「step etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method for manufacturing an etching foil for an electrolyte capacitor, which includes a plurality of steps of etching process in an etching liquid containing chlorine ions with respect to an aluminum foil, an immersion step of immersing the aluminum foil in an ethylene glycol aqueous solution having a concentration of 10.0 to 60.0 wt.% is provided between respective steps of etching process.例文帳に追加

アルミニウム箔に対して、塩素イオンを含むエッチング液中でのエッチング工程を複数段有する、電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法において、各段のエッチング工程の間に、濃度１０．０〜６０．０ｗｔ％のエチレングリコール水溶液に浸漬させる浸漬工程を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a semiconductor device having a fin structure which comprises a step of etching a silicon substrate with a recess gate mask, and performing a selective etching process on a device isolation film having a double oxide film structure with a rapid oxide film etching speed and a slow oxide film etching speed to form the fin structure, thereby simplifying the process and maximizing a current driving operation.例文帳に追加

リセスゲートマスクを利用してシリコン基板を食刻し食刻速度の速い酸化膜と、食刻速度の遅い酸化膜の二重酸化膜構造の素子分離膜に対し選択的食刻を行いフィン構造を形成することにより、工程を単純化し電流駆動能力を最大化する。 - 特許庁

In a step S2, etching time corresponding to an etching shift amount for obtaining expected sizes of the sparse pattern and dense pattern using the exposure amount determined by the first correlation is determined using second correlation, pre-obtained, between etching times of the space pattern and dense pattern and the etching shift amount.例文帳に追加

ステップＳ２では、予め取得された、疎パターン及び密パターンにおけるエッチング時間とエッチングシフト量との第２の相関関係を用いて、第１の相関関係により決定された露光量による疎パターン及び密パターンをそれぞれ所期の寸法とするためのエッチングシフト量に対応したエッチング時間を決定する。 - 特許庁

It also includes a step for etching and removing at least a part of the insulation film on the peripheral circuit area and a step for flattening the surface of the insulation film by the CMP method.例文帳に追加

そして、周辺回路領域上の前記絶縁膜の少なくとも一部をエッチングして除去する工程と、絶縁膜の表面をＣＭＰ法によって平坦化する工程と、を有する。 - 特許庁

By alternately repeating the ashing step and the etching step in several times, each of the plurality of concave portions can be formed into a feature corresponding to an aspheric lens.例文帳に追加

当該製造方法では、アッシング工程とエッチング工程とを複数回交互に繰り返すことにより、複数の凹部の各々の形状を非球面形状のレンズに対応する形状とする。 - 特許庁

The method for forming the fine ruggedness at random on a substrate includes a step of forming an organic compound film on the surface of the substrate and a step of etching the organic compound film.例文帳に追加

基体上に微細な凹凸をランダムに形成する方法は、前記基体の表面に有機化合物の膜を形成するステップと、前記有機化合物の膜をエッチングするステップと有する。 - 特許庁

The etching treatment method for copper has: a step in which copper is subjected to oxidation treatment to be copper oxide; and a step in which the copper oxide is thereafter dissolved with an acidic solution.例文帳に追加

銅をエッチング処理する方法であって、銅を酸化処理して酸化銅とする工程、その後、前記酸化銅を酸性溶液で溶解する工程を有する、銅のエッチング処理方法。 - 特許庁

In both the first step and the second step of cleaning operation, remote dissociated fluorine atoms are let flow in the chamber, and the material stacked on the chamber wall is removed by etching.例文帳に追加

クリーニング操作の第１のステップ及び第２のステップの両方では、チャンバへ遠隔解離弗素原子を流入し、チャンバ壁上に堆積された材料をエッチングして取り去る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element for implanting a trench without void by applying a polishing step and a wet etching step with a low selection ratio at the time of trench implant.例文帳に追加

トレンチ埋め込みの際に研磨工程及び低選択比のウェットエッチング工程を適用してボイドなしにトレンチを埋め込むための半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a reliable semiconductor device which can suppress dishing in a pad region through a CMP step to realize suitable photolithography and etching step, and also to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ＣＭＰ工程を経るパッド領域におけるディッシングを抑制し、適正なフォトリソグラフィ及びエッチング工程が行える高信頼性の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In removing a resist after dry etching in the step of manufacturing a mask, this method has a step of irradiating light, before removing the resist and a step of removing the resist irradiated with light by a developer thereafter.例文帳に追加

