「semiconductor process」に関連した英語例文の一覧と使い方(149ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an abrasive composition for CMP process of a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, having high selectivity to have high abrasion rate of copper and small abrasion rate of the tantalum compound and giving a smooth surface of the copper film.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To easily form a fine impurity region; to eliminate a need of removing a film at every ion implantation; and to reduce man-hours in a method of manufacturing a semiconductor device, which method comprises a process for forming the impurity region with ion implantation.例文帳に追加

本発明はイオン注入により不純物領域を形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、微細な不純物領域の形成を容易にすることができると共にイオン注入毎に膜除去を行う必要がなく工数の削減を図ることを課題とする。 - 特許庁

To provide a method and a device for easily manufacturing a thin film by continuously generating uniform glow discharge plasma under pressure near atmospheric pressure for performing glow discharge plasma treatment stably at manufacturing the thin film in a manufacturing process of a semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子の製造工程における薄膜の製造において、大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して発生させ、安定してグロー放電プラズマ処理を行う方法を用いて、薄膜を容易に製造する方法及びその装置の提供。 - 特許庁

To provide a verification method for mask manufacture errors in multi-exposure techniques by which accuracy of a photomask itself and superposition accuracy of a semiconductor exposure device can individually and independently be observed respectively and mask manufacturing errors can be verified without using a hard mask process environment.例文帳に追加

フォトマスク自体の精度、及び、半導体露光装置の重ね合わせ精度のそれぞれを独立的に観測でき、ハードマスクプロセス環境を用いることなくマスク製造誤差の検証を行うことが可能となる多重露光技術におけるマスク製造誤差検証方法を提供する。 - 特許庁

The method for forming the fine pattern of the semiconductor device includes pretreating a top portion of a photoresist film with an alkane or alcohol solvent in the immersion lithography process and forming an over-coating film, whereby a uniform over-coating film can be formed with a small amount of the solvent.例文帳に追加

液浸露光工程でフォトレジスト膜の上部をアルカンまたはアルコール溶媒で前処理した後、オーバーコーティング膜を形成する段階を含むことにより、少量の溶媒でむらのないオーバーコーティング膜を形成することのできる半導体素子の微細パターン形成方法。 - 特許庁

In a process (1) for epitaxially growing silicon on a single crystal silicon substrate 1, a semiconductor is grown epitaxially on the single crystal silicon substrate 1 in an oxygen atmosphere while adding oxygen to such an extent as the single crystallinity of the single crystal silicon is not collapsed.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１上にシリコンをエピタキシャル成長させる形成工程 において、酸素雰囲気中で単結晶シリコン基板１上に単結晶シリコンの単結晶性を崩さない程度の酸素を含有させつつ当該半導体をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor device comprises a forming process of forming a separation permissible film for adjusting the quantity of impurity separated from a gate electrode on the surface of the gate electrode, at a temperature where the separation of the impurity from the source electrode and the drain electrode can be blocked.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、ソース電極及びドレイン電極からの不純物の離脱を阻止可能な温度で、ゲート電極の表面に、当該ゲート電極から離脱する不純物の量を調整するための離脱許容膜を形成する形成工程を含む。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a thin film semiconductor device in which a thick film (up to several μm) can be crystallized by laser annealing without causing ablation due to bumping of hydrogen when a polysilicon film is formed by irradiating a non-monocrystalline silicon film containing hydrogen with a laser beam.例文帳に追加

水素を含む非単結晶シリコン膜にレーザ照射をすることで多結晶シリコン膜を形成するに際し、水素の突沸に起因するアブレーションを起こさせずに、厚膜（〜数μｍ）をレーザアニールにより結晶化することのできる薄膜半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method capable of achieving improvement of productivity by comprehending completion of calcination without wasting manufacturing energy by sensing a physical change occurring in a calcination process of an oxide semiconductor particle film and by feeding back this to a heat control circuit.例文帳に追加

酸化物半導体粒子膜の焼成工程中に起こる物理的な変化をセンシングし、熱制御回路にフィードバックすることにより、製造エネルギーの浪費無しに焼成の完了を把握することで生産性の向上を図ることが可能な方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film forming material which is effective as an antireflection film material used in microfabrication in a production process of a semiconductor device or the like, and a resist pattern forming method using the same and suitable for immersion lithography with ArF excimer laser light (193 nm).例文帳に追加

