「semiconductor process」に関連した英語例文の一覧と使い方(157ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a holding device effective for uniformizing the temperature of the heating surface of a semiconductor wafer in a holding section, in addition to the prevention of discharges at a conductive terminal section and corrosion of the conductive terminal section by a process gas and the shortening of the device lifetime and in addition to being quickly changeable the temperature of the heating surface of the holding section.例文帳に追加

導通端子部での放電を防ぎ、かつ導通端子部がプロセスガスによって腐食し装置寿命が短くなることを防ぐのに加えて、半導体ウェハ保持部の加熱面の温度を迅速に変化させ得るのに加えて、保持部の半導体ウェハ加熱面の温度を均一化させる点で有効な保持装置を提供する。 - 特許庁

To form an FET having good characteristics by raising the concentration of nitride in the vicinity of the surface of a gate insulating film on the side reverse to the interface of the gate insulating film and a silicon substrate, while suppressing diffusion of nitrogen to the vicinity of the interface, in a process for fabricating a semiconductor device by forming a gate insulating film containing nitrogen on the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上に窒素含有ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ゲート絶縁膜のシリコン基板との界面付近への窒素の拡散を抑制しつつ、界面とは逆側のゲート絶縁膜の表面付近の窒素濃度を高めることにより、良好な特性を有するＦＥＴを形成する。 - 特許庁

Wastewater containing hardly decomposable organic matter among various wastewaters from the semiconductor wafer processing process is controlled in pH in the presence of a ferrous salt by a strong acidic waste liquid discharged from a separate system and further treated with hydrogen peroxide-containing wastewater discharged from a separate system to perform synthetic treatment such as the oxidative decomposition of hardly discomposable organic matter by hydrogen peroxide or the like.例文帳に追加

半導体ウェーハ加工工程排水のうち、難分解性有機物系排水を第一鉄塩の存在下で、別の系から排出する強酸性排液にてＰＨを調節して、更に別の系から排出する過酸化水素含有排水の過酸化水素で前記難分解性有機物を酸化分解するなどの総合的な処理を行う。 - 特許庁

This polishing device 1 is configured to set a gain value and a dress time of a polishing pad 13 in a dress position control of a dresser 30 according to a dress rate by a polishing control section 60 in an adjust process before start of a series of polishing processes for polishing a plurality of semiconductor wafers W successively by a polishing tool 10.例文帳に追加

本発明に係る研磨装置１は、研磨工具１０により複数の半導体ウェハＷを連続的に研磨する一連の研磨工程を開始する前のアジャスト工程において、研磨制御部６０により、ドレッサ３０のドレスポジション制御におけるゲイン値および研磨パッド１３のドレス時間をドレスレートに応じて設定するようになっている。 - 特許庁

To provide a manufacturing device controlling method that avoids acquiring wrong recipe IDs (data related to manufacturing/processing conditions) for a manufacturing device or setting up wrong recipe IDs for a manufacturing device so as to improve the manufacturing device in manufacturing yield, which is suitable for controlling the manufacturing device (e.g., a semiconductor manufacturing apparatus used in a wafer process).例文帳に追加

レシピＩＤ（製造処理条件に関するデータ）を必要とする製造装置（例えば、ウエハ工程で使用する半導体製造装置）を管理する場合に使用して好適な製造装置管理方法に関し、レシピＩＤの取得ミスや製造装置へのレシピＩＤの設定ミスという事態を避け、歩留まりの向上を図ることができるようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a stencile mask for ion implantation, having excellent heat resistance, durability and ion implantation accuracy by reducing a critical defect of a stencile mask for ion implantation such as deformation of a membrane due to heat generated from an ion beam in an ion implantation process using the stensile mask for ion implantation to be executed in manufacture of semiconductor devices.例文帳に追加

半導体デバイス作製において行われる、イオン注入用ステンシルマスクを用いたイオン注入工程において、イオンビーム発熱に起因したメンブレンのたわみという、イオン注入用ステンシルマスクの致命的欠陥を低減し、優れた耐熱性や耐久性およびイオン注入精度を有するイオン注入用ステンシルマスクの製造方法を提供すること。 - 特許庁

