「solder bonding」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

In manufacturing of a power module, a tool simultaneously regulating relative positions in the three directions (X, Y and Z ) is used for solder bonding of at least any two constituent among constituents of a bare chip, a ceramic substrate and a base plate, wherein the direction Z is a solder thickness direction and the direction X-Y is a plane direction orthogonal to the solder thickness direction.例文帳に追加

パワーモジュールの製造において、該構成物であるベアチップ、セラミック基板およびベース板のうち少なくともいずれかふたつの構成物のはんだ接合に、はんだ厚さ方向(Ｚ方向)およびはんだ厚さ方向と直交する平面方向(Ｘ−Ｙ方向)のＸ、Ｙ、Ｚ３方向の相対位置を同時に規制するジグを用いる - 特許庁

The submount 10 comprises a submount substrate 11, a solder layer 14 formed on the upper surface of the submount substrate 11 for bonding a semiconductor laser element 20, and a spacer layer 15 provided with an area smaller than the solder layer 14 and formed between the submount substrate 11 and the solder layer 14.例文帳に追加

このサブマウント１０は、サブマウント基板１１と、サブマウント基板１１の上面上に形成され、半導体レーザ素子２０を接合するための半田層１４と、半田層１４よりも小さい平面積を有するとともに、サブマウント基板１１と半田層１４との間に形成されたスペーサ層１５とを備えている。 - 特許庁

When a semiconductor laser bar 3 is soldered to a heatsink 1, protrusion 30 is formed on the solder-bonding surface of the semiconductor laser bar 3, and the semiconductor laser bar 3 is pushed against and soldered to a solder layer 50, from a state with the solder layer 50 applied to a surface of the heatsink 1 being melted.例文帳に追加

半導体レーザバー３をヒートシンク１にハンダ付けする際に、半導体レーザバー３におけるハンダ接合面に突起３０を設けておき、ヒートシンク１の表面に塗布したハンダ層５０を溶融した状態から当該ハンダ層５０に対し半導体レーザバー３を押し付けてハンダ付けする。 - 特許庁

The semiconductor device 1 having a plurality of the solder balls 12 below the semiconductor substrate 2 is face-down-mounted on the circuit board 13 having the connection pads 14 and the solder resist film 16 covering a part except for the centers of the connection pads 14 by bonding the solder balls 12 to the connection pads 14.例文帳に追加

半導体基板下２に複数の半田ボール１２を有する半導体装置１は、接続パッド１４および該接続パッド１４の中央部以外を覆うソルダーレジスト膜１６を有する回路基板１３上に、半田ボール１２が接続パッド１４に接合されていることにより、フェースダウン実装されている。 - 特許庁

Consequently, the solder bridges, etc., between the adjacent Cu patterns 2 and 4 can be prevented, because, even when excessive solder moves on the patterns 2 and 4 when a pressure is applied to the junction between the wiring boards 1 and 3 by means of a thermocompression bonding tool 9, the gap becomes the relieving space of the excessive solder.例文帳に追加

このため、フレキシブル配線基板１とリジッド配線基板３との接続箇所に熱圧着ツール９によって圧力が加えられたとき、余剰はんだがＣｕパターン２，４上に沿って移動しても、この間隙がその余剰はんだの逃げスペースとなるので、隣接するＣｕパターン間においてはんだブリッジ等が発生することを防止できる。 - 特許庁

A jig for bonding solder balls, which is a device to align the solder balls for matching with conductive posts of a semiconductor wafer, includes a body and housing balls formed on the body for housing the solder balls, wherein inner walls of the housing balls are formed obliquely in a bilaterally symmetrical manner.例文帳に追加

本発明によるハンダボール接合用治具は、半導体ウェハの導電性ポストと整合するようにハンダボールを整列させる装置であって、ボディと、ハンダボールを収容するようにボディに形成される収容穴と、を含み、収容穴の内壁が、左右対称に斜めに形成されることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing process of an electronic apparatus employing tin-zinc solder in which moisture-resistant lifetime can be enhanced, by performing heat treatment process within a range from the solid phase temperature of solder to the heat-resistant temperature of a component following to ordinary mounting in the mounting process of an electronic component 8 employing tin-zinc solder, and to provide its bonding structure.例文帳に追加

