「semiconductor process」に関連した英語例文の一覧と使い方(159ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an organic photoreceptor improved in sensitivity, degradation in dot reproducibility, or the like, for forming a high density electrostatic latent image on the organic photoreceptor by using image exposure light from a semiconductor laser having an oscillation wavelength of 350 to 500 nm, a light-emitting diode or the like; and to provide an image forming apparatus, a process cartridge, or the like using the organic photoreceptor.例文帳に追加

本願発明の目的は、発振波長が３５０〜５００ｎｍの半導体レーザ又は発光ダイオード等の像露光を用いて有機感光体上に高密度の静電潜像を形成し、感度の改善やドット再現性の劣化等が改善された有機感光体を提供することであり、該有機感光体を用いた画像形成装置、プロセスカートリッジ等を提供することである。 - 特許庁

By the production process, it is possible to provide titanium oxide particles 1 capable of exhibiting non-conventional new material properties which enable Ti_3O_5 particles themselves to always retain the nature of a paramagnetic metal throughout the whole temperature range without undergoing the phase transition at room temperature, unlike conventional bulk materials that undergo phase transitions between a non-magnetic semiconductor and a paramagnetic metal at about 460K.例文帳に追加

これにより、温度が約４６０Ｋ付近において非磁性半導体と常磁性金属とに相転移する従来におけるバルク体とは異なり、室温で相転移せずに、全ての温度領域において、Ｔｉ_３Ｏ_５粒子本体が常磁性金属の特性を常に維持することができるという従来にない新規な物性を発現し得る酸化チタン粒子１を提供できる。 - 特許庁

To provide a TAB (Tape Automated Bonding) tape increasing the reliability in a semiconductor package manufacturing process by preventing generation of foreign matter such as Cu particles with no presence of a Cu or metal pattern layer in a sprocket hole part where friction is generated due to a drive roller in progress of assembling a panel with a drive IC (Integrated Circuit) or a chip/drive IC; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ドライブＩＣまたはチップ／ドライブＩＣとパネルとのアセンブリ進行時に、駆動ローラにより摩擦が発生するスプロケットホールの部位にＣｕまたは金属パターン層が存在せず、Ｃｕパーティクルなどの異物の発生を防止することによって、半導体パッケージの製造工程において信頼性を向上させることができるＴＡＢテープ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a polyimide resin which is soluble in organic solvents and desirably applied to an underfill process where the circuit board on which semiconductor chips have been mounted is a polyimide substrate by selecting a polyimide resin containing a specified proportion of a polyimidosiloxane component.例文帳に追加

ポリイミドフィルムとの濡れ性が良好で半導体チップとポリイミド基板との狭い間隙に容易に充填でき、ポリイミド基板及び半導体チップとの密着性も良好で且つ硬化後にクラックが発生せず、しかも得られた硬化膜が優れた電気的特性と半田耐熱性を併有し、バンプ間の金属のマイグレーションの発生を防止できると共に半導体接点を補強し得る、アンダーフィル材を提供すること。 - 特許庁

A process of manufacturing a semiconductor device having the gate electrode made of metal silicide which is a metal-containing material or metal alone includes steps of: etching the gate electrode 14G, thereafter oxidizing a surface of a gate part; and trimming the gate electrode 14G by exposing the gate part to a gaseous substance containing organic acid and heating it to volatilize a reaction product of the metal and the organic acid.例文帳に追加

金属を含む材料である金属シリサイド或いは金属単体から成るゲート電極をもつ半導体装置を作製する工程に於いて、ゲート電極１４Ｇのエッチング後にゲート部の表面を酸化させ、ゲート部を有機酸を含むガス状物質に曝露すると共に加熱して金属と有機酸との反応生成物を揮発させてゲート電極１４Ｇのトリミングを行う。 - 特許庁

