「step etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

In a plasma etching device, two-system first-step air-core coil simple bodies A(1), A(2) provided on first and second power-feeding lines are concentrically mounted on a bobbin 114A.例文帳に追加

このプラズマエッチング装置では、第１および第２の給電ライン上に設けられる２系統の第１段空芯コイル単体Ａ(1)，Ａ(2)同士が、ボビン１１４Ａに同心状に装着されている。 - 特許庁

In the step of manufacturing the TFT array substrate of the electro-optical device, a gate insulating film 2 is formed, an etching mask is then formed by photo-lithography techniques, and a predetermined area of the gate insulating film 2 is selectively etched from the opening of the etching mask to thin the predetermined area of the gate insulating film 2.例文帳に追加

電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造工程において、ゲート絶縁膜２を形成した後、フォトリソグラフィ技術により、エッチングマスクを形成し、エッチングマスクの開口からゲート絶縁膜２の所定領域を選択的にエッチングして、ゲート絶縁膜２の所定領域を薄くする。 - 特許庁

The pattern forming method is carried out by irradiating a work coated with a resist with exposure light through a mask in a plurality of shots, developing and etching the work and inspecting the formed pattern, wherein the method includes a step of inspecting the mask after the exposure and development processes and before the etching process.例文帳に追加

レジストが塗布されたワークにマスクを介して露光光を照射して複数ショット露光し現像処理し、エッチング処理を行った後、形成されたパターンの検査を行うパターン形成方法において、露光・現像処理後であって、エッチング処理の前にマスクを検査する工程を設ける。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor storage device comprises the steps of forming a nitride film 113 on an upper layer of a metal electrode layer 111 on a gate electrode layer, and removing a gate oxide film 106 under etching conditions in which an etching rate of the nitride film 113 is slower than that of the film 106 in a source region forming step.例文帳に追加

ゲート電極層上の金属電極層１１１の上層に窒化膜１１３を形成するとともに、ソース領域形成工程において、ゲート酸化膜１０６より窒化膜１１３のほうがエッチングレートが遅いエッチング条件で、ゲート酸化膜１０６を除去する。 - 特許庁

In the subsequent second etching step, lower electrodes 17B are formed of the film 17A by etching the remaining portion of the film 17A with a mixed gas of chloride supplied at a flow rate of 0.01 slm and Ar supplied at a flow rate of 0.09 slm.例文帳に追加

続く第２のエッチング工程において、流量０．０１ｓｌｍの塩素と流量０．０９ｓｌｍのＡｒとの混合ガスを用いて、下部電極形成膜１７Ａの残部に対してエッチングを行なうことにより、下部電極形成膜１７Ａから下部電極１７Ｂを形成する。 - 特許庁

The side wall of the step of the semiconductor device constituted of the principal surface and side wall of the device is etched, by controlling an impressing direction of a magnetic field or impressing directions of a magnetic field and an electric field upon etching species and by utilizing the reaction between the etching species and side wall.例文帳に追加

主表面と側壁とから構成される段差を有する半導体装置の段差の側壁を、エッチング種に磁界又は磁界と電界の印加方向を制御すること、エッチング種と側壁の反応を利用することで、エッチングすることにより上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a method for easily and reliably manufacturing a fin-type field-effect transistor without constriction at the base end of a fin using the SOI wafer while including a step for eliminating damage caused by plasma etching by the wet-etching of a sacrificial oxide film.例文帳に追加

ＳＯＩウエハを用いて、プラズマエッチングにより生じたダメージを犠牲酸化膜のウエットエッチングにより除去する工程を含むものでありながら、フィンの基端部分にくびれのないフィン型電界効果トランジスタを簡単かつ確実に製造することができる方法を提供すること。 - 特許庁

To realize a method for inspecting a semiconductor device, which can inspect for the presence of generation of etching stop phenomenon or a mis-etching during hole formation with a simple visual inspection, can find defects in manufacture at a early stage, and can prevent flow out of the defect to a next step.例文帳に追加

ホール形成時におけるエッチングストップ現象又は抜け不良の発生の有無を簡単な外観検査により検査することができ、製造不良を早期に発見することができると共に、次工程への流出を防止することができる半導体装置の検査方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a solar cell capable of manufacturing a solar cell having high generation efficiency with a high yield by forming a uniform texture in a silicon substrate surface by reducing cation concentration in an etching liquid by a texture etching step which uses an alkali solution and using a substrate whose surface is not contaminated.例文帳に追加

