「semiconductor process」に関連した英語例文の一覧と使い方(144ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a cleaner capable of stably generating an ultrasonic standing wave when cleaning a glass substrate, a silicon substrate, or the like, used in a manufacturing process for a flat panel display and a semiconductor, and capable of reducing the amount of a cleaning liquid used.例文帳に追加

フラットパネルディスプレイや半導体の製造工程などで用いられるガラス基板、シリコン基板などを洗浄する際に、超音波の定在波を安定的に発生させることができ、また、洗浄液の使用量を減少させることができる洗浄装置を提供する。 - 特許庁

To simplify the manufacturing process of a semiconductor apparatus constituting a CMOS circuit by an n-channel MIS transistor and a p-channel MIS transistor forming a gate electrode composed of a metallic material on a gate insulating film composed of a high dielectric material.例文帳に追加

高誘電体材料からなるゲート絶縁膜上に金属材料からなるゲート電極を形成するｎチャネル型ＭＩＳトランジスタおよびｐチャネル型ＭＩＳトランジスタによってＣＭＯＳ回路を構成する半導体装置の製造工程を簡略化する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a fine semiconductor integrated circuit having a thin film resistor in which a wiring pattern is formed by dry etching without an additional formation process for a protective film and without needing particular conditions for etching conditions for forming a contact hole.例文帳に追加

保護膜の形成工程を追加したり、コンタクト孔を形成するためのエッチング条件を特別な条件にすることなく、ドライエッチングにより配線パターンを形成しながら、薄膜抵抗体を有する微細な半導体集積回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, the stress relaxed structure is formed, by forming an insulating layer 4 having a wavy shape that displaces in the thickness direction on a process substrate or a wafer, having a semiconductor element and forming wiring 3 having a wavy shape on the insulating layer.例文帳に追加

また、その応力緩和構造は、工程基板上又は半導体素子を有するウエハ上に厚さ方向に変位する波形形状を有する絶縁層を形成し、その絶縁層の上に波形形状を有する配線を形成することにより形成される。 - 特許庁

To verify timing of worst or best-case simulation after obtaining the result of highly accurately extracting a parasitic element allowing for wiring shape variations occurring in an LSI at random, when verifying timing allowing for variations in a manufacturing process for a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路の製造プロセスばらつきを考慮したタイミング検証を行なう際、ＬＳＩ内でランダムに発生する配線形状ばらつきを考慮して高精度に寄生素子抽出の結果を得てワースト又はベストケースシミュレーションのタイミング検証を行なう。 - 特許庁

In the film formation process for a single film of the nitride compound semiconductor, the mole flow rate of ammonia and the organic nitrogen compound in the nitrogen material gas is controlled to change a supply mole ratio (R=x/(x+y)) of the organic nitrogen compound (x moles) and ammonia (y moles).例文帳に追加

この窒化物系化合物半導体の単一の膜の成膜プロセス中に、窒素原料ガス中のアンモニアと有機窒素化合物のモル流量を制御して、有機窒素化合物（ｘモル）とアンモニアの（ｙモル）の供給モル比（Ｒ＝ｘ／（ｘ+ｙ））を変化させる。 - 特許庁

By using a completely new insulating film called this phosphorus nitride film, an insulating film can be formed which has low tension/low interface state density as compared with the conventional insulating film, and high reliability process suitable for compound semiconductor can be constituted.例文帳に追加

この窒化リン膜という全く新奇な絶縁膜を用いることにより、従来の絶縁膜に比して、低応力・低界面準位密度の絶縁膜の形成を可能とし、化合物半導体に適した高信頼性プロセスを構築することが可能となる。 - 特許庁

To provide a silicon laser device having a IV-group semiconductor such as silicon or germanium similar to the silicon as a basic constituent element on a substrate made of the silicon and the like by a method capable of easily forming the silicon laser device by using a general silicon process, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

通常のシリコン・プロセスを用いて容易に形成可能な方法によって、シリコンなどの基板上に、シリコンやそれに順ずるゲルマニウムなどのIV族半導体を基本構成要素としたシリコン・レーザー素子及びその製造方法を提供する事にある。 - 特許庁