In a semiconductor device, a memory transistor is constituted by laminating a floating gate upon a control gate through a first insulating film, and at least the gate electrode of a select transistor is constituted into a single layer which contains impurities at increased concentrations by implanting ions into a polysilicon film, forming in the same layer as the floating gate electrode of the memory transistor in a source-drain area forming process.例文帳に追加

メモリトランジスタは第１絶縁膜を介してフローティングゲートとコントロールゲートが積層された構造であり、少なくともセレクトトランジスタのゲート電極が、メモリトランジスタのフローティングゲート電極と同層で形成されたポリシリコン膜にトランジスタのソースドレイン領域形成工程におけるイオン注入により不純物濃度が高められた単層構成であることを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a process of subjecting an inter-layer insulating layer 61 to dry etching using a mask having a plurality of first openings and a plurality of second openings arranged more closely than the first openings, and forming first holes reaching a ground layer 10 below the first openings and second holes 41 reaching the ground layer 10 below the second openings.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、複数の第１の開口と第１の開口よりも密に並んだ複数の第２の開口とを有するマスクを用いて層間絶縁層６１をドライエッチングし、第１の開口の下で下地層１０に達する第１のホールと、第２の開口の下で下地層１０に達する第２のホール４１とを同時に形成する工程を備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device which improves an integration degree by reducing an influence of a back bias effect of the storage device having a charge storage layer and a control gate, in which a ratio of capacities of a floating gate to a control gate is further increased without increasing an occupying area and an unevenness of cell characteristics due to a manufacturing process is suppressed.例文帳に追加

電荷蓄積層及び制御ゲートを有する半導体記憶装置のバックバイアス効果による影響を低減させることにより集積度を向上させ、占有面積を増加させずに浮遊ゲートと制御ゲートとの容量の比をより一層増大させるとともに、製造プロセスに起因するセル特性のばらつきが抑制された半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for forming a wiring structure of a conductive material being buried in a first insulator, a step for exposing the wiring structure by removing the first insulator, and a step for forming a second insulator to bury the wiring structure.例文帳に追加

第１の絶縁層に埋設される、導電材料よりなる配線構造を形成する配線構造形成工程と、前記第１の絶縁層を除去して前記配線構造を露出させる絶縁層除去工程と、 前記配線構造を埋めるように第２の絶縁層を形成する絶縁層埋設工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

By including the electrically non-conductive ball in the electrically conductive adhesive for controlling a gap between a semiconductor chip and a substrate, a low cost flip-chip bonding process can be performed by merely controlling the pressure without requiring the other sophisticated control technology, and thereby the processing time can be shortened and the yield of the products can be increased.例文帳に追加

本発明は、導電接着剤の内部に半導体チップと基板との間隔を調整するための非導電性ボールを含ませることによって、別途の精巧な制御技術なしに、単に圧力を調節することによって、低費用でフリップチップボンディング工程を行うことができ、これにより、工程時間を短縮することができ、製品の収率を増加させることができる。 - 特許庁

To solve the problem of low productivity due to time taken for delivery and measurement of a wafer, requiring long hours of work by a skilled engineer, and requiring a positioning device even in a steady production process, owing to entirely manual teaching of a reference position at each port when initiating a conventional facility in a semiconductor manufacturing device having the positioning device and a carrying robot.例文帳に追加

位置決め装置と搬送ロボットとを具える半導体製造装置における従来の設備立ち上げの際の各ポートでの基準位置教示が全て手動で、熟練技術者による長時間作業が必要であり、定常生産工程でも位置決め装置が必要でウエハの受け渡し、測定と時間が掛かり生産性が低いという問題を解決することにある。 - 特許庁

The method of manufacturing gas sensor is provided with a process for bringing a substrate 12 into contact with a processing liquid 22, containing both metallic fluoro complexes and capturing agents for chemically capturing fluorine ions from the metal fluoro complexes or the processing liquid 22, containing only the capturing agent and making the metal oxide semiconductor film deposit onto the substrate 12, while adding the metallic fluoro complexes to the processing liquid 22.例文帳に追加

