「shot pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Next, the pattern 41, which shares a side with the pattern 44, is extracted from (b) and a pattern 45 is provided by applying a peculiar shot time rank (e).例文帳に追加

次に（ｂ）からパターン４４と辺を共有するパターン４１を抽出し、固有のショットタイムランクを与えてパターン４５とする（ｅ）。 - 特許庁

Seminal dna yielding a complete pattern after 20 years of decomp is a long shot, but it's not impossible.例文帳に追加

精液からDNAが得られるわ 20年経ってても採取できる 不可能ではないわ - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

To uniformize a pattern matching precision in the same shot region.例文帳に追加

同一ショット領域内におけるパターンの合わせ精度を均一化できるようにする。 - 特許庁

Regions on the negative resist shot with the exposing light are left as a resist pattern.例文帳に追加

ネガレジストでは、露光光が照射された領域がレジストパターンとして残される。 - 特許庁

To provide a pattern formation method which efficiently forms a pattern in an imperfect shot region, improves throughput, and accurately forms the pattern.例文帳に追加

効率良く欠けショット領域にパターンを形成し、スループットの向上及び精度良くパターンを形成可能なパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

OPTICAL PATTERN DESIGN METHOD, MANUFACTURE OF OPTICAL PATTERN, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, SHOT BLAST DEVICE, AND ABRASIVE GRAIN SORTING DEVICE例文帳に追加

光学パタ—ン設計方法、光学パタ—ン製造方法、液晶表示装置、ショットブラスト装置及び砥粒選別装置 - 特許庁

A figure pattern defined by drawing data is divided to figures per shot (S20).例文帳に追加

描画データに定義されている図形パターンをショット単位の図形に分割する（Ｓ２０）。 - 特許庁

The transfer is performed such that the peripheral edge of an evaluation shot on which the evaluation pattern 2a is formed is overlapped on the peripheral edge of an adjacent shot on which the evaluation pattern 2b is formed.例文帳に追加

転写する際に、評価パターン２ａが設けられている評価ショットの外周縁部を、評価パターン２ｂが設けられている隣接ショットの外周縁部と重なるように転写する。 - 特許庁

When the pressure fluid is shot from the nozzle 10, a pattern spread out in a fan-like form is formed.例文帳に追加

圧力流体がノズル１０から発射されるときに、扇状散布パターンを形成する。 - 特許庁

To provide a pattern shape prediction program and a pattern shape prediction system, capable of confirming a pattern shape, with no actual electron beam lithography, when manufacturing a mask pattern by utilizing a shot shape arrangement drawing data in which a dose amount is corresponded for each shot shape.例文帳に追加

ショット形状毎にドーズ量を対応付けたショット形状配列描画データを利用してマスクパターン等を製造する場合に、実際に電子線描画することなく、パターンの形状を確認できるパターン形状予測プログラム、パターン形状予測システムを提供する。 - 特許庁

When a winning combination for the screen shot pattern 115 is established during the special game, a special favor based on the display mode on the lower liquid crystal display 4 at the operation of the screen shot operation part 210 is awarded with respect to the winning combination for the screen shot pattern 115.例文帳に追加

特別ゲーム中にスクリーンショット図柄１１５の当選役が成立すると、スクリーンショット操作部２１０を操作した際の下部液晶ディスプレイ４の表示態様に基づく特典がスクリーンショット図柄１１５の当選役として付与される。 - 特許庁

Another shot having measurement mark regions in the same positions as in the shot 1, each mark region having a line pattern extending parallel to the directions of two adjacent sides constituting the shot is transferred onto an upper layer on the undercoat layer where the shot 1 is transferred.例文帳に追加

また、当該ショット１が転写された下地層の上層には、ショットを構成する隣接する２辺と平行な方向沿って伸びるラインパターンを備えた測定マーク領域をショット１と同一の位置に具備するショットが転写される。 - 特許庁

Furthermore, the chip identification pattern 13 can be formed by masks few in number by exposing exposure shot positional information with the size of exposure shot different from a normal size.例文帳に追加

また、露光ショット位置情報を通常と異なる露光ショット寸法にて露光することにより数少ないマスクでチップ識別パターン１３を形成できる。 - 特許庁

To provide a means for measuring the shot position of a beam which changes at about such frequency as shot cycle at a high speed, without performing pattern drawing.例文帳に追加