アルカリ溶液を用いたテクスチャエッチング工程によってエッチング液中の陽イオン濃度を低下させることで、シリコン基板面内に均一なテクスチャを形成し、表面の汚染も無い基板を用いることで、高い発電効率を有する太陽電池を高い歩留まりで製造することができる。 - 特許庁

In this case, in the step (d) of forming the control gate 5, anisotropic dry etching is performed by using a wafer stage 22 arranging the wafer substrates 15, 2 as a cathode electrode and by setting up an etching condition that the bias power of the cathode electrode is selected from 100 to 1,500 W.例文帳に追加

ここにおいて、コントロールゲート（５）を形成する（ｄ）工程は、ウェハ基板（１５、２）が配置されたウェハステージ（２２）をカソード電極とし、カソード電極のバイアスパワーを１００Ｗ以上１５００Ｗ以下から選択されるエッチング条件に設定して異方性ドライエッチングを行う。 - 特許庁

The process where the gate electrode 201 is left unremoved comprises a step, where a disused part is removed from the gate electrode 201 through an isotropic reactive ion etching method, where an etching gas that contains HBr gas and Cl2 gas is used so as to enable the electrode 201 to be provided with an undercut on its each lower sectional side.例文帳に追加

ゲート電極２０１を残す前記工程は、ＨＢｒガスおよびＣｌ_2ガスを含むエッチングガスを用いた等方性反応性イオンエッチング法によりゲート電極２０１が断面両側下方にアンダーカット部を備えるように不要な部分を除去するステップを含んでいる。 - 特許庁

The method of etching a substance film on a semiconductor wafer set in a reactor chamber, using a surface wave plasma etching system having an insulation plate and a glass plate for transmitting a surface wave generated by a microwave to the reactor chamber, comprises a step of generating a surface wave plasma of Ar or/and Xe to preheat the glass plate and a step of etching the substance film.例文帳に追加

絶縁板及び反応チャンバーに表面波を伝えるガラス板を具備し、マイクロ波によって表面波が発生する表面波プラズマエッチング装置により、前記反応チャンバー内に載置された半導体ウェーハ上の物質膜をエッチングする方法において、前記方法は、アルゴンまたは／およびキセノンの表面波プラズマを発生させて前記ガラス板を予熱するステップと、前記物質膜をエッチングするステップとを含むことを特徴とする半導体ウェーハ上の物質膜エッチング方法。 - 特許庁

At this time, a step of forming a concavity extending in the laminated direction in a first silicon layer of the first silicon substrate by a plasma of first gas and a second etching step of forming a concavity extending in a laminated direction in the adhesion layer by a plasma of second gas are executed.例文帳に追加

このとき、第１ガスのプラズマにより、上記積層方向に延びる凹部を第１シリコン基板の第１シリコン層に形成する工程と、第２ガスのプラズマにより、積層方向に延びる凹部を接着層に形成する第２エッチング工程とを実施する。 - 特許庁

The method described above includes a process step of working the metallic layer 1 and the conductive layer 3 respectively by a photoetching method and a process step of working the insulating layer 2 by forming resist images in order to work the insulating layers and wet etching according to the resist images.例文帳に追加

金属層１と導電性層３をそれぞフォトエッチング法により加工する工程と、絶縁層２を加工するためのレジスト画像を形成し、当該レジスト画像に従ってウェットエッチングにより絶縁層２を加工する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Thus, the present invention includes a step (S104) for eliminating the surface oxide film by cleaning the surface of the silicon core wire with a hydrofluoric acid solution following the step for eliminating processing strain of the surface by etching the silicon core wire using a mixed acid solution of hydrofluoric acid and nitric acid.例文帳に追加

そこで、本発明では、シリコン芯線をフッ酸と硝酸の混酸溶液でエッチングして表面の加工歪みを除去する工程に続いて、シリコン芯線の表面をフッ酸溶液で洗浄して表面酸化膜を除去する工程（Ｓ１０４）を備える。 - 特許庁

To provide a compact and simple analyzer which can perform both of an etching step and a recovery step alone, also can analyze a substrate regardless of kinds of films formed on the substrate and is suitable for the spot analysis on the substrate.例文帳に追加

本発明は、同一装置により、エッチング工程と回収工程の両工程が行える、小型で簡易的な分析装置であって、基板に形成された膜の種類によらず分析可能であり、基板上の局所分析にも好適な分析装置を提供する。 - 特許庁

