「solder bonding」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The total thickness of Au layers constituting the oxidation preventive film 51 is set to 300 to 100[nm], preferably, 300 to 450[nm], and a thickness which is thick enough to effectively prevent oxidation of the electrode film 31 for bonding is secured, embrittlement of the solder due to too much Au being prevented.例文帳に追加

酸化防止膜５１を構成するＡｕ層の厚さの合計値は、３００［ｎｍ］以上で１０００［ｎｍ］以下、好ましくは、３００［ｎｍ］以上で４５０［ｎｍ］以下となるように設定されており、接合用電極膜３１の酸化を効果的に防止するのに十分な厚さを確保すると共に、Ａｕが多すぎることによりハンダの脆弱化を防いでいる。 - 特許庁

The submount 9 is formed 200-400 μm thick using a material having a thermal expansion coefficient of 3.5-6.0×10^-6/°C, and the semiconductor lasers LD1-7 are bonded to the submount 9 with its junction down by dividing an AuSn eutectic point solder and a metallization layer into a plurality of parts in the bonding face.例文帳に追加

またサブマウント９は熱膨張係数が３．５〜６．０×１０^−６／℃である材料を用いて２００〜４００μｍの厚さに形成し、このサブマウント９に対して半導体レーザーＬＤ１〜７は、両者の接着面内でＡｕＳｎ共晶点半田およびメタライズ層を複数に分割して、ジャンクションダウン構造で分割接着する。 - 特許庁

To provide a production method for optical semiconductor module with which the thermal resistance of a soldering part between an electronic cooling element and an optical semiconductor device is reduced, and heat conduction is improved by preventing a low temperature solder provided on the top of the electronic cooling element from being oxidized when bonding the electronic cooling element on an optical semiconductor container.例文帳に追加

電子冷却素子を光半導体容器に接合する際に、電子冷却素子の最上面に設けてある低温半田材の酸化を防止して、電子冷却素子と光半導体素子との半田接合部の熱抵抗を低減し、熱伝導を向上させた光半導体モジュールの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which maintains the bonding positions of semiconductor chips with high precision, reduces proper thickness of solder and voids in the semiconductor, and can have the semiconductor chips and other components soldered with high mounting density with a small man- hour in a short process time by a small number of devices when the semiconductor chips and other components are mounted by soldering on one base material.例文帳に追加

１つの母材上に複数個の半導体チップおよび他の部品を半田接合により実装する場合に、半導体チップの接合位置を高い精度で保ち、適切な半田の厚みと半田中のボイドの低減を図るとともに、少ない工数でかつ短い工程時間で、少ない装置の台数により、半導体チップおよび他の部品を高い実装密度で半田接合できる半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

This thermosetting resin composition is characterized by containing solder particles having ≤180°C melting point, a thermosetting resin binder and as a flux component, the compounds of derivatives of propionic acid and acetic acid to which an organic group having an isolated electron pair or double bonding π-electrons capable of coordinating with a metal is bonded at its terminal, and hydrogen or an alkyl group is bonded with its side chain.例文帳に追加

融点が１８０℃以下のはんだ粒子、熱硬化性樹脂バインダー及びフラックス成分として末端に金属が配位可能な孤立電子対または二重結合性π電子を有する有機基が結合し、水素又はアルキル基が側鎖に結合した、プロピオン酸及び酢酸の誘導体の化合物を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the reflow substrate heating method for reflow soldering a substrate mounting electronic components 2, 4 and applied with cream solder at bonding positions, substrates 1 being carried continuously at a carrying section 5 are heated uniformly in a furnace body section 3 and gas of substantially the same temperature as the ambient temperature is blown locally from a heating acceleration nozzle section 8 to specified parts of the substrate 1 being heated.例文帳に追加

電子部品２、４が搭載されかつ接合箇所にクリーム半田が付与された基板をリフロー半田付けするリフロー基板加熱方法において、搬送部５にて連続的に搬送される基板１を、炉体部３にて全体を均一に加熱すると共に、基板１の特定被加熱部分に、加熱促進ノズル部８により雰囲気温度とほぼ同温度のガスを局所的に吹き付ける。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a printed-wiring board for restraining the generation of non-bonding or a void at a pattern gap when forming solder resist, and at the same time for restraining the generation of void when injecting a sealing resin into the gap between packaging components and a substrate in a printed-wiring board having a narrow-pitch pattern.例文帳に追加