In this TTL strobe light control device, a control part 6 includes at least either a logarithm compression part 4 including a parasitic bipolar transistor 7 due to the production process of a complementary MOS integrated circuit formed on a common semiconductor substrate or an index extension part 5 including an MOS transistor 8 actuated in a sub threshold area.例文帳に追加

本発明のＴＴＬストロボ調光装置では、制御部６が、共通の半導体基板上に形成された相補型ＭＯＳ集積回路の製造プロセスに起因する寄生バイポーラトランジスタ７を含む対数圧縮部４と、サブスレッショルド領域で作動するＭＯＳトランジスタ８を含む指数伸長部５の少なくともいずれか一方を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a lead frame laminate wherein outer-side terminal portions can be protruded during a plastic molding process and three-dimensional sealing effect is achieved on so small terminals that infiltration of resin cannot prevented only by adhesive force, to provide a heat-resistant sheet for use therefor, and to provide a manufacturing method for a semiconductor device using them.例文帳に追加

樹脂封止時にアウター側の端子部を突出させることができ、しかも、粘着力だけでは樹脂の廻りこみを抑制できなかったような小さな端子に対しても、立体的なシール効果が得られるリードフレーム積層物およびそれに用いる耐熱性シート、並びにそれらを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a trench isolation structure, wherein related to a CMOS integrated circuit, etc., it comprises multiple power source voltage using trench isolation as an element isolation method, both isolation characteristics between NMOS and PMOS at a low power source voltage part and a latch-up resistance of a high power source voltage part are maintained without difficulty in the manufacturing process.例文帳に追加

素子分離方法としてトレンチ分離を用いた多電源電圧を有するＣＭＯＳ集積回路等において、低電源電圧部のＮＭＯＳとＰＭＯＳの分離特性と高電源電圧部のラッチアップ耐性を両立することができると共に、製造工程上の困難性を伴わないトレンチ分離構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus is equipped with a focus ring optimized for the purpose of the process and configured with a dielectric body, a conductor or a semiconductor to which a high frequency is applied by clarifying physical conditions that a sheath-plasma boundary 74 on a wafer 72 and a sheath-plasma boundary on the focus ring 80 are flat so as to establish the design method of its concrete structure.例文帳に追加

ウエハ７２上のシース・プラズマ界面７４とフォーカスリング８０上のシース・プラズマ界面が平坦であるための物理的条件を明らかにし、その具体的構造の設計手法を確立することによって、プロセスの目的に最適化された、高周波を印加した誘電体あるいは導体や半導体で構成されたフォーカスリングを装備する。 - 特許庁

The signal processor 100 is composed roughly of a CPU 1 comprising an integrated circuit such as a semiconductor executing a group of instructions for a password discriminating process, etc., a memory 2 which stores secret data on a password, etc., and a random signal generating circuit 4 which generates a wait signal 3 for stopping the operation of the CPU 1 at random intervals.例文帳に追加

信号処理装置１００は、パスワードの識別処理等の命令群を実行する半導体等の集積回路からなるＣＰＵ１と、パスワード等の秘密データを格納しておくメモリ２と、ＣＰＵ１の動作を停止させるためのウエイト信号３をランダムな間隔で発生させるランダム信号発生回路４とから概略構成される。 - 特許庁

To provide a data analyzing method which can efficiently extract a correlation between variables in record group, can easily extract a failure factor of product or the like when using this, for example, in a field needing a process data analysis of semiconductor product manufacturing field or the like, and can obtain industrial superiority.例文帳に追加

レコード群中の変数間の相関関係を効率的に抽出することができ、これを、例えば、半導体製品製造分野等のプロセスデータの解析を必要とする分野で利用する場合には、製品の不良要因等の抽出を簡便に行うことができ、産業上の優位性を得ることができるようにしたデータ解析方法を提供する。 - 特許庁

In the process for producing a semiconductor substrate by epitaxially growing an SiGe epitaxial layer containing Ge at a set concentration and a silicon thin film sequentially on an SOI substrate and then performing heat treatment a plurality of times at a specified temperature in an oxidizing atmosphere, a silicon thin film is formed after the oxide film is removed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に設定した濃度のＧｅを含むＳｉＧｅエピタキシャル層とシリコン薄膜とを順次エピタキシャル成長を形成し、次に酸化雰囲気下で所定の温度と時間で熱処理を複数回行なった基板において、酸化膜を除去した後にシリコン薄膜を形成したことを特徴とする半導体基板の製造方法である。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate and a field effect transistor, a method for forming an SiGe layer, a method for forming a strained Si layer and a method for manufacturing a field effect transistor in which dislocation density of the SiGe layer is reduced by a method by which restriction on the process and on the degree of freedom in the placement of device design is suppressed.例文帳に追加

