「semiconductor process」に関連した英語例文の一覧と使い方(150ページ目) - Weblio英語例文検索

The damage given to the element constituted in an LDD structure by the plasma process performed in the LDD forming step is reduced to the utmost, by forming the element by this method of manufacturing the semiconductor device utilizing a hard mask after a conductive film is formed to cover the whole surface of a substrate.例文帳に追加

基板全面を覆うように導電性膜を形成した状態で、ハードマスクを利用した半導体装置の作製方法でＬＤＤ構造の素子を形成することにより、ＬＤＤ形成工程におけるプラズマプロセスによる素子への損傷を極力低減する。 - 特許庁

In this forming method of an Al wiring, a TiN film 4 which is nitrified by including N2 gas into process gas during the formation of the Ti film 2 on the semiconductor substrate 1 is formed on the Ti film 2, and thereafter the Al wiring film 3 is formed and made to reflow through the use of high- temperature sputtering.例文帳に追加

また、半導体基板１上へのＴｉ膜２の形成時にプロセスガスの中にＮ_2 ガスを混入して窒化させたＴｉＮ膜４をＴｉ膜２上に成膜させ、その後、Ａｌ配線膜３を高温スパッタリングを用いて成膜・リフローさせて成膜するＡｌ配線の形成方法である。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of accurately detecting abnormalities during an EW operation and accurately testing an error process by outputting an operation state information indicating which of a plurality of operation stages is executed according to the progress of the operation stages.例文帳に追加

複数の操作段階の何れを実行中かを示す操作状態情報を、操作段階の進行に合わせて出力することにより、ＥＷ操作中の異常検出を精度良く行うことや、エラー処理の試験を的確に実行することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solar cell, by which contact resistance of a light-receiving surface-side electrode to a semiconductor substrate reliably reduced without performing a complex process such as a chemical treatment using an acid and without causing damage of the internal structure of the solar cell.例文帳に追加

酸による化学処理などの煩雑な工程を実施することなく、かつ太陽電池セルの内部構造の損傷を引き起こすことなく、受光面側電極の半導体基板に対する接触抵抗を確実に低めることを可能とする太陽電池セルの製造方法を提供する。 - 特許庁

A conductive film is processed in a first etching process, and thinned by reprocessing using light ashing, the conductive film is thinly reprocessed, and at the same time, an exposed portion of an insulating film is etched away in the film thickness direction, thereby forming a step on the insulating film, and implanting impurity ions into the semiconductor layer by an ion implantation.例文帳に追加

第１のエッチング工程で導電膜を加工し、ライトアッシングして細く再加工し、導電膜を細く再加工するとともに露出していた部分の絶縁膜を膜厚方向に削り、絶縁膜に段差を作り、イオン注入で不純物イオンを半導体層に注入する。 - 特許庁

To provide a method of heating and cooling a mold for resin encapsulation molding capable of performing resin encapsulation molding of an electronic component such as semiconductor element by using a small-size compression resin encapsulation molding apparatus capable of efficiently and quickly performing a heating and cooling process of both of upper and lower molds in a molding apparatus, and to provide an apparatus for heating and cooling the mold for resin encapsulation molding.例文帳に追加

成形装置における上下両型の加熱冷却工程を効率良く且つ迅速に行う、小型の圧縮樹脂封止成形装置を用いて半導体素子等の電子部品を樹脂封止成形することができる加熱冷却方法とその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for analyzing failure position information, capable of accurately analyzing the cause of the failure in a manufacturing process, by accurately determining the failure position information (wafer map), even in the case where the size ratio of a wafer size to a chip size is large in the measurement of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハの測定で、ウエハサイズとチップサイズのサイズ比が大きい場合でも、不良位置情報（ウエハマッフ°）を正確に判断し、それにより製造工程の不具合原因を正確に解析するすることができる半導体ウエハの不良位置情報の解析方法。 - 特許庁

After reactive gases are removed from exhaust gases in a semiconductor manufacturing process by a reactive gas removing means, filled with a treating agent which reacts with only the reactive gases to absorb them but does not react with PFCs, the concentration of gases of PFCs is measured with high accuracy by this gas analyzer.例文帳に追加

