「step etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

In this manufacturing method, the conductive layer 2 of a semi- insulating substrate 1 is element-isolated into a required patterning shape through mesa etching and left inside an element formation area, an insulator such as ozone is ion-implanted to step part 4, formed at the peripheral edge part of the conductive layer 2 by mesa etching and the step part 4 is constructed as an electrical insulating body.例文帳に追加

半絶縁性基板１の導電層２をメサエッチにより必要なパターニング形状に素子分離して素子形成領域１ａ内に残し、メサエッチにより導電層２の周縁部に形成される段差部４にオゾン等の絶縁物をイオン注入し、段差部４を電気絶縁体として構築する。 - 特許庁

The etching method comprises a step of using the periphery of a copper film 101 where a mask material 102 was formed on its surface as the atmosphere of an organic compound gas 22 and a step of anisotropically etching the copper film 101 by irradiating the copper film 101 with an oxygen ion 6 using the mask material 102 as a mask in the atmosphere of the organic compound gas 22.例文帳に追加

表面にマスク材１０２が形成された銅膜１０１の周囲を、有機化合物ガス２２雰囲気とする工程と、有機化合物ガス２２雰囲気中で、銅膜１０１に、マスク材１０２をマスクに用いて酸素イオン６を照射し、銅膜１０１を異方性エッチングする工程と、を具備する。 - 特許庁

The method for etching a silicon semiconductor wafer, after lapping with use of a chemical includes steps of filling an etching bath with an alkali chemical including caustic soda (NaOH) and caustic potash (KOH), immersing the silicon semiconductor wafer into the alkali chemical, alkali etching the surface of the silicon semiconductor wafer to make the thickness 30 μm or less, and treating the wafer with an acid chemical, prior to the alkali etching step.例文帳に追加

ラッピング後のシリコン半導体ウェーハを薬液によりエッチングする方法において、エッチング槽内に苛性ソーダ（ＮａＯＨ）及び苛性カリ（ＫＯＨ）からなるアルカリ薬液を満たし、シリコン半導体ウェーハをそのアルカリ薬液に浸漬し、シリコン半導体ウェーハの表面を３０μｍ以下アルカリエッチングし、しかも、そのアルカリエッチングの処理前に酸薬液で酸処理する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes a first step of forming a trench 5a on a semiconductor substrate 1 by anisotropic etching and a second step of making a corner 5 at the bottom of the trench 5 round after the first step, by isotropic etching under the condition which does not eliminate a reaction product 20 formed on the inner plane of the side wall of the trench 5 by the anisotropic etching.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、異方性エッチングを行うことにより半導体基板１上にトレンチ５を形成する第１の工程を備え、そして、この第１の工程の後、前記異方性エッチングにより前記トレンチ５の側壁の内面に形成された反応生成物２０を除去しない状態で、等方性エッチングを行うことにより前記トレンチ５の底部のコーナー部５ａを丸める第２の工程を備えたところに特徴を有する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method by a positive-negative reversal in which wet etching using an alkaline etching liquid is performed for a step of finally acquiring a negative image by giving a positive pattern a resistance to an organic solvent used for a composition for forming a reverse film to the degree of necessity, and securing solubility into an alkaline etching liquid.例文帳に追加

ポジ型パターンに反転用膜形成用組成物に使用される有機溶剤に対する耐性を必要限度で与え、かつアルカリ性エッチング液への溶解性を確保することによって、最終的にネガ像を得る工程をアルカリ性エッチング液によるウエットエッチングで行うポジネガ反転によるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A method of applying anisotropic plasma etching to a silicon-on-insulator substrate wherein undercutting is substantially eliminated by utilizing, as a finishing etch step, a reactive ion etching process wherein ion density is reduced in order to limit ion charging within recesses of various sizes so that uniform etching can be performed in a vertical direction.例文帳に追加

垂直方向に一様なエッチングを行うように様々なサイズの凹部内のイオン充電を制限するためにイオン密度が低減される反応性イオン・エッチング工程を仕上げエッチング段階として使用することによってアンダカットが実質的になくなる、シリコン・オン・インシュレータ基板に異方性プラズマ・エッチングを施す方法を開示する。 - 特許庁