マスク作製工程におけるドライエッチング後のレジスト剥離において、剥離前に光照射を行う工程及びその後現像液によって当該光照射を行ったレジストを剥離する工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

The forming method of a circuit pattern includes (1) a step to apply the aforementioned composition on a substrate, (2) a step to expose the photosensitive composition to light and then to develop, and (3) a step to perform wet etching of the substrate by using the pattern as a resist.例文帳に追加

回路パターン形成方法は、（１）基板上に上記感光性組成物を塗布する工程、（２）上記感光性組成物にパターン露光した後現像する工程、（３）該パターンをレジストとして基板をウエットエッチングする工程を含む。 - 特許庁

A method for manufacturing a glass substrate for a magnetic recording medium includes at least a step for performing a grinding process, a step for performing an etching process, and a step for performing a polishing process in this order with respect to inner and outer peripheral end surfaces of a disk-like glass substrate having a center hole.例文帳に追加

中心孔を有する円盤状のガラス基板の内外周端面に対して少なくとも、研削加工を施す工程と、エッチング加工を施す工程と、ポリッシュ加工を施す工程とを、この順で含む。 - 特許庁

Next, the dummy layer is removed by gas phase etching by a growing apparatus (step S7), the shape of the grating structure is transferred to the active layer to form a grating at the active layer (step S8), and a separation layer is formed on the grating without exposing the active layer to the atmosphere (step S9).例文帳に追加

これにより、回折格子構造形成時のエッチングがダミー層に対して行われ、さらに、活性層への回折格子の形成が気相エッチングによるため、いずれの工程においても活性層へのダメージが防止される。 - 特許庁

An etching process, in which an etching grand on a Si film is etched by bringing a SF_6 gas into the plasma state, is composed of two steps, that is, a large quantity supplying step of supplying a large quantity of SF_6 gas and a small quantity supplying step of supplying a small quantity of SF_6 gas.例文帳に追加

ＳＦ_６ガスをプラズマ化してＳｉ膜上のエッチンググランドをエッチングするエッチング工程において、これを、多量のＳＦ_６ガスを供給する多量供給工程と、少量のＳＦ_６ガスを供給する少量供給工程との二工程から構成する。 - 特許庁

The manufacturing method for the semiconductor element 10 has a step for preparing the GaN epitaxially-grown layer having the (0001) face as the main face, and a wet etching step for executing wet etching so as to make the m face perpendicular to the (0001) face as a reaction rate-controlling face.例文帳に追加

半導体素子１０の製造方法は、（０００１）面を主面とするＧａＮエピタキシャル成長層を準備する工程と、（０００１）面と垂直方向であるｍ面が反応律速面となるウエットエッチングを行なうウエットエッチング工程とを備える。 - 特許庁

The method further includes a step of etching the sacrificial layer (34) to form a movable portion of the MEMS device, wherein the remaining portion of the protection layer protects the remaining portion of the metal layer during the step of etching of the sacrificial layer to form the movable portion of the MEMS device (10).例文帳に追加

方法は、犠牲層（３４）をエッチングしてＭＥＭＳデバイスの可動部分を形成するステップをさらに含み、犠牲層をエッチングしてＭＥＭＳデバイス（１０）の可動部分を形成するステップの間、保護層の残り部分が金属層の残り部分を保護する。 - 特許庁

A gate etching method for a high voltage FET comprises a step for penetrating first and second openings of a mask layer, etching first and second dielectric regions by a virtually isotropic method, and generating first and second trenches.例文帳に追加

マスク層の第１及び第２の開口部を貫通して実質的に等方的な方法で第１及び第２の誘電領域をエッチングして第１及び第２のトレンチを生成する段階を含む。 - 特許庁

To provide a method for making a patterned magnetic recording medium that includes a step of completely peeling etching resist on a magnetic layer having been used for etching the magnetic layer without causing magnetic characteristics of the magnetic layer to deteriorate.例文帳に追加

