「semiconductor process」に関連した英語例文の一覧と使い方(156ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an electronic component and a semiconductor device capable of reducing cost or enhancing reliability in bonding of chips or of a chip and a circuit board, and to provide their production process, a circuit board mounting them, and an electronic apparatus having that circuit board.例文帳に追加

本発明の目的は、チップ同士又はチップと回路基板と接合において、コストの削減又は信頼性の向上を図ることのできる電子部品及び半導体装置並びにこれらの製造方法並びにこれらを実装した回路基板及びこの回路基板を有する電子機器を提供することにある。 - 特許庁

The method for forming the charge storage layer in the semiconductor nonvolatile memory in the logic process, comprises a step for forming a select gate on an active region on a substrate; a step for forming long polysilicon gates partly overlapping on the active region on the substrate; and a step for filling the charge storage layer between the long polysilicon gates.例文帳に追加

論理工程において不揮発性メモリ・セルにおける電荷貯蔵層を形成する方法は、基板のアクティブ領域の上にセレクト・ゲートを形成するステップ、その基板のアクティブ領域に部分的に重なる長いポリシリコン・ゲートを形成するステップ、及びその長いポリシリコン・ゲートの間に電荷貯蔵層を充填するステップを含む。 - 特許庁

To provide a discharge plasma treatment method and a device which can control a discharge starting timing of an even glow discharge plasma under a pressure near atmospheric pressure in a plurality of discharge spaces sharing one power source, generate the plasma continuously and stably, and handle a complex treatment in a manufacturing process of a semiconductor device or the like.例文帳に追加

一つの電源を共用して複数の放電空間において、大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマの放電開始タイミングを調整し、継続して安定して発生させ、半導体素子の製造工程等における複雑な処理にも対応できる放電プラズマ処理方法及び装置の提供。 - 特許庁

To provide a forming method of a metal oxide thin film pattern by which distribution of refractive index in an inorg. optical waveguide, photonic band and interference mirror having small transmission loss and excellent heat resistance can be produced and which is advantageous for the surface imaging process in semiconductor microfabrication and for the formation of a fine metal wiring pattern.例文帳に追加

伝搬損失が小さく、耐熱性に優れた無機系の光導波路やフォトニックバンド、干渉鏡などの屈折率分布を形成でき、かつ半導体微細加工における表面イメージング工程や、微細金属配線パターンの形成に有用な、金属酸化物薄膜パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

This stencil mask 10 is used in the semiconductor lithography process for near exposure like the LEEPL and is provided with a supporting material 12 consisting of a Si substrate, a membrane 16 consisting of a Si film extended on the supporting material 12 via a SiO_2 film 14, and a groove type pattern 18 provided on the membrane 16.例文帳に追加

本ステンシルマスク１０は、ＬＥＥＰＬのような近接露光を行う半導体リソグラフィ工程で使用するステンシルマスクであって、Ｓｉ基板からなる支持体１２と、ＳｉＯ_２ 膜１４を介して支持体１２上に延在するＳｉ膜からなるメンブレン１６と、メンブレン１６に設けられた溝状のパターン１８とを備えている。 - 特許庁

For the method of manufacturing the semiconductor element, more specifically, a technique is disclosed in which a reflection preventing film containing silicon is formed, and then, coating of a hard mask layer and an etching processes are executed only once by performing an O_2 plasma process to simplify processes, thereby reducing time and cost.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、より詳しくはシリコンが含まれた反射防止膜を形成した後、Ｏ_２プラズマ工程を行なうことによりハードマスク層のコーティング及び食刻工程は１回のみ行なうようにして工程を単純化させ、時間及び費用を低減させる技術を示す。 - 特許庁

To provide a semiconductor device dispensing with the removal of a natural oxide film formed on the surface of an electrode pad for input and output as well as any special process for removing a current film while being big in a contacting area between the electrode pad and a barrier metal and capable of stably forming a bump electrode.例文帳に追加