A progress monitor layer 5, which is sensitive for plasma light emission monitoring and contains nitrogen, is provided in the low-resistance film 6 and nearby an interface formed with the work function metal film 4 to detect change of plasma light emission during etching, and progress of the etching is monitored to prevent the etching step change from being delayed.例文帳に追加

低抵抗膜６中であって、仕事関数金属膜４との界面の近傍に、プラズマ発光モニタに感度のある、窒素を含む進捗モニタ層５を設けることで、エッチング中のプラズマ発光の変化を検知し、エッチングの進捗をモニタすることでエッチングステップ切り替えの遅延を防止することができる。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor apparatus comprises the first step of forming the combined substrate by bonding the plurality of the semiconductor substrates together, the second step of forming the recess by etching the combined substrate, and the third step of mounting the semiconductor device in the recess.例文帳に追加

複数の半導体基板を貼り合わせて合わせ基板を形成する第１の工程と、前記合わせ基板をエッチングして凹部を形成する第２の工程と、前記凹部に半導体素子を実装する第３の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The method includes a step of preparing a photomask blank having a light shielding film 15 on a transparent substrate 14, a step of forming a first resist pattern by drawing and developing a resist film formed on the light shielding film, and a step of performing first patterning by etching the light shielding film with the first resist pattern as a mask.例文帳に追加

透明基板１４上に遮光膜１５を有するフォトマスクブランクを準備する工程と、遮光膜上に形成したレジスト膜を描画、現像して第１レジストパターンを形成する工程と、第１レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングして第１のパターニングを行う。 - 特許庁

In a first developing step, developing is performed such that only an area exposed with a strong beam reaches the intermediate layer 12, the intermediate layer 12 is etched in an etching step and in a second developing step, developing is performed such that the area exposed with the strong beam reaches the glass substrate 1.例文帳に追加

第１の現像工程で、強いビームで露光された領域だけが中間層１２まで達するように現像し、エッチング工程で上記中間層をエッチングし、第２の現像工程で、強いビームで露光された領域が硝子基板１まで達するように現像する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a step of forming an insulating film, either an LaAlO_x film or PrAlO_x film, on a silicon substrate, a step of forming a gate electrode on the insulating film, and a step of wet-etching the insulating film by using a liquid chemical of 9-10 in pH.例文帳に追加

シリコン基板の上に、ＬａＡｌＯ_ｘ膜およびＰｒＡｌＯ_ｘ膜のいずれか一方の絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程と、この絶縁膜をｐＨ９〜１０の薬液を用いてウェットエッチングする工程とを有する。 - 特許庁

The gate electrode 5 can be formed by the steps containing the step of forming the metal film to form the gate electrode; the step of sputtering Al and Si simultaneously, thereby forming an Al post self-systematically; and the step of etching the Al post and the metal film just under the Al post.例文帳に追加

ゲート電極５は、ゲート電極となる金属膜を形成する工程、ＡｌとＳｉを同時にスパッタすることによりＡｌ柱を自己組織的に形成する工程、Ａｌ柱およびＡｌ柱直下の金属膜をエッチングする工程を含む工程によって形成され得る。 - 特許庁

Furthermore, the first free surface (2) is parallel to the crystalline planes {110} of silicon substrate and the step (c) comprises a progressing step of the anisotropic agent so that the second free surface (16) resulting from the etching step is parallel to the planes {100} of the substrate (1).例文帳に追加

さらに、前記第１自由面(2)は前記シリコン基板の結晶面｛１１０｝に平行であり、そして前記ステップｃ）が、前記エッチングのステップによってできた前記第２自由面(16)が前記基板(1)基板の面｛１００｝に平行になるように、前記異方性の薬品を浸入させるステップを具えている。 - 特許庁

The method has an interlayer insulating film forming step of forming an interlayer insulating film 12, a wiring groove forming step of etching the interlayer insulating film 12 to form a wiring groove 13, and a wiring forming step of filling Al-Cu alloy in the inside of the wiring groove 13 to form a wiring 18.例文帳に追加