半導体基板と電界効果型トランジスタ並びにＳｉＧｅ層の形成方法及びこれを用いた歪みＳｉ層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法において、プロセスの制約が少なく、またデバイス設計の配置自由度における制限が少ない方法で、ＳｉＧｅ層の貫通転位密度を低減すること。 - 特許庁

This inexpensive sheet capable of inhibiting the generation of an outgas even when the sheet is used in a production process for a semiconductor device using heating can be produced by curing an energy ray-curable composition containing an urethane acrylate-based oligomer and a compound having a thiol group in the molecule thereof, and this adhesive sheet can be produced using the sheet.例文帳に追加

ウレタンアクリレート系オリゴマーと、分子内にチオール基を有する化合物とを含有するエネルギー線硬化型組成物を硬化させることで、加熱を伴う半導体装置の製造工程に用いても、アウトガスの発生を抑制することができる安価なシートを製造することができ、該シートを用いて粘着シートを製造することができる。 - 特許庁

Oxygen, carbon dioxide and water contained in crude ammonia as impurities are removed by contacting commercial crude ammonia for industrial use or crude ammonia recovered from the process for gallium nitride type compound semiconductor, with the catalyst having manganese or nickel oxide as the effective component, followed by further contacting the crude ammonia with synthetic zeolite of 4-10 Å equivalent pore diameter.例文帳に追加

工業用として市販されている粗アンモニアまたは窒化ガリウム系化合物半導体プロセスから回収された粗アンモニアを、酸化マンガンまたはニッケルを有効成分とする触媒と接触させた後、さらに細孔径が４〜１０Å相当の合成ゼオライトと接触させて、粗アンモニアに不純物として含まれる酸素、二酸化炭素、水を除去する。 - 特許庁

To provide a flocculation treatment method for silicon particulates and/or colloidal silica containing waste water capable of obtaining treated water having good water quality by subjecting the waste water containing the silicon particulate and/or colloidal silica generated in a semiconductor manufacturing process or the like to flocculation treatment and efficiently recovering the silicon particulates and/or the colloidal silica.例文帳に追加

半導体製造プロセスなどにおいて発生するシリコン微粒子及び／又はコロイドシリカを含有する排水を凝集処理して、シリコン微粒子及び／又はコロイドシリカを効率的に回収し、水質の良好な処理水を得ることができるシリコン微粒子及び／又はコロイドシリカ含有排水の凝集処理方法を提供する。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for etching a metal oxide film where metal and oxygen are bonded using the mixture of reducing gas having properties for reducing the metal oxide film and nonreactive to that metal, and reactive gas having properties for etching that metal as the etching gas.例文帳に追加

金属と酸素が結合した金属酸化膜を還元する性質を有し、かつ、前記金属と非反応の性質を有する還元性ガスと、前記金属を蝕刻する性質を有する反応性ガスとの混合ガスをエッチングガスに用いて、前記金属酸化膜をエッチングする工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a method of forming a proper resist pattern by EB (electron beam) direct lithography and proper circuit pattern thereafter in a manufacturing process of semiconductor devices, etc., using the EB (electron beam) direct lithography, which coats the entire substrate uniformly with an EB (electron beam) direct lithography resist even in the presence of electrodes having a gold layer and wirings on the substrate.例文帳に追加

EB（電子線）直接描画を用いる半導体装置等の製造プロセスにおいて、基板上に金（Au）層を有する電極、配線が存在しても基板全体に均一にEB直接描画用レジストが塗布でき、EBの直接描画による良好なレジストパターン形成、その後の良好な回路パターンの形成を可能とした方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photoelectric composite device permitting to utilize a mounting structure and a mounting process of an existing printed circuit board, eliminate large-scale structures, realize high-density wiring, and shorten a wiring length between a semiconductor chip and an optical element, to provide an optical waveguide used for this device, and to provide a mounting structure of the photoelectric composite device.例文帳に追加

