること。 - 特許庁

To provide a coater, a thin film forming method and a thin film forming system in which a high performance thin film can be obtained with high reproducibility while reducing defects, maintenance can be carried out efficiently in safety and a thin film can be formed at a low cost, and to provide a process for fabricating a semiconductor device, an electro-optical device and an electronic apparatus.例文帳に追加

欠陥が少なく高性能の薄膜を再現性よく得ることができ、装置のメンテナンスを効率的に且つ安全に行えることができ、さらに低コストで薄膜形成を行うことができる、塗布装置、薄膜の形成方法、薄膜形成装置、半導体装置の製造方法、電気光学装置、並びに電子機器を提供する。 - 特許庁

The organic photoreceptor used in the image forming method having an exposure process of forming the electrostatic latent image using the semiconductor laser of 350 to 500 nm in oscillation wavelength on the organic photoreceptor or the light emitting diode as a write light source contains a metal phthalocyanine dimer as a charge generating material.例文帳に追加

有機感光体上に発振波長が３５０〜５００ｎｍの半導体レーザ又は発光ダイオードを書込み光源とし、静電潜像を形成する露光工程を有する画像形成方法に用いられる有機感光体において、電荷発生物質として金属フタロシアニン二量体を含有することを特徴とする有機感光体。 - 特許庁

In a method comprising arranging a raw material polycrystal 2 in a growth chamber 1 and growing the group II-VI compound semiconductor crystal on a seed crystal 4 by a sublimation method or a halogen chemical transport method, the temperature at the seed crystal 4 side is kept at a higher temperature than that at the grown crystal 3 side in a cooling process after growth of the crystal.例文帳に追加

成長室１中に原料多結晶２を配置し、昇華法またはハロゲン化学輸送法で種結晶４上にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶を成長させる方法において、結晶成長後の冷却過程において、種結晶４側の温度を、成長結晶３側の温度より高温に保持する。 - 特許庁

To obtain a decomposition treatment agent capable of decomposing fluorocarbons such as CF_4 contained in exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing process, or the like, in a decomposition ratio of 99.9% or more at a relatively low temperature of 1,000°C or lower without deactivating the decomposition treatment agent in a short time and discharging corrosive gas such as hydrogen fluoride.例文帳に追加

半導体製造工程等から排出される排ガスに含まれるＣＦ_４等のフルオロカーボンを、短時間で分解処理剤が失活することなく、またフッ化水素等の腐食性ガスを排出させることなく、１０００℃以下の比較的低い温度で９９．９％以上の分解率で分解可能な分解処理剤及び分解処理方法を提供する。 - 特許庁

An electric load is applied to a circuit pattern by a step of irradiating an electron beam for a predetermined time period to a wafer including the circuit pattern in a semiconductor manufacturing process to charge the circuit pattern to a predetermined charge voltage (Step 99), and a step of controlling a region surrounding the circuit pattern to a predetermined temperature by laser irradiation or the like (Step 106).例文帳に追加

半導体製造工程途中の回路パターンを含むウエハに対して、電子線を所定の時間照射して、回路パターンを所定の帯電電圧に帯電させる工程（ステップ９９）と、レーザー照射等により回路パターン周りの領域を所定の温度に制御する工程（ステップ１０６）とにより、回路パターンに電気的負荷を印加する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit for driving liquid crystal display which can be manufactured without using a high pressure resistant process by constituting a circuit of outputting a signal supplied to a gate signal generation circuit of the liquid crystal panel with a low pressure resistant element to permit a lower cost and is capable of improving an operation speed of an output circuit and reducing a power consumption.例文帳に追加

液晶パネルのゲート信号生成回路へ供給する信号を出力する回路を低耐圧の素子で構成しもって高耐圧プロセスを使用せずに製造可能して低コスト化を図るとともに、出力回路の動作速度を向上させ、消費電力を低減させることができる液晶表示駆動用半導体集積回路を実現する。 - 特許庁

The manufacturing method of the porous electrode comprises a process of applying a liquid containing conductive material selected from a group consisted of conductor and semiconductor on a surface of the porous film (A) having through holes with average diameter d1 of 0.02 to 3μm, of which porosity is 40 to 90%, and filling the conductive material in the through holes of the porous film (A).例文帳に追加

貫通孔を有し、平均孔径ｄ１が０．０２〜３μｍであり、空孔率が４０〜９０％である多孔質フィルム（A）の表面に導電体と半導体とからなる群から選択される導電性物質を含む液を塗工し、多孔質フィルム（A）の貫通孔に前記導電性物質を充填する工程を有する多孔質電極の製造方法。 - 特許庁