入出力用の電極パッドの表面に形成された自然酸化膜を除去する必要がなく、又、カレントフィルムを除去するための特段の工程を必要とせず、電極パッドとバリアメタルとの接触面積が大で、安定してバンプ電極を形成することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an abrasive composition that can reduce the erosion, caused when a wiring concentrating area is polished excessively as compared with a non-wiring area to ≤30 nm in an area having a narrow wiring width, during the course of a CMP process performed on a semiconductor device, having a copper film, a barrier layer composed of a tantalum compound, and an SiO_2 insulating layer.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_2の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、配線幅が細い領域において、配線密集領域が無配線領域比べて過剰に研磨され起こるエロージョンを３０ｎｍ以下にすることのできる研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device; cracking and getting chipped of a substrate are prevented to perform surface processing in a desired shape by subjecting the holding substrate 11 (wafer 51) constructed with a substrate piece 12 to surface processing, e.g., polishing processing or blast processing, after a separation process of cutting, and separating a wafer 50 to the substrate pieces 12.例文帳に追加

本発明の製造方法は、ウエハ５０を基板片１２に切断、分離する分離工程の後に、基板片１２で構成された保持基板１１（ウエハ５１）を表面処理加工、例えば研磨処理又はブラスト処理、することで、基板の割れ、欠けを防止して、所望の形状となるような表面加工が可能となる。 - 特許庁

The target area has: a first aligning mark generated in each process for forming the first metal electrode and the second metal electrode formed on the first metal electrode; and a second aligning mark formed by an unevenness of the thickness of an oxide film formed on the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

上記ターゲットエリアは、上記第１金属電極と、上記第１金属電極上に形成された第２金属電極とを形成する各工程で発生する第１位置合わせマークと、上記半導体基板表面に形成された酸化膜の厚さの段差により形成された第２位置合わせマークとを有する。 - 特許庁

When an n^+-GaN layer 6 is selectively etched with respect to an n^+-AlGaN layer 5 in the manufacturing process of the GaN semiconductor device, dry etching is performed with gas plasma whose concentration of gas including Cl atom is set to be 60 to 90% by using gas including the Cl atom and gas including a F atom.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体デバイスの製造工程において、ｎ^+ −ＧａＮ層６をｎ^+ −ＡｌＧａＮ層５に対して選択的にエッチングを行う際に、Ｃｌ原子を含むガスとＦ原子を含むガスを用い、そのＣｌ原子を含むガスの濃度を６０〜９０％としたガスプラズマにてドライエッチングを行う。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition for packaging material for a semiconductor device, stabilizing operation of the device by effectively absorbing unnecessary electromagnetic wave, and solving inside electromagnetic wave noise without complicating process of production by forming a metal film for shielding by imparting an electroless plating property, and to provide a semiconductor device using the same.例文帳に追加

半導体装置のパッケージ用材料であり、不要電磁波を効率良く吸収することによっての半導体装置の動作を安定化させ、かつ、無電界めっき性を付与することでシールド用金属皮膜を形成可能とすることにより、製造工程を複雑化すること無く、内部での電磁波ノイズを解決し、安定に動作する半導体装置のパッケージ用材料としてのエポキシ樹脂組成物、ならびに該組成物からなる成形材料を用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vacuum suction table capable of uniformly sucking and holding the whole face even when a semiconductor wafer is different in size and suitable for the suction holding an ultrathin wafer without applying stress and producing cracks in the peeling process of a surface protection tape and in separation from the suction table face without bad influence due to the dust adhesion.例文帳に追加

サイズの異なる半導体ウェーハであってもその全面を均一に吸着保持することができ、表面保護テープの剥がし工程時や吸着テーブル面からの離脱時にウェーハにストレスをかけたり割れを生じさせることがなく、塵埃の付着による悪影響の発生もない、極薄ウェーハの吸着保持に適した真空吸着テーブルを提供する。 - 特許庁

To provide a treatment method of an asbestos-containing material and fluoride sludge capable of efficiently performing the detoxification of an asbestos-containing material such as asbestos waste or the like and phosphate ion-containing fluoride sludge discharged from a manufacturing process of a semiconductor material or the like at a low heating temperature at the same time, and a cement manufacturing method using it.例文帳に追加

