「semiconductor process」に関連した英語例文の一覧と使い方(147ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a wobble signal processing device for solving the problem that usual processing of analog system is easily influenced by uneven processes in a semiconductor process, reduces the scale of a circuit, saves electric power and improves the quality of the processing signals.例文帳に追加

本発明は、半導体プロセスのにおいて、プロセスのばらつきによる影響を受けやすい従来のアナログ方式処理に鑑みてなされたものであり、回路規模の縮小、低電力化を図るとともに、信号処理品質を向上することができるウォブル信号処理装置を提供する。 - 特許庁

With this structure, since the semiconductor switch elements 12, 13 interchange the roles with the timings, where charge or discharge process of the charge-up capacitor 16 or 17 is completed, a stable input current in which the harmonic elements are controlled can be obtained in a high power-factor with less distortion.例文帳に追加

この構成によりチャージアップコンデンサ１６あるいは１７の充放電が完了するタイミングで半導体スイッチ素子１２、１３が役割入れ替えを行うため、歪みの少ない高力率で高調波成分の抑制された安定した入力電流が得られるようになる。 - 特許庁

An organic metal containing not more than 0.01 ppm of silicon, not more than 10 ppm of oxygen and not more than 0.04 ppm of germanium is then used as a material containing the group III elements to carry out a growth process (S20) for growing the group III-V compound semiconductor on the seed substrate.例文帳に追加

そして、ＩＩＩ族元素を含む原料として０．０１ｐｐｍ以下のシリコンと、１０ｐｐｍ以下の酸素と、０．０４ｐｐｍ未満のゲルマニウムとを含む有機金属を用いて、種基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる成長工程（Ｓ２０）を実施する。 - 特許庁

When wall spacers are formed on both side surfaces of a gate pole, the distance between a silicide and a channel can be shortened, by advancing a silicide process, after removing a fixed width of a semiconductor substrate both sides of the wall spacers by adjusting the amount of etching gas.例文帳に追加

ゲート電極の両側面に側壁スペーサを形成する時、エッチングガスの量を調節して側壁スペーサの両側の半導体基板の一定厚さを除去した後、シリサイド工程を進行することにより、シリサイドとチャネルとの間の距離を短縮させることができる。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor that has good flowability, curability, mold releasability and continuous moldability during the encapsulation molding process and is almost free from the occurrence of staining of the appearance of a resin cured product and staining of a mold even when the blending amount of an inorganic filler is increased.例文帳に追加

無機充填材の配合量を高めた場合でも、封止成形時において良好な流動性、硬化性、離型性、連続成形性を有し、かつ樹脂硬化物の外観汚れや金型汚れが発生し難い半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a wiring board for semiconductor device mounting package such as a tape carrier, a TAB tape, or a minute flexible printed wiring board, which can solve the problem of rolling-in of air bubbles without using a vacuum lamination process and also without adding an adhesion layer etc.例文帳に追加

真空ラミネーションプロセスを用いることなく、また接着層等を付加することなく、気泡の巻き込みの問題を解消することのできる、テープキャリアまたはＴＡＢテープもしくは微小フレキシブルプリント配線板のような半導体装置実装パッケージ用配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a heat history of the manufacture process of a memory circuit from affecting a well region of a logic circuit, and to prevent introduction of contaminants to a substrate at the time of ion implantation for well region formation in a semiconductor device for which the memory circuit and the logic circuit are consolidated.例文帳に追加

記憶回路部と論理回路部とを混載する半導体装置において、記憶回路部の製造工程の熱履歴が論理回路部のウエル領域に影響を与えないようにし、また、ウエル領域形成のイオン注入時に基板への汚染物質の導入を防止できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus for quickly and accurately changing a controlled variable to a target value to thereby make the controlled variable quickly follow the target value, automatically adjusting the controlled variable and target value, and improving the production efficiency of the process.例文帳に追加