ガスセンサの製造方法は、金属のフルオロ錯体と金属のフルオロ錯体からフッ素イオンを化学的に捕捉する捕捉剤とを含む処理液２２、または捕捉剤のみを含む処理液２２に、基板１２を接触させ、さらに処理液２２に金属のフルオロ錯体を添加しながら、金属の酸化物半導体膜を基板１２の上に析出させる工程を備える。 - 特許庁

The method for selectively forming an epitaxial thin film on a semiconductor substrate by controlling the flowrate of a gas raw material supplied to a film-formed atmosphere has a process for obtaining the relationship between the growth speed of the epitaxial thin film and the flowrate of the gas raw material by changing the flowrate of the gas raw material that is supplied to the film-formed atmosphere under specific temperature conditions.例文帳に追加

成膜雰囲気に供給するガス原料の流量を制御して、半導体基板上に選択的にエピタキシャル薄膜を形成する方法は、所定の温度条件下で、成膜雰囲気に供給するガス原料の流量を変化させることによって、エピタキシャル薄膜の成長速度とガス原料の流量との関係を求める工程を備える。 - 特許庁

In order to remove a germanium (Ge) contaminant stuck in a manufacturing process of a semiconductor device, a treatment is performed using a solution containing hafnium (HF) after a treatment using an oxidative solution such as an ammonia-hydrogen peroxide solution (APM), hydrochloric acid-hydrogen peroxide solution (HPM), sulfuric acid-hydrogen peroxide solution (SPM), and aqua regia or oxidation treatment such as oxidative plasma treatment.例文帳に追加

半導体デバイス製造過程において付着したゲルマニウム（Ｇｅ）汚染物を除去するために、酸化力を有する溶液、例えば、アンモニア−過酸化水素水（ＡＰＭ），塩酸−過酸化水素水（ＨＰＭ）、硫酸−過酸化水素水（ＳＰＭ）、王水等による処理、もしくは、酸素プラズマ処理等の酸化処理に連続して、弗酸（ＨＦ）含有水溶液による処理を行なう。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for irradiating a substrate 12 being processed with charged particles 13 through a stencil mask 11 having an opening disposed oppositely to the substrate 12 being processed, wherein the potential difference between the stencil mask 11 and the substrate 12 being processed is regulated depending on the level of a current flowing between the substrate 12 being processed and the ground.例文帳に追加

被処理基板１２に対して対向して配置された、開口部を有するステンシルマスク１１を介して、前記被処理基板１２に荷電粒子１３を照射する工程において、前記被処理基板１２とグランドの間を流れる電流値に応じて、前記ステンシルマスク１１と前記被処理基板１２との電位差を調整することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

In the method for fabricating a semiconductor device where silicon insulation films having a different thickness are formed, respectively, in a specified region and other specified region on a substrate, HMDS coating and heating are performed prior to coating of a photoresist layer when photolithographic etching, i.e., boring of an opening 28W, is performed in the process for removing the specified region of a first silicon insulation film 28.例文帳に追加

基板上の特定領域と、他の所定領域において、相互に厚さを異にするシリコン絶縁膜が形成されて成る半導体装置の製造方法であって、第１のシリコン絶縁膜２８の特定領域の除去工程におけるフォトリソグラフィによるエッチング、即ち開口２８Ｗの穿設において、フォトレジスト層の塗布に先立って、ＨＭＤＳ被着と加熱を行うものである。 - 特許庁

To provide a method for forming bump electrodes required at the time of mounting a semiconductor chip on a circuit board by facedown mounting, in which the bump electrodes can be formed accurately on an electrode pattern formed on the circuit board without requiring a highly accurate mask or a process hard to implement even in the case of fine pitch.例文帳に追加

フェースダウン実装工法により、半導体チップを回路基板に実装するような場合に必要な突起電極の形成に際して、狭ピッチにおいても高精度のマスクや実現が困難なプロセスを必要とすることなく、突起電極を回路基板上の電極パターン上に精度よく形成することができる半導体実装用基板における突起電極形成方法を提供すること。 - 特許庁