To provide an n-type ohmic electrode having excellent reliability to heat treatment in a manufacturing process, and to use conditions under which large current flows, and having low contact resistance in an n-type ohmic electrode formed on the surface of a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体表面に形成されるｎ型オーミック電極に関して、製造工程における熱処理や高電流が流れる使用条件に対して信頼性に優れており、かつ低い接触抵抗が得られるｎ型オーミック電極を提供する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which polishing can be carried out in accordance with the material of higher polishing rate when films of different materials are polished simultaneously for planarization, and polishing of films of different materials can be ended simultaneously.例文帳に追加

平坦化するべく異なる材質の膜を同時に研磨したとしても、研磨速度の速い材質に合わせて研磨を行うことができるとともに、異なる材質の膜の研磨を同時に終了することができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing composition which has the sufficiently larger polishing rate of a tantalum compound than that of copper and substantially almost not polish SiO_2, in the CMP processing process of a semiconductor device having the barrier layer of the tantalum compound and the insulating layer of the SiO_2.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、タンタル化合物の研磨レートが銅に比べて充分に大きく、ＳｉＯ_２の研磨は実質的に殆んど起こらない研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device 1 having this structure, such a structure and manufacturing process as to satisfy a condition of Y>-0.233X+3.5 (X>0 and Y>0), where X (μm) is the width of the laser-processed trench 20 and Y (mm) is the length of a fillet of the underfil material 5, are employed.例文帳に追加

このような構造を有する半導体装置１において、レーザ加工溝２０の幅Ｘ(μm)とアンダーフィル材５のフィレット長さＹ(mm)とが、Ｙ＞-0.233Ｘ＋3.5（ただし、Ｘ＞０、Ｙ＞０である）の条件を満足する構造並びに製造工程を適用する。 - 特許庁

In an LSI chip, for example, a ring oscillator pattern group 50 containing two types of ring oscillators and a wiring characteristic pattern 51 are formed in a process forming a semiconductor integrated circuit 53 on the chip.例文帳に追加

この求められた各リングオシレータの一段当たりの遅延量と遅延式モデルとに基づいて、係数ａ，ｃの値を求めるための２元一次連立方程式を立て、それを解いて得た係数ａ，ｃの値を前記遅延式モデルに代入して遅延式を完成させる。 - 特許庁

To accurately form the shape of an aperture which is formed in an organic insulating film, and also to form a metal film formed on the sidewall of the aperture thinner than a conventional metal film, in a method of manufacturing a semiconductor device which has a process of forming a wiring or a pier by a damascene method.例文帳に追加

ダマシン法により配線又はビアを形成する工程を有する半導体装置の製法に関し、有機絶縁膜に形成される開口形状を精度良く形成するとともに開口の側壁に形成されるメタルを従来よりも薄くすること。 - 特許庁

To facilitate the selection of an image in which the feature of a defect is best reflected, in a defective image selecting device, a defective image selecting method and a defective image selecting system which are employed upon analyzing a defect generated in the manufacturing process of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハの製造工程において生じる欠陥を解析する際に用いられる欠陥画像選択装置、欠陥画像選択方法及び欠陥画像選択システムにおいて、最も欠陥の特徴がよく映っている画像を選び出すことを容易とする。 - 特許庁

To form an oxide film with improved quality on a semiconductor thin film containing silicon in a low-temperature process where a substrate temperature is at 600°C or lower, and to provide a reliable thin-film transistor with improved performance while keeping the substrate temperature at a low temperature.例文帳に追加

基板温度が６００℃以下の低温プロセスにおいて、シリコンを含む半導体薄膜上に良質な酸化膜を形成すること、および基板温度を低温に保ったまま、性能の優れた信頼性の高い薄膜トランジスタを提供することを目的とする。 - 特許庁

Before a metallic film is deposited on the surface of silicon used for forming the silicide film in a supersonic semiconductor device using cobalt silicide or nickel silicide, a chemical oxide film is formed on the surface of the silicon after a natural oxide film is removed from the surface of the silicon by performing a wet etching process.例文帳に追加

コバルトシリサイドあるいはニッケルシリサイドを使う超高速半導体装置において、シリサイド膜形成のためシリコン表面に金属膜を堆積する前に、シリコン表面から自然酸化膜をウェットエッチングプロセスで除去した後、化学酸化膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin film which uses an ALD (Atomic Layer Deposition) method of forming a metal silicate film whose residual impurity concentration is reduced by carrying out a process of removing impurities in the film using a chamber which is the same used for forming the film, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