A method of selectively forming a germanium structure within semiconductor manufacturing processes removes the native oxide in a chemical oxide removal (COR) process and then exposes the heated nitride surface and a oxide surface to a heated germanium containing gas to selectively form germanium only on the nitride surface but not the oxide surface.例文帳に追加

半導体製造プロセス中でゲルマニウム構造体を選択的に形成する方法は、化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスにおいて自然酸化物を除去し、次いで、加熱された窒化物及び酸化物表面を加熱されたゲルマニウム含有ガスに曝して、ゲルマニウムを選択的に窒化物表面上にだけ形成し、酸化物表面上には形成しない。 - 特許庁

The present invention is related to the semiconductor device and its manufacturing method, and provides a technology for improving the element operation properties by improving the element migration properties, which can be achieved by changing the STI process in designing a transistor particularly, by impressing compressive stress on a PMOS transistor and relatively small compressive stress on an NMOS transistor.例文帳に追加

本発明は半導体素子及びその製造方法に関し、特にＰＭＯＳトランジスタに圧縮応力を印加し、ＮＭＯＳトランジスタに相対的に小さい圧縮応力を印加するようＳＴＩ工程を変更してトランジスタを設計することにより、素子の移動性を改良し素子の動作特性を向上させることができる技術である。 - 特許庁

The polishing liquid used for chemical mechanical polishing in a planarization process of a semiconductor integrated circuit contains a quaternary ammonium cation, an organic acid, an inorganic particle, and at least one of a compound expressed by general formula (I) and a polymer including a structure unit shown by the general formula (I), and has a pH of 1 to 7.例文帳に追加

半導体集積回路の平坦化工程において化学的機械的研磨に用いられる研磨液であって、四級アンモニウムカチオン、有機酸、無機粒子、並びに、下記一般式（Ｉ）で示される化合物及び下記一般式（Ｉ）で示される構造単位を含む高分子の少なくとも一方を含み、ｐＨが１〜７の範囲である研磨液である。 - 特許庁

To provide a data transmission circuit that reduces the power consumption and the crosstalk between signal lines in order to solve a problem of interference between signal lines having been more serious because a ratio of parasitic parameters between wires is increased attended with progress of a sub micron process and to provide a semiconductor integrated circuit provided with the data transmission circuit.例文帳に追加

サブミクロンプロセスが進展するに伴い、配線間の浮遊パラメータの割合が増大し、信号線間の干渉の問題はより深刻になってきている状態を解決するための、消費電力を低減し、かつ信号線間のクロストークを減少させるデータ伝送回路及びそれを備えた半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To build in field effect transistors which are different in properties, especially, threshold voltage, and have high reliability on the same wafer without adopting such troublesome means as to repeat a complicated recess formation process or change the material of a source electrode and a drain electrode, concerning a method of manufacturing a field effect semiconductor device.例文帳に追加

電界効果半導体装置の製造方法に関し、煩雑なリセス形成工程を繰り返したり、或いは、ソース電極及びドレイン電極の材料を変えたりする面倒な手段を採ることなく、同一ウエハ上で特性、特に、閾値電圧を異にし、しかも、信頼性が高い電界効果トランジスタを容易に作り込むことができるようにする。 - 特許庁

To provide a multilayer for making a high density ink jet head having a single crystal oxide conductor on an Si substrate, an actuator and an ink jet head employing it, and its manufacturing method in which micromachining can be carried out using a semiconductor process by composing the piezoelectric element of the ink jet head of a single orientation or single crystal multilayer.例文帳に追加

インクジェットヘッドの圧電素子を単一配向あるいは単結晶の積層体で構成することにより、半導体プロセスで微細化ができ、高密度のインクジェットヘッドを作製するための、Si基板上に単結晶酸化物導電体を有する積層体及びそれを用いたアクチュエーター及びインクジェットヘッドとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a decomposition treating agent and a decomposition treating method capable of decomposing fluorocarbons such as CF_4 contained in an exhaust gas exhausted from a semiconductor manufacturing process and the like at a decomposition rate of ≥99.9% at a relatively low decomposition temperature of ≤1,000°C without deactivating the agent in a short time or exhausting a corrosive gas such as hydrogen fluoride.例文帳に追加