A transistor having a junction region is formed on a semiconductor substrate, and before forming a contact plug on the junction region, arsenic (As) with the small diffusivity of heat is implanted into the junction region in a plug ion implantation process and ohmic contact is formed to form a shallow junction.例文帳に追加

半導体基板上に接合領域を有するトランジスタを形成し、接合領域上にコンタクトプラグを形成する前にプラグイオン注入工程で熱に対する拡散性(diffusivity)が小さな砒素(As)を接合領域に注入し、オーミックコンタクトを形成することにより、浅い接合(Shallowjunction)を形成すると共に高いブレークダウン電圧の特性、低い漏洩電流特性及び優れたオーミックコンタクト特性を得ることができる。 - 特許庁

The process for manufacturing a photoelectric converter comprises step A for providing a bank pattern having an opening for exposing a part of the surface of one of two electrodes, and a bank surrounding the opening on the surface of one conductive layer; and step B for laminating a plurality of semiconductor layers in the opening along the thickness direction of the bank pattern.例文帳に追加

光電変換装置の製造方法が、２つの電極の一方の表面を部分的に露出する開口部と、前記開口部の周囲を囲むバンク部と、を有するバンクパターンを前記一方の電極の前記表面上に設ける工程Ａと、前記開口部内で前記複数の半導体層を前記バンクパターンの厚さの方向に沿って積層する工程Ｂと、を包含している。 - 特許庁

The adhesive sheet is suitably used in producing the electronic parts by dicing the aggregates of electronic parts obtained by forming a circuit pattern on a semiconductor wafer or on an insulating circuit substrate plate material and a sealed resin packages, etc., obtained by sealing the aggregates of the electronic parts with an epoxy resin, since the adhesive sheet has a large suppressing effect of cut dusts generated in the dicing process.例文帳に追加

本発明にかかる粘着シートは、ダイシング時に発生する切削屑の抑制効果が大きいため、半導体ウエハ又は絶縁物回路基板材上に回路パターンを形成してなる電子部品集合体、及び電子部品集合体をエポキシ樹脂で封止してなる封止樹脂パッケージ等をダイシングして電子部品を製造する際に好適に用いられる。 - 特許庁

A composition for forming the gap filling material containing a polymer solution is used in manufacturing a semiconductor device by a method which consists of coating the substrate having holes with ≥1 aspect ratio defined by height/diameter with a resist and transferring an image to the substrate utilizing a lithography process and is used to flatten the substrate surface by coating the substrate therewith before coating it with the resist.例文帳に追加

高さ／直径で示されるアスペクト比が１以上のホールを有する基板にレジストを被覆しリソグラフィープロセスを利用して基板上に画像を転写する方法による半導体装置の製造において使用され、レジストを被覆する前の該基板に被覆して基板表面を平坦にするために用いる、ポリマー溶液を含有するギャップフィル材形成組成物である。 - 特許庁

To provide a CMOS semiconductor integrated circuit capable of decreasing power consumption at standby time without increasing a dedicated power source for reducing the power consumption at the standby time, separately providing a substrate bias generating circuit, which increases the power consumption and a chip area, and forming a triple well structure to become the cause of complicating a process.例文帳に追加

待機時の消費電力低減のために専用の電源を増やさず、消費電力及びチップ面積の増大を招く基板バイアス発生回路を別途設けることなく、プロセスの複雑化の原因となる三重ウエル構造を形成することなく待機時の消費電力を減少させることができるＣＭＯＳ半導体集積回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor having a high sensitivity, especially a high sensitivity to a characteristic in semiconductor laser wavelength range, voltage stability in repeated use and low in image defect, especially black macular fogging in inversion developing, and a phthalocyanine crystal capable of applying to the photoreceptor, and also to provide preparative method for the crystal, a process cartridge having the photoreceptor and an electrophotographic device.例文帳に追加