制御量を迅速且つ正確に目標値へ変化させることができて、速やかに制御量を目標値に追従させることができ、しかもそれらの調整を自動で行うことができ、プロセスの生産効率を向上させることができる半導体製造装置を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that suppresses a drop in On-state current of a transistor while having a gate electrode that prevents the occurrence of depletion effects and suppresses oxidation in a manufacturing process, corrosion due to chemicals, and contamination of a heat treatment device due to metals contained in the gate electrode, and its manufacturing method.例文帳に追加

空乏化を生じず、また、製造工程における酸化、薬液による腐食、含有する金属による熱処理装置の汚染を抑えることのできるゲート電極を有し、且つトランジスタのオン電流の低下を抑えることのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fine patterning method capable of forming a sparse pattern while suppressing deformation and "tilting" by improving various tolerances of etching, and the like, utilizing the curing effect of vacuum UV-rays, and to provide a fabrication process of semiconductor device employing the fine patterning method.例文帳に追加

真空紫外線によるキュア効果を利用してエッチングなどの各種の耐性を改善し、変形や「倒れ」などを抑制できる疎なパターンを形成可能とした微細パターン形成方法及びこの微細パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Upon manufacturing an active matrix substrate of a liquid crystal device, a plastic sheet 50 for use as a base body is laminated on a sheet carrier substrate 55 (laminating step), under which condition a TFT or the like is formed on the plastic sheet 50 by a semiconductor process (element forming step).例文帳に追加

液晶装置のアクティブマトリクス基板を製造するにあたって、その基体として用いるプラスチックシート５０をシート支持用基板５５に積層し（積層工程ＳＴ１）、この状態のままで、プラスチックシート５０に対して半導体プロセスを用いて、ＴＦＴなどを形成する（素子形成工程ＳＴ２）。 - 特許庁

To provide a method for detoxicating exhaust gas by which exhaust gas containing high concentration or large quantity of gaseous fluorine or gaseous halogen fluoride and discharged from a semiconductor manufacturing process, can be treated, safety and energy saving can be attained and detoxication treatment can be more efficiently performed and to provide an apparatus for the same.例文帳に追加

フッ素ガスまたはフッ化ハロゲンガスを、高濃度もしくは大量に含む、半導体製造工程から排出される排気ガスを処理することができ、安全で省エネルギーであり、より効率的に除害処理することが可能な除害方法および装置を提供する。 - 特許庁

A setting of the exposure parameter in every exposure process is adjusted according to deviations in optical proximity effects of respective areas in a semiconductor substrate, whereby a deviation in the optical proximity effect of an exposure area is compensated for, resulting in a fixed and uniform optical proximity effect.例文帳に追加

半導体基板におけるそれぞれの露光エリアの光学近接効果の偏差に応じて、毎度の露光プロセスの露光パラメータ設定を調整することによって、露光エリアの光学近接効果の偏差を補償し、固定で均一な光学近接効果の結果を得られる。 - 特許庁

The composition for removing a photoresist residue and/or a polymer residue generating in a manufacturing process of a semiconductor circuit element having a metal wiring line contains a fluorine compound by 0.5 to 3.0 mass% and water by less than 30 mass%, with a pH of 4 or less.例文帳に追加

金属配線を有する半導体回路素子の製造工程において生じるフォトレジスト残渣及び／又はポリマー残渣を除去する組成物であって、フッ素化合物を０．５〜３．０質量％および水を３０質量％超えない量含み、ｐＨが４以下である、前記組成物。 - 特許庁

To improve a method of a conventional technique so that a thin brittle flat substrate can be subjected to a process for making and forming semiconductor elements such as solar cells within a desired limit and ought to be protected from breaking and deforming by using an inexpensive means.例文帳に追加

従来の技術のタイプの方法を、薄くて脆い平坦なサブストレートが、所望の範囲で、ソーラセルのような半導体素子を加工及び形成する工程に晒されることができ、安価な方法で破壊及び変形に対する保護が与えられているべきであるように、開発する。 - 特許庁

