「semiconductor process」に関連した英語例文の一覧と使い方(152ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a detoxification treatment method for an asbestos-containing material, capable of surely preventing the scattering of asbestos, easily detoxifying an asbestos-containing material and simultaneously treating waste water and a chlorine portion as well further by utilizing the waste water discharged from a semiconductor manufacture process and the chlorine portion contained in chlorine bypass dust discharged from a cement manufacturing process or the like, and a manufacturing method of cement utilizing it.例文帳に追加

半導体製造工程から排出された廃水やセメント製造工程から排出される塩素バイパスダストなどに含まれる塩素分を利用することにより、アスベストの飛散を確実に防止して、アスベスト含有物を容易に無害化処理することができ、さらには上記廃水や塩素分についても同時に処理することが可能になるアスベスト含有物の無害化処理方法およびこれを用いたセメントの製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface protective member is provided for partially protecting the crystalline semiconductor substrate against an etchant in the process of etching the crystalline semiconductor substrate in contact with the etchant, the surface protective member includes a base and an adherent resin composition laminated thereupon, wherein the adherent resin composition contains an urethane resin having a polybutadiene skeleton and/or a polyisoprene skeleton and a radical polymerization initiator.例文帳に追加

結晶系半導体基板をエッチング液に接触させてエッチングする工程において、結晶系半導体基板をエッチング液から部分的に保護するための表面保護部材であって、該表面保護部材が基材とその上に積層された粘着性樹脂組成物を含み、該粘着性樹脂組成物が、ポリブタジエン骨格及び／又はポリイソプレン骨格を有するウレタン樹脂及びラジカル重合開始剤を含有することを特徴とする表面保護部材。 - 特許庁

The method of designing a semiconductor integrated circuit includes the steps of: calculating the risk of occurrence of a problem for each place on the semiconductor integrated circuit to be designed, based on the result of process simulation performed using a previously designed layout pattern 204 and physical model 201; and correcting a design standard 203 according to the risk for each place and generating a compaction condition 206 for each place.例文帳に追加

本発明による半導体集積回路の設計方法は、事前に設計されたレイアウトパタン２０４と物理モデル２０１とを用いて行われるプロセスシミュレーションの結果に基づいて、設計対象となる半導体集積回路上の場所毎に、不具合の発生する危険度を算出するステップと、場所毎の危険度に応じて設計基準２０３を修正し、場所毎のコンパクション条件２０６を生成するステップとを具備する。 - 特許庁

The semiconductor device manufacturing facility installed in a semiconductor device production line comprises a robot means Ra installed in a transfer chamber 30a and having a robot arm 18 for selectively fixing a wafer W to drive to extend or contract, to vertically move and to rotate the arm 18, and a process chamber 32a and a load locking chamber 34a selectively coupled to communicate with the chamber 30a and disposed in a height direction.例文帳に追加

半導体装置生産ラインに設置される半導体装置製造設備において、ウェーハＷを選択的に固定させるロボットアーム１８が設けられ、そのロボットアーム１８を伸縮駆動、昇降駆動及び回転させるロボット手段Ｒａがトランスファチャンバ３０ａに設置され、トランスファチャンバ３０ａに工程チャンバ３２ａ及びロードロックチャンバ３４ａが選択的に連通して連結され、それぞれ高さ方向に配置されて構成される。 - 特許庁

The manufacturing method for the organic thin film transistor including a stage of forming at least one of a conductive layer, insulating layer and organic semiconductor layer on the substrate through an ink jet process comprises the stage of forming the plurality of separated thin films on the substrate through the single-time ink jet discharge when at least the one of the conductive layer, insulating layer and organic semiconductor layer is formed.例文帳に追加

基板上に、導電層、絶縁層、有機半導体層の少なくとも一層をインクジェットプロセスで成膜する工程を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、 該導電層、該絶縁層及び該有機半導体層の少なくとも一層を成膜する際、１回のインクジェット吐出によって、該基板上に、分離された複数の薄膜を成膜する工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

A solder resist layer 42 is formed on the pad 31a and the distribution layer 31b to form a solder resist pattern 42a through patterning process and plating is effected on the pad 31a and the ball lands 31c to obtain a substrate 100 for semiconductor device having ball lands 51 and pad 52, on which a plating film is formed.例文帳に追加

パッド３１ａ及び配線層３１ｂ面にソルダーレジスト層４２を形成し、パターニング処理してソルダーレジストパターン４２ａを形成し、パッド３１ａ及びボールランド３１ｃ上にめっきを行い、めっき被膜が形成されたボールランド５１及びパッド５２を有する半導体装置用基板１００を得る。 - 特許庁