高感度、特に半導体レーザー波長領域で高感度特性を有し、繰り返し使用時の電位安定性、加えて画像欠陥、特に反転現象系における黒ポチの少ない電子写真感光体、該感光体を供給し得るフタロシアニン結晶、該フタロシアニン結晶の製造方法、該感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することにある。 - 特許庁

A liner insulation film 18 covers a side circumferential wall of a gate electrode 17a and the end of a gate insulation film to suppress damages to the gate insulation film and a semiconductor substrate caused in the manufacturing process, and a source and drain region 20 is formed and thereafter the extension region 21 is formed to make the joining depth of the extension region 21 comparatively shallow.例文帳に追加

ゲート電極１７ａの側周壁及びゲート絶縁膜端部をライナ絶縁膜１８で覆うことによって、製造工程において受けるゲート絶縁膜及び半導体基体の損傷を抑制し、かつ、ソース及びドレイン領域２０を形成した後、エクステンション領域２１を形成することによって、エクステンション領域２１の接合深さを比較的浅くする。 - 特許庁

To provide an organic photoreceptor capable of reproducing a dot latent image on the organic photoreceptor formed by an image exposure light source, such as a semiconductor laser, as the toner image onto the organic photoreceptor with high minuteness and faithfully transferring the reproduced toner image to the transfer medium, a process cartridge using the organic photoreceptor, an image forming method, and an image forming apparatus.例文帳に追加

本発明の目的は、半導体レーザ等の像露光光源で形成された有機感光体上のドット潜像を有機感光体上に高細密にトナー像として再現し、該再現されたトナー画像を転写媒体に忠実に転写できる有機感光体及び該有機感光体を用いたプロセスカートリッジ、画像形成方法及び画像形成装置を提供することである。 - 特許庁

In a chemical mechanical polishing process for a semiconductor device comprising a barrier layer containing manganese and manganese alloy on the surface, conductive metal wirings and an insulating layer, a polishing liquid is for polishing mainly the barrier layer containing manganese and manganese alloy and the insulating layer, and contains colloidal silica particles having a surface indicating a positive ζ potential, a corrosion inhibitor and an oxidizer.例文帳に追加

表面にマンガン及びマンガン合金を含むバリア層と、導電性金属配線と、絶縁層とを有する半導体デバイスの化学的機械的研磨工程において、主としてマンガン及びマンガン合金を含むバリア層と絶縁層とを研磨するための研磨液であって、表面が正のζ電位を示すコロイダルシリカ粒子と、腐食抑制剤と、酸化剤とを含有する研磨液である。 - 特許庁

In the wafer washing process for semiconductor integrated circuit production, a microfiltration filter cartridge which is composed of a microporous filter membrane (a), a membrane support, a core, an outer peripheral cover and an end plate, which are all made of polysulfone type polymer, is used and (b) the filtration of the washing chemicals is started without prior moistening processing by means of alcohol with respect to the filtration of the washing chemicals.例文帳に追加

半導体集積回路製造のウエハー洗浄工程において、洗浄薬液のろ過に、（ａ）微孔性ろ過膜、膜サポート、コアー、外周カバー及びエンドプレートにより構成されており、上記構成要素の全てがポリスルホン系ポリマーでできている精密ろ過フィルターカートリッジを用い、且つ（ｂ）アルコールによる予備濡らし処理を行うことなく洗浄薬液のろ過を開始する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device includes: a step for forming a high-k gate insulating film 30 on a silicon substrate 200; a step for nitrogenizing the high-k gate insulating film 30 using gas comprising nitrogen gas and rare gas; a step for forming an electrode 32 on the high-k gate insulating film 30; and a process for forming an insulating layer 34 while surrounding the electrode 32.例文帳に追加