In a manufacturing method of a semiconductor substrate, a process for changing stress of a hetero-epitaxial layer is performed on a support substrate comprising a structure where the hetero-epitaxial layer whose lattice constant differs from the support substrate, an insulating layer, and an Si layer are sequentially laminated for changing distortion of the Si layer.例文帳に追加

半導体基板の製造方法は、支持基板とは格子定数の異なるヘテロエピタキシャル層、絶縁層、Ｓｉ層が順に積層された構造を少なくとも含む支持基板に、前記Ｓｉ層の歪みを変化させるために、前記ヘテロエピタキシャル層の応力を変化させる工程を行なう。 - 特許庁

To provide a method for producing a high purity silicon carbide tube having high purity, excellent in denseness corrosion resistance, strength characteristics or the like and suitably usable as various members for a heat treating apparatus such as a liner tube and a process tube used for a diffusion furnace for semiconductor fabrication.例文帳に追加

高純度で緻密性、耐蝕性、強度特性などに優れ、熱処理装置用の各種部材、例えば半導体製造用の拡散炉に用いられるライナーチューブ、プロセスチューブなどの熱処理部材として好適に用いられる高純度炭化珪素チューブの製造方法を提供する。 - 特許庁

This pad conditioner includes abrasive grains for pad polishing and grinding used in a semiconductor planarization CMP process, a bond layer holding the abrasive grains; and a bed to which the bond layer is fixed, wherein the abrasive grains or coating material coating the abrasive grains is a material having durability against CMP slurry.例文帳に追加

パッドコンディショナーは、半導体平坦化ＣＭＰプロセスに用いるパッド研磨研削用の砥粒と、この砥粒を保持するボンド層と、このボンド層を固着した台とよりなり、砥粒あるいは砥粒を被覆する被膜物質がＣＭＰスラリーに対して耐久性を持つ物質である。 - 特許庁

To provide detecting agent capable of detecting germane and organic silicon compounds such as vinyltrimethylsilane, allylalkoxysilane, etc. discharged from a semiconductor manufacturing process, etc. with high sensitivity without being affected by atmospheric gas, such as hydrogen, etc. and preventing easy decrease of sensitivity due to light, etc. till its use.例文帳に追加

半導体製造工程等から排出されるゲルマン及びビニルトリメチルシラン、アリルトリメチルシラン等の有機ケイ素化合物を、水素等の雰囲気ガスに影響されることなく高感度で検知でき、しかも使用するまでの期間中、光等により容易に感度が低下しない検知剤を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for depositing an epitaxial semiconductor layer with which auto-doping of a front surface of a substrate as well as a back surface defect of the substrate possibly occurring during an epitaxial deposition process for forming the epitaxial layer on the front surface of the substrate are reduced, and to provide a method of using the apparatus.例文帳に追加

基板の前面にエピタキシャル層を形成するためのエピタキシャル堆積プロセス中に、該基板の該前面のオートドープを減少させ、かつ該基板の裏面の欠陥を減少させるエピタキシャル半導体層を堆積するための装置及びその装置を使用するための方法を提供する。 - 特許庁

To provide an adhesive composition rapidly carrying out a radical polymerization reaction at a low temperature, having a wide process margin, excellent adhesive strength and connection resistance and further excellent storage stability and to provide a material for connecting circuits, a connecting structure of circuit members and a semiconductor device.例文帳に追加

低温で迅速にラジカル重合反応を行うことができ、且つプロセスマージンが広く、接着強度や接続抵抗にも優れ、更に貯蔵安定性にも優れた接着剤組成物、回路接続材料、回路部材の接続構造及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor laser element for performing control in a shape of a process at the time of the formation of a ridge stripe and control in etching depth, and for preventing the deterioration of a characteristic and a yield caused by the existence of an ending point detecting layer.例文帳に追加

リッジストライプ形成の際の加工形状の制御性とエッチング深さの制御性とを両立させることができ、かつ、終点検出層が存在することによる特性劣化や歩留りの低下を防ぐことができる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

