「step etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a processing method and a processing apparatus that perform processes from removal of a damage layer of a substrate formed during slicing to texture formation step together in a lump through dry etching.例文帳に追加

スライス時に生じる基板のダメージ層の除去からテクスチャー形成工程を一括してドライエッチングにより処理する処理方法及び処理装置を提供する。 - 特許庁

Thus, the etching step for forming the uneven structure is eliminated, the cost is reduced, and a transparent conductive film 3 including indium oxide is formed, which reduces a film thickness.例文帳に追加

これにより、凹凸構造を形成するためのエッチィング工程を不要とし、低コスト化を図り、酸化インジウムを含んだ透明導電膜３とすることで、膜厚を低下させる。 - 特許庁

The method includes a filtering step wherein oxalic acid containing etchant used for etching ITO is filtered by an NF membrane 25 into permeate and non-permeate.例文帳に追加

本発明では、ＩＴＯのエッチングに使用した蓚酸含有エッチング液をＮＦ膜２５によりろ過して透過液と非透過液とに分離するろ過工程を備える。 - 特許庁

In a trench etching step, overetching is prolonged, and the width of the trench near the joint with the buried oxide film is made larger than the width of the trench in an opening.例文帳に追加

そして、トレンチエッチ工程においてオーバーエッチを長くして、埋め込み酸化膜との接合部近傍でのトレンチの幅を、開口部でのトレンチの幅よりも広くする。 - 特許庁

Thus etching or the like for a high step part, which is performed in a conventional method, is unnecessary, and the movable structure body is accurately manufactured with simple manufacturing processes.例文帳に追加

これにより、従来の高段差部へのエッチング等を行う必要がなくなり、簡便な製造プロセスにより精度良く可動構造体を製造することができる。 - 特許庁

In a thin film etching step (j), the film 8 is etched back, and a self-alignment mask 9 disposed in a recess 7 of the film 6 is formed.例文帳に追加

薄膜エッチング工程（ｊ）では、選択性薄膜８のエッチバックを行い、多結晶シリコン堆積膜６の窪み７内に位置した自己整合マスク９を形成する。 - 特許庁

For example, in manufacture of a transistor with a bottom gate and bottom contact structure, three-step etching is performed on a conductive layer with a three-layer structure that forms a source and a drain.例文帳に追加

例えば、ボトムゲート・ボトムコンタクト構造のトランジスタを作製するに際して、ソースとドレインを構成する導電層を３層の積層構造とし、３段階のエッチングを行う。 - 特許庁

To provide a method which can manufacture a high-capacity anode foil for an electrolytic capacitor by controlling a pit generating point uniformly using an inexpensive and simple method in an etching step.例文帳に追加

エッチング工程にて、安価かつ簡易な方法でピット発生点を均一に制御して高容量の電解コンデンサ用陽極箔を製造できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wet etching solution capable of removing a silicon oxide film without forming a large step between a metal silicide region and a silicon region.例文帳に追加

金属シリサイド領域とシリコン領域との間に大きな段差を形成することなくシリコン酸化膜を除去することのできる湿式エッチング溶液を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method to suppress etching of a base silicon oxide film in a peeling-off/removal step for hard mask of P-SiN after forming an Al-alloy wiring.例文帳に追加

Ａｌ合金の配線形成後のＰ−ＳｉＮのハードマスクの剥離、除去工程において下地シリコン酸化膜のエッチングを抑制する製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is manufactured by a step of selectively removing the semiconductor protective layer of the epitaxial substrate by the difference in etching rate from the nitride semiconductor functional layer.例文帳に追加

そして、エピタキシャル基板の半導体保護層を、窒化物半導体機能層に対するエッチングレートの差により選択的に除去する工程により半導体装置を製造する。 - 特許庁

In the next step, gate electrodes are formed in the MOS-transistor forming regions while simultaneously removing the polysilicon films of the bipolar-transistor forming regions by anisotropic dry etching.例文帳に追加

次に、異方性ドライエッチングによりＭＯＳトランジスタ形成領域にゲート電極を形成すると同時にバイポーラトランジスタ形成領域のポリシリコン膜を除去する。 - 特許庁

The method for etching a photomask includes a step of providing a processing chamber, having a substrate supporting pedestal adapted to receive a substrate for photomask on the top part.例文帳に追加

フォトマスクをエッチングする方法は、上部に、フォトマスク用基板を受けるように適合された基板支持用ペデスタルを有する処理チャンバを提供するステップをふくむ。 - 特許庁

