「step etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The method comprises, for the step of etching a thin film exposed at the front surface of a substrate, a first step of heating with application of gas plasma almost not including the etching function to the thin film; and a second step of etching the thin film exposed at the front surface of substrate with application of plasma.例文帳に追加

基板の表面に露出している薄膜をエッチングする工程において、上記薄膜に対するエッチング能力を殆んど有しないガスのプラズマの印加により加熱する第１の工程と、上記基板の表面に露出している薄膜をプラズマの印加によりエッチングする第２の工程と、を含む。 - 特許庁

In the step (E), a part of the plug terminal formation part except the plating lead is coated with etching resist.例文帳に追加

（Ｅ）接栓端子形成部において、前記めっきリードを除く箇所をエッチングレジストで被覆する工程。 - 特許庁

A dry etching step is conducted until the layer 103 for forming a trapezoidal electrode 108 is exposed.例文帳に追加

そして、台座電極１０８形成のためｎ型層１０３が露出するまでドライエッチング工程を行う。 - 特許庁

To provide the forming method of an anisotropic feature for a high aspect ratio in an etching step.例文帳に追加

本発明は、エッチング工程における、高アスペクト比用途の異方性フィーチャの形成方法を提供する。 - 特許庁

The etching method includes: a step of forming a solid layer, such as a metal fluoride layer 3, at least as one portion of an etching mask on the surface of substrates 1, 2; a step of processing the solid layer by a resist composition, or the like; and a step of etching the substrates with the solid layer as a mask.例文帳に追加

基体（１，２）の表面に、エッチングマスクの少なくとも一部として、金属フッ化物層３等の固体層を形成する工程と、前記固体層をレジスト組成物等で処理する工程と、前記固体層をマスクとして、前記基体をエッチングする工程とを有することを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁

A step of peeling the etching resist having been used for etching the magnetic layer includes: a step of radiating excimer VUV laser under a reduced pressure onto the etching resist on the magnetic layer or a protection layer; and a step of cleaning and removing the resist remaining on the magnetic layer or the protection layer by soaking the resist in a release agent solution.例文帳に追加

磁性層のエッチングに用いたエッチングレジストの剥離工程が、磁性層または保護層上のエッチングレジストに、減圧下にエキシマＶＵＶレーザを照射する工程、および磁性層または保護層上に残存するレジストをレジスト剥離剤溶液に浸漬して洗浄除去する工程、からなることを特徴とする。 - 特許庁

In this step, etching is carried out to produce a taper angle θ of the contact hole CH3 of 60 degrees or more.例文帳に追加

このとき、コンタクトホールＣＨ３のテーパー角度θは６０度以上とするようにエッチングが行われる。 - 特許庁

A method of manufacturing a magnetic head includes: a step of etching a nonmagnetic layer 43P such that an initial groove including the first portion is formed in the nonmagnetic layer 43P; a step of forming an initial groove mask 54 covering the first portion; and a second etching step for etching the nonmagnetic layer 43P so as to complete the groove.例文帳に追加

磁気ヘッドの製造方法は、非磁性層４３Ｐに第１の部分を含む初期溝が形成されるように非磁性層４３Ｐをエッチングする工程と、第１の部分を覆う初期溝マスク５４を形成する工程と、溝部が完成するように非磁性層４３Ｐをエッチングする第２のエッチング工程を含んでいる。 - 特許庁

With a photoresist pattern 201 as a mask, anisotropic etching to silicon is performed (figure 1(f): groove forming step).例文帳に追加

フォトレジストパターン２０１をマスクとして、シリコンに対する異方性エッチングを行う（図１（ｆ）：溝形成工程）。 - 特許庁

To protect an antireflection film against thinning or process damage due to an etching step during a wafer process.例文帳に追加

反射防止膜のウエハ工程中のエッチング工程による膜減り、プロセスダメージを低減することができる。 - 特許庁

Further, the method comprises an etching step for physically or chemically activating the surface of the injection-molded key.例文帳に追加