本発明は、パターン描画を行わずに、ショットサイクル程度の周波数で高速に変化するビームのショット位置を計測する手段を提供する。 - 特許庁

To provide a charged particle beam lithography system capable of drawing a chip pattern while varying shot conditions of a specific pattern included in one piece of lithographic data of the chip pattern.例文帳に追加

チップパターンの一つの描画データに含まれる特定のパターンのショット条件を変えながら、チップパターンを描画可能な荷電粒子ビーム描画システムを提供する。 - 特許庁

According to the pattern drawing correction method, pattern size and position can be corrected accurately by correcting the shot size additionally and then correcting the shot position based on the additional correction amount.例文帳に追加

本発明のパターン描画補正方法は、ショットサイズの追加補正を加えると共に、この追加補正量に基づいて、ショット位置を補正することで、パターンサイズと位置を精度良く補正することが可能となる - 特許庁

The variation pattern table 2 is a table in case the number of balls to be shot per unit time is 80, and a variation time in the variation pattern table 1 is extended based on a difference in the number of balls to be shot.例文帳に追加

変動パターンテーブル２は、単位時間当たりの発射球数が８０個の場合のテーブルであり、発射球数の相違に基づき変動パターンテーブル１における変動時間が伸長されている。 - 特許庁

A size change of a pattern, when an exposure is changed, is obtained for plural patterns in a shot, and an exposure in a shot is determined on the basis of a relationship between the size change of a pattern and the amount of change in exposure.例文帳に追加

ショット内の複数のパターンに対し、露光量を変化させたときのパターンサイズ変化量をそれぞれ求め、これらパターンサイズ変化量との関係に基づいてショット内の露光量を決定する。 - 特許庁

The variation pattern table 3 is a table in case the number of balls to be shot per the unit time is 60, and the variation time in the variation pattern table 1 is extended based on the difference in the number of balls to be shot.例文帳に追加

変動パターンテーブル３は、単位時間当たりの発射球数が６０個の場合のテーブルであり、発射球数の相違に基づき変動パターンテーブル１における変動時間が伸長されている。 - 特許庁

An aperture rate calculating means 4 is provided for calculating flare quantity of a mask pattern, corresponding to a transfer pattern in each one shot region, the means which calculates the flare quantity based on the exposure layout of a plurality of shot regions, more specifically, by considering flare from a plurality of shot regions present in the positions surrounding the objective shot region.例文帳に追加

１つのショット領域毎に、転写パターンに対応するマスクパターンのフレア量を算出するに際して、複数のショット領域の露光レイアウトに基づいて、具体的には当該ショット領域の周辺に位置する複数のショット領域からのフレアを加味して、フレア量を算出する開口率算出手段４を設ける。 - 特許庁

When the negative pattern is superposed on a plurality of shot positions on the wafer and exposure is carried out, mark positions at a plurality of specific shot positions among the plurality of shot positions are measured, and correction amounts are computed based on the statistical treatment of the measured values to carry out the alignment between the negative pattern and the wafer.例文帳に追加

原板パターンをウエハ上の複数ショット位置に重ね合わせ露光する際、複数のショット位置のうち複数の特定ショット位置におけるマーク位置を計測し、計測値の統計処理から補正量を計算し原板とウエハの位置合わせを行う。 - 特許庁

Thereafter, a special game is started using a special figure train 100B containing the screen shot pattern 115.例文帳に追加

その後、このスクリーンショット図柄１１５を含む特別図柄列１００Ｂを用いた特別ゲームが開始される。 - 特許庁

The variation pattern table 1 is a table in case the number of balls to be shot per the unit time is 100.例文帳に追加

変動パターンテーブル１は、単位時間当たりの発射球数が１００個の場合のテーブルである。 - 特許庁

The reticle 10 is provided with a substrate 11, a shot region 12 set on the substrate 11, a mask pattern 13 formed in the shot region 12, and mask magnification information 14x formed outside the shot region 12.例文帳に追加

レチクル１０は、基板１１と、基板１１上に設定されたショット領域１２と、ショット領域１２内に形成されたマスクパターン１３と、ショット領域１２外に形成されたマスク倍率情報１４ｘとを備えている。 - 特許庁