半導体製造プロセスにおける排ガスに対して、反応性ガスのみと反応して吸収し、PFC類とは反応しない処理剤を充填した反応性ガス除去手段により反応性ガスを除去した後、ガス分析器でPFC類ガス濃度を高精度で測定する。 - 特許庁

To provide a composition for forming a lower layer film for lithography and a composition for forming a planarizing film, both being used for a lithography process for manufacturing a semiconductor device, and to provide a lower layer film and a planarizing film that exhibit an etching rate greater than that of a photoresist and does not cause the intermixing with a photoresist.例文帳に追加

半導体装置製造のリソグラフィープロセスに使用される、リソグラフィー用下層膜形成組成物並びに平坦化膜形成組成物、及びフォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、そして、フォトレジストとのインターミキシングを起こさない下層膜並びに平坦化膜を提供すること。 - 特許庁

In the injection process of the melted resin 13, the melted solder powder self-gathers between the connection terminal 11 of the circuit board 10 and the electrode terminal 21 of the semiconductor chip 20, whereby a connection body 22 is formed which electrically connects the connection terminal 11 to the electrode terminal 21.例文帳に追加

溶融樹脂１３の注入工程において、溶融はんだ粉が、回路基板１０の接続端子１１と半導体チップ２０の電極端子２１との間に自己集合することによって、接続端子１１と電極端子２１とを電気的に接続する接続体２２が形成される。 - 特許庁

To provide washing liquid and a washing method for removing strongly bonded etching residues remaining after dry etching in a short time, and for preventing copper wiring raw materials or insulating film materials or the like from being oxidized or corroded in the wiring process of a semiconductor element to be used for a semiconcudctor integrated circuit.例文帳に追加

本発明は、半導体集積回路に用いられる半導体素子の配線工程における、ドライエッチング後に残存する強固に固着したエッチング残渣を短時間で除去し、かつ、銅配線素材や絶縁膜材料等を酸化または腐食しない洗浄液、および洗浄法を提供する。 - 特許庁

To provide a metal polishing liquid capable of obtaining a high polishing speed when polishing a polishing target (wafer) in a semiconductor device manufacturing process and capable of suppressing variation in the polishing speed of the metal polishing liquid resulting from the lapse of time and to provide a chemical mechanical polishing method using the metal polishing liquid.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程において、被研磨体（ウエハ）を研磨する際に、高い研磨速度が得られ、且つ、金属用研磨液の経時による研磨速度の変動が抑制された金属用研磨液、及びそれを用いた化学的機械的研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor which is free of the problem of image blur by gaseous NOx, has sufficient wear resistance and is capable of dealing with a blue semiconductor laser beam source as well, an electrophotographic device which provides high image quality and is substantially maintenance-free by using the same and a process cartridge for the electrophotographic device.例文帳に追加

ＮＯｘガスによる画像ボケの問題が無く、十分な耐摩耗性があり、又、青色半導体レーザー光源にも対応できる電子写真感光体ならびにそれを用いて高画質でメンテナンスが少ない電子写真装置及び電子写真装置用プロセスカートリッジを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein the addition of a circuit used at the time of turning on/off power is unnecessary, the addition of a process and the increase of a manufacturing expenses are prevented, a recovery means is provided to make recovery from a defect by a simple method, and a capacity and reliability are improved.例文帳に追加

電源を入れる時と切る時に用いる回路の追加が不必要であり、プロセスの追加や作製費用の増大を防止し、欠陥を簡便な方法で救済する救済手段を有し、大容量化と信頼性の向上を実現した半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor chip, a sheet 41 sticking to a rear surface 21b and an extended member 43 sticking to a substrate surface 21a near a predetermined cutting line are extended by a cutting process, and a closed cross sectional space S is formed by the extended sheet 41, the extended member 43, and each cutting surface 21d.例文帳に追加

割断工程により、裏面２１ｂに貼着されたシート４１と割断予定ライン近傍の基板面２１ａに貼着された延伸部材４３とが延伸し、このように延伸したシート４１および延伸部材４３と各割断面２１ｄとにより閉断面空間Ｓが形成される。 - 特許庁