半導体素子などの製造工程における微細加工に用いられる反射防止膜材料として有効なレジスト下層膜形成材料及びこれを用い、ＡｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）を用いた液浸リソグラフィーに好適なレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a electrode structure under a conductive plug, which does not generate increase in contact resistance due to oxidation of a conductive plug and contact failure even under an oxide dielectric film formation process, and does not deteriorate the ferroelectric properties of the oxide dielectric.例文帳に追加

酸化物誘電体膜形成プロセスを経ても導電性プラグの酸化によるコンタクト抵抗の増加及びコンタクト不良が生じることがなく、酸化物誘電体の強誘電性を劣化させない導電性プラグ−下部電極構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an etchant for GaInP system compound semiconductor and an etching method which are treated easily, realize the etching at the etching rate which is relatively approximated to that of the etchant for the AlGaInP system and As system compound semiconductors, and obtain a resulting smooth and uniform surface after the etching process.例文帳に追加

手軽に取り扱うことができ、かつAlGaInP系およびAs系化合物半導体などのエッチング液と比較的近いエッチング速度でエッチングが行え、かつエッチング後に得られる表面が平滑かつ均一であるGaInP系化合物半導体用エッチング液およびエッチング方法の提供。 - 特許庁

To provide a light emitting element formed on a gallium oxide substrate which is not affected by etching even with hydrogen gas used in a compound semiconductor growing process of the gallium oxide substrate, and which is superior in substrate planarity and transparency of the substrate; and to provide a manufacturing method of the element.例文帳に追加

ガリウム酸化物基板の化合物半導体成長工程において使用する水素ガスによってもエッチング等の影響を受けず、基板平面性がよく、基板の透明性に優れたガリウム酸化物基板上に形成された発光素子、及び、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for recovering effectively a reusable copper component from a detergent which contains a basic copper carbonate or copper hydroxide used for removing phosphines or a silan base gas contained in an exhaust gas from a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

半導体製造工程等から排出される排ガスに含まれるホスフィン類またはシラン系ガスの除去に使用した塩基性炭酸銅を含む浄化剤、または水酸化銅を含む浄化剤から銅成分を効率よく再使用可能な状態で回収する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nitrogen added silicon semiconductor substrate which is excellent in quality and sufficient in oxygen precipitation after epitaxy, OSF is never transferred to epitaxial layer even at the oxidizing heat treatment in the process, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、エピ後の酸素析出が充分起こり、かつ、デバイス工程中の酸化熱処理においても、ＯＳＦがエピ層に転写することがない、エピ層の結晶品質に優れた窒素添加シリコン半導体基板及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This invention concretely provides the method for forming the semiconductor structure including a plurality of fin FET devices, and provides a method for using a mask getting across it together with a chemical oxide removing (COR) process when a rectangular pattern is formed to demarcate a relatively fine fin.例文帳に追加

具体的には本発明は、複数のフィンＦＥＴデバイスを含む半導体構造を形成する方法であって、長方形のパターンを形成して相対的に細いフィンを画定する際に、これを横切るマスクを、化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスとともに使用する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multilayer circuit wiring board which can assure the reliability even under a temperature variation of electrical joining in a solder reflowing process which is carried out to electrically join a semiconductor element with the multi-layer circuit wiring board and a mounting substrate using the multilayer circuit wiring board.例文帳に追加

半導体素子を多層回路配線板に電気的接合するために行うハンダリフロー過程の電気的接合の温度変化に対しても、信頼性を保証することができる多層回路配線板及びこの多層回路配線板を用いた実装基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor process simulation device which adopts an impurity diffusion model under the consideration of a dislocation loop for reducing a time and labor required for extracting the physical quantity of the dislocation loop from a transmission electron microscope picture.例文帳に追加

転位の輪を考慮に入れた不純物拡散モデルを取り入れた半導体プロセスシミュレーション装置において、転位の輪の物理量を透過電子顕微鏡写真から抽出する時間と労力を低減した半導体プロセスシミュレーション装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having dual work function gates, which easily and reliably manufactures the device without adding substantial complexity of the manufacturing process and costs in manufacturing a CMOS where dual metal gates with a single or dual dielectrics are formed.例文帳に追加

ＣＭＯＳを製造するにおいて、１つまたは２つの誘電体を有するデュアル金属ゲートを形成する場合の、本質的な製造プロセスの複雑さや費用が増加しない、製造が容易で信頼性のある、デュアル仕事関数を有する半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