狭ピッチのパターンを有するプリント配線板において、ソルダレジストを形成する際、パターン間隙での未着、ボイドの発生を抑えるとともに、実装部品と基板の隙間に封止樹脂を注入する際、ボイドの発生を抑えたプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In solder bump connection between a contact on a silicon chip having a thickness of 50 μm or less and a plurality of contacts on a substrate, a tool head to which a PGS (Pyrolytic Graphite Sheet) having a thickness of 75-125 μm is adhered is used to form an electrical mechanical bonding by heating and melting and gradual heating based on forced convection of air.例文帳に追加

５０μｍ以下の厚さのシリコンチップ上のコンタクトと、基板上の複数のコンタクトのはんだバンプ接続において、厚さが７５μｍ〜１２５μｍのＰＧＳ(Pyrolytic Graphite Sheet)を接着したツールヘッドを使用して、加熱溶融と、空気の強制対流に基づいた徐熱によって、電気的機械的接合を形成する。 - 特許庁

In the oscillator, wiring patterns 4a, 4b are formed on an epoxy resin substrate 1, an electronic component 2 having terminal electrodes 3a, 3b are mounted on the substrate 1, the terminal electrode 3a and the wiring pattern 4a are connected by a solder 5, and the terminal electrode 3b and the wiring pattern 4b are connected by a bonding wire 6 or a wire material.例文帳に追加

エポキシ樹脂の基板１上にパターン配線４ａ，４ｂが形成され、端子電極３ａ，３ｂを備える電子部品２が基板１上に搭載されるものであり、端子電極３ａとパターン配線４ａが半田５により接続され、端子電極３ｂとパターン配線４ｂとがボンディングワイヤ６又は電線材で接続される構成とした発振器である。 - 特許庁

It further includes a groove 20 as air discharge means for discharging air 15a in an air reservoir 15 produced in a solder 14 between bonding surfaces 11a, 11b of the electrode body 11 and the electronic component 12 or the substrate 13, when the electrode body 11 is soldered to the electronic component 12 or the substrate 13.例文帳に追加

電極本体１１が電子部品１２又は基板１３にはんだ付けされる際に、電極本体１１の接合面１１ａ，１１ｂと電子部品１２又は基板１３との間におけるはんだ１４内に発生する空気溜まり１５内の空気１５ａを排出する空気排出手段としての溝２０を備えている。 - 特許庁

To provide a new QFP type lead frame for semiconductor integrated circuits that prevents wire-bonding properties and the joint properties with the terminal of an external circuit substrate from being lost and a migration phenomenon from being generated, allowing armor solder-plating processes to be abbreviated, is reliable, and can be manufactured inexpensively.例文帳に追加

ワイヤーボンディング性ならびに外部回路基板の端子との接合性を損なうことなく、またマイグレーション現象を生ずることなく、外装半田めっき工程の省略を可能にし、信頼性の高い、かつ製造コストの安い新しいＱＦＰタイプの半導体集積回路用リードフレームを提供する。 - 特許庁

The package includes an assembly portion having a substrate formed of a material substantially transparent to light within a predetermined range of wavelengths, a sensing portion having at least one photo-sensing die photo-electronically transducing light within the predetermined range of wavelengths, and a plurality of first solder joints bonding the sensing portion to the assembly portion.例文帳に追加

パッケージは、所定範囲の波長内の光をほぼ通す材料から成る基板を持つアセンブリ部、光を前記所定範囲の波長に光電子的に変換する少なくとも１つの光検出用ダイを含む検出部、および、前記検出部とアセンブリ部とを結合させる複数の第１のソルダージョイントを含む。 - 特許庁

