「step etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目)

導体膜１，２間に積層状態に配される絶縁膜３をエッチングする方法であって、絶縁膜３を厚さ方向の途中位置まで部分的にエッチングするステップと、部分的にエッチングされた絶縁膜３の側面３ａにマスキング５を施すステップと、残りの絶縁膜３をエッチングするステップとを含む絶縁膜のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing an optical device comprises the step of forming a three-dimensional etching curved surface on a clad layer by isotropically etching or taper etching a first clad layer on a board, the step of forming a core layer along the curved surface on the first clad layer, and the step of forming a second clad layer on at least the core layer.例文帳に追加

基板上の第１クラッド層を等方エッチングまたはテーパエッチングを施してこのクラッド層に３次元のエッチング曲面を形成する工程と、前記第１クラッド層にコア層を前記エッチング曲面に沿って形成する工程と、少なくとも前記コア層上に第２クラッド層を形成する工程とを含むことを特徴とする - 特許庁

The process for producing a glazed substrate for a thermal head comprises a step for forming a glass layer 2 becoming a glaze layer on a substrate 1, a step for forming an etching mask on the glass layer 2, and a step for immersing the glass layer 2 in etching liquid while positioning the substrate 1 substantially horizontally and etching a part of the glass layer 2 by oscillating the substrate 1 in the horizontal direction.例文帳に追加

基板１上にグレーズ層となるガラス層２を形成する工程と、ガラス層２上にエッチングマスクを形成する工程と、基板１を略水平に位置した状態で該ガラス層２をエッチング液に浸漬させるとともに、該基板１を水平方向に揺動させて、前記ガラス層２の一部をエッチングする工程とを具備する。 - 特許庁

A method for manufacturing the substrate for the liquid discharge head includes: the step of forming etching mask patterns on the first and second faces of a silicon substrate; the step of forming a leading hole in an etching region of the silicon substrate; and the step of anisotropic etching the silicon substrate from both the first and second faces.例文帳に追加

本発明は、シリコン基板の第１面および第２面にエッチングマスクパターンを形成する工程と、前記シリコン基板のエッチング領域に先導孔を形成する工程と、前記シリコン基板を第１面および第２面の両面から異方性エッチングする工程と、を含むことを特徴とする液体吐出ヘッド用基板の製造方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device includes a deteriorated layer removal step, wherein the deteriorated layer formed by annealing for activating impurities ion-implanted to the silicon carbide substrate is removed by executing, in order, a first etching step of anisotropic plasma etching using an inert gas and a second etching step of isotropic plasma etching using an inert gas.例文帳に追加

炭化珪素基板にイオン注入された不純物を活性化するためのアニールを行う際に形成された変質層を、不活性ガスを用いた異方性プラズマエッチングによる第１エッチング工程と、不活性ガスを用いた等方性プラズマエッチングによる第２エッチング工程とをこの順序で実施することにより除去する変質層除去工程を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 特許庁

A method of managing an etching width includes a step of forming contact arrays R1, R2 having different intervals of contacts C1, C2, a step of wet etching an insulating layer with resist patterns corresponding to these contact arrays R1, R2 as masks, and a step of then observing the discoloring of the resist patterns of these contact arrays R1, R2 by a metallurgical microscope.例文帳に追加

コンタクトＣ１、Ｃ２の間隔が互いに異なるコンタクトアレイＲ１、Ｒ２を形成し、これらのコンタクトアレイＲ１、Ｒ２に対応したレジストパターンをマスクとして、絶縁層のウェットエッチングを行った後に、これらのコンタクトアレイＲ１、Ｒ２のレジストパターンの変色を金属顕微鏡にて観察する。 - 特許庁

After the line width or the like of the resist pattern is measured (step 11) by recognizing the pattern after developing (step 10), the measured result is fed forward to etching (step 13) to be performed later and by performing etching in optimal treatment conditions, the precise circuit pattern can be finally formed.例文帳に追加

現像（ステップ１０）後のレジストパターンを認識してパターンの線幅等を測定した後（ステップ１１）、この測定結果をその後に行われるエッチング処理（ステップ１３）にフィードフォワードし、最適な処理条件でエッチング処理を行うことにより、最終的に精密な回路パターンを形成することができる。 - 特許庁