アスベスト廃棄物等のアスベスト含有物と、半導体材料等の製造工程などで排出されたリン酸イオンを含むフッ化物汚泥とを、同時に、かつ低い加熱温度で効率的に無害化処理することができるアスベスト含有物およびフッ化物汚泥の処理方法ならびにこの処理方法を利用したセメントの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide methods for manufacturing a thinner composition that has superior solubility with respect to a composition containing cyclic olefin polymers and is superior in drying characteristics, and a semiconductor device or a flat display device having a process for cleaning an object to be cleaned, to which a composition containing cyclic olefin polymers is attached, using a thinner composition.例文帳に追加

環状オレフィン系重合体を含有する組成物に対し優れた溶解性を有し、かつ乾燥性にも優れるシンナー組成物、及びこのシンナー組成物を用いて環状オレフィン系重合体含有組成物が付着した被洗浄物を洗浄する工程を有する半導体装置又は平面表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To eliminate a failure like dissolution or flaking of a conductive wiring layer, improve a process yield greatly and enhance reliability in insulation between circuits in a manufacturing method, in which a conductive wiring layer is formed on a conductive frame in an electrolytic plating method and a frame is removed after the mounting and sealing of the semiconductor element.例文帳に追加

導電性フレーム上に電解メッキ法によって導体配線層を形成し、半導体素子の実装、封止後に導電性フレームを除去する工程を含む半導体装置の製造方法において、導体配線層の溶解や剥離などの不具合をなくし、工程歩留まりの大幅な改善と回路間の絶縁信頼性の向上を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma resistant ceramics sprayed coating which is a yttria ceramics based sprayed coating used for a plasma treatment device member for fabricating a semiconductor, a liquid crystal or the like, wherein corrosion resistance to chlorine based plasma is improved, and impurity metal contamination caused by the component raw material of the ceramics is suppressed particularly in a chlorine based plasma process.例文帳に追加

半導体・液晶製造用等のプラズマ処理装置部材に用いられるイットリアセラミックス系溶射膜であって、塩素系プラズマに対する耐食性の向上が図られ、ハロゲン、特に、塩素系プラズマプロセスにおいて、該セラミックスの構成原料に起因する不純物金属汚染を抑制することができる耐プラズマ性セラミックス溶射膜を提供する。 - 特許庁

To provide an adhesive tape which is used when a semiconductor chip mounted on a metallic lead frame is sealed with a resin, thereby preventing a sealing resin from leaking out to the outer lead side, and which can easily be peeled without causing an implantation failure in a wire bonding process and further without an adhesive residue upon separation.例文帳に追加

金属製リードフレームに搭載された半導体チップを樹脂封止する際に使用することにより、封止樹脂がアウターリード側に漏れ出すことを防止することができる粘着テープであって、ワイヤボンディング工程における打ち込み不良を引き起こすことがなく、また、剥離時には糊残りすることなく、容易に剥離することができる粘着テープを提供する。 - 特許庁

To provide a detoxification treatment method of an asbestos-containing material capable of easily performing the detoxification treatment of the asbestos-containing material by certainly preventing the scattering of asbestos using the wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process and capable of treating the wastewater at the same time, and a cement manufacturing method using it.例文帳に追加

半導体製造工程から排出された廃水を利用することにより、アスベストの飛散を確実に防止して、アスベスト含有物を容易に無害化処理することができ、さらには上記廃水についても同時に処理することが可能になるアスベスト含有物の無害化処理方法およびこれを用いたセメントの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the bump forming for forming the bump on the electrode 3a of a wafer type chip 3, the chips 3 of the semiconductor wafer 2 are bound to define a block B becoming a unit operating division in the bump forming process, and set the recognition mark 3b of a chip 3 at a predetermined position in each blocks as a block recognition point 3b(B).例文帳に追加

ウェハ状のチップ３の電極３ａにバンプを形成するバンプ形成において、半導体ウェハ２のチップ３を括ってバンプ形成工程における単位作業区画となるブロックＢを定義し、各ブロック毎に所定位置にあるチップ３の認識マーク３ｂをブロック位置検出用のブロック認識点３ｂ（Ｂ）として設定する。 - 特許庁