In a semiconductor integrated circuit device which includes an inverter circuit composed of a pMOS transistor and an n MOS transistor Q2, the threshold voltage of the transistor Q2 is made lower than the threshold of the transistor Q1 by setting the dosage of implanted ions to the units of elements and executing a multi-Vth process.例文帳に追加

ｐＭＯＳトランジスタＱ１とｎＭＯＳトランジスタＱ２で構成されるインバータ回路１を含む半導体集積回路装置において、注入イオンのドーズ量を素子単位に設定してマルチＶｔｈプロセスを実行することにより、トランジスタＱ２のしきい値電圧をトランジスタＱ１のしきい値電圧よりも低くする。 - 特許庁

To provide an apparatus in which a catalyst in a decomposition tube is heated sufficiently to exert enough the capability of decomposing ammonia even in the case of treating an exhaust gas containing a high level of ammonia such as one discharged from a GaN-based compound semiconductor manufacturing process, or even in the case of using an ammonia decomposition tube having a large inner diameter.例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体製造工程から排出されるような高濃度のアンモニアを含む排ガスの処理であっても、内径の大きいアンモニア分解筒を使用する場合であっても、分解筒内の触媒が充分に加熱され、アンモニアを分解する能力を充分に発揮できるような装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor having high sensitivity especially in the wavelength region of a semiconductor laser and capable of supplying an image with little image defect such as ghost not only under ordinary temperature and humidity conditions but also under low temperature and humidity conditions, and to provide a process cartridge and an electrophotographic device having the electrophotographic photoreceptor.例文帳に追加

常温常湿下だけでなく、低温低湿下であっても、高感度、特に半導体レーザー波長領域で高感度であり、なおかつ、ゴーストなどの画像欠陥の少ない画像を供給可能な電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which eliminates the need for prebake in a process of forming a resist film and has high sensitivity, in particular, high sensitivity and good pattern forming properties to active energy rays having a maximum emission wavelength in the range of 400-410 nm from a semiconductor laser as an irradiation source.例文帳に追加

レジスト膜を形成する工程においてプリベークを必要とせず、さらに高感度、特に半導体レーザーを照射源とした最大発光波長が４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲内にある活性エネルギー線に対して高感度かつパターン形成性が良好なポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To obtain a photosensitive resin composition which suppresses peeling of a pattern from a substrate after development of a photoresist in a process for producing electronic parts such as a semiconductor element, is excellent also in shelf life stability in the solution state and has good heat resistance and adhesiveness to a base material after heating at a high temperature.例文帳に追加

本発明は、半導体素子等の電子部品の製造工程におけるフォトレジストの現像後の基板からのパターンの剥がれを低減し、溶液状態での保存安定性にも優れ、更に高温加熱処理後において良好な耐熱性と基材への接着性を有する感光性樹脂組成物を提供するものである。 - 特許庁

To provide a polishing pad, detecting the optical end point with high accuracy in the process of polishing, and preventing slurry from leaking between a polishing area and a light transmission area even in the case of long-time use, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device using the polishing pad.例文帳に追加

研磨を行っている状態で高精度の光学終点検知を可能とし、長期間使用した場合であっても研磨領域と光透過領域との間からのスラリー漏れを防止することができる研磨パッドを提供すること、及び該研磨パッドを用いた半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

After an active layer 3, an etching stopping layer 4, and a cap layer 5 are successively grown on a substrate 1 composed of a III-V compound semiconductor, an element region is separately formed by subjecting it to mesa etching (first process), and a mask having an opening for controlling the width of a gate electrode G is formed on the formed mesa.例文帳に追加

III-Ｖ族化合物半導体からなる基板１上に活性層３、エッチング停止層４、およびキャップ層５を順に成長させた後、メサエッチングを施して素子領域を分離形成し（第１の工程）、上記メサ上にゲート電極Ｇの幅を規定する開口部を有するマスク１１を形成する。 - 特許庁

In the method of producing ZnTe-based compound semiconductor single crystals of ZnTe or the ternary or higher ones comprising ZnTe, prescribed amounts of one or more kinds of elements selected from 3d transition elements are added as impurities making an energy level at a position near the center of an energy gap in the process of growing the crystals.例文帳に追加

ＺｎＴｅあるいはＺｎＴｅを含む三元以上のＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶の製造方法において、エネルギーギャップの中心に近い位置にエネルギーレベルを作る不純物として、３ｄ遷移元素の何れか一種類以上の元素を所定量だけ結晶育成中に添加するようにした。 - 特許庁