When the electrode foil for electrolytic capacitor is manufactured, a tunnel-shaped pit is formed in the aluminum foil in a first-stage etching step ST3, and then the tunnel-shaped pit is increased in hole diameter in a second-stage etching step ST5.例文帳に追加

電解コンデンサ用電極箔を製造するにあたって、第１段エッチング工程ＳＴ３においてアルミニウム箔にトンネル状ピットを発生させた後、第２段エッチング工程ＳＴ５においてトンネル状ピットの孔径を拡大する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a mold for photo imprinting economically without the need of a step of forming mask by photo lithography necessary when dry-etching a quartz substrate, a dry-etching step for the quartz substrate after that and the like.例文帳に追加

石英基板をドライエッチングする場合に必要な、フォトリソグラフィーによるマスクの形成工程、その後の石英基板のドライエッチング工程などが不要で、経済的に光インプリント用モールドを製造することが可能な方法を提供する。 - 特許庁

The surface of an SiC substrate is flattened, by giving a gas cluster ion beam step by step that has two kinds of etching effects with different etching speeds to etch the surface thereof, and then another gas cluster ion beam, made mainly of oxygen gas is applied thereto.例文帳に追加

エッチング速度がそれぞれ異なる２種類のエッチング効果を持ったガスクラスターイオンビームを段階的に照射してＳｉＣ基板表面をエッチングしつつ平坦化した後、酸素ガスを主成分としたガスクラスターイオンビームを照射する。 - 特許庁

By performing dry etching in a dry etching step, while controlling the temperature of the lower electrode of an etching device equal with or lower than 10 °C, volatilization of a subproduct is suppressed, more stable sidewall protection effect can be obtained, and a uniform etching shape reducing the working shape difference between a coarse portion and a tight portion can be obtained.例文帳に追加

前記ドライエッチング工程にて、エッチング装置の下部電極温度を１０℃以下に制御しドライエッチングを行うことにより、副生成物の揮発を抑制し、より安定した側壁保護効果が得られ、疎部、密部における加工形状差の少ない均一なエッチング形状が得られる。 - 特許庁

In an upper layer main etching step for removing unnecessary parts of a Ti/TiN layer 16 and a BARC (bottom anti-reflective coating) layer 17, the etching rates of the Ti/TiN layer 16 and the BARC layer 17 are larger than the etching rate of an AlCu layer 15 as its etching conditions.例文帳に追加

Ｔｉ／ＴｉＮ層１６およびＢＡＲＣ層１７の不要な部分を除去するための上層メインエッチング工程では、エッチング条件が、Ｔｉ／ＴｉＮ層１６およびＢＡＲＣ層１７のエッチングレートがＡｌＣｕ層１５のエッチングレートよりも大きくなるような条件とされる。 - 特許庁

In a first step of etching a semiconductor substrate 3, anisotropic deep reactive ion etching is performed using a resist mask 59 having a large number of openings 88 of the same pattern at positions opposing to etching regions 87 independently partitioned to each other.例文帳に追加

半導体基板３をエッチングするに際し、まず、それぞれ独立に区画されたエッチング領域８７に対向する位置に同一パターンの開口８８を多数有するレジスト５９をマスクとして、異方性の深掘り反応性イオンエッチングする。 - 特許庁

The method includes: a step of forming a silicon-containing Al alloy film 3 on a silicon substrate 1; a step of providing a resist pattern 4 on the Al alloy film 3; a step of etching the Al alloy film 3 using the resist patter 4 as a mask; a step of washing after etching; and a step of removing a silicon residue 5 using a two-fluid nozzle 6.例文帳に追加

半導体装置の製造方法はシリコン基板１上にシリコンを含有するＡｌ合金膜３を形成する工程と、Ａｌ合金膜３上にレジストパターン４を設ける工程と、レジストパターン４をマスクとしてＡｌ合金膜３をエッチングする工程と、エッチ後洗浄する工程と、２流体ノズル６によってシリコン残渣５を除去する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electro-optic device which is capable of efficiently performing an etching process step and an ashing process step, an electro-optic device and an electronic apparatus.例文帳に追加