After forming an oxide film 15 (silicide protection) and a sidewall 16 in the manufacturing process of the semiconductor device comprising a CMOS element and a resistor element, a p^+ source/drain area 14 is formed by injecting impurities into both sides of a gate electrode 7A in an n well 4.例文帳に追加

ＣＭＯＳ素子部と抵抗素子部とを有する半導体装置の製造工程において、酸化膜１５（シリサイドプロテクション）とサイドウォール１６とを形成した後に、Ｎウエル４内におけるゲート電極７Ａの両側に不純物を注入してＰ＋ソース／ドレイン領域１４を形成する。 - 特許庁

In a process/where potting resin is cured, the potting resin shrinks in volume, by which the gap S is decreased also in volume, but the second filler of low elasticity filled into the potting resin is present in the gap S, so that stresses developed on the primary surface of the semiconductor chip by the first filler can be lessened.例文帳に追加

ポッティング樹脂のキュアの工程で、ポッティング樹脂の体積は縮小し、これによって間隙Ｓも縮小されるが、上記低弾性の第２のフィラーが間隙に存在するので、第１のフィラーによって与えられる半導体チップ主面への応力が低減される。 - 特許庁

Removal of a mask in a region to form the semiconductor element and removal of a sacrifice layer and the mask in the region to form the micro structure are carried out in the same process by forming the sacrifice layer by using a mask material to carry out pattern formation of a film in manufacturing the micro machine.例文帳に追加

マイクロマシンの作製に際して、膜のパターン形成を行うためのマスク材料を用いて犠牲層を形成し、半導体素子を形成する領域におけるマスクの除去と、微小構造体を形成する領域における犠牲層とマスクの除去を同一の工程にて行う。 - 特許庁

To provide: an adhesive composition that can be cured sufficiently quickly at low temperatures while exhibiting sufficiently stable adhesion strength, and has a wide process margin for curing; a circuit connecting material; a connecting structure for circuit members; and a semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、低温で十分迅速に硬化処理を行うことができ、且つ硬化処理を行う際のプロセスマージンが広く、十分に安定した接着強度が得られる接着剤組成物、回路接続材料、回路部材の接続構造及び半導体装置を提供するものである。 - 特許庁

To increase a packing density and a yield by eliminating a contact aperture making process by photolithography and by preventing a device from being increased in by an alignment margin, in the manufacture of a MOS semiconductor by forming a drain and a source out of polysilicon.例文帳に追加

ポリシリコンを用いたＭＯＳ半導体装置において、ドレイン、ソースにポリシリコンを形成することを特徴とするＭＯＳ半導体装置の製造方法において、フォトリソグラフィによるコンタクト開口を無くし、目合わせマージンによる素子の増大化を防止し高集積化及び高歩留り化を図る。 - 特許庁

In a process for making contact holes 23 in an insulation film 22 and depositing a barrier conductor film 24 on the surface of the insulation film 22 including the inside of the contact holes 23 by sputtering, means for reducing inflow of plasma electrons to a semiconductor substrate 1 is employed for depositing the barrier conductor film 24.例文帳に追加

絶縁膜２２に接続孔２３が形成され、接続孔２３の内部を含む絶縁膜２２の表面にスパッタリング法にてバリア導体膜２４を堆積する工程において、バリア導体膜２４の堆積にはプラズマ電子の半導体基板１への流入を低減する手法を用いる。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor crystal by an FZ method (floating zone method or floating zone melting method), by which the slip back generated when a raw material and a melting zone are separated and a crystal is completely solidified in a separation process, can be reduced.例文帳に追加

ＦＺ法(フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法)による半導体結晶の製造方法において、切り離し工程で原料と溶融帯域を切り離し完全に結晶を固化させる際に生じるスリップバックを低減できる半導体結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fragile member support capable of stably carrying a fragile member such as a semiconductor wafer and transferring the member to a subsequent process without damaging it after required treatment is completed when conveying the fragile material or machining the wafer such as polishing the rear face.例文帳に追加