To improve a smart card body and a manufacturing method of smart card capable of attaining an easy and flexible manufacturing method of smart card, the method of manufacturing a smart card body 10 for incorporating a semiconductor chip comprises a process for forming a lead frame in a conductive layer 1.例文帳に追加

スマートカードの簡単で柔軟性のある製造方法が達成できるスマートカード本体及びスマートカードの製造方法を改良するために、半導体チップを組み込むためのスマートカード本体（１０）の製造方法は、導電層（１）にリードフレームを形成する工程を含む。 - 特許庁

Since the upper electrode 16 of the humidity detection part 10 and the output part 19 can be electrically connected through the bump 20s formed on the substrate 11 according to the humidity sensor 1, the output part 19 can be formed on the same substrate 11 by a semiconductor process.例文帳に追加

本発明に係る湿度センサ１によれば、湿度検出部１０の上部電極１６と出力部１９とを、基板１１上に形成されたバンプ２０ｓを介して電気的に接続することができるので、出力部１９を半導体プロセスにより同一基板上に形成することができる。 - 特許庁

To provide a remover for multistage processing which safely and efficiently removes an etching residue in a short time that is formed in the forming process of a semiconductor multi-layer wiring structure and a display panel such as a liquid crystal panel, and to provide a stripping method using the remover.例文帳に追加

半導体多層配線構造や液晶パネルなどの表示パネルの配線構造形成工程において形成されるエッチング残渣物を安全に、かつ短時間に効率的に除去することのできる多段階処理用剥離液およびこれを用いた剥離方法を提供する。 - 特許庁

To provide a bonding device which can preventing that out gas exhausted in a WB process from a bonding agent from adhering to a bonding tool, which is mounted with the die pad of a lead frame or a package and a semiconductor chip, and generating various troubles.例文帳に追加

本発明は、ＷＢプロセスにおいて、リードフレーム又はパッケージのダイパッドと半導体チップとを装着している接着剤から放出されたアウトガスがボンディングツールに付着して種々の不都合を生じさせることを防止することが可能なボンディング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a liquid quantity measuring device for exactly measuring the quantity of liquid materials stored in a vessel, especially those used in semiconductor production process and the like, and a liquid supply method used for the liquid supply device provided with such a liquid quantity measuring device.例文帳に追加

容器内に貯蔵された液体材料、特に半導体製造プロセス等で使用される液体材料の液量を正確に測定することのできる液量測定装置、及びそのような液量測定装置を備えた液体供給装置に用いられる液体供給方法を提供する - 特許庁

To provide a method of manufacturing a compound semiconductor which can accelerate the etch rate of even an SiC wafer which requires a high processing temperature, can process a via hole into a rectangular cross-sectional shape with a vertical side wall without extremely thinning the SiC wafer, and allows easy handling of wafers.例文帳に追加

必要とする加工温度が高いＳｉＣウエハでもエッチング速度を早くすることができ、しかもＳｉＣウエハを極度に薄板化せずにバイアホールの断面を側壁が垂直な矩形状に加工でき、ウエハのハンドリングが容易な化合物半導体の製造方法を得る。 - 特許庁

To optimize process conditions and to supervise CMP equipment by enabling residual slurry map detection equipment to detect the state of slurries etc. adhered on wafers after CMP with high accuracy, in order to, for example, realize a semiconductor device having high-reliablility Cu interconnections.例文帳に追加

スラリー残マップ検出装置に関し、ＣＭＰ後のウェーハに付着したスラリー等の状態を精度良く検出できるようにし、プロセス条件の最適化やＣＭＰ装置の状態を監視できるようにして、例えば、信頼性が高いＣｕ配線をもつ半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing chip electronic components such as semiconductor chips at a high yield ratio, at a low cost and with a high degree of reliability while taking full advantage of processing of a wafer as a unit even when most advanced LSIs or bare chips are acquired, and to provide a method for manufacturing dummy wafers used in the process.例文帳に追加