This semiconductor device comprises a correction discrimination detection circuit 11 for generating a detection signal if the variance of the pattern processing exceeds a predetermined allowable range while monitoring the variance of the pattern processing depending on the variance of the manufacturing process, and a characteristic correction circuit 12 for correcting electric characteristics of the subject circuit based on the detection signal of the correction discrimination detection circuit.例文帳に追加

製造プロセスのばらつきに依存するパターン加工のばらつきをモニターし、パターン加工のばらつきが所定の許容範囲を越えた場合に検知信号を生成する補正判別検知回路１１と、補正判別検知回路の検知信号を受けて対象回路の電気的特性を補正する特性補正回路１２とを具備する。 - 特許庁

In a process for manufacturing a semiconductor device by chemical-machine-polishing with the use of a tantalum nitride film, a wafer 22 is performed in CMP with a laser beam radiated from a Raman spectroscope 23 irradiated onto the wafer 22 and a slully switched in response to a Raman peak intensity of 180 to 200 cm2 derived from the bonding of tantalum and nitrogen.例文帳に追加

バリアメタルとして窒化タンタル膜を用い、化学機械研磨により半導体装置を製造する工程において、ラマン分光装置２３から出射されたレーザー光をウェハー２２に照射し、タンタルと窒素との結合に由来する１８０〜２００ｃｍ^-1のラマンピークの強度に応じてスラリーを切換えて、ウェハー２２をＣＭＰ研磨する。 - 特許庁

To provide an electro-optical device capable of shortening the manufacturing process, and reducing the cost by finishing channel doping only once even when a monocrystalline semiconductor layer is changed in thickness in TFTs for switching the same conductive type pixels and those for peripheral circuits, to provide a manufacturing method therefor, and to provide a projection type display device.例文帳に追加

同一導電型の画素スイッチング用のＴＦＴと周辺回路用のＴＦＴとにおいて単結晶半導体層の膜厚を変えた場合でも、チャネルドープを１回で済ませることにより、製造工程を短縮し、低コスト化を図ることのできる電気光学装置、その製造方法、および投射型表示装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a microfiltration filter cartridge which is excellent in filtration stability, does not generate a harmful gas when incinerated, does not allow cracks to appear in its constituting elements even when used in high- temperature filtration of isopropanol often used in a semiconductor production process, thus maintaining its perfectness, and is excellent in chemical resistance.例文帳に追加

優れたろ過安定性を有し、焼却廃棄処理に際して有毒ガスを発生しないことは勿論のこと、半導体製造工程で頻繁に用いられるイソプロパノールの高温ろ過に使用しても構成要素にクラックを生じて完全性が損なわれることのない、耐薬品性に優れた精密ろ過フィルターカートリッジを提供すること。 - 特許庁

To provide a wafer for oil immersion lithography and the manufacturing method of the same, capable of effecting exposure process while preventing the outflow of liquid to the outside of the wafer upon exposing the neighborhood of outer peripheral part of the wafer, in the oil immersion lithography for effecting exposure treatment under a condition that a gap between the projection optical system of exposure device for manufacturing semiconductor and the wafer is filled with liquid.例文帳に追加

半導体製造用露光装置の投影光学系とウェハとの間を液体で満たした状態で露光処理する液浸リソグラフィにおいて、ウェハの外周部付近を露光する際にもウェハの外側へ液体が流出するのを防ぎつつ露光処理できる液浸リソグラフィ用ウェハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When hydrogen fluoride gas is introduced into the exhaust pipe 15 to clean the exhaust pipe 15 during the process of depositing silicon oxide film on the semiconductor wafer 10 using the heat treatment equipment 1, the deposition of the silicon oxide film and the removal of the reaction product adhering to the exhaust pipe 15, etc., can be performed simultaneously and the maintenance cycle of the heat treatment equipment 1 can be prolonged.例文帳に追加

そして、熱処理装置１を用いた半導体ウエハ１０へのシリコン酸化膜の形成工程中に、排気管１５内にフッ化水素ガスを導入して排気管１５を洗浄すると、シリコン酸化膜の形成と排気管１５等に付着する反応生成物の除去とが並行して実行され、熱処理装置１のメンテナンスサイクルが長くなる。 - 特許庁