磁性層のエッチングに使用した磁性層上のエッチングレジストを、磁性層の磁気特性を劣化させること無く完全剥離する工程を含むパターン化磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method further includes the step of etching the non-printed portions of the material by chemical etching, and removing the printed pattern from the surface of the material to yield an antenna array including a non-etched portion of the substrate surface.例文帳に追加

化学エッチングによって材料の非印刷部分をエッチングするステップと、印刷パターンを材料の表面から除去して基板表面の非エッチング部分を含むアンテナアレイを生成するステップとを含む。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for dry etching even a large area wafer or substrate through a convenient arrangement under conditions of atmospheric pressure in the etching step of a semiconductor production process.例文帳に追加

半導体製造工程におけるエッチング工程において、大気圧条件下で処理でき、大面積ウェーハや基板に対応でき、簡便な装置でドライエッチングをする方法及びその装置の提供。 - 特許庁

Then, by using a gas containing halogen, first dry etching is executed for the surface 3a of the wafer 3, while applying first bias power to a chuck 24 for placing the wafer 3 (first dry etching step S9).例文帳に追加

次に、ハロゲンを含むガスを用いて、ウェハ３を載置するためのチャック２４に第１のバイアス電力を印加しながら、ウェハ３の表面３ａに第１のドライエッチングを施す（第１のドライエッチング工程Ｓ９）。 - 特許庁

The method of manufacturing a solar battery comprises a step of forming a concavity and a convexity on the surface of a polysilicon substrate by a reactive ion etching method using first etching gas comprising H_2O.例文帳に追加

Ｈ_２Ｏを含む第一のエッチングガスを用いた反応性イオンエッチング法によって、多結晶シリコン基板の表面に凹凸を形成する工程を備えてなる太陽電池の製造方法とする。 - 特許庁

The main mask layer mainly consists of carbon, and a material of which the etching rate in reactive ion etching in the main mask layer processing step (S108) is lower than that of carbon is used as the material of the auxiliary mask layer.例文帳に追加

主マスク層の材料は主成分が炭素であり、且つ、副マスク層の材料は、主マスク層加工工程（Ｓ１０８）の反応性イオンエッチングに対するエッチングレートが炭素よりも低い材料を用いる。 - 特許庁

The manufacturing method of the reflection type electrode substrate comprises a step for collectively etching the metal oxide layer and the inorganic compound layer by using an etching liquid consisting of phosphoric acid, nitric acid and acetic acid.例文帳に追加

また、燐酸、硝酸及び酢酸からなるエッチング液により前記金属酸化物層及び前記無機化合物層を一括エッチングする工程を含む反射型電極基板の製造方法である。 - 特許庁

The method for patterning the organic thin-film that includes a step for forming the organic thin film on a substrate, a step for selectively printing a masking material on a part of the organic thin film, a step for dry-etching a portion exposed out of the organic thin film, and a step for removing the masking material.例文帳に追加

基板上に有機薄膜を形成するステップ、有機薄膜の一部分上にマスク物質を選択的にプリンティングするステップ、有機薄膜のうち露出された部分をドライエッチングするステップ、及びマスク物質を除去するステップを含む有機薄膜のパターニング方法である。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device includes: a step of forming a base film on a semiconductor substrate; a step of forming an amorphous carbon film on the base film; a step of forming a pattern of the amorphous carbon film; and a step of etching the base film using the amorphous carbon film as a mask.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下地膜を形成する工程と、下地膜上にアモルファスカーボン膜を成膜する工程と、アモルファスカーボン膜のパターンを形成する工程と、アモルファスカーボン膜をマスクにして下地膜をエッチングする工程を有する。 - 特許庁

The molding method also comprises a film forming step of forming a release film 18 on the molding surface 16 of the mold 1 before the molding step, and a removal step of removing the release film 18 by introducing an etching liquid E via an introducing passage provided in the mold 1 and communicating with the molding surface 16, before the mold release step.例文帳に追加

成形工程前に、成形型１の成形面１６に剥離膜１８を成膜する成膜工程と、離型工程前に、成形型１に設けられ成形面１６に通じる導入路を介してエッチング液Ｅを導入し剥離膜１８を除去する除去工程とを有する。 - 特許庁