To provide a method and a device for bonding optical parts, which don't require solder bumps and can align two optical parts after making both end surfaces of two optical parts parallel with each other and can position and align both optical parts without a thermal effect regardless of relatively large deviation of the first set positions of both optical parts.例文帳に追加

はんだバンプが不要で、２つの光部品の両端面を互いに平行になるようにした後、両者の調芯を行うことができ、熱的な影響を受けることもなく、両光部品の最初の設定位置が比較的大きくずれている場合であっても両者の位置決め、調芯が可能な光部品接合装置及び接合方法を提供する。 - 特許庁

This method comprises a step for preparing a substrate 101, a step for forming a semiconductor element on the substrate 101, a step for accumulating a metallic layer 107 on the substrate 101 and for electrically connecting this metallic layer 107 with the semiconductor element, a step for accumulating a solder layer 108 on the metallic layer, and a step for wire- bonding a wire 109 with the metallic layer 107.例文帳に追加

電子部品の製造方法は、基板（１０１）を用意する段階、基板（１０１）上に半導体素子を形成する段階、基板（１０１）上に金属層（１０７）を堆積し、半導体素子に電気的に結合する段階、はんだの層（１０８）を金属層上に堆積する段階、およびワイヤ（１０９）を金属層（１０７）にワイヤ・ボンドする段階を含む。 - 特許庁

To provide an LSI chip mounting structure by which an enough connection reliability can be ensured without destroying the LSI chip and bonding members such as solder balls when reduction in size and thickness of a large- sized LSI such as system LSI is aimed by directly connecting and mounting the LSI on a printed wiring board which exhibits a coefficient of thermal expansion largely different from that of the LSI chip.例文帳に追加

システムＬＳＩ等のような大型化されたＬＳＩチップを熱膨張係数が大きく異なるプリント配線板に直接接続実装して小型化および薄型化を図った場合において、ＬＳＩチップやはんだボール等の接合部材の部品を破壊することなく接続信頼性を十分確保することができるようにしたＬＳＩチップ実装構造体を提供することにある。 - 特許庁

Further, a small-chip-size power transistor used where power transistor chips with uniform characteristics are connected in parallel, characteristics per pair are equal to conventional characteristics, and at the same time current capacity is small, thus reducing the chip size and the thermal expansion dimensions in heating, thus extending the life of die-bonding solder due to metal fatigue.例文帳に追加

さらに、特性の揃ったパワートランジスタチップを並列接続して１対あたりの特性は従来の特性を維持しながら電流能力の小さい小チップサイズのパワートランジスタを使用することで、チップサイズを小さくでき、発熱時の熱膨張寸法を小さくできるため、金属疲労によるダイボン半田の延命が図れる。 - 特許庁

To provide an electroless palladium plating liquid where, in a three layer plating film terminal of an electroless nickel plating film/ an electroless palladium plating film/a substitution gold plating film, a gold film is formed only by easily treatable substitution gold plating, and, even when electroless nickel-phosphorous having high flexibility is used, which has excellent joining strength in both of wire bonding joining and solder ball joining, and has excellent running properties as well.例文帳に追加

無電解ニッケルめっき被膜／無電解パラジウムめっき被膜／置換金めっき被膜の３層めっき被膜端子において、取り扱いが簡単な置換金めっきのみで金被膜を形成し、汎用性の高い無電解ニッケル−リンを使用しても、ワイヤーボンディング接合及びはんだボール接合の両方において優れた接合強度を有し、ランニング特性にも優れた無電解パラジウムめっき液を提供することができる。 - 特許庁

To provide a thermoelectric conversion module which restrains reaction of solder for joining lead wires with a thermoelectric transducer and performs electric connection in which bonding reliability for a long term is high.例文帳に追加

支持基板と、該支持基板上に配列された複数の熱電変換素子と、該熱電変換素子間を電気的に連結する配線導体と、該配線導体と電気的に連結された外部接続端子とを具備する熱電変換モジュールにおいて、前記外部接続端子にリード部材を接合する半田に含有されるＳｎが１２重量％以上４０重量％以下とすることにより、半田と素子の反応性を抑制し、よって熱電変換モジュールの長期信頼性を向上する。 - 特許庁