既存のプリント配線板の実装構造及び実装プロセスを利用でき、大掛かりな構造物を排除し得、配線の高密度化が可能であり、半導体チップ−光素子間の配線長を短くできる光電複合装置、この装置に用いられる光導波路、並びに光電複合装置の実装構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a new pulse detection circuit which satisfactorily operates in an ultrahigh frequency band such as IR reaching the limit of element performance in which power consumption is reduced, which is inexpensive, highly reliable and can be manufactured by a normal CMOS semiconductor process, and to provide an envelope detection circuit, an electronic device and a pulse detection method.例文帳に追加

ＩＲのような素子性能の限界に及ぶ超高周波域で良好に動作し消費電力が少なく安価で信頼性が高く且つ通常のＣＭＯＳ半導体プロセスで製造可能な新たなルス検出回路、包絡線検出回路および電子装置ならびにパルス検出方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the manufacturing method of a non-contact type IC card, whether each IC formed on a wafer operates normally or not, is inspected and specific data is written in a nonvolatile memory inside the IC whose result of inspection is normal after a semiconductor process of the wafer is completed when an IC chip for mounting on the IC card is manufactured.例文帳に追加

本発明の非接触式ＩＣカードの製造方法は、ＩＣカードに実装するためのＩＣチップを製造するＩＣ製造時に、ウェハの半導体プロセスを完了した後、ウェハに形成された各ＩＣが正常に動作するか否かを検査し、検査結果が正常であるＩＣの内部の不揮発性メモリに特定データを書き込むように構成したものである。 - 特許庁

Further, even when introduction conditions of the n type or p type impurities and heating conditions of a semiconductor substrate 1 in well formation are predetermined, the reverse withstand voltage of the diode can optionally be set by adjusting the interval of the border area Ad, so the diode can be formed by using the well forming stage in an ordinary CMOS process.例文帳に追加

またｎ型およびｐ型の不純物の導入条件や、ウェル形成時における半導体基板１の加熱条件が予め決まっている場合でも、境界領域Ａｄの間隔を調節することでダイオードの逆方向耐電圧を任意に設定できるので、通常のＣＭＯＳプロセスでのウェル形成工程を用いてダイオードを形成できる。 - 特許庁

To provide a polymer suitable for a positive photosensitive resin composition that includes no halogen atoms in its skeleton, is highly transparent to an i-ray from a mercury lamp and highly sensitive, can be developed with a developing liquid (2.38% TMAH aqueous solution) usually employed in a manufacturing process of a semiconductor device, and gives a thermoset relief pattern when cured at 280°C.例文帳に追加

骨格中にハロゲン原子を含まず、水銀ランプのｉ線に対する透明性が高く高感度であり、半導体装置の製造工程で通常使用される現像液（２．３８％ＴＭＡＨ水溶液）による現像が可能であり、２８０℃のキュアで熱硬化レリーフパターンが得られるポジ型感光性樹脂組成物に適したポリマーを提供する。 - 特許庁

In platemaking plating method for enabling the lead frame or forming a semiconductor package to be subjected to metal plating required or wire bonding, there is a process for forming a resist film made of photoresist in the entire lead frame, and then exposing only the entire back to light, and then performing the pattern exposure of the front for development, metal plating, and resist peeling.例文帳に追加

半導体パッケージを形成するリードフレームにワイヤーボンディングのために必要な金属めっきを施す製版めっき方法において、リードフレーム全体にフォトレジストのレジスト膜を形成した後、まず先に裏面のみを全面露光し、次いで表面のパターン露光を行ってから、現像、金属めっき、レジスト剥離を行う工程を含むようにする。 - 特許庁

To provide a tape carrier for a semiconductor device and its manufacturing method wherein no copper corrosive cracking on a conductor pattern occurs, nor thickness abnormality on a pure tin part in a tin plating layer occurs, while an insulating film such as a high temperature hardening solder resist can be adopted without increasing the number of processes and complicating a manufacturing process.例文帳に追加