To provide a method for forming a diffraction optical grating of high diffraction efficiency, with which the deterioration in a shape is reduced in forming a step-wise diffraction structure by etching a substrate.例文帳に追加

基板をエッチングして階段状回折構造を形成する際に、形状の劣化を少なくして回折効率の高い回折光学格子の形成方法を提供する。 - 特許庁

Since the second wet etching can be performed without forming the fresh photoresist layer, the one member can be worked to the structure having the step with the fewer processes.例文帳に追加

新たなフォトレジスト層を形成することなく第２のエッチングを行うことができるから、少ない工程で、一つの部材を段差のある構造に加工することが可能となる。 - 特許庁

In the first etching step, grooves for making the electrodes 14-17 and 13 independent and grooves for preventing the grooves from becoming communicative with their circumferences are formed.例文帳に追加

ここで、第１のエッチング工程で、固定電極１４〜１７および可動電極１３を独立させるための溝と該溝が周囲と連通するのを遮断する溝とを形成する。 - 特許庁

Additionally, selective processing of the protective coat by performing chemical etching on the protective coat, also allows the step to be formed with high precision and with sufficient reproducibility.例文帳に追加

また、前記保護膜に対し、化学エッチングを施すことによって保護膜を選択的に加工することでも、前記段差を高精度に、しかも再現性良く形成することができる。 - 特許庁

In one implementation, a method is provided that includes a step of plasma-etching a high-k dielectric material with a first plasma gas reactant mixture having BCl_3.例文帳に追加

一実施態様においては、ＢＣｌ_３を有する第１プラズマガス反応種混合物で高ｋ誘電材料をプラズマエッチングするステップを含む方法が提供される。 - 特許庁

An article to be treated is exposed in a treating fluid containing etching reaction species, and the treating fluid is kept under a fluidized state to the article to be treated (a fourth step S4).例文帳に追加

エッチング反応種を含有する処理流体に被処理物を晒し、かつ被処理物に対して前記処理流体を流動させた状態に保つ（第４ステップＳ４）。 - 特許庁

Thereafter, after the first polish preventing layer 104 is removed by etching, the second polish preventing layer 102 is used as the polish preventing layer, and a secondary chemical-mechanical polishing(CMP) step is executed.例文帳に追加

その後、第１研磨阻止層１０４を食刻除去した後、第２研磨阻止層１０２を研磨阻止層として用いて２次化学機械的研磨(CMP)工程を実施する。 - 特許庁

The manufacturing method of the silicon carbide semiconductor element includes a step of successively laminating a polysilicon film and an oxide film on a silicon carbide wafer; a step of forming a trench on the silicon carbide wafer by reactive ion etching using these films as a partially open masking material to have the polysilicon film retreated to expose an upper end corner of the trench; and a step of rounding the upper end corner by etching.例文帳に追加

炭化珪素ウェハー上にポリシリコン膜と酸化膜を順次積層する工程と、これらの膜を一部が開口したマスク材として反応性イオンエッチングにより炭化珪素ウェハーにトレンチを形成し、ポリシリコン膜を後退させて前記トレンチの上端コーナーを露出させる工程と、エッチングにより前記上端コーナーを丸める工程と、を有する炭化珪素半導体素子の製造方法とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the liquid jet head includes a step of laminating a first metal layer 191 enhancing adhesion and a second metal layer 192 serving as wiring on one surface of a channel formation substrate 10 where a piezoelectric actuator is formed, a step for patterning the second metal layer 192 by wet etching, and a step for patterning the first metal layer 191 by dry etching.例文帳に追加

圧電アクチュエーターが一方面に形成された流路形成基板１０の当該一方面に密着を向上する第１の金属層１９１と、配線となる第２の金属層１９２とを積層する工程と、前記第２の金属層１９２をウェットエッチングによりパターニングする工程と、前記第１の金属層１９１をドライエッチングによりパターニングする工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

This dry etching method repeatedly executes a step of generating plasma in a vacuum tank to etch a substrate and a step of sputtering a sold material disposed oppositely to the substrate to form a protective film on the side wall of an etching pattern, wherein a mixed gas obtained by adding a reaction gas for forming a protective film to a noble gas is used as a sputter gas in the protective film forming step.例文帳に追加