When this adhesive sheet is used in a process for producing a small-sized electronic part such as a semiconductor wafer, sensing through the adhesive becomes possible and the electronic part can be easily peeled or separated from the adhesive sheet by heating at any arbitrary step.例文帳に追加

そして、この加熱剥離型粘着シートを使用すれば、半導体ウエハ等の小型電子部品の製造工程において、当該粘着シートを介してのセンシングが可能となり、また、任意な段階で加熱により該電子部品を加熱剥離型粘着から容易に剥離ないし分離することができる。 - 特許庁

To improve an image processing speed, and realize concurrent operations in a screen, easiness in manufacturing process simultaneously with improvement in image quality, improvement of manufacturing yield, and suppression of current consumption for simultaneously driving all pixels or many pixels in a semiconductor module provided with a MOS solid-state imaging device.例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像装置を備えた半導体モジュールにおいて、画像処理スピードの向上、画面内の同時性の実現、画質向上と同時に、製造プロセスの容易化、歩留り向上を図り、また全画素または多数画素を同時に駆動するときの消費電流の抑制を可能にする。 - 特許庁

In the chemical mechanical polishing method in a manufacturing process of a semiconductor device, the object to be polished with an embedded interconnection formed in the low relative permittivity insulation film via the barrier metal is polished, by using a polishing solution containing colloidal silica, with a part of the surface covered with aluminum atoms.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨方法であって、低比誘電率の絶縁膜にバリアメタル層を介して埋め込み配線を形成してなる被研磨体を、表面の一部がアルミニウム原子で覆われたコロイダルシリカを含有する研磨液を用いて研磨する。 - 特許庁

The process for fabricating a nitride-based semiconductor laser element comprises a step for etching the backside (nitrogen surface) of an n-type GaN substrate 1 having wurtzite structure by RIE, and a step for forming an n-side electrode 8 on the backside (nitrogen surface) of the etched n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a thin film transistor in which a shallow junction diffusion layer can be formed on the surface layer of a semiconductor thin film and thereby the leak current can be suppressed uniformly by relaxing the electric field at the drain end without providing an LDD region.例文帳に追加

半導体薄膜の表面層に浅い接合の拡散層を形成することが可能で、これによりＬＤＤ領域を設けることなくドレイン端においての電界を緩和してリーク電流を均一に抑えることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the wafer 10A with the adhesive according to the present invention includes a first step of applying an adhesive composition on the surface of the semiconductor wafer 1 by the printing process, and a second step of volatilizing a solvent contained in the adhesive composition having been applied in the first step.例文帳に追加

また、本発明に係る接着剤付きウエハ１０Ａの製造方法は、半導体ウエハ１の表面に接着剤組成物を印刷法によって付設する第１工程と、この第１工程で付設した接着剤組成物に含まれる溶剤を揮発させる第２工程とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a fully silicided gate process in which the width of a gate interconnection is narrow, wherein a contact area between the gate interconnection and a contact can be easily secured and the wire resistance of the gate interconnection can be made small without changing the designing rules of the gate interconnection.例文帳に追加

ゲート配線の幅が狭いフルシリサイド化ゲートプロセスを用いた半導体装置において、ゲート配線の設計ルールを変更することなく、ゲート配線とコンタクトとの接触面積を確保することが容易で且つゲート配線の配線抵抗が小さい半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

In order to correctly obtain effective absorption rate on a surface of a semiconductor substrate, an angular distribution of irradiation light intensity (angular intensity distribution) by a first light source used for calculation of the effective absorption rate is adapted to an angular intensity distribution by a second light source used for an annealing process.例文帳に追加

半導体基板の表面における実効吸収率を正確に求めるべく、当該実効吸収率の算出に用いる第１の光源による照射光強度の角度分布（角度強度分布）を、アニール処理に用いる第２の光源による角度強度分布に適合させる。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a flash memory device, to decrease a cell size by forming a control gate within a minimum line width permitted in the fabrication process of a semiconductor memory device, and to efficiently obtain the operation characteristics of the device even in case of the decrease of the cell size.例文帳に追加

半導体メモリ素子の製造工程で許容される最小の線幅の内側の領域にコントロールゲートを形成して、セルサイズを縮小することが可能であると共に、セルサイズの縮小時にも素子の動作特性が効率的に確保されるようにしたフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit and its test method for preventing the deterioration of reliability due to any pad crack, by changing a test method for testing a wafer and the layers of pads to be connected at the time of test and the layers of pads to be used at the time of completing all processes in the middle of a metal diffusion process.例文帳に追加