成膜と同一の処理チャンバーを用いて膜中の不純物除去処理を行い、残留不純物の濃度が低減された金属シリケート膜を形成するALD法を用いた薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device manufacturing method of the embodiment further comprises a process of bonding a second substrate 2 with the insulation film 8 of the first substrate 1 such that crystal orientation of the photodiode layer 4 agrees with crystal orientation of the second substrate 2.例文帳に追加

実施形態の半導体装置の製造方法は、前記フォトダイオード層４の結晶方位と第２の基板２の結晶方位とが一致するように、前記第１の基板１の前記絶縁膜８に前記第２の基板２を接合する工程をさらに備える。 - 特許庁

This manufacturing method includes the following process: a lower conducting film is formed on a semiconductor substrate, and a lower sacrificial film pattern and an upper sacrificial film pattern, which are laminated, is sequentially formed on the lower conducting film; then a mask spacer is formed on the sidewalls of the sacrificial film patterns.例文帳に追加

この方法は、半導体基板上に下部導電膜を形成し、その結果物上に順次に積層された下部犠牲膜パターン及び上部犠牲膜パターンを形成した後に、上部及び下部犠牲膜パターンの側壁にマスクスペーサを形成する段階を含む。 - 特許庁

To provide a method for growing a GaN compound crystal, where crackings can be prevented from occurring in a GaN compound semiconductor crystal by removing a rare earth 13 (3B) perovskite crystal board by the use of a reduction treatment, before a cooling process is carried out.例文帳に追加

冷却工程の前に希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイト結晶基板を還元処理して除去することにより、ＧａＮ系化合物半導体結晶にクラックが発生するのを防止できるＧａＮ系化合物半導体結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

To improve positive hole concentration in a crystal layer that is made of a group III nitride semiconductor, in which a group II element is added and to reduce the treatment temperature in a heat treatment process for forming a crystal layer into a p-type.例文帳に追加

結晶層ｐ型化のための熱処理工程において、２族元素を添加した３族窒化物半導体からなる結晶層における正孔濃度を向上させかつ処理の低温化を可能とする３族窒化物半導体素子製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor production apparatus, capable of rapidly and accurately changing a control amount to a target value, speedily forcing the control amount to follow the target value, and improving production efficiency by automatically adjusting the process.例文帳に追加

制御量を迅速且つ正確に目標値へ変化させることができて、速やかに制御量を目標値に追従させることができ、しかもそれらの調整を自動で行うことができ、プロセスの生産効率を向上させることができる半導体製造装置を得る。 - 特許庁

To solve a throughput degrading problem when a resist is formed on an almost entire substrate if the resist is intended to be coated and formed on a film other than places where contact holes are formed when forming the contact holes in the manufacturing process of a conventional semiconductor device.例文帳に追加

従来の半導体装置の作製工程においてコンタクトホールを開孔する際、コンタクトホールが形成される箇所以外の膜上にレジストを塗布形成しようとすると、ほぼ基板全面にレジストを形成する事になるため、スループットが大幅に低下する。 - 特許庁

In a cooling process of the second 3-5 group nitride semiconductor layer 3 after the laminating, a stress resulting from difference of thermal expansion coefficient causes warpage on the base substrate 1 on which the nitride crystal substrate 4 is formed and the nitride crystal substrate 4 peels off from the base substrate 1.例文帳に追加

第２の３−５族窒化物半導体層３の積層後の冷却過程で、熱膨張係数差に伴う歪みが窒化物結晶基板４が形成されている下地基板１に反りを生じさせ、窒化物結晶基板４が下地基板１から剥離する。 - 特許庁

To provide a photocatalyst-coated plate which surely restrains rupture of a layer containing a photocatalytic semiconductor and delamination during bending process of a substrate while keeping a high photocatalytic activity, thereby improving industrial productivity, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

高い光触媒活性を保持しつつ、基板の曲げ加工時における光触媒性半導体を含む層の断裂及び層間剥離を確実に抑制し、工業上生産性を向上させることを可能とした光触媒塗装板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A source electrode 50S and a drain electrode 50D are provided, in contact with the crystallized film 42, thereby preventing the oxide semiconductor film 40 from being etched, when etching the source electrode 50S and the drain electrode 50D during a manufacturing process.例文帳に追加

ソース電極５０Ｓおよびドレイン電極５０Ｄを結晶化膜４２に接して設けることにより、製造工程においてソース電極５０Ｓおよびドレイン電極５０Ｄをエッチングする際に酸化物半導体膜４０がエッチングされてしまうことを抑える。 - 特許庁