導体パターンの銅食われや錫めっき層における純錫部の厚さ異常を生じる虞がなく、かつ工程数の増大や製造工程の煩雑化等を招くことなしに高温硬化型のソルダレジストのような絶縁性被膜を採用することができる半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A thick-film resist formed by a photolithographic technique and a film represented by a silicon oxide film formed by an etching technique with the resist patterns of the thick-film resist as a mask are laminated as a mask for ion implantation in a semiconductor manufacturing process step, by which the ion implantation mask patterns having fine patterns of a high aspect ratio not possible heretofore are obtained.例文帳に追加

半導体製造工程におけるイオン注入用マスクとして、フォトリソグラフィ技術により形成した厚膜レジストと、この厚膜レジストのレジストパターンをマスクとしてエッチング技術により形成した酸化シリコン膜に代表される膜を積層し、従来にない高アスペクト比の微細パターンを有するイオン注入マスクパターンを得るようにした。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a novel polyorganosiloxane composition which is excellent in photosensitive characteristic to a UV i-line and adhesion to an organic thin film, can be cured at a low temperature of 250°C or less, allows extremely small volume shrinkage in a process of this heat-curing, and also has excellent low degassing property in a resin structure and a resin film after heat-curing.例文帳に追加

ＵＶ−ｉ線での感光特性及び有機薄膜に対する接着性に優れ、２５０℃以下での低温硬化が可能であり、この加熱硬化の過程での体積収縮が極めて小さく、更に加熱硬化後の樹脂構造体および樹脂膜において、低デガス性に優れる新規なポリオルガノシロキサン組成物を用いた半導体装置の提供。 - 特許庁

To provide an electrode film/silicon carbide structure whose structure is easy and its manufacturing process is simple and short preventing an electrode film from peeling, to provide a silicon carbide schottky barrier diode, to provide a field effect transistor of a metal-silicon carbide semiconductor structure, to provide the optimum method for forming an electrode film, and to provide a method for manufacturing an electrode film/silicon carbide structure.例文帳に追加

電極膜の剥離を防止しつつ、構造が容易で製造工程が簡易で短い電極膜／炭化珪素構造体、炭化珪素ショットキバリアダイオード、金属−炭化珪素半導体構造電界効果トランジスタ、電極膜の成膜最適化方法および電極膜／炭化珪素構造体の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a defect detector suitable for detecting a defect, such as a void on the bonded interface of transparent substrates composed of a compound semiconductor, which are bonded directly, and a defect detection system capable of surely removing the defect portion in a chip appearance inspection after chip process completion and a defect detection method.例文帳に追加

直接接合により貼り合わされた化合物半導体からなる透明基板の貼り合わせ界面のボイド等の欠陥を検出するのに好適な欠陥検出装置、更にチッププロセス終了後のチップ外観検査において該不良部を確実に取り除くことができる欠陥検出システムおよび欠陥検出方法を提供する。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing method in a manufacturing process of a semiconductor device which can polish an object to be polished, having a low relative permittivity insulation film, a barrier metal layer, and a conductor film at a polishing selectivity appropriate for the conductor film, the barrier metal layer, and the insulation film, while suppressing the damages to the low relative permittivity insulation film.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨方法であって、低比誘電率の絶縁膜とバリアメタル層と導体膜とを有する被研磨体を、該低比誘電率の絶縁膜の損傷を抑制しつつ、導体膜、バリアメタル層、絶縁膜を適切な研磨選択比で研磨できる研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process and an apparatus by which a titanium nitride barrier layer, formed by MOCVD, could be deposited over a semiconductor surface, including the end edge of the substrate, without, however, increasing the thickness of those portions of the titanium nitride barrier layer deposited on the end edge of the substrate, relatively to the thickness of the remainder of the deposited titanium nitride barrier layer.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤによって形成される窒化チタン障壁層を基板の端縁部を含む半導体表面の上に蒸着させ、その際に、基板の端縁部に蒸着された窒化チタン障壁層の部分の厚さを、蒸着された残りの窒化チタン障壁層の厚さに比較して増大させないようにする、プロセス及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a circuit substrate, preventing an ion residue problem of the ion for the cleavage separation in a semiconductor circuit and eliminating an effect, such as shrinking, on the target substrate by a deionizing process under a high temperature, even if an insulating substrate such as a glass substrate, which can not withstand the high temperature, is used as a target substrate.例文帳に追加