半導体ウエハ等の脆質部材の搬送やウエハの裏面研削等の加工を施す際に、脆質部材を安定して保持でき、しかも所要の処理が終了した後には、脆質部材を破損することなく次工程へ移送することができる脆質部材用支持体を提供すること。 - 特許庁

To provide a polishing composition which has high selectivity, in which the polishing rate for copper is large but the polishing rate for a tantalum compound is small and is superior in giving smoothness of surface to a copper- film in a CMP work process for a semiconductor device, having a copper film and a tantalum compound.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

The reflector for the EUV light used for exposing the objective body to the EUV light in a lithographic process for manufacturing a semiconductor device is constituted as a multilayer film structure in which a plurality of layers are repeatedly deposited in the same order.例文帳に追加

半導体装置を製造するためのリソグラフィ工程で極短紫外光による被露光体上への露光を行う際に用いられる極短紫外光の反射体を、複数の層が同一順で繰り返し積層されてなる多層膜構造を有するように構成する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device having a high-k film 21 and a gate electrode 24 formed on a silicon substrate 11, annealing treatment 23 is applied to the substrate after formation of the high-k film in a fluorine atmosphere, and thereafter, the process temperature is set to be lower than 600°C.例文帳に追加

シリコン基板１１上にｈｉｇｈ−ｋ膜２１とゲート電極２４を形成する半導体装置の製造方法において、ｈｉｇｈ−ｋ膜形成後にフッ素雰囲気でアニール処理２３を施し、その後のプロセス温度を６００℃以下で行う、半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device of high yield and reliability wherein, related to a memory where a ferroelectrics is sued as a capacitor insulating film, neither silicon nitride for recovering the damage in an integrated circuit nor a titanium nitride at a metal wiring top layer is released in thermal process.例文帳に追加

強誘電体を容量絶縁膜に用いたメモリにおいて、集積回路の損傷を回復するための窒化シリコン及び金属配線最上層の窒化チタンが熱処理によってはがれず、高歩留り、高信頼性の半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting device and its manufacturing method which is capable of reducing air gaps in an adhesion interface conventionally generated at irregular intervals in adhesion process, and collects the air gaps in a specific point, to minimize the air gaps in adhesion parts except the point.例文帳に追加

従来接着工程において不定期に発生していた接着界面の空隙を減少させることが可能で、特定の場所に空隙を集めそれ以外の接着部分には空隙が極小になるようにする半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The oxidation of filling layers 8a is prevented from being oxidized in an LOCOS process for forming a 6th insulating layer 14a by coating the surfaces of the filling layers 8a for filling trenches formed in a semiconductor layer 3 of the SOI wafer with anti-oxidation layers 13a to suppress the warp of the SOI wafer.例文帳に追加

ＳＯＩウエハの半導体層３に形成したトレンチを充填する充填層８ａの表面を耐酸化層１３ａで被覆することで、第６の絶縁層１４ａを形成するＬＯＣＯＳ工程で、充填層８ａが酸化されることを防止して、ＳＯＩウエハの反りを抑制する。 - 特許庁

To provide a photosensitive heat-resistant resin composition for electronic components which minimizes contamination of metal by organic materials, also minimizes the increase of the electric resistance of a metallic electrode of a semiconductor device, and has such satisfactory chemical resistance and adhesiveness to metal that it withstands a subsequent process.例文帳に追加

金属上の有機物による汚染を最小限にとどめ、半導体素子の金属電極の電気抵抗の増加を最小限にすると同時に、その後の工程にも耐える十分な耐薬品性、金属との接着性を有する電子部品用感光性耐熱性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming an element isolation film in a semiconductor device capable of dissolving the problem that F ions are diffused in a boundary between the element isolation film and the element in an element isolation film formation process and cause the characteristic degradation of the element.例文帳に追加