A method for fabricating a semiconductor device comprises a step for forming a photoresist pattern 14 on a layer 12 to be etched, a step for forming an etching rate increasing film of the layer 12 on the side wall of the photoresist pattern 14, and a step for forming a contact window by etching the layer 12 using the photoresist pattern on which the etching rate increasing film is formed as an etching mask.例文帳に追加

食刻対象層１２の上部にフォトレジストパターン１４を形成する段階と、プラズマ処理を行いフォトレジストパターン１４の側壁に食刻対象層１２の食刻速度を増加させるための食刻速度増加膜を一定の厚さで形成する段階と、食刻速度増加膜が形成されているフォトレジストパターンを食刻マスクとして用いて食刻対象層を食刻することによりコンタクト用のウィンドウを形成する段階とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The dry etching method of a glass substrate masked by a silicon substrate comprises: a step of bonding a silicon substrate 11 to a surface of a glass substrate 12; a step of forming a silicon mask 11M comprising the silicon substrate 11 on the glass substrate 12; a step of etching the glass substrate 12 through the silicon mask 11M; and a step of removing the silicon mask 11M from the glass substrate 12.例文帳に追加

シリコン基板をマスクとするガラス基板のドライエッチング方法において、ガラス基板１２の表面にシリコン基板１１を接合する工程と、ガラス基板１２上でシリコン基板１１からなるシリコンマスク１１Ｍを形成する工程と、シリコンマスク１１Ｍを介してガラス基板１２をエッチングする工程と、シリコンマスク１１Ｍをガラス基板１２から除去する工程とを有する。 - 特許庁

The method includes: a step of forming an insulating film; a step of forming a conductive film on the insulating film; a step of forming a pixel electrode with an aperture by patterning the conductive film; and a step of forming the contact hole for communicating with the insulating film through the aperture by an etching method using the pixel electrode with the aperture as an etching mask.例文帳に追加

絶縁膜を成膜する工程と、絶縁膜の上に導電膜を成膜する工程と、導電膜をパターニングして開口が設けられた画素電極を形成する工程と、開口が設けられた画素電極をエッチングマスクとしてエッチング法により絶縁膜に開口と連通するコンタクトホールを形成する工程と、を有することを特徴とするＴＦＴアレイ基板の製造方法。 - 特許庁

In an etching method of selectively etching a polysilicon film 12 on a lower layer film 11 having a step 11a to form a specified pattern on the film 12, only a step region 12a of the polysilicon film 12 are selectively etched and the polysilicon film 12 with the etched step region 12a is selectively etched to form a specified pattern on non-step regions.例文帳に追加

段差部１１ａを有する下層膜１１上に形成されたポリシリコン膜１２をエッチングしてポリシリコン膜１２に所定のパターンを形成するエッチング方法であって、ポリシリコン膜１２の段差部領域１２ａのみを選択的にエッチングし、段差部領域１２ａがエッチングされたポリシリコン膜１２を選択的にエッチングして非段差部領域に所定のパターンを形成する。 - 特許庁

At step (i), a space 105 for etching a substrate surrounded by the second electrode 17 of a resonator body 12, an insulating layer 100 and one surface 11a of a substrate 11 is formed by removing a sacrifice layer 101 by etching through an etching hole 14.例文帳に追加

工程（ｉ）では、エッチングホール１４を介して、犠牲層１０１をエッチングで除去することにより、共振子本体１２の第２電極１７と絶縁層１００と基板１１の一表面１１ａで囲まれる、基板エッチングのためのエッチング空間１０５を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes: a step of selectively dry-etching a silicon substrate 101 with a first etching gas to form a first trench 109; and a step of further dry-etching the silicon substrate 101 on the bottom of the trench 109 with a second etching gas to form a second trench 113 including a part radially expanding downwardly from the bottom of the first trench 109.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、第１エッチングガスを用いてシリコン基板１０１を選択的にドライエッチングして第１トレンチ部１０９を形成する工程と、第２エッチングガスを用いて、第１トレンチ部１０９の底部においてシリコン基板１０１をさらにドライエッチングし、第１トレンチ部１０９の底部から下方向に向かって拡径した部分を含む第２トレンチ部１１３を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