メタル拡散工程の途中段階で、ウェハを試験するテスト手法及びテスト時に接続するパッドと全ての工程完了時に使用するパッドの層を変更し、パッドクラックによる信頼性劣化を防ぐ半導体集積回路およびそのテスト方法を提供する。 - 特許庁

During the baking process after the conductive paste is coated to the semiconductor substrate to form the rear surface electrode, Mg is precipitated on the front surface of the Al particle in the Al-Mg alloy powder and then oxidized resulting in the state where MgO is precipitated with deviation on the uppermost surface of the Al particle.例文帳に追加

裏面電極を形成すべく該導電性ペーストを半導体基板に塗布した後の焼成時、Ａｌ−Ｍｇ合金粉末においては、Ａｌ粒子の表面にＭｇが析出し、これが酸化され、ＭｇＯがＡｌ粒子の最表面に偏析した状態が実現される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element capable of preventing the occurrence of a film-thinning phenomenon for relatively thinning the thickness of an oxide film at a boundary surface between an STI(Shallow Trench Isolation) structure and a thick gate oxide film, when a dual gate oxide film process is applied to the normal STI structure.例文帳に追加

ノーマルSTI(normal Shallow Trench Isolation)構造にデュアルゲート酸化膜工程を適用する際に、STIと厚いゲート酸化膜の境界面で前記酸化膜の厚さが相対的に薄くなる薄膜化現象が惹起されることを防ぐことができる半導体素子の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

In a process of forming a plurality of trenches in a semiconductor substrate, an etching gas containing oxygen and at least sulfur hexafluoride is used, where a flow rate of the oxygen is set at approximately 0.8 times or more and 2.0 times or less than a flow rate of the sulfur hexafluoride, or preferably nearly equal flow rate.例文帳に追加

複数のトレンチを半導体基板に形成する工程において、少なくとも六フッ化硫黄、及び、酸素を含むエッチングガスを用い、酸素の流量を六フッ化硫黄の流量の略０．８倍以上２．０倍以下とし、好ましくは略等しい流量とする。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device by a process simpler than that for a conventional lateral trench power MOSFET having a withstand voltage of 80 V at a device pitch shorter than that of a conventional lateral power MOSFET having a withstand voltage lower than 80 V while decreasing on-resistance per unit area.例文帳に追加

従来の耐圧８０Ｖ用の横型トレンチパワーＭＯＳＦＥＴよりも簡素なプロセス工程で製造可能であり、かつ従来の８０Ｖよりも低い耐圧用の横型パワーＭＯＳＦＥＴよりもデバイスピッチが小さくて単位面積当たりのオン抵抗が小さいこと。 - 特許庁

To provide a heat resistant adhesive tape which can restrain a terminal section from being oxidized when heated for masking so that the amount of adhesion of a pressure sensitive adhesive and the like, resulting in a benefit in a succeeding process; and a method for producing a lead frame laminated product and a semiconductor device with the tape.例文帳に追加

マスキングを行う端子部の加熱時における酸化を抑制して、粘着剤等の付着量を少なくすることができ、これにより後の工程に有利となる耐熱性粘着テープ、並びにそれを用いたリードフレーム積層物および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a chip-laminated semiconductor device forming a signal connection between chips in an inductive connection or a capacitive connection, and realizing the decrease of a parasitic capacity, the reduction of the cost of a process, and an improvement in a packaging density in the chip laminating direction while being capable of constituting a high-degree system.例文帳に追加

チップ間の信号接続をインダクティブ接続又はキャパシティブ接続とし、寄生容量の低減、プロセスの低コスト化、及びチップ積層方向の実装密度向上を実現するとともに、高度なシステムの構成が可能となるチップ積層型半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing silicon curved surface bodies used as a material of a curved surface semiconductor or the like, in a simple process and at a low cost, and to provide the silicon curved surface bodies having excellent performance, a device equipped with the silicon curved surface bodies, and a method for manufacturing the device.例文帳に追加

本発明の目的は、低コストで、プロセスの簡便な曲面状半導体等の材料となるシリコン曲面体の製造方法、優れた性能を有するシリコン曲面体、該シリコン曲面体を備えたデバイス、及び該デバイスの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor device including a pattern forming method forms a second thin film on the side wall of a first thin film, and carries out the high precision etch back of the tip of the second thin film formed on that side wall to align the tip according to a planarizing process so that the tip does not become uneven.例文帳に追加