Consequently, a pattern where each pixel is shot with a uniform number of liquid drops is eliminated and a pattern where first and second liquid drops overlap is obtained.例文帳に追加

従って、均一な数の液滴が各画素で打ち込まれるパターンはなくなり、第一と第二の液滴がオーバーラップするパターンが得られる。 - 特許庁

Four corners of a rectangular shot 1 are provided with measurement mark regions 13, 14, 15, 16 each having a line pattern extending parallel to the directions of two adjacent sides constituting the shot.例文帳に追加

矩形のショット１の四隅に、ショットを構成する隣接する２辺と平行な方向沿って伸びるラインパターンを備えた測定マーク領域１３、１４、１５、１６を配置する。 - 特許庁

The pseudo-pattern data are added to actual pattern data, and the pseudo-pattern is also used for calculating a correction for a proximity effect, and in fact, a specific command is annexed to the pseudo-pattern data so as not to be shot.例文帳に追加

この擬似パターンデータは、実パターンデータに追加されるが、この擬似パターンは、近接効果補正量の計算のために使用され、実際にはショットされないように擬似パターンデータには特殊なコマンドが付加されている。 - 特許庁

When transferring the pattern to multiple shot areas arranged in a direction in which a holding means configured to hold a mold and an applying means configured to apply the resin on a substrate are arranged, after a step (S106) of applying the resin on the multiple shot areas successively, a step (S108) of transferring the pattern to the multiple shot areas successively is performed.例文帳に追加

モールドを保持する保持手段と基板に樹脂を塗布する塗布手段が並んでいる方向の複数のショット領域にパターンを転写する際、複数のショット領域に連続して樹脂を塗布（Ｓ１０６）した後、連続してパターンを転写（Ｓ１０８）する。 - 特許庁

Furthermore, a level output or a one shot output is selected as the output pattern of the print control signal.例文帳に追加

また、その印写制御信号の出力パターンとして、レベル出力か、または、ワンショット出力かを選択する。 - 特許庁

There was the same pattern where the castle soldiers shot the Kamigata army with guns, and many soldiers of yosete were injured. 例文帳に追加

ここでも押し寄せる上方勢に城兵の鉄砲という図式は変わらず、寄手の負傷者は多数に上った。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a shot peening device capable of forming a specified projection pattern with an excellent energy efficiency.例文帳に追加

エネルギー効率が良好で所望の投射パターンを形成することができるショットピーニング装置を提供する。 - 特許庁

Mold parts 14 for composing a spatialization section 13 at the time of the second shot casting beforehand is detachably mounted in a space 12 of a first shot pattern mold 9 of first split molds 7a and 7b by the first shot casting.例文帳に追加

第１ショット鋳造では、第１分割金型７ａ，７ｂの第１ショットパターン金型９の空間部１２に、予め第２ショット鋳造時の空間形成部１３を構成するための金型部品１４を着脱可能に装着する。 - 特許庁

A semiconductor chip 11 includes an element formation region 12 and a chip position identification pattern 13 outside the region 12, and the pattern 13 consists of the position information in an exposure shot 14 and the exposure shot position information 15.例文帳に追加

半導体チップ１１には素子形成領域１２とその素子形成領域１２外にチップ位置識別パターン１３があり、このチップ識別パターン１３は露光ショット内位置情報１４と、露光ショット位置情報１５とからなっている。 - 特許庁

To provide an exposure method and an aligner, where even a complicated lithographic pattern in which a dense pattern and a coarse pattern are mixedly present in the same shot can be controlled accurately in dimensions.例文帳に追加

密パターンと疎パターンが同一ショット内に存在するような複雑なリソグラフィパターンに対しても高精度な寸法制御を得ることができる露光方法および露光装置を提供すること。 - 特許庁

All shot reticle patterns corresponding to divisions of a liquid crystal panel divided every shot are OR-computed to form an expected pattern showing the layout state of all exposed regions of the liquid crystal panel.例文帳に追加

液晶パネル領域をショット毎に分割したレチクルの全ショット分をＯＲ演算して、液晶パネル領域の全露光領域を配置させた状態を示す予想パターンを作成する。 - 特許庁

The water pattern of a one-shot region is formed at a semiconductor wafer by executing exposure processing using the first mask 16.例文帳に追加