半導体回路における、劈開分離のためのイオンのイオン残りを防止するとともに、ターゲット基板としてガラス基板等の、高温に耐えることができない絶縁基板を用いた場合でも、高温下での脱イオン処理によるシュリンク等のターゲット基板への影響を排除することができる回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The sensor part of the infrared detection device of thermal-type forms the micro air bridge structure 11 on the SOI substrate 27 by the ICP dry etching process, the semiconductor diode part 18 comprising a plurality of p-n junction diodes in its active region 12 is formed, and the metal reflecting film 15 and the infrared-absorbing layer 14 are provided there, in this order.例文帳に追加

熱型赤外線検出装置のセンサ部は、ＳＯＩ基板２７上にＩＣＰドライエッチングプロセスによってマイクロエアブリッジ構造体１１を形成し、その活性領域１２に複数のｐｎ接合ダイオードからなる半導体ダイオード部１８を形成し、その上面に金属反射膜１５および赤外線吸収層１４を順に設ける。 - 特許庁

In this cleaning facility for removing the harmful gas discharged from the semiconductor manufacturing process by thermally decomposing the harmful gas by the combustion waste gas or flame obtained by burning the fuel, a side face of the thermal decomposition chamber is a wall having air permeability and heating insulating property, and the oxygen-containing gas is introduced into the thermal decomposition chamber through the wall.例文帳に追加

半導体製造工程から排出される有害ガスを、燃料を燃焼して得られる燃焼排ガスまたは火炎により熱分解して浄化する浄化装置において、熱分解室の側面を通気性及び断熱性を有する壁とし、これを介して酸素含有ガスを熱分解室へ導入する構成を備えた浄化装置とする。 - 特許庁

The method for fabricating the semiconductor device includes at least a process of treating the substrate by generating radical at a small space between a rotor end and the substrate while a rotor end with rotational wing that circulates and evacuates gas of a local region is made to be an electrode and the rotor end is placed near the substrate and a second gas is circulated and evacuated.例文帳に追加

局所領域の気体を旋回させ排気を行う回転翼付きロータ端を電極とし，基板に該ロータ端を近接配置し，該第二の気体を旋回させ排気しながら，該ロータ端と該基板との微小間隙にラジカルを発生させて基板を処理する工程を少なくとも有する半導体装置の製造方法を用いる。 - 特許庁

In the process for exfoliating resist on a semiconductor substrate, a hardened layer 70A on the resist surface is cracked by jetting carbon dioxide aerosol 71 to the resist 70 on the substrate 51, and then super-critical carbon dioxide 40 and additive are supplied into the same chamber 46 so that the resist 70 on the substrate is exfoliated thus cleaning the substrate.例文帳に追加

半導体基板上のレジストを剥離する工程において、基板５１上のレジスト７０に、二酸化炭素エアロゾル７１を噴射することにより前記レジスト表面の硬化層７０Ａに亀裂を発生させた後、同一のチャンバー４６内において超臨界二酸化炭素４０と添加剤とを供給し、基板上のレジスト７０を剥離して基板を洗浄する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device which comprises a process of forming an Al alloy interconnection film to be electrically connected to each region of a transistor, on a silicon substrate formed with the transistor, the Al alloy interconnection film is formed by sputtering, and a bias voltage applied to the silicon substrate side when sputtering is set to 0 V or ground potential.例文帳に追加

トランジスタが形成されたシリコン基板上に、トランジスタの各領域と電気的に接続されるＡｌ合金配線膜を形成する工程を有した半導体装置の製造方法において、Ａｌ合金配線膜の形成工程をスパッタリングによって行い、スパッタリング時に、シリコン基板側に印加するバイアス電圧を０Ｖもしくは接地電位とする。 - 特許庁

To simplify a manufacturing process of a semiconductor device and positionally accurately adjust and control a first layer and a halfway layer for the next second layer or layers after the halfway layer, by confirming comprehensively in lump accuracies of many kinds of the first layers or the halfway layers by detecting and evaluating a transfer shift at each step adjacent shot.例文帳に追加