The method includes a step of forming the alignment film on a substrate having an electrode pad at a position corresponding to a transfer electrode for applying a voltage to a common electrode, and a step of locally etching the alignment film to expose the electrode pad without using a mask pattern.例文帳に追加

共通電極に電圧を印加するトランスファ電極に対応する電極パッドを備える基板上に配向膜を形成する段階と、前記電極パッドを露出させるようにマスクパターンを用いずに前記配向膜をエッチングする段階とを有する。 - 特許庁

A selective etching treatment step is provided after a plasma nitriding treatment step, and while a silicon nitride film 109 formed on an electrode layer 107 is left, a silicon nitrided oxide film 11 formed on surfaces of an element isolation film 103 and an insulating film 105 is removed.例文帳に追加

プラズマ窒化処理工程の後に、選択エッチング処理工程を設け、電極層１０７に形成された窒化珪素膜１０９を残しつつ、素子分離膜１０３および絶縁膜１０５の表面に形成された窒化酸化珪素膜１１１を除去する。 - 特許庁

(1) The method for forming the structure is characterized by using the medium having the laminated structure of the light absorption layer and the thermal reaction layer and forming the fine structure by a step of irradiating at least the medium with the light and a step of etching the medium.例文帳に追加

（１）光吸収層と熱反応層の積層構成を有する媒体を用い、少なくとも、該媒体に対して光を照射する工程、該媒体をエッチング加工する工程により微細な構造体を形成することを特徴とする構造体形成方法。 - 特許庁

This method, wherein a ZnSe substrate 1 is placed on a silicon wafer 2 and then etched, comprises a step of placing the ZnSe substrate 1 on the silicon wafer 2 with grease 11 sandwiched in between; and a step of ion- etching the ZnSe substrate 1.例文帳に追加

ＺｎＳｅ基板１をシリコンウエハ２上に置いてエッチングする方法であって、ＺｎＳｅ基板１とシリコンウエハ２との間にグリース１１を挟み込んで、ＺｎＳｅ基板をシリコンウエハ２に配置する工程と、ＺｎＳｅ基板をイオンでエッチングする工程とを備える。 - 特許庁

The manufacturing method uses a low-cost process step and a wet chemical etching step at a mainframe, and the SPM sensor which is provided with the rectangular cantilever having the tip protruding or not protruding from the free end part is manufactured from a single object.例文帳に追加

本製造法は費用のかからないプロセスステップ、大体において湿式化学エッチングステップを利用し、その結果自由端部より突出しまたは突出しないチップを持つ矩形片持ちばりを備えたＳＰＭセンサーを単一物から製造することを可能にする。 - 特許庁

The method of manufacturing a substrate for a photovoltaic cell includes a first step of forming a zinc oxide thin film layer doped with a dopant on a transparent substrate, and a second step of controlling a surface structure of the zinc oxide thin film layer by etching using hydrogen plasma.例文帳に追加

本発明は、光電池用基板の製造方法に関し、透明基板にドーパントがドーピングされた酸化亜鉛薄膜層を形成する第１ステップ、及び、水素プラズマによるエッチングを通じて前記酸化亜鉛薄膜層の表面構造を制御する第２ステップを含む。 - 特許庁

Therefore, section of the mesa structure is uniformized, using bromine water and hydrobromic acid or aqueous solution containing hydrobromic acid and peroxyhydrate acid (Br group etching solution) (third step), and an electrode is formed on the surface of the mesa structure (fourth step).例文帳に追加

しかる後、臭素水および臭化水素酸、若しくは臭化水素酸および過酸化水素水を含む水溶液（Ｂr系エッチング液）を用いてメサの断面形状を滑らかに成型した後（第３の工程）、メサの表面に電極を形成する（第４の工程）。 - 特許庁

The method of manufacturing the wiring board includes a step for preparing a board 10 having a tape like base board and a metallic layer provided to the base board, and a step for jetting an etching liquid 100 on the board 10 to etch the metallic layer while transporting the board 10.例文帳に追加

配線基板の製造方法は、テープ状のベース基板と、ベース基板に設けられた金属層と、を有する基板１０を用意する工程と、基板１０を搬送しながら基板１０にエッチング液１００を噴射して金属層をエッチングする工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a method for producing a stencil mask by which the deposition of foreign matter is prevented in a step for forming a pattern opening in a single-crystalline silicon wafer, particularly in a step for etching a middle silicon dioxide film and a high quality stencil mask is produced in a high yield.例文帳に追加