第１マスク１６を使った露光処理を行うことで半導体ウェハに１ショット領域のウェハパターンを形成する。 - 特許庁

The wafer pattern of the one-shot region is formed at the semiconductor wafer by executing exposure processing using the second mask 20.例文帳に追加

第２マスク２０を使った露光処理を行うことで半導体ウェハに１ショット領域のウェハパターンを形成する。 - 特許庁

To reduce variance in width of a striped pattern to be formed when the striped pattern which lies exceeding a shot size of a stepper is baked by exposure by the stepper.例文帳に追加

ステッパのショットサイズを越えて連なるストライプ状パターンをステッパにより露光焼き付けを行う際に、形成するストライプ状パターンの幅の寸法のばらつきを低減する。 - 特許庁

On the other hand, in a case where the transfer magnification becomes smaller, the straight marks A1, A2 and A3 come near to the center of a pattern formed by a first shot, and the straight mark B1 comes near the center of a pattern formed by a second shot.例文帳に追加

一方、転写倍率が小さくなった場合には、直線状マークＡ１、Ａ２及びＡ３は、第１のショットにより形成されるパターンの中心に近づき、直線状マークＢ１は、第２のショットにより形成されるパターンの中心に近づく。 - 特許庁

The semiconductor chip 11 is provided with an element forming region 12 and a chip position identification pattern 13 except the element forming region 12 while the chip identification pattern 13 is constituted of a positional information 14 in exposure shot and an exposure shot positional information 15.例文帳に追加

半導体チップ１１には素子形成領域１２とその素子形成領域１２外にチップ位置識別パターン１３があり、このチップ識別パターン１３は露光ショット内位置情報１４と、露光ショット位置情報１５とからなっている。 - 特許庁

An exposure system projects a pattern of an original plate onto each shot area of a board via a projection optical system to expose the board.例文帳に追加

露光装置は、投影光学系を介して原板のパターンを基板の各ショット領域に投影して該基板を露光する。 - 特許庁

A data control unit 8 reads the drawing pattern data, supplies the pattern position data Xn included in the pattern data to an adder 14 in a position correcting circuit 15, and supplies the shot time data Tn to a correcting table 13.例文帳に追加

データコントロール部８は描画パターンデータを読み出し、そのパターンデータに含まれているパターン位置データＸｎを位置補正回路１５内の加算器１４に供給し、ショット時間データＴｎを補正テーブル１３に供給する。 - 特許庁

The method for plotting the pattern of the photomask is characterized in that, when the pattern of the photomask is plotted by electron beams such offset correction is performed according to a lapsed time since the plotting work is started that an offset value added to the shot size of an electron beam plotting apparatus is increased or decreased gradually, and the pattern is plotted while changing a shot size.例文帳に追加

電子線によるフォトマスクのパターン描画において、描画開始からの経過時間にしたがって、電子ビーム描画装置のショットサイズに付加するオフセット値を漸次増加、もしくは減少させるオフセット補正を行い、ショットサイズを変更してパターン描画することを特徴とするフォトマスクのパターン描画方法である。 - 特許庁

When no game ball is shot to the game board 14, in a special pattern display device 32, the time required from the start of variably displaying a special pattern to the stop and display of a stop pattern is expanded for the expansion time as compared with the case where the game ball is shot to the game board 14.例文帳に追加

遊技球が遊技盤１４に発射されていないときには、遊技球が遊技盤１４に発射されているときに比べて、特別図柄表示装置３２が特別図柄の変動表示を開始してから停止図柄を停止表示するまでに要する時間が延長時間分だけ延長される。 - 特許庁

Specifically, when superposing a projection image of a mask pattern on a reticle 20 on a transfer pattern on a semiconductor substrate 21 using a reduced projection exposure method, the rotational shift in an exposure shot region is corrected in accordance with a measurement value of a transitional shift in the exposure shot region in a transfer pattern on the semiconductor substrate.例文帳に追加

即ち、縮小投影露光法を用いて半導体基板２１上の転写パターンへレチクル２０上のマスクパターンの投影像を重ね合わせる際に、半導体基板上の転写パターンにおける露光ショット領域の並進シフトの測定値に応じて、露光ショット領域の回転シフトを補正する。 - 特許庁