To prevent a temperature of an object to be treated in the case of irradiation from being raised each time of the irradiation, in a crystallization process of a semiconductor thin film which forms an irradiation region overlapped partially by using two or more laser oscillators of different oscillation wavelengths, and which performs the next irradiation so as to overlap with a part of the irradiation region.例文帳に追加

発振波長の異なる複数のレーザ発振器を用いて一部を重複させて照射領域を形成し、更にその照射領域の一部に重ねるよう次の照射を行う半導体薄膜の結晶化工程において、照射時の被処理物の温度が照射を重ねるごとに上昇することを防止する。 - 特許庁

The electrode needle is to inspect the electric characteristics in the semiconductor manufacturing process in such a manner that it is contacted with the electrode, pad or bump, and is equipped with a needle 20 and a pressure sensor 19 to sense the pressure applied to the needle when it is contacted with the electrode, pad or bump.例文帳に追加

本発明に係る電極針は、半導体製造工程で電極、パッド又はバンプに接触させて電気的特性検査を行うための電極針であって、針２０と、該針を電極、パッド又はバンプに接触させた際に、該針に加えられる圧力を検知する圧力センサー１９と、を具備するものである。 - 特許庁

An embodiment of this semiconductor device manufacturing method includes a process wherein the reaction product deposited on the conducting layer to extend in the vertical direction is bent so that the thickness of the reaction product is thinner relative to the direction of the acceleration of the active species excited by plasma discharge.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法の一は、反応生成物の厚さが、プラズマ放電によって励起された活性種が加速される方向に対して薄くなるように、導電層の上に垂直方向に延びるように付着した反応生成物を倒す工程を有することを特徴としている。 - 特許庁

To provide a process for spin-on deposition of a silicon dioxide-containing film under oxidative conditions for gap-filling in high aspect ratio features for shallow trench isolation used in memory and logic circuit-containing semiconductor substrates such as silicon wafers having one or more integrated circuit structures contained thereon.例文帳に追加

記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、１つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。 - 特許庁

Aluminum pad electrodes are provided on a semiconductor element, metal electrodes are formed thereon, a photosensitive thermosetting resin layer is provided, the resin layer on the metal electrodes is removed through a mask and in an exposure-developing process, and an anisotropically conductive resin layer is formed on the metal electrodes surfaces and the photosensitive thermosetting resin layer surface.例文帳に追加

半導体素子上にアルミパッド電極を設けさらにこの上に金属電極を形成した上に、感光性熱硬化性樹脂層を設け、マスクと露光現像工程とによって金属電極上の樹脂層が除去し、金属電極表面と感光性熱硬化性樹脂表面に異方導電性樹脂層を形成する。 - 特許庁

In order to evaluate a difference between design data and a formed resist pattern in detail by using observation data of the resist pattern formed through a semiconductor lithography process, the design data and the observation data of the resist pattern are superposed to calculate a one-dimensional or two-dimensional geometric characteristic value expressing the difference between them.例文帳に追加

半導体リソグラフィ工程を経て形成されたレジストパターンの観測データを用いて、設計データと形成されたレジストパターンの差異を詳細に評価するために、設計データとレジストパターンの観測データとを重ね合わせ、両者の差異を表現する１次元或いは２次元の幾何学的特徴量を算出する。 - 特許庁

To improve controllability for an etching process, crystallinity at the time of regrowth and luminous efficiency in a surface emitting laser element of a selective oxidation current constrictive with a controlling system in an oxidation shape by arranging each semiconductor layer with different compositions in a current path and an oxidation area by means of etching and regrowth.例文帳に追加

エッチング及び再成長により電流通路と酸化領域にそれぞれ組成の違う半導体層を設けて酸化形状の制御を行う方式の選択酸化電流狭窄型の面発光型レーザ素子において、エッチング工程の制御性，再成長時の結晶性、および発光効率を向上させる。 - 特許庁

To prevent insulation failures due to an antireflection film, and allow the antireflection film to remain until the time of spacer formation, and prevent damages on an MOS transistor and a capacitative element in an etching process, at spacer formation in a semiconductor device having the capacitative element and the MOS transistor, and a method for manufacturing this device.例文帳に追加