ウェーハ一括処理の特徴を生かしつつ、最先端のＬＳＩやベアチップで入手した場合でも、高歩留り、低コストにして信頼性良く半導体チップ等のチップ状電子部品を製造する方法、及びその際に用いる疑似ウェーハの製造方法を提供すること。 - 特許庁

This method for manufacturing a semiconductor device is provided with a process for forming a thermal oxide film on a substrate having a trench separation region, and characterized by covering a trench isolation region 2 with an anti-oxidation film 17 at the time of forming the thermal oxide film.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、トレンチ分離領域を有する基板上に熱酸化膜を形成する工程を備える半導体装置の製造方法であって、熱酸化膜の形成時に、トレンチ分離領域２を酸化防止膜１７で覆うことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a dicing film where a die and die bonding film are easily separated from an dicing adhesive film and can prevent the adhesive residue on the back of the die bonding film in a pickup process after wafer dicing, and to provide a method for manufacturing a semiconductor package which uses it.例文帳に追加

ウェハダイシング後のピックアップ工程の際に、ダイシング用粘着フィルムからダイおよびダイ接着フィルムの分離を容易にし、かつ、ダイ接着フィルムの後面への粘着物の残留を防止することが可能なダイシングフィルム、およびこれを用いた半導体パッケージ製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the test program suitable for the inspection of each semiconductor device is selected on the basis of the manufacture process information J1 and the electrical inspection is executed, the efficiency of the electrical inspection is improved, the inspection time is shortened and the burdens of the correction and alteration, etc., of the test program are reduced.例文帳に追加

製造プロセス情報Ｊ１に基づいて各半導体装置の検査に好適なテストプログラムが選定され、電気的検査が実行されるので、電気的検査の効率が高められて検査時間が短縮され、テストプログラムの修正、改定等の負担が軽減される。 - 特許庁

The ratio of a dopant quantity in a doping gas is raised, the process time is reduced, and the atmospheric air components (C, N, O) and hydrogen added to impurity ions in doping are reduced to obtain a semiconductor device having a TFT showing good and stable characteristics.例文帳に追加

ドーピングガスにおけるドーパント量の比率を上げて、処理時間を短縮してドーピング時に不純物イオンと同時に添加される大気成分（Ｃ、Ｎ、Ｏ）及び水素を低減させると、良好、且つ、安定した特性を示すＴＦＴを備えた半導体装置を得ることができる。 - 特許庁

To provide a heating and cooling apparatus for manufacturing semiconductors for carrying out heating processing and cooling processing in the manufacturing process of prescribed semiconductor substrates, and capable of applying efficient processing to baking and cooling in a single chamber so as to reduce the whole facility.例文帳に追加

本発明は所定の半導体基板の製造工程における加熱処理および冷却処理を行う半導体製造用加熱冷却装置に関し、単一のチャンバ内でベーキングと冷却において効率的な処理を可能として設備全体の縮小化を図ることを目的とする。 - 特許庁

In a semiconductor device formed of automatic arrangement wiring employing a standard cell by a multi-layer process, the multi-logic cell is arranged below second metal power supply wiring whereby a layout which permits the change of a circuit without changing the chip size or a lower stage layer by arranging the multi-logic cell below the second metal power supply wiring is made.例文帳に追加

スタンダードセルを用いた自動配置配線で多層プロセスにより形成された半導体装置において、第二メタル電源配線下部にマルチロジックセルを配置することでチップサイズや下階層を変更することなく回路変更が可能なレイアウトが作成される。 - 特許庁

To increases inductor characteristics and reliability by eliminating residue and defect of shape of wiring made of Al or the like, and further to shorten processing time by avoiding problems to become the bottleneck in a process, in a semiconductor device having an inductor of a multiplayer interconnection structure in an on-chip state formed on a double poly-silicon type bipolar transistor.例文帳に追加

ダブルポリシリコン型バイポーラトランジスタ上にオンチップで形成される多層配線構造のインダクタを有する半導体装置において、Ａｌ等の配線の残さや形状不良をなくしてインダクタ特性及び信頼性を高め、プロセスネックとなるような問題を回避して加工時間も短縮する。 - 特許庁