本発明のドライエッチング方法は、真空槽内でプラズマを発生させて、基板をエッチングする工程と、基板に対向して配置された固体材料をスパッタして、エッチングパターンの側壁部に保護膜を形成する工程を、交互に繰り返して行うドライエッチング方法であって、保護膜の形成工程では、スパッタガスとして、希ガスに保護膜形成用の反応ガスを添加した混合ガスを用いる。 - 特許庁

The method for producing a glass microlens array includes a step of locally applying stress to a glass substrate so polished as not to leave a crushed layer by being irradiated with laser light, and a step of forming portions in which stress is locally present in a lens shape by subjecting the stress applied glass substrate to isotropic dry etching or isotropic wet etching.例文帳に追加

本ガラス製マイクロレンズアレイ製造方法は、破砕層がないように研磨されたガラス基板にレーザ光を照射して局所的に応力を与える工程と、応力が与えられたガラス基板に等方的なドライ・エッチングあるいは等方的なウエット・エッチングを施して、局所的に応力が存在する部分をレンズ状に成形する工程を有する。 - 特許庁

This manufacturing method includes a main etching step to etch by a plasma an area which is not covered with an organic material of a film made of material containing silicon, until the surface of the oxidized film of a base material is exposed after thorough removal, and an over-etching step to further etch the surface of the exposed oxidized film by the plasma, in the separate chambers respectively.例文帳に追加

シリコンを含む材料の膜の有機材料によって被覆されていない領域を、概略除去されて下地の酸化膜表面が露出するまでプラズマエッチングするメインエッチングと、酸化膜が露出された表面をさらにプラズマエッチングするオーバーエッチングとを各々異なる別々のチャンバー内で行うことにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

At the time of laminating a plurality of layers on a semi- insulation substrate and forming a mesa region and the other regions by mesa etching, by selectively stopping the regions other than the mesa region to be etched at the layer of a slow etching speed, a level difference between a mesa step upper part and a mesa step lower part is suppressed and disconnection and narrowing of the gate electrode are prevented.例文帳に追加

半絶縁性基板上に複数の層を積層して、メサエッチングによってメサ領域とメサ領域以外の領域とを形成するときに、エッチングされるメサ領域以外の領域がエッチング速度の遅い層で選択停止することにより、メサ段差上部とメサ段差下部との段差を抑えてゲート電極の断線と狭小化を防止する。 - 特許庁

UV irradiation is performed before coating a photoresist for etching a via hole to reduce the number of plus charges (step 12), a nitrogen plasma treatment is performed at the via hole etching and after plasma separation to reduce the number of plus charges (step 13, 14), and concentration management is performed such that the resistivity value of rinse water is ≤0.3 MΩ cm during the organic separation.例文帳に追加

ビアホールをエッチングするためのフォトレジスト塗布前にＵＶ照射を行って＋電荷の低減を図り（ステップ１２）、ビアホールエッチングの際およびプラズマ剥離の処理の後に窒素プラズマ処理を行って＋電荷の低減を図り（ステップ１３、１４）、有機剥離の際のリンス水の比抵抗値が０．３ＭΩ・ｃｍ以下となるように濃度管理する（ステップ１５）。 - 特許庁

The Al taper dry etching method, which is based on resist backstep sequence method for obtaining a small Al taper angle, consists of a step of forming a resist pattern having the small resist taper angle corresponding to a desired small Al taper angle on Al or an Al alloy, and a step of performing anisotropic dry etching on Al or Al alloy having the resist pattern.例文帳に追加

所望の小さいＡｌテーパ角に対応した小さいレジストテーパ角を有するレジストパターンをＡｌまたはＡｌ合金膜上に形成する工程および該レジストパターンを有するＡｌまたはＡｌ合金膜に異方性ドライエッチングを行なう工程からなる、小さいＡｌテーパ角をうるためのレジスト後退法にもとづくＡｌテーパドライエッチング方法。 - 特許庁

The processing method comprises the step (i) of irradiating glass (a glass sheet 12) with a pulsed laser 12 at a wavelength λ after condensation with a lens to form a degenerated part 13 on that part of the glass which is irradiated with the pulsed laser 12 and the step (ii) of etching the regenerated part 13 with an etchant having a larger etching rate to the regenerated part 13 than to the glass.例文帳に追加

（ｉ）波長λのレーザパルス１２をレンズで集光してガラス（ガラス板１２）に照射することによって、ガラスのうちレーザパルス１２が照射された部分に変質部１３を形成する工程と、（ii）ガラスに対するエッチングレートよりも変質部１３に対するエッチングレートが大きいエッチング液を用いて変質部１３をエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