単結晶シリコンウェハにパターン開口部を形成する工程や、特に中間シリコン酸化膜をエッチングする工程での異物の付着を無くし、製造歩留まりの高い高品質のステンシルマスクを製造する方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The method comprises a step of forming a mask touching a first conductive layer, and a step of forming a second conductive layer by etching the first conductive layer using the above-mentioned mask, and the above-mentioned mask is formed by a drop discharge method, further, characterized in that it is not removed.例文帳に追加

第１の導電層に接するマスクを形成するステップ、前記マスクを用いて第１の導電層をエッチングして、第２の導電層を形成するステップを有し、前記マスクは液滴吐出法により形成し、さらに除去しないことを特徴とする。 - 特許庁

A method for manufacturing the floor material 1 comprises the step of forming masks on planes to form the convex regions (protrusions 30) in the surface of the metal plate, and the step of immersing the metal plate with the masks in an etching liquid so as to form recesses (grooves 20) in the surface of the metal plate.例文帳に追加

床材１の製造方法は、金属板の表面のうち凸領域（凸部３０）となる面にマスクを形成する工程と、マスクを形成した金属板をエッチング液に漬けて金属板の表面に凹部（溝２０）を形成する工程とを有する。 - 特許庁

To reduce white turbidity generated on a wafer face at an etching step and provide a wafer-face specular step in working of high quality, by adding hydrogen gas, ammonia gas or a mixed gas containing hydrogen or ammonia gas to sulfur hexafluoride gas.例文帳に追加

水素ガス，アンモニアガス，又はこれらのいずれかのガス含んだ混合ガスを六フッ化硫黄ガスに添加することにより、エッチング時におけるウエハ表面の白濁の発生を抑制すると共に高品質のウエハ鏡面加工を可能にするウエハエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The method includes a step to form a buried oxide layer BOX at the logic circuit part 18 of a substrate, which is not masked by a first mask, by injecting oxygen and a step to apply etching to isolation trenches inside the array part 17 and the logic circuit part 18 by a second mask.例文帳に追加

酸素を注入して、第１のマスクによってマスクされていない基板の論理回路部分１８に埋設酸化物層ＢＯＸを形成するステップと、第２のマスクでアレイ部分１７と論理回路部分１８内の分離トレンチにエッチングを施すステップを含む。 - 特許庁

The coating method of silicon particles includes: a mixed particle coating step for coating an underlying substrate 1 with mixed particles of silicon particles 2 and silicon oxide particles 3; and a dry etching step for removing the silicon oxide particles 3 by performing dry etching to the mixed particles on the underlying substrate 1 coated therewith, with higher selection ratio of the silicon oxide particles 3 with respect to the silicon particles 2.例文帳に追加

シリコン粒子２と酸化シリコン粒子３との混合粒子を基材１上に塗布する混合粒子塗布工程と、前記基材１上に塗布された前記混合粒子に対して、前記シリコン粒子２に対する前記酸化シリコン粒子３の選択比が高いドライエッチングを行って前記酸化シリコン粒子３を除去するドライエッチング工程と、を含む。 - 特許庁

The manufacturing method of the passage substrate comprises at least a step of (A) etching a polyimide resin layer 11 by using an alkaline solution as a chemical etching solution, and performing the hydrophilization of the surface of the etched polyimide resin layer 11, and a step of (B) forming the passage by laminating other polyimide resin layers 12, 13.例文帳に追加

（Ａ）アルカリ性溶液をケミカルエッチング液として用いることで、ポリイミド樹脂層１１をエッチングするとともに、該エッチングされた前記ポリイミド樹脂層１１の表面を親水性化する工程と、（Ｂ）前記エッチングされたポリイミド樹脂層１１に、他のポリイミド樹脂層１２，１３を積層することで流路を形成する工程と、を少なくとも行なうポリイミド樹脂製の流路基板の製造方法とすること。 - 特許庁

A method of manufacturing a Ge island 2 comprise in sequence: a semiconductor layer growing step of growing a Ge semiconductor layer 2 on an Si substrate 1; and a Ge semiconductor layer etching step of etching the Ge semiconductor layer 2 until reaching the Si substrate 1 to form the Ge island 2 spreading in the direction of the Si substrate.例文帳に追加