錫−亜鉛はんだを用いた電子部品８の実装プロセスにおいて,通常の実装を行った後、はんだの固相温度から部品耐熱性温度の範囲内で熱処理プロセスを行うことにより、錫−亜鉛はんだを用いた電子機器で、耐湿寿命を向上することができる製造プロセス及びその接合構造を提供する。 - 特許庁

The circuit board is produced by bonding the metal circuit board onto the ceramic substrate through the solder material, patterning the bonded metal circuit board and a corresponding solder material layer to form a metal circuit, and then removing a part of a conductive reaction layer formed through reaction of the solder material and the basic material of the ceramic substrate and exposed between the patterns of the metal circuit.例文帳に追加

本回路基板は、セラミック基板に上記ろう材を用いて接合し、接合された金属回路板及びそれに対応するろう材層をパターン形成して金属回路を形成し、ろう材及びセラミッ基板の基材との反応によって形成された導電性の反応層のうち上記金属回路のパターン間により露出した部分を除去して製造される。 - 特許庁

The spacer member 5A includes an introduction hole 6 which is opened in accordance with the arrangement of the lead terminal 3 in order to insert the lead terminal 3 and to pass molten solder material 4 during the bonding process, a portion 7 for storing the solder material 4, and a protrusion 8 for preventing solder bridge formation by forming a clearance between the electronic component and a printed wiring board.例文帳に追加

スペーサ部材５Ａは、リード端子３の配置に合わせて開口して、それぞれリード端子３が挿入されると共に、接合工程で溶融させるはんだ材４が通る導入穴６と、はんだ材４が格納されるはんだ格納部７と、プリント配線板との間に隙間を形成して、はんだブリッジの形成を防止する突起部８とを備える。 - 特許庁

To provide a method and a device for producing semiconductor device, with which a semiconductor chip and a wiring substrate can be electrically bonded while using a solder inner bump in the state of fusing the solder inner bump without using flux when electrically bonding the semiconductor chip and the wiring substrate while using the solder inner bump.例文帳に追加

半導体チップと配線基材とを半田インナーバンプを用いて電気的に接合する場合に、フラックスを用いることなく、また、半田インナーバンプを溶融させた状態で、半導体チップと配線基材とを半田インナーバンプを用いて電気的に接合することのできる、半導体装置の製造方法およびその方法に用いる半導体装置の製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a printed wiring board for forming an opening to a solder resist layer, which forms an opening of comparably large opening diameter for connecting to circuits such as a mother board and electronic components at high operational efficiency, while achieving high heat resistance of the solder resist layer that forms an opening of microscopic opening diameter for the purpose of solder bonding with a semiconductor chip and the like.例文帳に追加

半導体チップ等とのはんだ接合等を目的とする微小開口径の開口部を形成するソルダーレジスト層の高耐熱化を図るとともに、マザーボード等の回路や電子部品との接続のための比較的大きな開口径の開口部の形成を行うソルダーレジスト層への開口部の形成を高い作業効率で行うことができるプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film carrier tape which is used for TCP products and with which highly reliable TCP products can be obtained by plating the wiring surface of the tape suitably for bonding and adjusting the ball land surface of the tape so that the surface may become suitable for bonding, for example, for improving the bonding strength of eutectic solder balls.例文帳に追加

ＴＣＰ製品に用いられるフィルムキャリアテープにおいて、配線面には配線面へのボンディングに適しためっきを行い、また、ボールランド面にはボールランド面へのボンディングに適した、例えば、共晶半田ボールの接合強度を向上させるボールランド面の状態とし、ＴＣＰ製品に用いた際に、信頼性の高いＴＣＰ製品が得られるフィルムキャリアテープを提供すること。 - 特許庁

To provide a film carrier tape which is used for TCP products and with which more highly reliable TCP products can be obtained by plating the wiring surface of the tape suitably for bonding and the ball land surface of the tape suitably for bonding, for example, for improving the bonding strength of eutectic solder balls.例文帳に追加

ＴＣＰ製品に用いられるフィルムキャリアテープにおいて、配線面には配線面へのボンディングに適しためっきを行い、また、ボールランド面にはボールランド面へのボンディングに適した、例えば、共晶半田ボールの接合強度を向上させるめっきを行い、信頼性のより高いＴＣＰ製品が得られるフィルムキャリアテープを提供する。 - 特許庁