シリコン基板２００上にHigh-kゲート絶縁膜３０を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜３０を窒素及び希ガス含有ガスでHigh-kゲート絶縁膜３０を窒化する工程と、前記High-kゲート絶縁膜３０上に電極３２を形成する工程と、前記電極３２を囲むように絶縁層３４を形成する工程とを有する半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory having proper cell operation characteristics, by suppressing impairment of film quality resulting from a post-heating process, when a rare earth oxide, a rare earth nitride or a rare earth oxinitride containing a rare earth element is employed as an inter-electrode insulating film or a block insulating film, thereby avoiding crystallization or deterioration in the permittivity.例文帳に追加

本発明の課題は、希土類元素を含む希土類酸化物、希土類窒化物、または、希土類酸窒化物を電極間絶縁膜やブロック絶縁膜として用いる場合、後熱工程に起因する膜質劣化を抑制し結晶化や誘電率低下を回避して、セル動作特性の良好な不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The dry etching process comprises a step of disposing a semiconductor substrate where the photoresist pattern is formed on an etched membranous object in a reactor, a step of selectively depositing polymer on an upper section of the photoresist pattern by supplying the CO gas into the reactor to form a polymer layer, and a step of etching the etched membranous object with the photoresist pattern and polymer layer as the masks.例文帳に追加

乾式エッチング方法は、被エッチング膜質上にフォトレジストパターンが形成された半導体基板を反応器内に配置する段階と、反応器内にＣＯガスを供給してフォトレジストパターンの上部にポリマーを選択的に蒸着してポリマー層を形成する段階と、フォトレジストパターン及びポリマー層をマスクとして被エッチング膜質をエッチングする段階と、を含む。 - 特許庁

To provide a composition for polishing metals which has the high selecting ratio of the polishing speed of a titanium barrier layer to the polishing speed of a conductive metal, and provide a chemical mechanical polishing method using the composition for polishing metals, in the chemical mechanical polishing process for semiconductor devices which suppresses effectively the occurrence of dishing and uses the titanium barrier layer while achieving a high polishing speed.例文帳に追加

高い研磨速度を達成しつつ、ディッシングの発生を効果的に抑制するとともに、チタンからなるバリア層を用いた半導体デバイスの化学的機械的研磨工程において、チタンからなるバリア層と導電性金属との研磨速度の選択比が高い金属研磨用組成物および該金属研磨用組成物を用いた化学的機械的研磨方法を提供すること。 - 特許庁

To provide ceramics for a plasma treatment apparatus capable of being preferably used for a construction member of plasma treatment apparatuses for fabricating a semiconductor-liquid crystal or the like, wherein corrosion resistance against halogen-based gases or their plasma or the like is excellent, a reduction of resistance can be attained, and an impurity metal contamination caused by the component raw material of the ceramics can be suppressed even in a halogen plasma process.例文帳に追加

ハロゲン系ガスまたはそれらのプラズマ等に対する耐食性に優れ、低抵抗化が図られ、かつ、ハロゲンプラズマプロセスでも、該セラミックスの構成原料に起因する不純物金属汚染を抑制することができ、半導体・液晶製造用等のプラズマ処理装置の構成部材に好適に使用することができるプラズマ処理装置用セラミックスを提供する。 - 特許庁

To provide a material for forming an adhesion reinforcing layer which can reinforce adhesion of a low dielectric constant film and other material, especially adhesion of a low dielectric constant film formed of an inorganic material and other material, and to provide the adhesion reinforcing layer formed by using the material for forming the adhesion reinforcing layer and excellent in adhesion, a highly reliable high speed semiconductor device, and to provide its efficient fabrication process.例文帳に追加

低誘電率膜及び他の部材、特に無機材料で形成された低誘電率膜及び他の部材どうしの密着性を強化することができる密着強化層形成用材料、該密着強化層形成用材料を用いて形成され密着性に優れた密着強化層、高速で信頼性の高い半導体装置及びその効率的な製造方法の提供。 - 特許庁

In this production system of a semiconductor device, a base holder 33, on which bases 40, 41 are mounted, is linearly moved along a linear rail 58, and the movement of the base 40 from the rail 58 to a process treatment apparatus 51 and the movement of the base 41 from the apparatus 51 to the holder 33 can be performed, by using one-dimensional arms 61 and 66.例文帳に追加