さらに射出されたキーの表面を物理的または化学的に活性化させるエッチング工程を含む。 - 特許庁

In a fifth step, the pit is formed on the lower photoresist layer through the vapor etching by 100% of oxygen (O_2).例文帳に追加

第５ステップにて、１００％の酸素（Ｏ_2）によるガスエッチングにより下フォトレジスト層にピットを形成する。 - 特許庁

Performing anisotropic etching forms a silicon-based film 22 only in a side wall of a step 21 of the alignment mark.例文帳に追加

異方性エッチングすることにより、アライメントマークの段差２１の側壁にのみ珪素系膜２２を形成する。 - 特許庁

The thin-film-forming method further has a heating step S2 of heating the organic layer on the object to be film-formed thereon in the vacuum, prior to the plasma treatment (etching) step S3 of a plasma exposure step.例文帳に追加

本発明では、プラズマ暴露工程であるプラズマ処理（エッチング）工程Ｓ３の前に、真空中で成膜対象物上の有機層を加熱する加熱工程Ｓ２を有する。 - 特許庁

Then, in order to form a pad opening in response to at least the metal wiring in the protective film, a step of working including a dry etching step by a fluorine gas is performed (step S2).例文帳に追加

次に、保護膜上に対し少なくとも上記金属配線に応じたパッド開口部を形成するため、フッ素系のガスによるドライエッチング工程を含む加工工程を経る（処理Ｓ２）。 - 特許庁

The step of etching may include a step of supplying a passivation gas, for example, C_2H_4, and may further include a step of supplying a diluent gas such as a rare gas, for example, He.例文帳に追加

エッチングするステップは、パッシベーションガス、例えば、Ｃ_２Ｈ_４を供給するステップを含むことができ、希ガス、例えば、Ｈｅのような希釈ガスを供給するステップを更に含むことができる。 - 特許庁

In an etching process for etching an etching ground on a Si film by bringing SF_6 gas into the plasma state, this process comprises two steps: a large-quantity supplying step for supplying a large quantity of SF_6 gas; and a small-quantity supplying step for supplying a small quantity of SF_6 gas.例文帳に追加

ＳＦ_６ガスをプラズマ化してＳｉ膜上のエッチンググランドをエッチングするエッチング工程において、これを、多量のＳＦ_６ガスを供給する多量供給工程と、少量のＳＦ_６ガスを供給する少量供給工程との二工程から構成する。 - 特許庁

This method detects the defect by etching an inspection object until at least a part of the defect existing inside the inspection object appears on a surface of the inspection object, and is the defect detecting method comprising an etching step of etching the inspection object by an anisotropic etching method being an etching method comprising a maximum etching speed in the prescribed direction.例文帳に追加

被検査物の内部に存する欠陥の少なくとも一部が該被検査物の表面に現れるまで該被検査物をエッチングして欠陥を検出する方法であって、所定方向に最大のエッチングの速度を有するエッチング方法である異方性エッチング方法により被検査物をエッチングするエッチングステップを備えてなる、欠陥検出方法である。 - 特許庁

The method for producing the device for releasing molecules comprises the step of providing a substrate, the step of accumulating an insulation material on the substrate followed by patterning for the purpose of using as an etching mask, the step of etching a plurality of reservoirs in the substrate, the step of filling a releasing system and a capping material in the reservoirs, and the step of etching the releasing system and the capping material.例文帳に追加

分子の放出のためのデバイスを製造する方法であって、基板を提供する工程；エッチマスクとして使用するために、基板上に絶縁性材料を堆積させ、そしてパターニングする工程；基板中に複数のリザーバをエッチングする工程；リザーバに放出システムおよびキャップ材料を充填する工程；および放出システムおよびキャップ材料をエッチングする工程を包含する、方法。 - 特許庁