To avoid a so-called process antenna problem that an insulating film under a gate electrode of a transistor formed over a semiconductor substrate is damaged by accumulated charge when wiring connected to the relevant gate electrode is formed while the requirement for the signal transmission characteristic of a wiring region is satisfied and the number of manufacturing processes requiring mask correction is controlled.例文帳に追加

半導体基板上に形成されるトランジスタのゲート電極下の絶縁膜が、当該ゲート電極に接続される配線の形成時の蓄積電荷によりダメージを受けるプロセスアンテナ問題を回避しつつ配線レイアウトの変更を行うことが容易でない。 - 特許庁

The cleaning agent contains a polycarboxylic acid and a diethylenetriamine penta acetic acid and is used after a chemical mechanical polishing process of a semiconductor device, having a barrier film for copper diffusion prevention and copper wirings on an insulating film containing an SiOC as a component with a dielectric constant of 3.0 or below.例文帳に追加

ポリカルボン酸およびジエチレントリアミン五酢酸を含有し、ＳｉＯＣを構成成分として含有する誘電率が３．０以下の絶縁膜上に銅拡散防止用バリア膜及び銅配線を備える半導体デバイスの化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤。 - 特許庁

To provide a process for producing an epitaxial wafer for nitride semiconductor light-emitting diode, in which a moderately roughened surface exhibiting high light take-out efficiency is provided, without bringing about increase in fabrication method and fabrication cost, as in the methods where wet etching or a resist pattern have been used for a long time.例文帳に追加

長時間のウエットエッチングやレジストパターンを用いる方法のように製造工程及び製造コストの増加をもたらすことがなく、光取出し効率の高い適度に荒れた表面を有する窒化物半導体発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate with electrically conductive projections and its manufacturing method, and a semiconductor device and its manufacturing method that make it possible to stably form conductive projections with uniform heights and also form wires electrically connected to the conductive projections simultaneously with the forming process of those conductive projections.例文帳に追加

高さの揃った導電突起を安定して形成することができ、更にこれら導電突起の形成工程と同時に導電突起と電気的に接続する配線の形成も可能な導電突起付き基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method for forming a tungsten nitride film uses an MOCVD process, in which a tungsten precursor material and a nitrogen source material are charged into a reaction chamber at a predetermined ratio, and the tungsten nitride film is vapor-deposited on a semiconductor substrate at a predetermined temperature, wherein the nitrogen source material is a hydrazine derivative.例文帳に追加

タングステン前駆体物質及び窒素ソース物質を所定割合で反応チャンバー内へ流入し、所定の温度で半導体基板上にタングステン窒化膜を蒸着するＭＯＣＶＤ工程を用いたタングステン窒化膜の形成方法において、窒素ソース物質をヒドラジン誘導体とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a substrate for a semiconductor integrated circuit which can suppress surface defects such as dishing by progressing polishing at a sufficient polishing speed, in a planarizing process of a polishing target surface by chemical mechanical polishing, and can sufficiently suppress cost in actual usage.例文帳に追加

化学機械研磨による被研磨面の平坦化工程において十分な研磨速度で研磨進行し、ディッシング等の表面欠陥が抑えられ、現実の使用においてもコストを十分に抑える事が出来る半導体集積回路用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A continuous film-forming process for supplying the insulating substrate 70, where the gate electrode is formed to the reaction room 12 of a film forming device, forming a gate oxide film with a chemical vapor phase growing method, and forming a semiconductor thin film by overlapping it on the gate oxide in the same reaction room 12 is executed.例文帳に追加

ゲート電極を形成した絶縁基板７０を成膜装置の反応室１２に投入して化学気相成長法によりゲート酸化膜を形成し、更に同一の反応室１２内でゲート酸化膜に重ねて半導体薄膜を形成する連続成膜工程を行なう。 - 特許庁

To enable the write and erasure of a memory by forming a write pulse or erase pulse having an exact pulse width even when an oscillation frequency is dispersed by a process dispersion in the semiconductor integrated circuit of a microcomputer or the like with built-in non-volatile memory circuit and oscillator.例文帳に追加