層間絶縁膜形成工程により層間絶縁膜１２を形成し、配線溝形成工程により層間絶縁膜１２をエッチングして配線溝１３を形成し、配線形成工程により配線溝１３の内部にＡｌ−Ｃｕ合金を充填し、配線１８を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises (A) a step of forming a patterned organic film on a substrate, (B) a step of forming the conductive layer on a surface of the patterned organic film by electroless plating and (C) a step of removing a part of the conductive layer by contacting the same with an etching gel composition.例文帳に追加

上記製造方法は、（Ａ）基板上にパターン化有機膜を形成する工程と、（Ｂ）無電解メッキにより前記パターン化有機膜表面に導電層を形成する工程と、（Ｃ）ゲル状エッチング組成物と接触させることにより前記導電層の一部を除去する工程と、を含んでなる。 - 特許庁

Therefore, a step of forming the vibration plate, a step of grinding the silicon single crystal substrate, and a step of forming a mask for etching the silicon single crystal substrate can be skipped, so that a method for manufacturing an inkjet type recording head 1 reduced in manufacturing cost can be obtained.例文帳に追加

したがって、振動板の形成工程、シリコン単結晶基板を研削する工程およびシリコン単結晶基板をエッチングするためのマスク膜を形成する工程を省略でき、製造コストの低減したインクジェット式記録ヘッド１の製造方法を得ることができる。 - 特許庁

The method is further provided with: a step (c) of forming a nitride film 7 covering the normal and dummy laminate structure patterns 13 and 16; a step (d) of forming an oxide film 8 on the nitride film 7; and a step (e) of etching the oxide film 8 and the nitride film 7 to expose the upper part of the cap layer 6.例文帳に追加

そして、（ｃ）正規およびダミー積層構造パターン１３，１６を覆う窒化膜７を形成する工程と、窒化膜７上に酸化膜８を形成する工程と、（ｅ）酸化膜８および窒化膜７をエッチングして、キャップ層６の上部を露出させる工程とを備える。 - 特許庁

In the method for manufacturing the MEMS device, at the anisotropic etching step of anisotropic etching a part of a silicon substrate 1 for forming the cavity part 11, a TMAH solution dissolving Si is used as an alkali solution; and in the course of anisotropic etching the silicon substrate 1a down to a given depth dp, a cleaning step is carried out at least once, without drying the silicon substrate 1a.例文帳に追加

ＭＥＭＳデバイスの製造方法において、シリコン基板１の一部を異方性エッチングして空洞部１１を形成する異方性エッチング工程では、アルカリ系溶液としてＳｉを溶解させたＴＭＡＨ水溶液を用いるようにし、シリコン基板１ａを所定深さｄｐまで異方性エッチングする途中で、シリコン基板１ａを乾燥させることなく少なくとも１回の洗浄工程を行う。 - 特許庁

The plating pretreatment method 10 for an object to be treated made of an aluminum alloy member includes an etching step 12 of etching the object by using alkaline etching solution, a desmutting step 13 of cleaning a surface of the etched object by using a desmutting solution containing phosphoric acid and hydrogen peroxide, and zinc-substitution steps 14, 16 of immersing the desmutted objected in zinc substitution solution.例文帳に追加

アルミニウム合金部材からなる被処理物のめっき前処理方法１０は、前記被処理物を、アルカリエッチング液を用いてエッチングするエッチング処理工程１２と、前記エッチング処理された被処理物の表面を、リン酸と過酸化水素を含むデスマット処理液を用いて清浄するデスマット処理工程１３と、前記デスマット処理された被処理物を、亜鉛置換液に浸漬する亜鉛置換処理工程１４、１６とを含む。 - 特許庁

A method for manufacturing semiconductor includes a step for forming a substrate, a step for sticking a polysilicon layer on the substrate, a step for sticking the photoresist layer on the polysilicon layer, a step for patterning the photoresist layer, a step for sticking an inorganic material layer which is conformable and not photosensitive on the patterned photoresist layer, and a step for etching anisotropically the inorganic material layer and a semiconductor material layer.例文帳に追加