A pattern width of the thin-film pattern 7 is determined on the basis of two side faces 2B and 2C which are formed through the two-step etching process.例文帳に追加

２段階のエッチング工程を経て形成される２つの側面２Ｂ，２Ｃに基づいて薄膜パターン７のパターン幅が決定される。 - 特許庁

Succeedingly, the glass substrate 111 is immersed in an etching solution, the melting of the glass substrate 111 is carried out until the thickness is set to 0.2 mm (step S13).例文帳に追加

引き続き、ガラス基板１１１をエッチング液に浸漬し、厚さが０．２ｍｍになるまで、ガラス基板１１１を溶融する（ステップＳ１３）。 - 特許庁

Thus, the supporting body 9 is formed in a simple etching manufacturing step and the mechanical strength of the movable part 50 is assured.例文帳に追加

これにより、簡易なエッチングによる製造工程により支持体９を形成し、可動部５０の機械的強度を確保可能である。 - 特許庁

In a step of etching the metal layer 322, a part in the through-hole 344 of the wiring 330 is also etched to cut the wiring 330.例文帳に追加

金属層３２２をエッチングする工程で、配線３３０の貫通穴３４４内の部分もエッチングして配線３３０を切断する。 - 特許庁

Finally, the metal plate 210 is immersed in etching liquid to be etched, and a high precision hole is formed on the metal plate 210 (step S106).例文帳に追加

最後に、この金属板２１０をエッチング液に浸し、エッチングを行い、金属板２１０に高精度の孔を形成する（ステップＳ１０６）。 - 特許庁

To improve stability of the step when etching a layer containing copper and a layer containing titanium by using a non-hyperhydrating etchant.例文帳に追加

銅を含む層とチタニウムを含む層とをエッチングする時に、非過水系のエッチング液を使用して工程の安定性を向上させる。 - 特許庁

Prior to the processing, a step is carried out, in which a surface of the sintered magnet obtained by liquid-phase sintering is subjected to etching processing with acid.例文帳に追加

前記処理に先立って、液相焼結により得た焼結磁石の表面を酸によりエッチング処理する工程を実施する。 - 特許庁

The first junction insulation film 16 inhibits the etching damage in the nonmagnetic intermediate layer 214 during the step of forming the reproducing head 11.例文帳に追加

第１ジャンクション絶縁膜１６は、再生ヘッド１１の形成工程において、非磁性中間層２１４のエッチング・ダメージを抑制する。 - 特許庁

The method of manufacturing the structure having the uneven pattern includes a coating step of coating to a processing object a liquid (a) containing first particles and a matrix material composed of a material different from the first particles; a removal step of removing the first particles; and an etching step of forming the uneven pattern by etching a processing object with the matrix material as an etching mask.例文帳に追加

本発明の凹凸パターンを有する構造体の製造方法は、第一の粒子と、前記第一の粒子と異なる材料からなるマトリクス材とを含む液体（ａ）を被加工体上に塗布する塗布工程と、前記第一の粒子を除去する除去工程と、前記マトリクス材をエッチングマスクとして前記被加工体をエッチングして凹凸パターンを形成するエッチング工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The method for producing a high planarity semiconductor wafer by machining a semiconductor wafer through plasma etching comprises a step S5 for measuring the thickness distribution of the semiconductor wafer, and a step S7 for locally plasma etching the rear surface of the semiconductor wafer, while varying the etching amount depending on the thickness distribution measured in the planarity measuring step, thus planarizing the rear surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェーハをプラズマエッチングにより加工する高平坦度半導体ウェーハの製造方法であって、前記半導体ウェーハの厚さ分布を測定する平坦度測定工程Ｓ５と、プラズマエッチングにより前記半導体ウェーハの裏面を前記平坦度測定工程で測定された厚さ分布に応じてエッチング量を変えながら局部的に加工し平坦化する裏面プラズマ加工工程Ｓ７とを備えている。 - 特許庁

To provide a pattern forming method for a group III nitride semiconductor substrate capable of forming a pattern only by laser irradiation and an etching step.例文帳に追加

レーザ照射とエッチング工程だけでパターンを形成することができるIII族窒化物半導体基板のパターン形成方法を提供する。 - 特許庁