一層目または途中層の多数の種類の精度確認を総合的に一括して、ステップ隣接ショット間毎の転写ズレを検出して評価することにより、半導体デバイスの製造工程を簡略化でき、かつ、次の第２層目または途中層以降の層のために第１層目または途中層を位置的に精度よく調整制御する。 - 特許庁

To provide a method for producing a new halogen-containing ketone compound, a halogen-containing alkene compound and a halogen-containing alkane compound which are precursors of a perfluoroalkyne compound used as a production raw material of a fluorine-containing polymer, a medicine or an agrochemical, and as a gas for a plasma reaction used in a semiconductor production process, in high yields and high selectivity.例文帳に追加

含フッ素ポリマーや医農薬の製造原料、及び半導体製造工程で使用されるプラズマ反応用ガスなどとして有用なパーフルオロアルキン化合物の前駆体である新規な含ハロゲンケトン化合物及び含ハロゲンアルケン化合物及び含ハロゲンアルカン化合物を高収率、高選択率で製造できる方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method of producing a positive type photosensitive planographic printing plate satisfying stable performance without seasonal variations and the shortening of production process at the same time for the object of forming a positive type photosensitive composition film suitable for direct recording with a semiconductor laser, YAG laser or the like and having high sensitivity, good preservability, chemical resistance and resistance to printing wear.例文帳に追加

半導体レーザーやＹＡＧレーザー等による直接記録に適した高感度で保存性及び耐薬品性並びに耐刷性の良好なポジ型感光性組成膜を形成する目的に対し、季節変動のない安定した性能と製造工程の短縮を同時に満たすポジ型感光性平版印刷版を製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photocurable resin composition which maintains the elastic modulus at elevated temperatures of the Tg or higher, has thermal expansion coefficients of small difference between those at room temperature and an elevated temperature, and has little occurrence of cracks and delaminations owing to no reduction in bond strength at high temperatures, and to provide a process for preparation thereof, a multilayered wiring board using it and a semiconductor device.例文帳に追加

本発明の目的は，Ｔｇ以上の高温における弾性率を保持し，熱膨張率の室温と高温での差が小さく，かつ高温での接着力が低下しないためクラックや剥離が発生しにくい光硬化性樹脂組成物とその製造方法及びそれを用いた多層配線板並びに半導体装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method which prevents the reduction in volume of a floating body by forming a landing plug so as to have a lower part narrower than an upper part in a manufacturing process of a floating body transistor and is capable of preventing a punch-through phenomenon by raising a density through ion implantation to a lower part of the floating body, and to provide a semiconductor storage device fabricated by this method.例文帳に追加

本発明はフローティングボディトランジスタの製造過程でランディングプラグの下部を上部より狭く形成し、フローティングボディの体積が減少するのを防止し、フローティングボディの下部にイオン注入を介して濃度を高めることによりパンチスルー現象を防止することができる方法と、それに伴い製造された半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

For example, when the ESD protective circuit 15 for protecting an internal circuit 13 from electrostatic breakdown is constituted by connecting a plurality of diodes 15a, 15b, 15c in cascade and pulling out a current in a forward direction, in a semiconductor device manufactured by CMOS process, the diodes 15a, 15b, 15c in each stage are formed by different sizes.例文帳に追加

たとえば、ＣＭＯＳプロセスにより製造される半導体装置において、複数のダイオード１５ａ，１５ｂ，１５ｃをカスケード接続し、順方向に電流を引き抜くことによって、内部回路１３を静電破壊から保護するためのＥＳＤ保護回路１５を構成する場合、各段のダイオード１５ａ，１５ｂ，１５ｃを異なるサイズにより形成する。 - 特許庁

The methods manufacture a thinner composition for removing a composition containing cyclic olefin polymers containing two kinds of alcohol ether and two kinds of alcohol ester, and a semiconductor device or a flat display device, and have a process for cleaning an object to be cleaned to which a composition containing cyclic olefin polymers is attached, using the thinner composition.例文帳に追加

２種のアルコールエーテルと２種のアルコールエステルを含有してなることを特徴とする環状オレフィン系重合体含有組成物除去用シンナー組成物、及びこのシンナー組成物を用いて環状オレフィン系重合体含有組成物が付着した被洗浄物を洗浄する工程を有する半導体装置又は平面表示装置の製造方法。 - 特許庁