この半導体装置の生産システムは、直線状のレール５８に沿って、基台４０,４１が搭載される基台ホルダ３３を直線状に移動させ、１次元アーム６１と６６とを用いて、直線状のレール５８から工程処理装置５１への基台４０の移動と、工程処理装置５１からレール５８上の基台ホルダ３３への基台４１の移動とを実行できる。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition having a wide defocus latitude and excellent in process tolerance, line edge roughness and resolving power or having an improved margin for exposure in the production of a semiconductor device, suppressing the occurrence of development defects, capable of preventing the generation of particles in the dissolution of solid components in a solvent or during storage and capable of preventing a change of sensitivity due to storage.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、デフォーカスラチチュードが広く、プロセス許容性及びラインエッジラフネスや解像力に優れ、あるいは露光マージンが改善され、現像欠陥の発生が軽減され、固形分を溶剤に溶かす時や経時保存時のパーティクルの発生を防止でき、経時保存による感度の変動を防止できるポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for etching a substrate having a through hole 11 in a region different from the through hole 11, wherein etching is carried out after forming resist 72 on the substrate over the opening of the through hole 11 and then patterning the resist by exposure.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、貫通孔１１を有した基板に対し、該貫通孔１１とは異なる領域においてエッチングを行う工程を含む半導体装置の製造方法であって、基板に対し、貫通孔１１の開口面に跨る形にてレジスト７２を形成し、該レジスト７２を露光によりパターニングした後に、エッチングを行うことを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the patterned polyimide precursur film comprises subjecting the photoresist film on a polyimide pattern to a heat treatment for 30 seconds to 30 minutes at a temperature ranging from 40 to 100°C within 30 minutes, before a process of peeling the photoresist film with a peeling liquid after patterning the polyimide precursur film formed on a semiconductor wafer, having a difference in level of ≥2 microns with the photoresist.例文帳に追加

２ミクロン以上の段差を有する半導体ウエハ上に形成されたポリイミド前駆体被膜をフォトレジストでパターン加工した後、ポリイミドパターン上のフォトレジスト被膜を剥離液で剥離する工程の前６０分以内に、４０〜１００℃の範囲の温度で３０秒〜３０分間の加熱処理を施すことを特徴とするパターン化されたポリイミド前駆体被膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for step-down chopper regulator which copes with high-speed oscillation without needing an expensive process, and provides a stable step-down chopping action by widening an input voltage range and performing boot operation certainly even in a light load, and also to provide a step-down chopper regulator and electronic equipment each using it.例文帳に追加

本発明は、高価なプロセスを要することなく、高速発振に対応することができ、入力電圧範囲が広く、かつ、軽負荷時でも確実にブート動作を行うことで安定した降圧チョッピング動作を実現することが可能な降圧チョッパレギュレータ用の半導体装置、並びに、これを用いた降圧チョッパレギュレータ及び電子機器を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a photoelectric conversion element exhibiting good interface characteristics to both an oxide based transparent conductive film and a photoelectric conversion layer in which a high conductivity is ensured while suppressing the quantity of light absorption by preventing the film quality of a p-layer from deteriorating due to the discomposition effect of hydrogen from a semiconductor layer of impurities while securing good interface characteristics.例文帳に追加

良好な界面特性を確保しながら不純物の半導体層からの水素の引き抜き効果によるｐ層の膜質低下を防止して高導電率を確保し、かつ光吸収量を抑制し、しかも酸化物系透明導電膜や光電変換層の双方に対して良好な界面特性をもつ光電変換素子を製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a purifying method, which can remove an amine contained in a waste gas exhausted from a semiconductor manufacturing process or the like with an excellent purifying ability, without producing newly a harmful gas such as NOx, without using a purifying apparatus having a large size or a complex constitution, and without a danger of ignition even in the case of a strong oxidative gas contained.例文帳に追加