基板を形成するステップと、前記基板上にポリシリコン層を被着させるステップと、前記ポリシリコン層上にフォトレジスト層を被着させるステップと、前記フォトレジスト層をパターン形成するステップと、前記パターン形成したフォトレジスト層上に共形かつ非感光性の無機材料層を被着させるステップと、前記無機材料層および半導体材料層に異方性エッチングを施すステップとを含むことを特徴とする半導体製造方法である。 - 特許庁

(1) The method for forming a conductor interconnection circuit on a semiconductor wafer comprises a step for laying a metal foil for forming interconnection on the side for forming the electrodes of the semiconductor wafer having circuit elements formed on the surface, a step for forming an interconnection pattern on the metal foil, a step for etching the metal foil, and a step for removing resist and forming an interconnection.例文帳に追加

（１）表面に回路素子の形成された半導体ウェハ上の電極形成面側に配線形成用金属箔を積層する工程、該金属箔上に配線パターンを形成する工程、金属箔のエッチングを行う工程、および、レジストを除去して配線を形成する工程を含む、半導体ウェハ上の導体配線回路形成方法。 - 特許庁

After a sheet 16 is stuck to the whole surface of a semiconductor Si wafer 11 on the pattern forming side, chemical etching is performed to the no-pattern forming side (rear surface side) of the Si wafer 11 to the bottom face of a step 15 formed by performing reactive ion etching.例文帳に追加

半導体Ｓｉウエハ１１のパターン形成側全面に、シート１６を貼り付けた後、半導体Ｓｉウエハ１１の非パターン形成側（裏面側）に対して、リアクティブイオンエッチングを行って形成した段差１５の底面までケミカルエッチングを行う。 - 特許庁

To provide a tape for mutually joining boards causing no separation of the boards until the boards undergo a resist-removing step in subjecting the plurality of printed boards joined serially to etching under conveyance, thus eliminating an uneven etching phenomenon in the direction of their conveyance.例文帳に追加

複数のプリント基板を連結して搬送しながらエッチングする際に、レジスト除去工程に入るまで基板の分離が起きない基板接続用テープを提供し、搬送方向のエッチング不均一現象を解消することを課題とする。 - 特許庁

After a two layer mask of an aluminum film 102 and an organic film resist 103 is formed on a silicon substrate 101 and patterned through exposure, development and wet etching, first time dry etching is performed to form a recess 104 including a level difference shape of one step.例文帳に追加

シリコン基板１０１上に、アルミニウム膜１０２と有機膜レジスト１０３の２層のマスクを形成し、露光、現像およびウェットエッチングを経てパターニングした後、１回目のドライエッチングを行い、１段の段差形状を含む凹部１０４を形成する。 - 特許庁

To provide a mesa isolation monolithic light emitting diode in which leakage of light from a mesa etching step part is prevented by forming a shallow mesa etching trench not to isolate an emission layer and each individual electrode can be led out also from a reverse mesa part.例文帳に追加

メサエッチング溝を浅く形成して発光層を分離しないようにして、メサエッチング段部からの光漏れを防止すると共に、逆メサ部からも個別電極を導出することができるメサ分離型モノリシック発光ダイオードアレイを提供すること。 - 特許庁

To provide an etchant by which etching of silicon nitride is highly selectively performed without generating deposits after etching, in a step of removing silicon nitride from an electronic substrate having both a silicon dioxide layer and a silicon nitride layer.例文帳に追加

本発明は、二酸化ケイ素層と窒化ケイ素層を同時に有する電子基板から窒化ケイ素を除去する工程において、窒化ケイ素のエッチングを高選択的に行い、かつエッチング後に析出物が発生しないエッチング液を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a board-connection tape by which, when etching is performed while connecting a plurality of printed boards and transferring them, separation of the boards can be prevented until a resist-stripping step is reached and to remove the phenomenon of etching nonuniformity in a transfer direction.例文帳に追加