A stack memory module comprises a wafer carrier 1, at least two wafers 2 comprising a bonding pad fitting surface 20 with a bonding pad 21, an insulating tape layer 4 for bonding the wafer 2 to the wafer carrier 1, and a plurality of solder connection parts 3 electrically connected to a through hole 14 provided on one fitting surface 20 of the wafer carrier 1.例文帳に追加

スタックメモリモジュールは、ウェハキャリア１と、ボンディングパッド２１が設けられたボンディングパッド取付面２０を備える少なくとも二つのウェハ２と、ウェハ２をウェハキャリア１に接着する絶縁テープ層４と、ウェハキャリア１の一方の取付面２０に設けられるスルーホール１４と電気的に接続された複数の半田接続部３とを備える。 - 特許庁

In the semiconductor device, when stitch bonding is carried out with bonding pads 54 of flexible sheets, the bonding pads 54 are formed in a direction substantially coincident with an ultrasonic vibration direction of a bonder, and a bypass 13 is provided for a first wiring line 59 extended from the pad 54 toward a first solder ball connecting pad 55.例文帳に追加

フレキシブルシート５０のボンディング用パッド５４でステッチボンドする際、ボンダーの超音波振動の向きと実質一致する方向にボンディング用パッド５４が形成され、このパッド５４から第１の半田ボール接続用パッド５５に向かって形成される第１の配線５９に、迂回路１３を設ける。 - 特許庁

The unleaded solder consists of tin or an alloy of the tin and indium as a main component and contains zinc, antimony and aluminum as additive components and is joined to the materials to be joined of the inorganic nonmetals by chemical bonding with oxygen as a medium and to the materials to be joined of the metals by diffusion bonding or chemical bonding with the oxygen as the medium.例文帳に追加

錫又は錫とインジウムの合金を主成分とし、亜鉛とアンチモンとアルミニウムを添加成分とし、無機非金属の被接合物に対して酸素を媒介とした化学結合によって、金属の被接合物に対して拡散結合又は酸素を媒介とした化学結合によって接合する無鉛ハンダ。 - 特許庁

Since the bonding film 40 can be imparted with a stress buffering mechanism and the support 7 is porous, volatile components contained in the bonding layer can be released at the time of solder reflow and stripping due to thermal expansion, or the like, can be prevented on the interface of the insulating film 5 and the bonding film.例文帳に追加

そのため、接着用フィルム４０に応力緩衝機構を持たすことができるとともに、支持体７は多孔質であるので、はんだリフロー時接着層に含まれる揮発成分を解放することができ、熱膨張等によって絶縁フィルム５と接着用フィルムとの界面に剥離を生じることを防止することができる。 - 特許庁

To prepare an electroless palladium-molybdenum alloy plating soln. with which a plating layer excellent in bonding properties an solder joinability is obtained, and to provide a plating method.例文帳に追加

本発明は、ボンディング性と半田接合性に優れためっき層を得ることができる無電解パラジウム・モリブデン合金めっき液及びめっき方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an electroless palladium plating solution which can apply a plating layer having excellent solder packaging and wire bonding properties to electronic parts or the like.例文帳に追加

本発明は、電子部品などへのはんだ実装およびワイヤーボンディング性に優れためっき層を施すことができる無電解パラジウムめっき液を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor module which can obtain a sufficient adhesion between a power semiconductor element and an electrode without using a bonding material such as solder.例文帳に追加

半田などの接合材を用いることなくパワー半導体素子と電極との間に十分な接合力を得ることができる半導体モジュールを提供する。 - 特許庁

To provide a method for mounting a semiconductor device and its mounting apparatus, where a flip-chip bonding can be performed with high reliability on the substrate of the semiconductor device having a solder bump.例文帳に追加

本発明は半導体装置の実装方法及び装置に係り、半田バンプを有する半導体装置の基板上へのフリップチップボンディングを高い信頼性で行うようにすることを課題とする。 - 特許庁

To provide a polyamide resin excellent in ion migration resistance, bonding property under a high humidity and solder heat resistance, and suitably used as the adhesive for an FPC (flexible printed circuit) substrate plate.例文帳に追加