The detection method of the etching end point in the dry semiconductor etching step is to search for the etching end point from the surfaces of a semiconductor substrate and of a film selected from among multilayer films on the substrate, while spectrally analyzing the beam, in terms of etching time, which is emitted in the course of a plasma etching step onto the semiconductor substrate introduced into the processing chamber.例文帳に追加

本発明の半導体乾式エッチング工程でエッチング終了点の検出方法は、工程チェンバー内に投入された半導体基板上にプラズマエッチング工程を進行する過程で発生された光をエッチング時間によるスペクトル分析で、半導体基板上及びその基板上の多層膜の中で選択された膜上からエッチング終了点を探すものである。 - 特許庁

A cleaning method includes: a step for etching deposits including a thin film adhering to the inner wall of a reaction tube by supplying the etching gas into the reaction tube composed of a heat-resistant nonmetallic member after forming a thin film on a substrate; and a step for etching the surface of the inner wall of the reaction tube by supplying the etching gas into the reaction tube after etching the deposits.例文帳に追加

耐熱性非金属部材で構成された反応管内で基板上に薄膜を形成した後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁に付着した薄膜を含む付着物をエッチングする工程と、付着物をエッチングした後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁の表面をエッチングする工程と、を有する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the die cutter 1, an etching step for applying physical ion etching onto a cutting edge portion 11 of the die cutter 1 with a machined blade and a coating step for forming a DLC layer are performed alternatively a plurality of times.例文帳に追加

機械加工された刃を有するダイカッター１の刃先部１１に、物理的イオンエッチングを行うエッチング工程と、ＤＬＣ層を形成するコーティング工程とを、交互に複数回行うダイカッター１の製造方法。 - 特許庁

To provide a technique capable of controlling the location of a shoulder of the step portion, in the technique of integrally forming a beam structure having a step portion, by wet etching.例文帳に追加

ステップ部を有するはり構造体をウエットエッチングによって一体的に製作する技術において、そのステップ部のうちの肩部の位置を制御する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the step of removing a semiconductor layer (SOI layer) from an element isolation region by etching in an element isolating step of isolating to form a plurality of element regions.例文帳に追加

複数の素子領域を分離形成する素子分離工程において、素子分離領域から半導体層（ＳＯＩ層）をエッチングにより除去する。 - 特許庁

In an ashing step, the temperature of the semiconductor wafer W is controlled to be higher than that in a plasma etching step.例文帳に追加

アッシング処理工程では、プラズマエッチング処理工程より半導体ウエハＷの温度が高くなるように、半導体ウエハＷの温度制御を行う。 - 特許庁

The method includes a step of using patterned photoresist masks and a step of etching regions or portions of an elastomeric layer of the elastomeric block.例文帳に追加

この方法は、パターンの付いたフォトレジストマスクを使用する工程およびエラストマーブロックのエラストマー層の領域または一部をエッチングする工程を包含する。 - 特許庁

In the process for forming the DLC film, an argon etching step and a carbon sputtering step are repeated in an argon atmosphere to obtain a DLC coating.例文帳に追加

ＤＬＣの成膜工程では、アルゴン雰囲気中で、アルゴン・エッチング工程と、カーボン・スパッタリング工程とを、繰り返し行うことにより、ＤＬＣのコーティングを行う。 - 特許庁

The hydrogen ion implantation step and the wet etching step are repeated several times until the glass substrates 1, 21 reach to a state in which both of them have desired film thickness.例文帳に追加

水素イオン注入工程とウエットエッチング工程とを、ガラス基板１、２１が共に所望の膜厚を有する状態になるまで、数回繰り返して行う。 - 特許庁

A method for manufacturing a ridge type semiconductor laser comprises: a semiconductor stacked layer forming step S1 for forming a semiconductor stacked layer 23 having an active layer 13 and an etching stop layer 17; a first semiconductor stacked layer etching step S3; a semiconductor part forming step S5; a ridge waveguide part forming step S7; and a semiconductor diffracting grating element forming step S9.例文帳に追加