The etching method comprises a step of forming a copper oxide 103 anisotropically oxidized for all thickness directions of a copper film 101 in the copper film 101 by irradiating the copper film 101 where a mask material 102 was formed on its surface with an oxygen ion 6 using the mask material 102 as a mask and a step of etching an anisotropically oxidized copper oxide 103.例文帳に追加

表面にマスク材１０２が形成された銅膜１０１に、マスク材１０２をマスクに用いて酸素イオン６を照射し、銅膜１０１内に、銅膜１０１の厚さ方向の全てに対して異方的に酸化された酸化銅１０３を形成する工程と、異方的に酸化された酸化銅１０３をエッチングする工程と、を具備する。 - 特許庁

The step of forming the trench etching pattern on the substrate substantially further includes depositing the silicon nitride film on the substrate on which a pad oxidation film is formed, patterning, and forming a thermal oxidation film on the inner wall surface by an annealing so as to repair etching damages between the step of forming the trench and the liner.例文帳に追加

本発明で、基板にトレンチエッチングパターンを形成する段階は、通常、パッド酸化膜が形成された基板にシリコン窒化膜を積層し、パターニングして実施され、トレンチを形成する段階とライナを形成する段階の間に、トレンチの内壁にエッチング損傷を修復するためのアニーリングによって熱酸化膜が形成される段階をさらに含むことができる。 - 特許庁

To form a flat inter-layer insulating film with good reproducibility by covering only the region with low step difference with a resist film and selectively wet-etching a BPSG film with well control of etching amount, related to a method for forming an inter-layer insulating film of a BPSG film on a semiconductor substrate comprising a step for satisfactory flattening.例文帳に追加

段差６を有する半導体基板５上にＢＰＳＧ膜から成る層間絶縁膜９を形成して平坦化する方法において、段差の低い領域６ａのみレジスト膜１０で覆って、ＢＰＳＧ膜をエッチング量の制御性良く選択的にウェットエッチングして、平坦性の良好な層間絶縁膜９を再現性良く形成する。 - 特許庁

The process for manufacturing a patterned circuit board 4 by applying a mask 3 onto a metal plate 2 and removing the non-masked part by wet etching comprises a step for previously forming a groove 2b in the center of the non-masked part on the metal plate and the wet etching is carried out after the step for forming the groove.例文帳に追加

金属板２上にマスク３を施して、マスクされていない部分をウェットエッチングにより除去してパターンニングされた回路基板４を製造する方法であって、前記金属板上のマスクされていない部分の中央に溝２ｂを予め形成する溝形成工程を有し、該溝形成工程後に、前記ウェットエッチングを行うことを特徴とする。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor element in which a second layer laminated on a surface of a first layer is horizontally etched includes a step of vertical anisotropic etching 10 from the side of the second layer to the side of the first layer and a step of horizontal isotropic etching 11 of the first layer.例文帳に追加

第１の層の表面に第２の層を積層したものに、前記第１の層を横方向にエッチングする半導体素子の製造方法において、前記第２の層側から前記第１の層側に向かって縦方向に異方性エッチングを行うステップと前記第１の層を横方向に等方性エッチングを行うステップとを有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an etching method whereby, in selectively etching a polysilicon film on a lower layer film having steps to form a specified pattern, a part of the polysilicon film existing at a step region of the lower layer film can be perfectly removed and a pattern can be formed accurately with suppressing the side etching occurring at the sidewall of the pattern on the polysilicon film.例文帳に追加

段差を有する下層膜上に形成されたポリシリコン膜を選択的にエッチングして所定パターンを形成する際に、下層膜の段差部領域に存在するポリシリコン膜の一部を完全に除去でき、かつポリシリコン膜のパターンの側壁に発生するサイドエッチングを抑制しつつ精度良くパターンを形成可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁

This method also includes a step for etching the predetermined region of the inter-layer insulating films, and then for stopping the etching process at the etching stop films to form a damascene pattern.例文帳に追加

所定の構造が形成された半導体基板１０１の上部に誘電定数が低い物質を用いたエッチング停止膜１０２，１０４を形成し、層間絶縁膜１０３，１０５を形成する段階;及び上記層間絶縁膜の所定領域をエッチングし、上記エッチング停止膜でエッチング工程が停止するようにしてダマシンパターンを形成する段階を含む。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for etching a metal oxide film where metal and oxygen are bonded using the mixture of reducing gas having properties for reducing the metal oxide film and nonreactive to that metal, and reactive gas having properties for etching that metal as the etching gas.例文帳に追加