耐イオンマイグレーション性に優れ、高湿度下での接着性とハンダ耐熱性に優れた、ＦＰＣ基板用の接着剤に好適に用いられるポリアミド樹脂を提供すること。 - 特許庁

To obtain a tape carrier for semiconductor devices which excels in both its wire-bonding quality and its junction quality to solder balls, by subjecting its conductive pattern layer to an optimal electroless plating.例文帳に追加

導電パターン層に最適の無電解めっきを施すことで、ワイヤボンディング性及びはんだボール接合性の双方に優れた半導体装置用テープキャリアを得る。 - 特許庁

A barrier metal layer 35 made of a material hard to be alloyed with a solder 56 is interposed between a thick-film electrode layer 34 and a bonding metal layer 36.例文帳に追加

厚膜電極層３４とボンディングメタル層３６との間に半田５６と合金化しにくい材料から成るバリアメタル層３５を介在させる。 - 特許庁

Then, the Zn prevents Sn in the solder from combining with Cu in the copper ball, and the bonding strength from lowering.例文帳に追加

本発明の微小銅ボールは、Cu中にZnが0.01〜0.5質量％含有しているため、はんだ中のSnと銅ボールのCuとが結合するのを妨げて接合強度を低下させない。 - 特許庁

The electrode 2a of the semiconductor chip 2 is connected electrically to a connection terminal 15 exposed from an opening 19 on the second solder resist 14b via a bonding wire 4.例文帳に追加

半導体チップ２の電極２ａは、第２ソルダレジスト部１４ｂの開口部１９から露出する接続端子１５にボンディングワイヤ４を介して電気的に接続されている。 - 特許庁

After the ceramic substrate 2a and the glass epoxy substrate 3a are allocated to the predetermined positions, the first electrode 5 and the second electrode 6 are electrically connected with a conductive bonding agent or solder.例文帳に追加

セラミック基板２ａとガラスエポキシ基板３ａとを所定の位置に配置した後、第１の電極５と第２の電極６とを、導電性接着剤や半田によって電気的に結合する。 - 特許庁

The nickel-plated layer 6 prevents a nickel oxide layer from being formed on the gold-plated layer 8 to thereby keep the wettability of solder to the wiring layer 2 and bonding strength evaluated by a shear test at high level.例文帳に追加

前記構成のニッケルめっき層６が、金めっき層８表面に酸化ニッケル層が形成されることを抑制し、配線層２への半田のヌレ性やシェアー試験により評価される接合強度を高く維持する。 - 特許庁

Electric resistance can be decreased at the bonding part because no wire is used and a highly reliable semiconductor device can be obtained because no solder is used.例文帳に追加

また、ワイヤを用いないので、ボンディング部の電気抵抗を小さくでき、また、はんだを用いないことで、高信頼性の半導体装置を得ることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can be easily manufactured inexpensively and has excellent creeping characteristic in a bonding material made of solder and is superior in adhesiveness with a sealing resin.例文帳に追加

低コストで簡単に作製することができ、半田からなる接合材のクリープ特性に優れ、かつ、封止樹脂との密着性に優れる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a ball grid array type plastic package of high reliability at a low cost by improving bonding strength of solder balls and reducing the size of the package.例文帳に追加

半田ボールの接着強度を高くし、且つパッケージの大きさを小さくして、安価で信頼性の高いボールグリッドアレイ型プラスチックパッケージを提供する。 - 特許庁

A sub-mount substrate 7 which is mounted with an LED element 5 by flip chip bonding and is sealed by a transparent sealing resin 6 is bonded to the connection electrodes 3b by a cream solder 8.例文帳に追加

ＬＥＤ素子５をフリップチップボンディングして透明な封止樹脂６で封止されたサブマウント基板７は、クリーム半田８で接続電極３ａに接合されている。 - 特許庁

To provide an aromatic polyamide film suitably usable as a plastic material used for a solder application such as a flexible circuit board and a TAB (tape automated bonding) tape substrate.例文帳に追加

フレキシブル回路基板やＴＡＢテープ基板などハンダ用途に用いるプラスチック材料として好適に用いることができる芳香族ポリアミドフィルムを提供する。 - 特許庁

A semiconductor die 40 is fitted to the die attaching region 22 according to its characteristics by solder, conductive epoxy, etc., while connected to the mold lock 34 with a wire bonding 42.例文帳に追加