半導体製造工程等から排出される排ガスに含まれるＣＦ_４等のフルオロカーボンを、短時間で分解処理剤が失活することなく、またフッ化水素等の腐食性ガスを排出させることなく、１０００℃以下の比較的低い温度で９９．９％以上の分解率で分解可能な分解処理剤及び分解処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a holding substrate for an LED light emitting device suitable as a high output LED, which has a small difference in a coefficient of linear thermal expansion, as compared with a III-V group semiconductor crystal, which constitutes LED, is excellent in thermal conductivity, and further is superior in chemical resistance against an acid and alkali solution which are used in a manufacturing process.例文帳に追加

本発明が解決しようとする課題は、ＬＥＤを構成するIII−Ｖ族半導体結晶と線熱膨張率の差が小さく、かつ熱伝導性に優れ、更に製造時に使用される酸及びアルカリ溶液に対する耐薬品性に優れた高出力ＬＥＤ用として好適なＬＥＤ発光素子用保持基板を提供することである。 - 特許庁

Consequently, since each semiconductor chip 2 has already prepared an insulating layer 2d differently from a case wherein an insulation film is arranged each time a heat sink 2c stuck on an element portion 2a is fixed to a case 4, the process of forming the insulation film arranged to maintain insulation between the heat sink 2c and case 4 is simplified.例文帳に追加

これにより、素子部２ａに貼り合わせたヒートシンク２ｃを筐体４に固定するたびに絶縁性フィルムを配置する場合と異なり、既に半導体チップ２に絶縁層２ｄが備えられた状態となっているため、ヒートシンク２ｃと筐体４との間の絶縁性を保つために配置される絶縁膜の形成工程の簡略化を図ることが可能となる。 - 特許庁

To provide a method, capable of rationally selecting a wet processing treatment, where chemicals can be shared, in a short time resting on a minimum preliminary test when utilization of common chemicals is promoted eliminating cross contamination caused, by newly adopted materials in a cleaning device line configuration in a silicon semiconductor device manufacturing process.例文帳に追加

シリコン半導体装置の製造過程における洗浄装置ライン構成について、新たに採用した材料に由来するクロス汚染を排除しつつ、薬液の共用化を進める際、最小限の予備的な試験検討に基づき、合理的に短時間に、ウエットプロセス処理において薬液を共用化できる処理を選別する方法の提供。 - 特許庁

There is formed a metal polishing liquid that is used for chemical mechanical polishing in a semiconductor device manufacturing process and characterized by containing an amino acid derivative represented by general formula (I), a heteroaromatic ring compound, an abrasive grain, an oxidizing agent, and a metal chelating agent.例文帳に追加

半導体デバイス製造工程における化学的機械的研磨に用いられ、下記一般式（Ｉ）で表されるアミノ酸誘導体、複素芳香環化合物、砥粒、酸化剤、及び金属キレート剤を含有することを特徴とする金属用研磨液［一般式（Ｉ）中、Ｒ^１は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ^２は炭素数１〜３のアルキレン基を表す。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step of forming a low dielectric constant film on a substrate to be processed, and a step of forming the adhesion reinforcing layer by using the material for forming the adhesion reinforcing layer at least before or after the step for forming a low dielectric constant film.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工基材上に低誘電率膜を形成する低誘電率膜形成工程と、該低誘電率膜形成工程の前及び後の少なくともいずれかに、前記密着強化層形成用材料を用いて密着強化層を形成する密着強化層形成工程とを含む。 - 特許庁

To provide the process of fabricating a semiconductor device which ensures planarization and alignment marker level difference reliably by forming the alignment marker level difference only once, by providing an optimal combination of the alignment marker level difference and the amount of polishing planarization and checking the amount of polishing required for planarization concretely and simply before polishing.例文帳に追加

アライメントマーカ段差と平坦化研磨量の最適な組み合わせを提供し、かつ平坦化に必要な研磨量を研磨前に具体的かつ簡便に確認することにより、アライメントマーカ段差の形成が１回のみで平坦化とアライメントマーカ段差の確保を確実に行うことができる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a process to form a polysilicon resistor 10 formed on a semiconductor substrate 1, the concentration of an impurity into polysilicon is set at 1×1020 cm-3 or more, and a film or an aluminum wiring 9 is arranged at least on a part of the polysilicon resistor 10 to prevent diffusion of hydrogen when the concentration is treated in an FG gas atmosphere.例文帳に追加

半導体基板１上に形成されたポリシリコン抵抗１０を形成する工程において、ポリシリコン中のに注入する不純物濃度を１×１０^20ｃｍ^-3以上としＦＧガス雰囲気で処理する際にポリシリコン抵抗１０の少なくとも一部の上に水素の拡散を阻害する膜あるいはアルミニウム配線９を配置する。 - 特許庁