複数のプリント基板を連結して搬送しながらエッチングする際に、レジスト除去工程に入るまで基板の分離が起きない基板接続用テープを提供し、搬送方向のエッチング不均一現象を解消することを課題とする。 - 特許庁

To provide an electromagnetic wave shield sheet in which a mesh is easily cut, a transparent base film side is not contaminated and not corroded in an etching step or the like in the sheet in which a mesh-like metal foil by etching is stacked on the base film.例文帳に追加

エッチングによるマッシュ状の金属箔が透明基材フィルムに積層した電磁波遮蔽シートが、メッシュが切断しやすく、また、透明基材フィルム側が、エッチング工程等において、汚染されず、侵食を受けないようにすることを課題とする。 - 特許庁

Since the de-smearing step is performed following the pattern etching step for exposing a substrate, the surface of the substrate can be smoothed by imparting a chemical to the surface of the substrate where multiple protrusions and recesses are formed by copper foil subjected to anchoring.例文帳に追加

基材が露出するパターンエッチング工程後にデスミヤ処理を行うことにより、アンカー処理された銅箔によって多数の凹凸が形成された基材表面に薬品を付与し、該基材の表面を平滑化することができる。 - 特許庁

The Ag alloy film is produced by a method comprising the step of forming first and second films by sputtering and the step of simultaneously etching the first and second films under conditions which allow the second film to have a higher reflectivity and a lower resistance than the first film.例文帳に追加

スパッタ成膜による第一及び第二薄膜形成工程と、第一及び第二薄膜の同時エッチング工程とを有し、第二薄膜が第一薄膜に比べて反射率が高く、低抵抗になる条件で製造する。 - 特許庁

To obtain a releasing effect identical or superior to a condition possessed by a high concentration amine compound having high permeability even to a deteriorated and hardened part of a resist film formed in an impurity doping step, in a dry-etching step, etc.例文帳に追加

不純物注入工程やドライエッチング工程等によって生じたレジスト膜の変質硬化部位に対しても浸透性が高く、高濃度アミン化合物と有する条件と同等以上の剥離効果を得ることを可能とする。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for measuring a thin film in an accurate and rapid measurement real time when the film is deposited or etched in a film forming step or an etching step used in a manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程で用いられている成膜工程や、エッチング工程で、薄膜を堆積あるいはエッチングしていく際に、高精度で迅速にリアルタイムで測定のできる薄膜測定方法とその装置を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing the film provided with through-holes includes a step of forming a separation structure of a cylinder phase(cylinder phase separation structure) and a step of forming the through-holes by etching the cylinder phase.例文帳に追加

貫通穴を備えたフィルムの製造方法において、シリンダー相の分離構造（シリンダー相分離構造）を形成する工程、前記シリンダー相をエッチングすることにより貫通穴を形成する工程を有するフィルムの製造方法。 - 特許庁

The convenient method for making a hole on a semiconductor substrate comprises a step for generating a crystal defect in a part of region on the semiconductor substrate, and a step for selectively etching the region where a crystal defect is caused.例文帳に追加

半導体基板上の一部の領域に結晶欠陥を発生させる工程と、前記結晶欠陥が発生した領域を選択的にエッチングする工程を用い、半導体基板上に簡便に穴部を形成する構成とした。 - 特許庁

The method of forming a planar CMOS transistor divides the step of forming the gate layer into a first step of patterning a resist layer with a first portion of the gate layer pattern and then etching the polysilicon with the pattern of the gates.例文帳に追加

プレーナＣＭＯＳトランジスタを形成する方法は、ゲート層を形成する工程を、ゲート層パターンの第一の部分でレジスト層をパターン形成し、次にゲートのパターンで多結晶シリコンをエッチングする第一の工程に分割する。 - 特許庁

In several aspects, this method further comprises: a step of depositing a place holder material on the surface channel; and a step of etching the place holder material such that a gate region is formed on the surface channel.例文帳に追加