パターン形成方法を含む半導体装置の製造方法として、第１の薄膜の側壁に第２の薄膜を形成し、その側壁に形成された第２の薄膜の先端部が不均一にならないように、平坦化法により、精度良くエッチバックして揃える。 - 特許庁

To provide a technique and equipment which are capable of carrying out a part mounting process of mixedly mounting semiconductor component that are mounted in a flip chip mounting manner by the use of an adhesive agent and passive parts that are suitably mounted by reflow soldering on a circuit board in a shorter time than usual.例文帳に追加

本発明は、接着剤を用いたフリップチップ実装の半導体部品等と、はんだリフロー実装が適する受動部品等が混載した回路基板の部品実装工程において、従来法より工程時間が短い工法および装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A forming process of a resist film on a semiconductor wafer includes first step of coating a resist solution on the wafer, a second step of spreading the resist solution over the entire wafer and adjusting the film thickness to a prescribed level, and a third step of treating the wafer with the resist film by heat at a prescribed temperature.例文帳に追加

半導体ウエハへのレジスト膜の形成工程は、レジスト液をウエハに塗布する第１工程と、レジスト液をウエハ全体に拡げて所定の膜厚に調整する第２工程と、レジスト膜が形成されたウエハを所定の温度で熱処理する第３工程とを有する。 - 特許庁

When the exhaust gas produced in a manufacturing process of semiconductor elements is supplied to a trap main body part 11, an inactive gas is supplied from an inactive gas supply means 40 to the trap main body part 11 and the exhaust gas flowing through the inside of the trap main body part 11 is cooled.例文帳に追加

半導体素子の製造工程において発生する排ガスがトラップ本体部１１に供給されると、トラップ本体部１１に不活性ガス供給手段４０から不活性ガスが供給されて、トラップ本体部１１の内部を通流する排ガスが冷却される。 - 特許庁

This system is applied to a system design support device for handling specifications at the system level such as specifications of software to be executed by a computer, specifications of hardware combining semiconductor elements, specifications of an incorporating system incorporating the software and hardware, and specifications of business process such as a workflow.例文帳に追加

計算機で実行されるソフトウエアの仕様、半導体素子等を組み合わせたハードウエアの仕様、ソフトウエアとハードウエアとを組み合わせた組み込みシステムの仕様、ワークフロー等のビジネスプロセスの仕様などについてのシステムレベルでの仕様を扱うシステム設計支援装置に適用される。 - 特許庁

To provide a thermoelectric conversion element which can attain high efficiency and low cost by reducing loss of power supplied to an electrode connecting between thermoelectric semiconductor elements while achieving high density and compaction of the thermoelectric conversion element, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

熱電変換素子の高密度化および小型化を図ると共に、熱電半導体エレメント間を接続する電極に供給される電力のロスを低減することで、高能率化、低コスト化を達成することが可能な熱電変換素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To markedly lessen a polysilicon gate electrode and a diffusion layer in sheet resistance and to prevent a leakage current from drastically increasing at a diffused layer junction in a salicide process, through which a semiconductor device is formed.例文帳に追加

半導体装置の形成方法であるサリサイドプロセスにおいて、PolySiゲート電極、拡散層のシート抵抗を大幅に低減し、かつ、拡散層の接合リーク電流増加を大幅に防止する半導体薄膜の形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a copper-clad laminate which can be used appropriately as a substrate for electronic parts such as a printed wiring board, a semiconductor package, and IC chips, is excellent in dimensional stability, and can stabilize process conditions after lamination.例文帳に追加

フレキシブルプリント配線板や半導体パッケージ等、ＩＣチップ等の電子部品実装用の基板として好適に用いることのできる寸法安定性に優れ、かつ積層後の工程条件も安定させることができる銅張り積層体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a conductive rolling bearing with low dust generation which is suitable for a conductive rolling bearing for a clean room used for a semiconductor manufacturing facility or for forming a film in a liquid crystal manufacturing process and stable in conductivity either in the atmospheric pressure or vacuum all the time.例文帳に追加

半導体製造設備や液晶製造工程の成膜時に使用される清浄室内用導電性転がり軸受に適用であり、大気圧および真空下の何れでも導電性が常に安定して良好であり、しかも低発塵性の導電性転がり軸受にすることである。 - 特許庁