The method of growing a compound semiconductor, in which an InxGayAl1-x-yN layer (0≤x, y≤1) is grown on a GaAs substrate includes a process of adding group V elements, having an atomic radius larger than that of N, in a density that ranges from 1×1017 to 1×1023 cm-3, to the InxGayAl1-x-yN layer.例文帳に追加

本発明では、ＧａＡｓ基板上に、Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)を成長させる化合物半導体の成長方法において、該Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-_yＮ層に、原子半径がＮよりも大きいＶ族元素を1×１０^17ｃｍ^-3から１×１０^23ｃｍ^-3までの濃度範囲だけ添加する工程を含む化合物半導体の成長方法を提供する。 - 特許庁

To make a circuit element for only inspecting bipolar devices for wiring delay time mountable on the same semiconductor substrate together with a bipolar device to be inspected, so that the management of a wiring process becomes easier and the productivity of the circuit element may be improved by reducing as much as possible the occupying area of the element by reducing the number of stages of inverters and enabling the element to measure with accuracy.例文帳に追加

インバータの段数を最小限に抑えて専有面積を極力小さくし、なおかつ精度良く測定できるようにすることで、配線遅延時間のみを対象として検査するための回路素子を同じ半導体基板上に搭載可能とし、これにより配線工程管理を容易にして生産性向上を図ることを課題とする。 - 特許庁

A gate insulating film 4 is formed so as to extend from the interior of the trench 8 to the surface of the p-base 2 of the semiconductor substrate by a thermal process, and also impurity ions of high concentration implanted to the front layer of the p-base 2 and the bottom part of the trench 8 are activated to form a source region 3 and a well region 10 at the same time.例文帳に追加

そして、熱処理によってトレンチ８内部から半導体基板のｐベース２表面にまで延在するようにゲート絶縁膜４を形成するとともに、ｐベース２の表層およびトレンチ８底部に注入された高濃度の不純物イオンを活性化させてソース領域３およびウェル領域１０を同時に形成するものである。 - 特許庁

A microphone device includes: a sound collection element manufactured using a semiconductor manufacturing process; a signal processing section which implements predetermined arithmetic processing based on an output signal of the sound collection element; and a case which is disposed to cover the sound collection element and the signal processing section and at least a portion of which constitutes a sound transparent and conductive structure part.例文帳に追加

半導体製造プロセスを用いて製造される収音素子と、前記収音素子の出力信号に基づいて所定の演算処理を実施する信号処理部と、前記収音素子ならびに前記信号処理部を覆うように配設され、少なくとも一部が音響透過性の導電性構造部を構成するケースとを具備している。 - 特許庁

The curable composition is provided which includes two separately curable chemistry sets or compositions with curing temperatures sufficiently separated so that one chemistry composition can be fully cured during a B-staging process, and the second chemistry composition can be left uncured until a final cure is desired, such as at the final attach of a semiconductor chip to a substrate.例文帳に追加

２つの別々に硬化する化学セット又は組成物を含む硬化性組成物であって、それらの硬化温度が十分に離れていて、一方の化学組成物がＢ−ステージ化で完全に硬化し、第２の化学組成物は、基板への半導体チップの最終取付など最終硬化が望まれるまで未硬化で残しておくことができる硬化性組成物。 - 特許庁

In a process S104, photoluminescence of a substrate product prepared by growing a quantum well structure and p- and n-type gallium nitride semiconductor layers for the light-emitting layer at at least one or two or more selected tilt angle is measured while applying a bias to the substrate product to obtain bias dependence of the photoluminescence.例文帳に追加

工程Ｓ１０４では、選択された一又は複数の傾斜角で発光層のための量子井戸構造並びにｐ型及びｎ型窒化ガリウム系半導体層を成長して形成された基板生産物のフォトルミネッセンスの測定を基板生産物にバイアスを印加しながら行って、基板生産物のフォトルミネッセンスのバイアス依存性を得る。 - 特許庁

The wafer sensing unit is installed in the semiconductor manufacturing apparatus including a processing device which performs a heating process, and includes a module of remotely measuring a temperature of a wafer being transferred by an infrared temperature sensor and a determination module of determining that the wafer is mounted on a transfer mechanism when a measurement result indicates that the temperature is equal to or higher than a first constant temperature.例文帳に追加