To ensure frequency characteristics by suppressing the influence of interference that occurs between resonator elements, although it is necessary to construct an aggregate body structure by arraying a plurality of resonators in a two-dimensional manner in order to properly reduce impedance when applying, to a high-frequency filter, micro-resonator elements formed using a semiconductor process.例文帳に追加

半導体プロセスを使用して形成された微小な共振器素子を高周波フィルタに適用する場合、インピーダンスを適正に小さくするために複数の共振器を２次元的に配列させることにより集合構造体を構築する必要があり、各共振器素子間に生じる相互干渉の影響を抑制することにより周波数特性を確保する。 - 特許庁

To compensate an oxygen defect in a Ta2O5 film and to minimize the formation of an oxide film at the interface between the Ta2O5 film and an Si substrate during a heat treatment process for crystallizing the Ta2O5 film, and to minimize the diffusion of impurity elements in a channel doped region in a semiconductor device having the Ta2O5 film as a gate insulating film.例文帳に追加

Ｔａ_2 Ｏ_5 膜をゲート絶縁膜として有する半導体装置において、前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償し、またこれを結晶化させる熱処理工程の際に前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜とＳｉ基板との界面において生じる酸化膜の形成を最小化し、またチャネルドープ領域中の不純物元素の拡散を最小化する。 - 特許庁

The liquid treatment apparatus for applying a predetermined liquid treatment on a substrate, for example, a semiconductor wafer cleaning apparatus 1 comprises a rotor 34 for holding wafers W, a chamber 70 for applying a liquid treatment for the wafers W held by the rotor 34 feeding a predetermined process liquid, and a chemical feed unit 5 for feeding a predetermined chemical to the chamber 70.例文帳に追加

基板に所定の液処理を施す液処理装置、例えば、半導体ウエハの洗浄処理装置１は、ウエハＷを保持するロータ３４と、ロータ３４に保持されたウエハＷに所定の処理液を供給して液処理を行うチャンバ７０と、チャンバ７０へ所定の薬液を供給する薬液供給ユニット５とを具備する。 - 特許庁

A display device 1A forms a gate electrode 12a on a substrate 11 and then forms a semiconductor layer 14, a first protection film 15, a second protection film 16, a planarizing film 17, a source/drain electrode layer 18, and a pixel separation film 19 on the gate electrode 12a through a gate insulating film 13 during a process of forming a laminated film 24 using a photolithographic technique.例文帳に追加

表示装置１Ａは、基板１１上にゲート電極１２ａを形成した後、積層膜２４の形成工程において、ゲート電極１２ａ上にゲート絶縁膜１３を介して、半導体層１４、第１保護膜１５、第２保護膜１６、平坦化膜１７、ソース・ドレイン電極層１８および画素分離膜１９を、フォトリソグラフィ技術を用いて形成する。 - 特許庁

To provide an adhesive tape for processing a semiconductor substrate which allows a stable processing and does not require changes in the manufacturing conditions in each step by minimizing a change in the adhesiveness of the tape by the storage condition and the time, does not cause soiling of the back side of a chip and reduces chipping of the chip in dicing and improves the yield for a semiconductor substrate manufacturing process.例文帳に追加

半導体基板加工用粘着テープにおいてその保管条件、経過時間に伴う粘着特性の変化を極力少なくし、各工程において製造条件の変更などを伴わず、安定した加工が可能であり、また、粘着剤とフィルム基材との密着性を上げることによりチップの裏面汚染をなくすとともにダイシング時のチップの欠けを減らすことが可能であり、半導体基板製造工程における歩留まりが向上する半導体基板加工用粘着テープを提供すること。 - 特許庁

In order to perform a heat treatment required in a process for forming a thin film element by forming a semiconductor film and an insulating film on a glass substrate without causing any thermal damage on the substrate, a light absorption layer capable of absorbing pulse light is formed locally at a specified part on the substrate for forming the thin film element.例文帳に追加

ガラス基板を用いて、その上に半導体膜や絶縁膜を積層して形成する薄膜素子を形成する工程において必要となる熱処理を、該基板に熱的な損傷を与えることなく行うために、薄膜素子が形成される基板の特定部分にパルス光の吸収が可能な光吸収層を局所的に形成して熱処理を行うものである。 - 特許庁

To provide an organic photoreceptor capable of reproducing a dot latent image as a toner image with high minuteness on the organic photoreceptor formed by an image exposure light source, such as a semiconductor laser, and faithfully transferring the reproduced toner image to a transfer medium, and a process cartridge, an image forming method and an image forming apparatus, using the organic photoreceptor.例文帳に追加