容量素子とＭＯＳトランジスタとを有する半導体装置及びその製造方法において、反射防止膜による絶縁不良を防止するとともに、スペーサ形成時まで反射防止膜を残し、スペーサ形成時のエッチング工程においてＭＯＳトランジスタ及び容量素子にダメージを与えることを回避する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has good-linearity gate voltage to gate current characteristics by preventing a reverse narrow-channel effect without changing a threshold voltage depending upon the wide or narrow channel width, and is provided with a trench isolation type MISFET with a constitution that can be manufactured without increasing the manufacturing process.例文帳に追加

逆狭チャネル効果を防止することにより、チャネル幅の広狭に依存してしきい値電圧が変動することがなく、また良好な直線性のゲート電圧−ドレイン電流特性を示し、かつ工程数を増やすことなく作製できる構成を有する溝分離型ＭＩＳＦＥＴを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To attain integration by a process for producing a semiconductor substrate and to easily produce an optically integrated device for an optical pickup device at a reduced production cost while miniaturizing the entire device, enhancing effective utilization efficiency of light quantity and effectively making good use of existing resources.例文帳に追加

半導体基板の製造工程により集積化を図り、装置全体を小型化できると共に、光量の有効利用効率を向上させることができるだけでなく、既存の資源を有効に活用すると共に製造が容易であり、製造コストを低減することのできる光ピックアップ装置用の光集積装置を提供すること。 - 特許庁

Wastewater of the mixed acid based on hydrofluoric acid and nitric acid discharged from the semiconductor manufacturing process is added to the asbestos-containing material and the obtained mixture slurry is subsequently subjected to neutralization while the asbestos-containing material in the mixture liquid is ground to form sludge wherein asbestos is detoxified.例文帳に追加

アスベスト含有物に、半導体製造工程から排出されるフッ化水素酸および硝酸を主体とした混酸の廃水を加え、次いで得られた混合物スラリーを中和処理するとともに当該混合液中の上記アスベスト含有物を粉砕することによりアスベストが無害化処理された汚泥とすることを特徴とする。 - 特許庁

The normal polyimide sheet cannot be attracted to the electrostatic attraction type wafer holder because the sheet is an insulator but the sheet can be used by an existing semiconductor manufacturing process by laminating and thermally contact-bonding two kinds of the polyimide sheet and the aramid fiber layer up to the thickness of a conventional wafer by using the polyimide sheet given the conductivity.例文帳に追加

通常のポリイミドシートは絶縁体であるため、静電吸着型ウエハー保持装置に吸着できないが、本発明では導電性を持たせたポリイミドシートを使用し、上記二種の層を従来のウエハー厚さにまで積層熱圧着することで、既存の半導体製造プロセスで使用できるようにする。 - 特許庁

To manufacture a reticle that can expose only a portion where a pattern is changed on an edge area of a wafer and then to provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein a double exposure process is performed by using the reticle to leave the photoresist on the part where the pattern is changed.例文帳に追加

ウエハーの縁領域のうち、パターンの変形が生じる部分のみ露光されるようにレチクルを作製した後、そのレチクルを用いてパターンの変形が生じる部分のみ２重露光することによって、パターンの変形が生じる部分のフォトレジストを残すレチクル及びそれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The element for evaluation of the physical resistance in the package process of a semiconductor device is equipped with a substrate 1, an interconnection film 3 prepared on the substrate 1, and an insulation film 2 whose elastic modulus is 15 GPa or less prepared in the lower layer and/or the upper layer of the interconnection film 3.例文帳に追加

半導体デバイスのパッケージプロセスにおける物理的耐性の評価の為に用いられる素子であって、 基板１と、 前記基板１上に設けられた配線膜３と、 前記配線膜３の下層側および／または上層側に設けられた弾性率が１５ＧＰａ以下の絶縁膜２とを具備する。 - 特許庁

To provide a MOS semiconductor device which is enhanced in withstand voltage and a method of manufacturing the same, in which a process through which an LDD(Lightly Doped Drain) side spacer is formed can be dispensed with, and high-melting metal material other than polysilicon can be used as a gate electrode material.例文帳に追加

耐圧性能の向上したＭＯＳ型半導体装置およびその製造方法を提供すること、ＬＤＤ（低濃度ドープドレイン）用サイドスペーサーを作成する工程を省略できる製造方法、及び、ゲート電極材料としてポリシリコン以外の高融点金属材料が使用可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film adhesive having both of process characteristics such as suitability to filling (embedding) into an adherend, low-temperature laminating property and pickup property after dicing and characteristics which contribute toward improving reliability of a semiconductor device including reflow resistance, an adhesive sheet and an adhesive composition which achieves the same.例文帳に追加