ウェハセンシング装置は、加熱処理を行う処理装置を備えた半導体製造装置に装備され、搬送されるウェハの温度を赤外線温度センサーにより遠隔計測する手段と、計測結果が第１の一定温度以上の場合は、ウェハが搬送手段に搭載されていると判定する判定手段とを備える。 - 特許庁

A thin-film transistor (TFT) manufactured by back surface exposure uses the oxide semiconductor as a channel layer, negative resist on a conductive film is exposed from a back surface side of a substrate using an electrode on the substrate as a mask, and then removed except an exposed part of the negative resist, and the conductive film is etched using the exposed part as an etching mask to process the electrode.例文帳に追加

裏面露光により製造される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）において、チャネル層として酸化物半導体を用い、基板上の電極をマスクとして、基板の裏面側から導電膜上のネガレジストを露光し、ネガレジストの露光部分を残し前記ネガレジストを除去し、露光部分をエッチングマスクとする導電膜のエッチングにより、電極を加工する。 - 特許庁

An operation synthesizing apparatus for generating a circuit description of a low abstraction level out of a circuit description of an operation level describing the operation of the semiconductor integrated circuit device performs a scheduling and binding process when generating a circuit description of a low abstraction level in such a way as to determine restrictions on the numbers of read and write ports of the register and to meet the restrictions.例文帳に追加

半導体集積回路装置の動作を記述した動作レベルの回路記述から、抽象度の低い回路記述を生成するための動作合成装置が、レジスタの読み出し・書き込みポート数の制約を決定し当該制約を満たすように前記抽象度の低い回路記述を生成する際のスケジューリング・バインディング処理を行う。 - 特許庁

To provide a novel manufacturing method of ultrapure water by which a process for manufacturing ultrapure water can be simplified and further a polluted aqueous solution capable of using as raw water with difficulty, for example dilute waste water containing tetraalkylammonium hydroxide (TMAH) such as a resist washing waste solution in a semiconductor plant, can be used.例文帳に追加

超純水を製造するための工程を簡略化できると共に、原水としての使用が困難であった汚染水溶液、例えば、半導体製造工場におけるレジスト洗浄廃液の如き希薄な水酸化テトラアルキルアンモニウム（ＴＭＡＨ）含有廃水を使用することが可能な超純水の新規な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where highly accurate analog ICs are formed by mounting perfect depletion high speed MOS transistors and high breakdown strength MOS transistors mixedly on an SOI substrate while reducing the cost by enhancing strength against ESD breakdown, preventing cracking in the dicing process and enhancing the positioning accuracy of trimming.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に、完全空乏型の高速ＭＯＳトランジスタと、高耐圧型ＭＯＳトランジスタとを混載し、高精度なアナログＩＣが形成された半導体装置を、ＥＳＤ破壊に強く、またダイシング工程での割れ欠けなどを防止し、さらに、トリミングの位置決め精度を高くすることでコストダウンを可能にする形で提供することである。 - 特許庁

After the semiconductor wafers are cut or sliced from ingots, cutting fluid as well as metal and metal oxides from the saws used in the cutting process are cleaned with aqueous alkaline solutions containing one or more kinds of quaternary ammonium hydrooxide, one or more kinds of alkali hydroxide, and one or more kinds of mid-range alkoxylate simultaneously with micro-etching.例文帳に追加

半導体ウェハをインゴットから薄く切り出した後に、切断流体、並びに切断プロセスにおいて使用されるソウから汚染される金属および金属酸化物を、１種以上の水酸化第四級アンモニウムと、１種以上の水酸化アルカリと、１種以上のミッドレンジアルコキシラートとを、含むアルカリ水溶液により清浄化し、同時にマイクロエッチングする。 - 特許庁

A process for fabricating an electronic device comprises: depositing a dielectric composition, which comprises a dielectric material, a crosslinking agent, and an infrared absorbing agent, on a substrate; exposing the dielectric composition to infrared radiation to cure the dielectric composition to form a dielectric layer on the substrate; and forming a semiconductor layer on the substrate.例文帳に追加