本発明は、素子分離膜の形成工程時にＦイオンが素子分離膜及び素子間の界面に拡散して素子の特性劣化を引き起こすという問題点を解決することが可能な半導体素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a substrate inspecting apparatus, capable of precisely measuring automatically and analyzing at least the stress and film thickness at a prescribed measuring point in each of all the manufactured semiconductor substrates, so as to contribute to the establishment of a substrate production process of high performance and high productivity.例文帳に追加

製造された全ての半導体基板の所定の測定点における少なくとも応力と膜厚とを自動的に測定し、かつ、的確に分析して高性能で生産性よい基板製造工程の確立に寄与する基板検査装置を提供できるようにする。 - 特許庁

As a result, the optimum conditions of the apparatus can be obtained by the simple flow, the object to be processed such as the lead frame or the like can be rapidly and surely operated, and the processing time of the process such as fixing (die bonding) of the semiconductor chip on the lead frame can be reduced.例文帳に追加

その結果、簡易なフローで装置の最適条件を求めることができ、リードフレーム等の処理対象物を迅速かつ的確に動作させることができ、リードフレーム上に半導体チップを固着（ダイボンディング）する等の処理の処理時間を低減することができる。 - 特許庁

To provide a polishing pad capable of sustaining excellent flattening performance and polishing speed for a long period of time and reduced in the supplying amount of slurry, in the polishing pad employed in a polishing process for flattening minute unevens of a fine pattern formed on a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハ上に微細なパターンが形成されており、該パターンの微小な凹凸を平坦化する研磨工程に使われる研磨パッドにおいて、良好な平坦化性能および研磨速度を長時間に亘って持続させ、かつ、スラリーの供給量が少なくて済む研磨パッドを提供すること。 - 特許庁

To provide a method of fabricating an organic single crystal thin film that can be manufactured at low cost without using an expensive clean room and an expensive vacuum process apparatus, reduces the waste part to exhibit a superior environment property, and has a high crystal quality leading to, for example, a high semiconductor performance.例文帳に追加

本発明は、高価なクリンルームと高価な真空プロセス装置を使うことなく低コストで製造でき、廃棄部分も少なく環境性に優れ、かつ結晶品質が高いことによる例えば半導体性能の高い有機単結晶薄膜作成法を提供すること。 - 特許庁

The method of constituting the metal material includes a step of preparing the substrate including a region formed from a first semiconductor material, and a second material containing germanium separated by a pattern formed from a dielectric material, a step of performing deposition (F2) of a metal layer, and a step of performing a first thermal process (F3).例文帳に追加

第１半導体材料から作られた領域と、誘電体材料から作られたパターンによって分離されたゲルマニウムを含む第２半導体材料から作られた領域と、を含む基板を準備し、金属層を堆積し（Ｆ２）、第１熱処理（Ｆ３）を行うことを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device including a polishing process in which the remaining thickness of a wafer after polishing can be automatically adjusted to a predetermined set thickness with small variance without measuring the remaining thickness of the wafer in the middle of the polishing even when a plurality of wafers to be polished have variance in thickness.例文帳に追加

研磨前の複数のウエハ間に厚さのバラツキがあっても、研磨の途中でウエハの残り厚さを測定することなく、研磨後のウエハ残り厚さを所定の設定厚さにバラツキを小さく自動的に調整できる研磨工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A chuck hand 1 includes a planar hand body 12 where a first receptacle 13 and a second receptacle 14 are opposed each other, and a pressing mechanism 17 in which a pressing surface 21a pushes an edge of a wafer 3 for a semiconductor process toward the first receptacle 13 for gripping along with the first receptacle 13.例文帳に追加

チャックハンド１は、第１受け部１３及び第２受け部１４が互いに対向する板状のハンド本体１２と、押圧面２１ａにより第１受け部１３に向かって半導体プロセス用ウエハ３のエッジを押して、第１受け部１３と共に把持する押圧機構１７とを有する。 - 特許庁