リッジ型半導体レーザの製造方法は、活性層１３とエッチングストップ層１７を含む半導体積層２３を形成する半導体積層形成工程Ｓ１と、第１半導体積層エッチング工程Ｓ３と、半導体部形成工程Ｓ５と、リッジ導波路部形成工程Ｓ７と、半導体回折格子要素形成工程Ｓ９とを備える。 - 特許庁

The etching solution is regenerated by incorporating an anion, which does not form a nonaqueous salt with Fe^2+ and Fe^3+ and forms a nonaqueous salt with Cu^2+, into the iron chloride (III) etching solution and by a regeneration method including three steps of a separation step, an oxidation step, and an anion replenishment step.例文帳に追加

Ｆｅ^2+およびＦｅ^3+と非水溶性の塩を形成せず、かつＣｕ^2+と非水溶性の塩を形成するアニオンを塩化鉄（III）エッチング液に含有せしめ、分離工程、酸化工程、アニオン補給工程の３工程を含む再生方法により再生する。 - 特許庁

After a surface of a step of the step-like element is supplied by etching a specified area of the substrate, the surface corresponding to the side wall of the step-like element generated by the etching is etched to correct the angle of the surface corresponding to the side wall.例文帳に追加

又、基板の或る領域をエッチングすることによって階段状要素の或る段の面を供給した後に、エッチングにより生じた階段状要素の側壁に相当する面をエッチングすることによって側壁に相当する面の角度を修正する。 - 特許庁

Therefore, the etching stopper film 2 and the transparent substrate 1 are suppressed from etching in the direction parallel direction to the principal surface to widen the pattern profile in an etching step of the transparent substrate 1.例文帳に追加

そのため、エッチングストッパ膜２および透明基板１は、透明基板１のエッチング工程において、その主表面に平行な方向に沿ってパターンの形状が広がるようにエッチングされてしまうことが抑制されている。 - 特許庁

The step includes forming an additional mask on the etching mask stack; and at least partially forming the side wall layer on the additional mask; etching a second set of characteristics in the etching mask stack.例文帳に追加

該ステップは、追加のマスクをエッチングマスクスタックの上に形成することと、側壁層を追加のマスクの上に形成することと、第２組の特徴を少なくとも部分的にエッチングマスクスタック内へとエッチングすることと、を含む。 - 特許庁

When the etching step is completed, before execution of the ashing step, a pressure control valve 134 provided at an exhaust port 130 of a processing room 102 is fully opened and the inside of the processing room is vacuumed for a specified time, thereby continuously executing a residual gas removal step of exhausting the etching gas remained in the processing room after the etching step, without taking out a wafer W from the inside of the processing room.例文帳に追加

エッチングステップが終了すると，アッシングステップの実行前に，処理室１０２の排気口１３０に設けられた圧力制御弁１３４を全開にして処理室内を所定時間だけ真空引きすることによって，エッチングステップ後に処理室内に残留したエッチングガスを排出する残留ガス除去ステップを，処理室内からウエハＷを搬出せずに連続して実行する。 - 特許庁

The method comprises a step of forming a passivation film on a semiconductor substrate surface having desired element regions and a wiring layer, a step of etching the passivation film to expose pad regions for external connections, and a step of etching the wiring layer surface with a liquid containing ammonium fluoride after that etching step.例文帳に追加

所望の素子領域および配線層の形成された半導体基板表面にパッシベーション膜を形成する工程と、外部接続を行うべきパッド領域を露呈せしめるべく、前記パッシベーション膜をエッチングするエッチング加工工程と、前記エッチング加工工程後、弗化アンモニウム含有液を用いて配線層表面をエッチングする工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

An etching method for a substrate according to the present embodiment includes: a step for providing the substrate onto a substrate support in a chamber; a step for etching a formation inside the substrate within plasma in the chamber; a step for decreasing positive charges in the formation; and a step for further etching the formation inside the substrate within the plasma after decreasing the positive charges in the formation.例文帳に追加