本発明の目的は、半導体レーザ等の像露光光源で形成された有機感光体上のドット潜像を有機感光体上に高細密にトナー像として再現し、該再現されたトナー画像を転写媒体に忠実に転写できる有機感光体及び該有機感光体を用いたプロセスカートリッジ、画像形成方法及び画像形成装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for achieving a standby function by stopping the supply of clock signals, and capable of being stably shifted from a normal operating state to a standby state and, when restored from the standby state to the normal operating state, quickly resuming a process executed during the shift to the standby state.例文帳に追加

クロック信号の供給を停止することによりスタンバイ機能を実現する半導体装置において、通常動作状態からスタンバイ状態への移行を安定的に行い、スタンバイ状態から通常動作状態へと復帰した際に、スタンバイ状態移行時に実行していた処理を速やかに再開することができる半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To greatly improve productivity of semiconductor package assembling step by simultaneously conducting assembling of a number of printed circuit board units for every unit process and to remove an excessive hardened resin sealing material on a mode runner gate and on a mold runner between gates, without the possibility of damaging the surface of the printed circuit board.例文帳に追加

単位工程毎に多数の印刷回路基板ユニットに対する組立を同時に遂行し半導体パッケージ組立工程の生産性を大幅に向上させ、モールドランナーゲート上及びゲート間のモールドランナー上に硬化した余剰の樹脂封止材を印刷回路基板表面への損傷の心配なく除去する半導体パッケージ用マトリックスタイプ印刷回路基板を提供する。 - 特許庁

A laminating structure 40 comprises a GaAs substrate 42, whose substrate surface is a main surface comprising (001) plane and a slope in a (111)-A plane direction or a (111)-B plane direction provided continuously with the (001) plane, and an epitaxial growth layer 46 which comprises, provided along a substrate surface in one epitaxial growth process, a compound semiconductor containing specific elements.例文帳に追加

本積層構造４０は、（００１）面からなる主面と、（００１）面に連続して設けられた（１１１）Ａ面方向、又は（１１１）Ｂ面方向の傾斜面とを基板面とするＧａＡｓ基板４２と、一つのエピタキシャル成長工程で基板面に沿って設けられた、特定元素を含む化合物半導体からなるエピタキシャル成長層４６とを備えている。 - 特許庁

When regions 6a and 6b, where the impurities of different concentration or the impurities of different types are partially implanted, exist in a polysilicon film 6 formed on a semiconductor substrate as shown in Fig. (b), the impurities of high etching rate are implanted (6c) in an etched region after a lithographic process for patterning a gate electrode, and the etching rate is made uniform.例文帳に追加

図３（ｂ）に示すように、半導体基板上に形成されたポリシリコン膜（６）に部分的に異なる濃度の不純物または異なる種類の不純物が注入された領域（６ａ及び６ｂ）がある場合に、図３（ｃ）に示すゲート電極をパターニングするためのリソグラフィー工程の後、エッチングする領域にエッチングレートの大きな不純物を注入し（６ｃ）、エッチングレートの均一化を図る。 - 特許庁

The semiconductor device 100 is configured so that the electrical characteristics are measured by using a pad part 140g for a gate, a pad part 140s for a source and a pad part 140d for a drain before forming a passivation film 115 covering the pad part 140g for the gate, the pad part 140s for the source and the pad part 140d for the drain in the manufacture process.例文帳に追加

半導体装置１００は、その製造過程において、ゲート用パッド部１４０ｇ、ソース用パッド部１４０ｓ、およびドレイン用パッド部１４０ｄを覆うパッシベーション膜１１５を形成する前に、ゲート用パッド部１４０ｇ、ソース用パッド部１４０ｓ、およびドレイン用パッド部１４０ｄを用いて電気的特性の測定がなされるように構成されたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a new stable dendritic polymer having a high solubility with an organic solvent, hardly receiving an outside obstruction such as oxygen and water content, and providing an isotropic organic semiconductor material having an extremely high carrier conductivity, and an electronic device element requiring the carrier conductivity which has the extremely high carrier conductivity, and is obtained by a simple process.例文帳に追加

有機溶媒に対する溶解性が高く、かつ酸素や水分の外部阻害を受け難く安定であり、等方性で極めて高いキャリア伝導性を有する有機半導体材料となる新規デンドリック高分子を提供することができ、また、極めて高いキャリア伝導性を持ち、簡便なプロセスで得られるキャリア伝導を必要とする電子デバイス素子を提供する。 - 特許庁