本発明は、Ｓｉ基板１上にＧｅ半導体層２を成長させるＧｅ半導体層成長工程と、Ｇｅ半導体層２をＳｉ基板１に達するまでエッチングし、Ｓｉ基板１方向に対して裾広がりとなるＧｅアイランド２を形成するＧｅ半導体層エッチング工程と、を順に備えることを特徴とするＧｅアイランド２の製造方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes a reactive ion etching step to form grooves in a semiconductor by partly removing the surface of the semiconductor by reactive ion etching, and a small-angle ion milling step to partly remove the bottom of the groove by emitting an ion beam to the bottom of the groove in an inclined direction at a zero degree or higher and 45 degrees or lower with respect to the bottom thereof.例文帳に追加

半導体の表面の一部を反応性イオンエッチングにより除去することによって半導体に溝を形成する反応性イオンエッチング工程と、溝の底面に対して０°より大きく４５°以下の角度に傾斜した方向からイオンビームを照射することによって溝の底面の一部を除去する低角度イオンミリング工程とを含む半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

This method includes a process step of forming a plurality of apertures (402) inclusive of at least two apertures having areas varying from each other according to the lens-forming regions to be formed with one microlens and a process step subjecting the substrate to wet etching by using these, in which the external shapes of the microlenses are formed by this wet etching.例文帳に追加

基板（１０）上の該レジスト（４０１）に対して、一つのマイクロレンズを形成すべきレンズ形成用領域に応じ、相異なる面積を有する少なくとも二つの開口部を含む複数の開口部（４０２）を形成する工程と、これらを利用して前記基板に対するウェットエッチングを実施する工程とを含み、該ウェットエッチングによりマイクロレンズの外形形状を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes: a modified layer forming step for pulse-irradiating a substrate 10 consisting of single crystal silicon with a laser light L by moving a focal position, and partially polycrystallizing the single crystal silicon to form a continuous modified layer 11 in the single crystal silicon; and an etching step for etching the modified layer 11 to remove it.例文帳に追加

単結晶シリコンからなる基板１０に対して、焦点位置を移動させてレーザ光Ｌをパルス照射し、前記単結晶シリコンを部分的に多結晶化して、前記単結晶シリコン中に連続した改質層１１を形成する改質層形成工程と、前記改質層１１をエッチングして除去するエッチング工程と、を備える半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

This manufacturing method comprises the steps of machining the {0001} plane of silicon carbide, etching the surface of the silicon carbide by plasma of a material containing at least a halogen after the machining step, and exposing the surface of the silicon carbide to a plasma of a material not containing a halogen and containing at least oxygen after the etching step.例文帳に追加

炭化珪素の｛０００１｝面を、機械加工する機械加工工程と、前記機械加工工程後に、前記炭化珪素の表面を、少なくともハロゲンを含有する物質のプラズマによりエッチングする工程と、前記エッチング工程後に、前記炭化珪素の表面を、ハロゲンを含有せず、なおかつ少なくとも酸素を含有する物質のプラズマに曝露する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

In the light-transmission thin film solar cell module, the light-transmission area is formed by using a mask blank-assisted sandblasting etching method including: a step of positioning a mask blank to cover the back electrode of the thin film solar cell module; and a step of performing a sandblasting etching to the mask blank to form the light-transmission area in the thin film solar cell module.例文帳に追加

マスクブランクスを薄膜太陽電池モジュールの背電極に位置決めをして覆わせるステップと、マスクブランクスに対してサンドブラスト・エッチングを施し薄膜太陽電池モジュールに透光性領域を形成するステップと、を含むマスクブランクス補助サンドブラスト・エッチング法を使用して、透光性領域を形成することを特徴とする透光性薄膜太陽電池モジュールを製造する。 - 特許庁

A second interlayer insulating film 107 is divided into a second interlayer insulating film A 107a having a fast wet etching rate, and a second interlayer insulating film B 107B having a usual wet etching rate to positively utilize transversal etching at an interface with a first interlayer insulating film 106 thereby avoiding formation of a wedge-shaped step difference at the interface of the interlayer insulating films and preventing disconnection of electrode wiring.例文帳に追加

第２層間絶縁膜１０７をウエットエッチングレートの早い第２層間絶縁膜Ａ１０７Ａと通常の第２層間絶縁膜Ｂ１０７Ｂに分けることにより、第１層間絶縁膜１０６との界面での横方向のエッチングを積極的に利用し、層間絶縁膜界面でのくさび状の段差ができないようにし電極の断線を防ぐ。 - 特許庁

The process for fabricating an actuator comprises a step for forming an SOG (Spin-On Glass) film on a zirconium oxide film, a step for etching back the zirconium oxide film on which the SOG film is formed until the zirconium oxide film is planarized, a step for forming a lower electrode on the planarized zirconium oxide film, and a step for forming a piezoelectric film on the lower electrode.例文帳に追加