電子デバイスの製造方法は、誘電性材料、架橋剤、及び赤外線吸収剤を含有する誘電性組成物を基材上に成膜する工程と、誘電性組成物を赤外線に暴露して誘電性組成物を硬化させ、基材上に誘電体層を形成する工程と、基材上に半導体層を形成する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

A plurality of capacitors having different areas are formed in an active area in a semiconductor element manufacturing process, voltages are applied to the respective capacitors to detect respective capacitor currents, and pattern conversion differences of the active area are calculated from the areas of the capacitors corresponding to detected current values, thereby determining the manufacture precision based upon the pattern conversion differences.例文帳に追加

複数の異なる面積を有するキャパシタを、半導体素子生成工程においてアクティブエリアに形成し、各キャパシタに電圧を印加して、夫々のキャパシタ電流を検出し、検出された電流値と対応するキャパシタの面積とからアクティブエリアのパターン変換差を算出し、パターン変換差に基づき製造精度を判定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which eliminates a need of providing a separate component, such as a guide component and a positioning pin, and a positioning hole penetrating such a circuit board as control circuit board, reduces the number of fixing members, such as screws, and allows the circuit board to be attached securely to an electrical component, such as a power module, by a simple assembling process.例文帳に追加

ガイド部品や位置決めピン等の別部品を設けたり、制御回路基板等の回路基板を貫通する位置決め穴等を設ける必要性を排しながら、ネジ部品等の固定部材の数を減らし、かつ簡便な組立工程で確実に回路基板をパワーモジュール等の電気部品に組付けることのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide, in relation to polishing slurry and polishing method used for polishing in a process for forming wirings of a semiconductor device and the like, a polishing slurry capable of giving a polished surface having high flatness even if the polished surface is made of two or more substances, and further, capable of suppressing metal residues and scratches after polishing, and a method of chemical mechanical polishing using the same.例文帳に追加

半導体デバイスの配線形成工程等における研磨に使用される研磨液及び研磨方法に関し、被研磨面が複数の物質からなっていても平坦性が高い被研磨面が得られ、さらに研磨後の金属残渣や研磨キズを抑制できる研磨液、及びそれを用いて化学機械研磨する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a semiconductor single crystal rod by an FZ method (floating zone method or floating zone melting method) that copes with a growth process (cone step, straight body step, or the like) of a crystal and an operation condition (rotational speed, rotary direction, or the like of a crystal), controls a crystal diameter, or the like stably, and grows a crystal stably.例文帳に追加

結晶の成長工程（コーン工程や直胴工程等）や操業条件（結晶の回転数や回転方向等）に対応でき、安定して結晶径等を制御でき、安定した結晶成長を行うことが可能なＦＺ法(フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法)による半導体単結晶棒の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the automatic learning for the matching point correction, a dummy semiconductor wafer which is not an actual processing object is transported into a chamber and plasma processing is carried out under the same condition as the actual process and automatic matching is made to perform to a matching unit under a reference impedance Z_s, and the measured value of reflected wave power obtained by the reflected wave measuring circuit is fetched and stored in a memory.例文帳に追加

この整合ポイント補正のためのオートラーニングにおいては、実際の加工対象ではないダミーの半導体ウエハをチャンバ内に搬入し、実プロセスと同じ条件でプラズマプロセスを実行して、基準インピーダンスＺ_sの下で整合器にオートマッチングを行わせ、反射波測定回路で得られた反射波電力の測定値を取り込んでメモリに格納する。 - 特許庁

To provide an interlayer dielectric planarization process in manufacturing a semiconductor device having no factor of specific variations in rotational polishing such as CMP method and using no planarization film such as an inorganic SOG film risking a shrink or an impurity gas generation with an etch back method or the like.例文帳に追加

半導体装置の製造における層間絶縁膜の平坦化プロセスとして、ＣＭＰ法のように回転研磨固有のばらつき要因を有したりせず、かつ、エッチバック法のように収縮や不純物ガスを発生させたりするおそれのある無機ＳＯＧ膜のような平坦化膜を使用することのない、新しい層間絶縁膜平坦化プロセスを提供する。 - 特許庁