被着体に対する充填性（埋め込み性）、低温ラミネート性及びダイシング後のピックアップ性などのプロセス特性、並びに、耐リフロー性などを含む半導体装置の信頼性向上に寄与する特性を十分に兼ね備えたフィルム状接着剤、接着剤シート及びその実現を可能とする接着剤組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon semiconductor substrate exhibiting excellent electric characteristics and having high gettering power by reducing not only grown-in defect in crystal but also oxygen deposit remaining in the OSF region and becoming the nucleus of OSF growth while growing the crystal under growth conditions becoming the OSF region, and to provide its production process.例文帳に追加

結晶をＯＳＦ領域となる育成条件で育成したうえで、結晶中のグロウンイン欠陥を低減するのみならず、ＯＳＦ領域に残存していたＯＳＦ成長の核となる酸素析出物をも低下させ、電気特性に優れ、かつ高いゲッタリング能を持つシリコン半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the process of irradiating a semiconductor substrate 2 with light from a light source 11 through a photomask 13, the substrate is irradiated with light through a photomask 13 having a photomask substrate 21 comprising quantum dots 31 and a light shielding film 22 formed on the photomask substrate 21 according to a desired pattern to be transferred.例文帳に追加

光源１１からの光をフォトマスク１３を介して半導体基板２に照射する際において、量子ドット３１が含められてなるフォトマスク基板２１を有し、転写すべき所望のパターンに応じて遮光膜２２がフォトマスク基板２１上に成膜されたフォトマスク１３を介して光を照射する。 - 特許庁

To provide an image automatic sorting method and its device capable of outputting information required for a countermeasure to the cause of the generation of a fault and information required for predicting the yield of an examination wafer by using the image of a defective site concerning the defect generated in the manufacturing process of a semiconductor wafer detected by a defect examination device.例文帳に追加

欠陥検査装置で検出された半導体ウェハの製造工程で発生した欠陥について、その欠陥部位の画像を用いて、その欠陥の発生原因対策に必要な情報および、該検査ウェハの歩留まりの予測に必要な情報を出力できる画像自動分類方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

To provide an information conversion device for supplying, to a management side, data detected for monitoring the state or process of an object device such as a semiconductor manufacturing device and other information while converting it from a form of symbol such as a digital signal to an expression form facilitating the recognition of the meaning of the information.例文帳に追加

半導体製造装置のような対象装置の状態や工程を監視するために検出されたデータその他の情報を、ディジタル信号のような記号の形からそれらの情報が意味するところを認識しやすい表現形式に変換して、管理側へ供給する情報変換装置を提供する。 - 特許庁

To enable TFTs (thin film transistors) forming peripheral circuits and other TFTs built in an image display region to be efficiently improved in transistor characteristics when a semiconductor device which is, for instance, of a peripheral circuit built-in type and equipped with the polysilicon TFTs formed through a low-temperature process even in an image display region is manufactured.例文帳に追加

例えば周辺回路内蔵型であると共に画像表示領域にも低温プロセスによるポリシリコン型のＴＦＴを備えてなる半導体装置を製造する際に、これらの周辺回路を構成するＴＦＴや、画像表示領域に作り込まれるＴＦＴに係るトランジスタ特性を効率的に向上させる。 - 特許庁

The manufacturing method of semiconductor device including a substrate to be processed having a conductive layer 28 which is mainly formed of platinum comprises a process for etching the conductive layer 28, and processes to generate plasma and to conduct the cleaning of the substrate to be processed to which an etching product 30 is adhered.例文帳に追加

プラチナを主体とする導電層２８を有する被処理基板を含む半導体装置の製造方法であって、前記導電層２８をエッチングする工程と、プラズマを発生させ、このプラズマ中のイオンによってエッチング生成物３０が付着した前記被処理基板をクリーニングする工程とを含む。 - 特許庁

To provide a redundancy operation detecting device and a method for inserting operation stoppage circuit capable of detecting a circuit which operates statically in a non-operation mode and inserting an operation stoppage circuit in a spot to realize low power consumption in a circuit design process to realize low power consumption of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路の低消費電力実現のための回路設計工程における、低消費電力実現の部分に、静的に非動作モード時に動作してしまう回路を検出し、動作停止回路を挿入する冗長動作検出装置および動作停止回路の挿入方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor having good electrophotographic properties which ensure no occurrence of image defects and little potential variation also in the case of an electrophotographic photoreceptor having an intermediate layer, in which an electrostatic latent image is formed on the surface with a semiconductor laser and to provide a process cartridge with the electrophotographic photoreceptor and an electrophotographic apparatus.例文帳に追加