ダイ付着領域２２上に、半導体ダイ４０をその特性に応じて半田、導電エポキシなどで付着し、ワイヤボンデング４２でモールドロック３４と接続する。 - 特許庁

Heat is dissipated from a mounted substrate via the wiring substrate and a solder ball, after the heat generated by the semiconductor device is transmitted to the bonding wire and spread to the radiation plate.例文帳に追加

半導体素子による発熱がボンディングワイヤを伝って放熱板に広がった後、配線基板とはんだボールを経由して実装基板から放熱されるようになる。 - 特許庁

To prevent solder from being fused by suppressing heat generation in dicing and to eliminate wire peeling in wire bonding as to a frame having an array of lead frames used for batch molding type semiconductors.例文帳に追加

一括モールドタイプの半導体装置に用いられるリードフレームを配列したフレームであって、ダイシング時における発熱を押さえて半田の融解を防止し、しかもワイヤーボンディング時におけるワイヤー剥がれを無くすこと。 - 特許庁

When wire bonding between a terminal 92 of an IC chip 90 and the pad 61 is performed, a connection wire 91 hardly contacts with a solder resist layer 70.例文帳に追加

ＩＣチップ９０の端子９２とパッド６１とをワイヤーボンディングする際に、接続ワイヤー９１がソルダーレジスト層７０に接触し難い。 - 特許庁

The ground connection member 8 has a substrate bonding portion 81 bonded by solder to the ground region 62 of the circuit board 6, and a casing abutting portion 82 abutting on a rear panel 24 of the casing 2.例文帳に追加

グランド接続用部材８は、回路基板６のグランド領域６２に半田付けされて接合される基板接合部８１と、筺体２のリアパネル２４に当接される筺体当接部８２とを有する。 - 特許庁

To obtain a board for mounting electronic components, capable of having pads wherein solder balls have high bonding strength, and of implementing high-density mounting for conductor patterns.例文帳に追加

半田ボールの接合強度が高いパッドを有するとともに，導体パターンの高密度実装化を実現することができる電子部品搭載用基板を提供する。 - 特許庁

To provide bulk metallic glass solders, foamed bulk metallic glass solders, foamed-solder bonding pads in chip packages, methods of assembling the same and systems containing the same.例文帳に追加

バルク金属ガラスハンダ、発泡バルク金属ガラスハンダ、チップパッケージ内の発泡ハンダボンディングパッド、そのアセンブル方法、およびそれを含むシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a new adhesive sheet for a semiconductor device excellent in wire bonding properties, adhesive properties and solder heat resistance, and to provide a semiconductor device using the same.例文帳に追加

ワイヤーボンディング性、接着性、半田耐熱性に優れた新規な半導体装置用接着剤シート及びそれを用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To easily process a structure of an external electrode pad that can obtain bonding strength between the external electrode pad and a solder ball against a shock or vibration applied in a variety of directions.例文帳に追加

様々な方向に加わる衝撃ないしは振動に対し、外部電極パッドと半田ボールとの接合強度を得ることが可能な外部電極パッドの構造を、容易に加工できるようにする。 - 特許庁

The bump electrodes 8g, 8d and 8s have a vertical structure wherein a metal layer is formed on a bonding pad with a base metal in-between and a solder layer is formed thereon.例文帳に追加

また、バンプ電極８ｇ，８ｄ，８ｓは、ボンディングパッド上に下地金属を介して金属層を設け、さらにその上に半田層を設けた縦構成を有している。 - 特許庁

Prescribed positions of a power semiconductor device element 3 connected to a lead frame 1 and the Pb free solder 2 are sealed with a sealing material 4, 4a and 4b, and wire bonding and packaging are carried out.例文帳に追加

リードフレーム１に接合されたパワー半導体素子３の所定部分とＰｂフリーＰｂフリーはんだ２とを封止体４、４ａ、４ｂで覆い、その後にワイヤボンディングとパッケージングを行う。 - 特許庁

This ceramic circuit board is produced by bonding a metal plate principally comprising aluminum to a ceramic board, having an oxidation layer in the range of 1 nm-0.2 μm thickness using a solder material of aluminum alloy.例文帳に追加

１ｎｍ以上０．２μｍ以下の酸化層を有するセラミックス基板に、アルミニウムを主成分とする金属板をアルミニウム合金からなるろう材を用いて接合されてなることを特徴とするセラミックス回路基板。 - 特許庁