不揮発性メモリ回路および発振器を内蔵したマイクロコンピュータ等の半導体集積回路において、プロセスばらつきにより発振周波数がばらついても正確なパルス幅を有する書込みパルスや消去パルスを形成してメモリの書込み、消去を行なうことができるようにする。 - 特許庁

To obtain an optical semiconductor device having an electrode pad surface, whose size makes improvement of light leading-out efficiency and high efficiency of a bonding process compatible with each other, without causing troubles in that a P-N junction is shorted by alignment deviation when an electrode pattern is formed, and a manufacturing method of the device.例文帳に追加

電極パターン形成時のアラインメントずれによりＰＮ接合間がショートされるといったトラブルを起こさず、光取出効率の向上とボンディング工程の効率化を両立させる大きさの電極パッド面を持つ光半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises source regions S1, S2, S3, and the like having source region extended parts S11, S12, S13, and the like extended to parts to become void spaces formed in a layout, by maintaining a depth not reaching an embedded insulating layer of an SOI substrate without obstructing the manufacturing process.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の埋め込み絶縁層に到達しない深さを維持すると共に製造プロセス上の支障にならず且つレイアウト上の空所になる部分に延在するソース領域延在部Ｓ_11、Ｓ_12、Ｓ_13などをもつソース領域Ｓ_1 、Ｓ_2 、Ｓ_3 などが形成されてなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an inspection apparatus which has a structure preventing a fracture of a semiconductor device caused by static electricity, an inspection method using the apparatus, and a method for manufacturing an electro-optical device in electrical characteristics inspection performed in a manufacturing process of electro-optical devices such as a liquid crystal display device.例文帳に追加

電気光学装置の製造工程中に行われる電気特性検査において、静電気による半導体素子の破壊を防止する構造を備えた検査装置、その検査装置を用いた検査方法及び電気光学装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Subsequently, in an annealing treatment process, an annealing treatment is carried out to the silicon oxide film (241a) under the temperature condition that a treatment temperature is set at a temperature of a distortion point of the glass substrate (210) or less, and at an annealing temperature of an activation temperature of a semiconductor layer to be formed on the glass substrate (210) or higher.例文帳に追加

次に、アニール処理工程では、ガラス基板（２１０）の歪み点温度以下であり、且つ、ガラス基板（２１０）上に形成されるべき半導体層の活性化温度以上の温度であるアニール温度に処理温度が設定された温度条件下で、シリコン酸化膜（２４１ａ）にアニール処理を施す。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor integrated circuit wafer having an SiOC film as its interlayer insulator film 12 includes a process of forming a modified layer 13 on the surface of the SiOC film.例文帳に追加

層間絶縁膜１２としてＳｉＯＣ膜を有する半導体集積回路ウエハの製造方法であって、前記ＳｉＯＣ膜を形成するとともにＳｉＯＣ膜の表面に改質層１３を形成する工程を含むことを特徴とする半導体集積回路ウエハの製造方法。 - 特許庁

The organic waste solution 10 containing a phenol resin from semiconductor and liquid crystal factories is subjected to hydrothermal reaction 12 with supercritical water and a phenol resin component is precipitated and separated and recovered in a separating process 14.例文帳に追加

半導体工場、液晶工場から排出されるフェノール樹脂の溶けた有機廃液１０を、超臨界水で水熱反応１２させて液中に溶解したフェノール樹脂の樹脂成分を析出させ、その後、分離工程１４で樹脂成分を分離回収１６するようにしたものである。 - 特許庁

The cleaning agent which is used after a chemical-mechanical polishing process in the semiconductor device having the copper wiring on the surface comprises an organic acid (A) and poly amino carboxylic acid (B) having a sulfone group or a phosphon group as a substituent.例文帳に追加

半導体デバイス製造工程において、表面に銅配線を有する半導体デバイスの化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、（Ａ）有機酸と、（Ｂ）スルホン基またはフォスホン基を置換基として有するポリアミノカルボン酸とを含有する洗浄剤である。 - 特許庁