半導体製造工程等から排出される排ガスに含まれるアミンを、ＮＯｘ等の有害ガスを新たに発生させることなく、大型の浄化装置あるいは複雑な構成を有する浄化装置を使用することなく、強酸化性ガスが含まれている場合にも発火の危険がなく、優れた浄化能力で除去できる浄化方法を提供する。 - 特許庁

Hardening an underfil resin 3 at the temperature exceeding a melting point of a solder 2 after filling the underfil resin 3 in a gap between the once bonded semiconductor chip 1 and a circuit board 4 expands the gap by a cubical expansion of the resin, under the hardening process of the underfil resin 3 to make the shape of the solder 2 remelted by the hardening heat a drum shape.例文帳に追加

一旦はんだ接合した半導体チップ１と回路基板４の間隙にアンダーフィル樹脂３を充填した後、はんだ２の融点を超える温度でアンダーフィル樹脂３を硬化処理することにより、アンダーフィル樹脂３における硬化進行時の樹脂の体積膨張により間隙を拡張することで、硬化処理熱により再溶融したはんだ２の形状を鼓状にする。 - 特許庁

To provide a remover effective for removal of a photosensitive composition film containing an uncured pigment deposited at the periphery, edges, or back of a substrate or removal of a photosensitive composition containing an uncured pigment deposited at the surface of device members or equipment in a process for forming a photosensitive composition film on a glass substrate, a semiconductor wafer, or the like.例文帳に追加

ガラス基板や半導体ウエーハなどに感光性組成物皮膜を形成する工程において、基板の周辺部、縁辺部または裏面部に付着した未硬化の顔料を含有する感光性組成物皮膜の除去、または装置部材や器具の表面に付着した未硬化の顔料を含有する感光性組成物の除去に有効な除去液を提供する。 - 特許庁

One bit constituting a memory is constituted of a plurality of memory cells 1 to 4, the memory cell has the same structure as a memory cell of the main memory, the memory cell for management of the nonvolatile semiconductor memory apparatus in which either of bit lines 8 out of adjacent bit lines is always not selected in reading is manufactured on one chip by the same process with the main memory.例文帳に追加

メモリを構成する１ビットは、複数個のメモリセル１〜４で構成され、該メモリセルは、メインのメモリのメモリセルと同一の構造を有し、隣接するビットの隣接ビット線のいずれか一方のビット線８は、読み出し時において常時非選択となる不揮発性半導体記憶装置が、メインのメモリと共に同一のプロセスにより１チィップ上に作製されて構成される。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor integrated circuit comprises a step for polishing a substrate having a conductor film of copper or its alloy by using a polishing liquid containing colloidal silica, where the surface is covered at least partially with aluminum atom, as abrasive grains, and a cleaning step using a cleaning liquid containing quaternary ammonium salt, chelating agent having a carboxyl group, and a surfactant.例文帳に追加

銅又はその合金からなる導体膜を有する基板を、表面の少なくとも一部がアルミニウム原子で覆われたコロイダルシリカを砥粒とする研磨液を用いて研磨する工程と、第四級アンモニウム塩、カルボキシル基を有するキレート剤及び界面活性剤を含む洗浄液を用いて洗浄する工程とを含むことを特徴とする半導体集積回路の製造方法。 - 特許庁

A field emission type display 10 includes a cathode 16 with a flat type electron emission source 44, an anode 18 superficially receiving electrons emitted from the cathode 16, a coil 40 formed on at least one of the cathode 16 or the anode 18 by a semiconductor processing process and a coil power source 24 which is a driving source generating a specified magnetic field by driving the coil 40.例文帳に追加

電界放出型の表示装置１０は、平面型の電子放出源４４を有するカソード１６と、カソード１６から放出された電子を平面的に受けるアノード１８と、カソード１６、アノード１８の少なくとも一方に半導体加工プロセスによって形成されたコイル４０と、コイル４０を駆動して所定の磁場を発生せしめる駆動源であるコイル電源２４とを備える。 - 特許庁