半導体レーザーによって表面に静電潜像が形成される、中間層を有する電子写真感光体においても、画像欠陥が発生せず、電位変動の少ない良好な電子写真特性を有する電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供する。 - 特許庁

To provide a laser annealing method without forming a concentric circle pattern or reducing the formation of the concentric circle pattern using a laser irradiation device of low running cost in order to deal with a large-sized substrate, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device including the laser annealing method in a process.例文帳に追加

大型の基板に対応するためにランニングコストの低いレーザ照射装置を用いたレーザアニール方法において、同心円模様が形成されない、もしくは同心円模様の形成を低減するためのレーザアニール方法および、前記レーザアニール法を工程に含む半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit capable of enhancing the accuracy of outputting timing of an output signal in relation to the variation of an ambient temperature, a process and the like, by minimizing influence on the output timing of the output signal due to the variation, and capable of supplying a signal to the outside in stable AC timing.例文帳に追加

出力信号の出力タイミングに対して、周囲温度やプロセス等のばらつきによる影響を小さく抑えて、それらのバラツキに対する出力信号の出力タイミングの精度を向上することができ、安定したＡＣタイミングで外部に信号を供給することができる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

When the exposure process for a semiconductor wafer 1W is carried out using the exposure light over wavelength of 200 nm EXP, a photomask MR on which a shielding light pattern 5 made by laminating a resist film 4a on a light absorbents organic film 3a with light absorbent for the exposure light EXP is placed, is used.例文帳に追加

半導体ウエハ１Ｗに対して、波長が２００ｎｍを越える露光光ＥＸＰを用いて露光処理を行う際に、その露光光ＥＸＰに対して吸光性を有する吸光性有機膜３ａ上にレジスト膜４ａを積層してなる遮光パターン５が配置されたフォトマスクＭＲを用いる。 - 特許庁

To provide an apparatus and process for manufacturing a crystal sheet whereby a semiconductor crystal sheet having a practical crystallinity (polycrystal) can be manufactured at a high speed without a high-level temperature control; the effects due to rippling and fluctuation of melt surface are suppressed; and a crystal sheet with a curved surface is produced.例文帳に追加

高度な温度制御なしに、実用的な結晶性（多結晶）を有する半導体結晶シートを高速に製造することができ、融液面の揺れや液面変動による影響を抑えることができ、そして曲面からなる結晶シートを製造することができる、結晶シートの製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁

The fabrication process of an MOSFET as the semiconductor device comprises a wafer preparation step of preparing a wafer comprising silicon carbide, an anneal cap forming step of forming a cap layer comprising tantalum carbide or tungsten carbide on the wafer, and an activation anneal step of carrying out activation annealing by heating the wafer.例文帳に追加

半導体装置としてのＭＯＳＦＥＴの製造方法は、炭化珪素からなるウェハを準備するウェハ準備工程と、ウェハ上に炭化タンタルまたは炭化タングステンからなるキャップ層を形成するアニールキャップ形成工程と、ウェハを加熱することにより、活性化アニールを実施する活性化アニール工程とを備えている。 - 特許庁

In the production method of a semiconductor device including a process of transferring a specified pattern by overlapping two photomasks and exposing to light, one photomask 3 having a phase shifter 3d has a shading region 3B3 which functions as the auxiliary pattern to correct the pattern to prevent formation of a constriction.例文帳に追加

２枚のフォトマスクを用いた重ね合わせ露光処理によって、所定のパターンを転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、位相シフタ３ｄを有する一方のフォトマスク３に、パターンのくびれが生じるのを補正するための補助パターンとして機能する遮光領域３Ｂ3 を設けたものである。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for forming a SiO_2 layer 13 on a silicon substrate 11, a step for forming a SiN layer 14 containing nitrogen less than the stoichiometric composition of an SiN film on the SiO_2 layer 13 by using an ALD method, and a step for performing plasma nitriding treatment of the SiN layer 14 at the substrate temperature of lower than 500°C.例文帳に追加

シリコン基板１１上にＳｉＯ_２層１３を形成する工程と、ＳｉＯ_２層１３上にＡＬＤ法を用いてＳｉＮ膜の化学量論的組成よりも窒素が少ないＳｉＮ層１４を形成する工程と、ＳｉＮ層１４を５００℃未満の基板温度でプラズマ窒化処理する工程とを有する。 - 特許庁