金属と酸素が結合した金属酸化膜を還元する性質を有し、かつ、前記金属と非反応の性質を有する還元性ガスと、前記金属を蝕刻する性質を有する反応性ガスとの混合ガスをエッチングガスに用いて、前記金属酸化膜をエッチングする工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

In the third step, a first etching is made to the extent that the resin remains on the part of the second layer corresponding to the pattern and the rest part of the first layer is exposed and a second etching is made to the remaining resin and the exposed first layer.例文帳に追加

第３ステップでは、パターンに対応する部分の第２の層上に樹脂が残存し、かつ他の部分の第１の層が露出した状態となるまで第１のエッチングを行い、残存した樹脂と露出した第１の層に対して第２のエッチングを行う。 - 特許庁

The etching is interrupted at a step when the first insulating film 2 is disclosed and then the etching condition is changed and thereafter the first insulating film 2 is etched.例文帳に追加

更にバイアホール９形成工程で半絶縁性基板１のエッチングを行う際に、第１の絶縁膜２のエッチングがされにくい条件で行ない、第１の絶縁膜２の露出した段階でエッチングを中断し、エッチング条件を変更し第１の絶縁膜２をエッチングする。 - 特許庁

To improve the yield in a manufacturing process step by gently sloping the pattern sectional shape of the pattern formation performed by using selective etching by dry etching and abating a shorting defect in manufacturing a liquid crystal display device of an active matrix type.例文帳に追加

アクティブマトリックス方式の液晶表示装置の製造に際し、ドライエッチングによる選択エッチングを用いて行なったパタン形成のパタン断面形状をなだらかにし、ショート不良を低減することにより製造工程における歩留まりを向上すること。 - 特許庁

The etching processing method includes (a) a step of performing etching processing of the surface of a SiC substrate 2, both surfaces of which have been mirror-polished with reactive plasma, and at the same time, irradiating the surface or the backside of the SiC substrate 2 with a laser light 14.例文帳に追加

本発明に係るエッチング処理方法は、（ａ）表裏両面を鏡面研磨されたＳｉＣ素基板２の表面を反応性プラズマによりエッチング処理するとともに、ＳｉＣ基板２の表面または裏面にレーザ光１４を入射する工程を備える。 - 特許庁

To provide a gradation photomask substrate on which a fine pattern can be formed with high precision by wet etching of high productivity while an etching solution and manufacturing steps such as a film forming step and a photoprocess are reduced as much as possible, the gradation photomask, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

エッチング液、成膜工程、フォトプロセス等の製造工程をできるだけ少なくして、生産性の高い湿式エッチングにより微細なパターンを高精度に形成可能な階調フォトマスク基板及び階調フォトマスク、並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁

A manufacturing method of a solar cell using a wafer which is provided by slicing a Si ingot includes a step in which the wafer is submerged in an isotropic wet etching liquid for etching, where a modified layer 200 on the surface generated due to plicing of the wafer is is removed.例文帳に追加

Ｓｉインゴットがスライスされたウエハを用いて太陽電池を製造する製造方法において、ウエハを等方性ウエットエッチング液に浸漬してエッチングすることにより、ウエハがスライスされた時に生じる表面の加工変質層を除去する工程を含む。 - 特許庁

Furthermore, according to a second aspect, a method of manufacturing the thin-film solar cell comprises a step of etching part of a photoelectric conversion layer by anisotropic etching to create a texture during formation of the photoelectric conversion layer of a silicon thin-film solar cell.例文帳に追加

また、本発明の薄膜太陽電池の製造方法は、第２の局面によれば、シリコン薄膜太陽電池の光電変換層形成時に、異方性エッチングにより光電変換層の一部をエッチングし、テクスチャを作成する工程を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The invention relates to the method for manufacturing of the mechanical part including a step providing a substrate 53 made of micro-machinable material, and a step etching, with help of photo-lithography, a pattern that includes the mechanical part over the entire substrate 53.例文帳に追加

マイクロ機械加工可能材料から構成される基板５３を用意するステップと、フォトリソグラフィを用いて、前記基板５３の全体にわたって機械パーツを含むパターンをエッチングするステップとを含む、機械パーツを製造する方法に関する。 - 特許庁