In the TAB tape for semiconductor device, the inner lead 6 and a wiring pattern 5 are formed by patterning a conductor foil 11 by a wet-etching process using an etchant to which an inhibitor constituted of an organic compound or an inorganic compound is added.例文帳に追加

本発明の半導体装置用ＴＡＢテープでは、インナーリード６および配線パターン５が、有機化合物または無機化合物からなるインヒビタを添加したエッチャントを用いたウェットエッチングプロセスによって導体箔１１をパターン加工することにより形成されている。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element which can operate at high speed and has reversibly stable rewriting characteristics and good resistance value retention characteristics, to provide a process for producing the nonvolatile memory element, and to provide a nonvolatile semiconductor device using the nonvolatile memory element.例文帳に追加

高速動作が可能で、しかも可逆的に安定した書き換え特性と、良好な抵抗値のリテンション特性を有する不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technique capable of improving reliability of a first MISFET and a second MISFET in a manufacturing technique of a semiconductor device where a gate electrode of the first MISFET and a gate electrode of the second MISFET are formed with a separate process.例文帳に追加

第１ＭＩＳＦＥＴのゲート電極と第２ＭＩＳＦＥＴのゲート電極とを別工程で形成する半導体装置の製造技術において、第１ＭＩＳＦＥＴと第２ＭＩＳＦＥＴの信頼性向上を図ることができる技術を提供する。 - 特許庁

Since the dicing cut is executed from the back face side of the semiconductor substrate 11, the tool 4 is prevented from interfering with a dicing blade 13 to become a hindrance even if the tool 4 is not removed from the protective sheet 1, and the dicing process can be surely executed.例文帳に追加

そして、半導体基板１１の裏面側からダイシングカットを行っているため、治具４を保護シート１から取り外さなくても、治具４がダイシングブレード１３と干渉して邪魔になることなく、確実にダイシング工程を行うことが可能となる。 - 特許庁

To remove remaining amorphous or polycrystalline silicon through a process, in which amorphous or polysilicon is deposited on a silicon semiconductor substrate, and the amorphous or polysilicon is solid-phase down selectively only on an impurity diffusion region to a single crystal layer, without treatment at a high temperature, through etching.例文帳に追加

シリコン半導体基板にアモルファス又はポリシリコンを堆積後高温処理を伴わずに選択的にこれを不純物拡散領域上のみ単結晶層に固相成長させる工程を経て残留したアモルファスや多結晶のシリコンをエッチング除去する。 - 特許庁

In an etching process in which an active layer 1a of the semiconductor device is formed on by patterning a polysilicon layer after depositing the polysilicon layers on the insulating substrate 10, front surface of the substrate 10 exposed by removing the polysilicon layer is also slightly etched.例文帳に追加

絶縁性の基板１０にポリシリコン層を堆積した後、当該ポリシリコン層をパターニングして半導体装置の能動層１ａに形成するエッチング工程において、当該ポリシリコン層の除去により露出した基板１０の表面も若干エッチングする。 - 特許庁

To perform crystal growth without using any elaborated growth material such as a material fabricated correspondingly to the shape of a crucible, in the growth process for an at least ternary compound semiconductor crystal, using a zone method.例文帳に追加

結晶成長方法に関し、ゾーン法を適用して三元以上の化合物半導体結晶を成長させるに際し、るつぼの形状に合わせて加工した材料など面倒な成長材料を用いることなく結晶成長を行うことができるようにする。 - 特許庁

To provide a filter cartridge which has the durability for high temperature filtration of 60-80°C of mixed liquid of hydrochloric acid and hydrogen peroxide water which is frequently used in semiconductor production process and is abbreviated as hydrochloric perwater, and isopropanol and is easy in incineration treatment of used filters.例文帳に追加

半導体製造工程で頻繁に用いられる塩酸過水と略称される塩酸と過酸化水素水との混合液及びイソプロパノールの60℃から80℃の高温ろ過に耐性を有し、使用済フィルターの焼却処理が容易なフィルターカートリッジを提供すること。 - 特許庁

To provide a MOS semiconductor element which can be formed through a simple process without adding any mask and contains a diode that can suppress the leakage currents flowing through a static electricity diode between the emitter and the gate and is used for preventing static electricity between the gate and emitter.例文帳に追加