アクチュエータ装置の製造方法において、アクチュエータ装置の製造方法において、酸化ジルコニウム膜上に、ＳＯＧ膜を形成する工程と、ＳＯＧ膜が積層された酸化ジルコニウム膜を、酸化ジルコニウム膜が平坦になるまでエッチバックする工程と、平坦化された酸化ジルコニウム膜上に下電極を形成する工程と、記下電極上に圧電体膜を形成する工程と、を備える、アクチュエータ装置の製造方法である。 - 特許庁

The method includes a step of filling a wiring groove or a contact hole, by stacking a wiring metal in the wiring groove or the contact hole formed on the insulation film on a semiconductor substrate, a step for exposing the insulating film by polishing the wiring metal, a step of cleaning the semiconductor substrate, and a step for recess etching the surface of the wiring metal embedded in the wiring groove or the contact hole.例文帳に追加

半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝又はコンタクト孔に配線金属を堆積して前記配線溝又はコンタクト孔に充填する工程と、前記配線金属を研磨して前記絶縁膜を露出する工程と、前記半導体基板を洗浄する工程と、前記配線溝又はコンタクト孔に埋め込まれた前記配線金属表面をリセスエッチングする工程を有している。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step of oxidating an aluminum foil in a boric acid solution to form a uniform-thickness oxide film, a step of partly etching the aluminum foil with the formed oxide film in a sodium chloride solution containing sulfuric acid ion, and a step of reoxidizing the etched aluminum foil to form an oxide film again.例文帳に追加

ホウ酸溶液内でアルミニウムフォイルを酸化して均一な厚さの酸化被膜を形成させる段階と、前記酸化被膜が形成されたアルミニウムフォイルを硫酸イオンが含まれた塩化ナトリウム溶液中で部分的にエッチングする段階と、及び前記エッチングされたアルミニウムフォイルを再酸化して再び酸化被膜を形成させる段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method includes a first step of forming a metal thin film for wiring lines on a glass substrate 11a, a second step of forming a resist pattern on the metal thin film by using a photomask 20 where a pattern for the wiring lines is formed, and a third step of forming the wiring lines by selectively removing the metal thin film by wet etching using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

ガラス基板１１ａ上に、配線用の金属薄膜を形成する第１ステップと、配線用のパターンが形成されたフォトマスク２０を用いて、金属薄膜上に、レジストパターンを生成する第２ステップと、レジストパターンをマスクとして、ウェットエッチングにより金属薄膜を選択的に除去し、配線を形成する第３ステップとを備える。 - 特許庁

This production method of the graphene conductive film includes: a first step of providing a metallic substrate having a first surface and a second surface facing the first surface; a second step of growing a graphene structure on the first surface of the metallic substrate; and a third step of patterning the metallic substrate by etching to form an electrode.例文帳に追加

本発明のグラフェン導電膜の製造方法は、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供する第一ステップと、前記金属基材の第一表面にグラフェン構造体を成長させる第二ステップと、エッチングによって、前記金属基材をパターニングして電極を形成させる第三ステップと、を含む。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device comprises a step (a) of forming a first insulating film 11 on a substrate 12, a step (c) of selectively removing the first insulating film 11 by wet etching, and a step (d) of forming a second insulating film 17 on a region of the substrate 12 having the insulating film 11 removed therefrom.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、基板１２の上に第１の絶縁膜１１を形成する工程（ａ）と、第１の絶縁膜１１をウェットエッチエッチングにより選択的に除去する工程（ｃ）と、基板１２における第１の絶縁膜１１が除去された領域の上に第２の絶縁膜１７を形成する工程（ｄ）とを備えている。 - 特許庁

The plasma processing method includes: product etching (step S1: processing of a sample including Ti material); thereafter carbon system deposition discharge for depositing a carbon system film on a Ti reaction product deposited on the surface of the processing chamber (step S2); and thereafter chlorine electric discharge for removing the carbon system film abd the Ti deposited on the surface of the processing chamber (step S3).例文帳に追加

製品エッチング（工程Ｓ１：Ｔｉ材料を含む試料の処理）後に、処理室表面に堆積するＴｉ反応生成物に対してカーボン系膜を堆積させるカーボン系堆積放電（工程Ｓ２）と、その後に処理室表面に堆積するカーボン系膜とＴｉを除去する塩素系放電（工程Ｓ３）とを含むプラズマの処理方法とする。 - 特許庁