いくつかの局面において、この方法は、表面チャネルの上にプレースホルダー材料を堆積する工程と、表面チャネルの上にゲート領域を形成するようにプレースホルダー材料をエッチングする工程とをさらに包含する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a step for thickening a resist pattern by coating the surface of the pattern with the thickening material after forming the pattern on an underlayer and a step for patterning the underlayer by etching through the pattern.例文帳に追加

下地層上にレジストパターンを形成後、該パターン表面に前記厚肉化材料を塗布し該パターンを厚肉化する工程と、該パターンを用いてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The method for producing the porous glass includes: a step for separating phases into a silica-rich phase and a non-silica rich phase by carrying out phase separating processing by heating the borosilicate glass; and a step for dissolving out the silica-rich phase by etching with solution.例文帳に追加

前記ホウケイ酸塩ガラスを加熱による分相処理をしてシリカリッチ相と非シリカリッチ相に相分離させる工程、前記非シリカリッチ相を溶液によるエッチングにより溶出させる工程を有する多孔質ガラスの製造方法。 - 特許庁

After a compression layer and non-compression layer are formed on a glass substrate in a polishing process step 4, the glass substrate undergoes etching treatment in an acidic solution where a hydrofluoric acid and fluoride salt are made to coexist in a texturing treatment process step 5 (first surface treatment 5a).例文帳に追加

研磨工程４でガラス基板上に圧縮層と非圧縮層を形成した後、テクスチャ処理工程５でフッ酸とフッ化物塩を共存させた酸性溶液でエッチング処理を行う（第１の表面処理５ａ）。 - 特許庁

The method for modifying the surface of the amorphous carbon film includes a step for etching the surface 21 of an amorphous carbon film 2 by using an inert gas and a step for treating the etched surface 21 of the amorphous carbon film 2 by using a silane coupling agent.例文帳に追加

不活性ガスを用いて非晶質状炭素膜２の表面２１をエッチング処理するステップと、エッチング処理された非晶質状炭素膜２の表面２１を、シランカップリング剤を用いて表面処理するステップとを含む。 - 特許庁

In the step of forming the second trench 113, a mixture gas of chlorine gas and fluorocarbon gas is used as the second etching gas, and the substrate is etched with lower bias voltage than that for the step of forming the first trench 109.例文帳に追加

第２トレンチ部１１３を形成する前記工程において、前記第２エッチングガスとして塩素ガスとフルオロカーボンガスとの混合ガスを用い、かつ第１トレンチ部１０９を形成する前記工程よりも低いバイアス電圧でエッチングを行う。 - 特許庁

A manufacture of the silicone coat 3 includes a step for preparing a silicone wafer 4 as a base material of the silicone coat 3, and a step for forming the fine pattern 5 on the surface of the silicone wafer 4 by patterning by lithography and anisotropic dry etching.例文帳に追加

シリンコンコート３の作製は、シリコンコート３の基材としてシリコンウエハ４を準備する工程と、シリコンウエハ４の表面に、リソグラフィによるパターニングと異方性ドライエッチングとによって微細パターン５を形成する工程とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the wiring structure includes an etching step to selectively etch a first cap film and a step to form a second cap film made of SiOC or SiO_2 to cover the upper surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

また、かかる配線構造の製造方法が、第１キャップ膜を選択的にエッチングするエッチング工程と、半導体基板の上面を覆うように、ＳｉＯＣまたはＳｉＯ_２からなる第２キャップ膜を形成する工程とを含む。 - 特許庁

Thereby, even when surface roughness increases by etching accompanying washing, the increase of the surface roughness generates in the range of machining allowance in the mirror-surface polishing step performed later.例文帳に追加

これによれば、洗浄に伴うエッチングによって表面粗さが増してしまっても、それが、後に行われる鏡面研磨工程における取代の範囲内で生じる。 - 特許庁

The step of dry-etching dry-etches the entire surface of the interlayer insulating film 11 having the recess 13 after the mask 12 is removed.例文帳に追加

前記ドライエッチングの工程で、前記マスク１２が除去された後に、前記リセス１３を有する前記層間絶縁膜１１の表面全体をドライエッチングによりエッチングする。 - 特許庁