マスクを追加せずに簡単な工程で形成できて、エミッタとゲートとの間の静電気ダイオードを通じて流れる漏れ電流の発生を抑制できるゲートとエミッタとの間の静電気防止のためのダイオードを含むＭＯＳ型半導体素子を提供すること。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition for sealing an optical semiconductor light receiving element, which gives a cured article efficiently shielding a short wavelength region of visible light and having good optical transparency in a longer wavelength region; and to provide a process for producing the same.例文帳に追加

効率的に可視光の短波長領域を遮光し、かつその領域より長波長領域において良好な光透過性を備えた硬化体を得ることのできる光半導体受光素子封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing a satisfactorily qualified polysilicon film on a substrate in the process for manufacturing semiconductor by continuously generating uniform plasma under the pressure in the vicinity of atmospheric pressure and processing the substrate by the plasma.例文帳に追加

半導体素子の製造工程におけるポリ−Ｓｉ膜の製造において、大気圧近傍の圧力下で均一なプラズマを継続して発生させ、基材を該プラズマで処理して、基材上に良質のポリ−Ｓｉ膜を製造する方法及びその装置の提供。 - 特許庁

With respect to an etching process in which a polycrystalline silicon layer 12 formed on a semiconductor silicon wafer 10 is patterned in accordance with a resist pattern 13, plasma of a mixed gas containing SF_6 for isotropic etching and HBr for anisotropic etching is utilized for an etching gas species.例文帳に追加

半導体シリコンウェハ１０上の多結晶シリコン層１２をレジストパターン１３に従ってパターニングするエッチング工程に関し、エッチング用のガス種に、等方性エッチング用としてのＳＦ_6と、異方性エッチング用としてのＨＢｒとを含む混合ガスのプラズマを利用する。 - 特許庁

To drop adhering powder without stopping a disposer, in case that the powder being generated accompanying the combustion of exhaust gas adheres to a scraper, when burning the noxious exhaust gas discharged in the manufacture process of, for example, a semiconductor, thereby making it harmless.例文帳に追加

例えば半導体の製造工程から排出される有害な排ガスを燃焼させて無害化するに当たり、排ガスの燃焼に伴って発生した粉体がスクレーパーに付着した場合、処理装置を停止させることなく付着した粉体を落下させる。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device excellent in crystallinity and having a low ON resistance and sufficient heat resistance while ensuring breakdown voltage performance in reverse bias and lowering Schottky barrier in forward bias, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

逆方向バイアスにおける耐圧性能を確保し、かつ順方向バイアスにおけるショットキー障壁を低くした上で、結晶性に優れてオン抵抗が低く、かつ耐熱性を十分に確保した炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, by forming the barrier metal film from a substance having large oxidation resistance, the oxidation of the barrier metal film during subsequent heat treatment process in the semiconductor device is prevented in an oxygen environment, and deterioration properties of the gate electrode and current leakage phenomenon are prevented.例文帳に追加

従って、バリア金属膜を耐酸化性の大きい物質で形成することで、酸素雰囲気の中で半導体装置の後続熱処理工程中のバリア金属膜の酸化を防止し、ゲート電極の劣化特性及び電流漏れ現象を防止することができる。 - 特許庁

The defective of the evaluation wiring and the defectives besides that can be discriminated easily by writing the specified logic level (an expected value) from the input circuit and reading the logic level latched to the latch circuit under the state, thus shortening the development period of the semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

この状態で、入力回路から所定の論理レベル（期待値）を書き込み、ラッチ回路にラッチされた論理レベルを読み出すことで、評価用配線の不良と、それ以外の不良とを容易に判別でき、半導体製造プロセスの開発期間を短縮できる。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process which forms a metal film with its insulating oxide on the side wall of the hole formed on a semiconductor substrate, and oxidizes the metal film to form an insulating metal oxide film.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板に形成された孔の側壁に酸化物が絶縁性を有する金属薄膜を形成し、この金属薄膜を酸化して絶縁性の金属酸化膜を形成する工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

The polishing solution for metal used in the fabrication process of semiconductor device when a conductor film composed of copper or a copper alloy is polished chemically and mechanically contains following components (1), (2) and (3).例文帳に追加

半導体デバイス製造工程において、銅又は銅合金からなる導体膜を化学的機械的に研磨する際に用いられ、下記（１）、（２）、及び（３）の成分を含むことを特徴とする金属用研磨液、及び該金属用研磨液を用いた研磨方法である。 - 特許庁