本発明の実施形態による基板の蝕刻方法はチャンバー内に基板サポート上に基板を提供する段階、前記チャンバー内にプラズマ内で前記基板内に形成物を蝕刻する段階、前記形成物内に正電荷を減少させる段階、および前記形成物内に正電荷を減少させた後に、プラズマ内で前記基板内に前記形成物をさらに蝕刻する段階を含む。 - 特許庁

The treatment method includes an etching step of etching a ZnO single crystal substrate having a Zn polar surface as a main surface using a solution containing an EDTA chelate compound as an etchant, and a cleaning step of, after the etching, cleaning the substrate using an electrolyte solution having a ligand as a cleaning solution.例文帳に追加

Ｚｎ極性面を主面としたＺｎＯ単結晶の基板を、ＥＤＴＡキレート化合物を含む溶液をエッチャントとして用いてエッチングするエッチング工程と、エッチングの後、配位子を有する電解質溶液を洗浄液として用いて基板を洗浄する洗浄工程と、を有する。 - 特許庁

A piezoelectric thin film wafer 1 equipped with a piezoelectric thin film 4 on a substrate 2 is manufactured by a first processing step of performing ion etching using a gas including Ar and a second processing step of performing reactive ion etching using a mixed etching gas of a reactive gas and Ar.例文帳に追加

基板２上に圧電体薄膜４を備えた圧電体薄膜ウェハ１は、Ａｒを含むガスを用いてイオンエッチングを行う第１の加工工程と、反応性ガスとＡｒとを混合した混合エッチングガスを用いて反応性イオンエッチングを行う第２の加工工程とにより製造される。 - 特許庁

A work as an object of processing is exposed to a processing fluid containing an etching reactant so as to undergo an etching treatment (a third step S3, a fourth step S4), and thereafter a processing chamber is reduced in internal pressure so as to make the processing fluid near the work lower in density than that at the fourth step S4 (a first step S1).例文帳に追加

エッチング反応種を含有する処理流体に被処理物を晒すことにより、当該被処理物のエッチング処理を行い（第３ステップＳ３、第４ステップＳ４）、その後、処理室内を減圧することにより、被処理物の近傍における処理流体の密度を第４ステップＳ４よりも低下させる（第１ステップＳ１）。 - 特許庁

The method of forming a circuit pattern of a printed circuit board includes (a) a step of applying an etching liquid to the portions of an insulating board where the circuit pattern is formed, (b) a step of curing the etching liquid under adjusted curing conditions, (c) a step of coating a metal ink over the etched circuit pattern, and (d) a step of sintering the metal ink.例文帳に追加

(ａ)絶縁基板の回路パターンの形成される部分にエッチング液を塗布する段階、(ｂ)養生条件を調節してエッチング液を養生する(curing)段階、(ｃ)エッチングされた回路パターンにメタルインクを塗布する段階、及び(ｄ)メタルインクを焼成する段階を含む印刷回路基板の回路パターン形成方法。 - 特許庁

An amount of etching on the surface of the working strain layer 12 is controlled in the step of etching removal to adjust dislocation density in the non-diffusion layer 15.例文帳に追加

ここで、上記エッチング除去の工程において加工歪み層１２の表面のエッチング量を制御することにより非拡散層１５内の転位密度を調節する。 - 特許庁

In the next step, after removing the resist film 36 outside the wiring groove 35 by means of dry-etching method, the resist film 36 inside the groove is removed by means of wet-etching method.例文帳に追加

次に、ドライエッチングにより、配線溝３５の外側にあるレジスト膜３６を除去した後、ウェットエッチングにより、配線溝３５の内部にあるレジスト膜３６を除去する。 - 特許庁

The method also comprises the steps of thereafter etching the SOI layer 3 with an ammonia hydrogen peroxide water in the etching step, and finally forming an oxide film 9 an electrode 10 to complete the MOSFET.例文帳に追加

その後、エッチング工程において、アンモニア過水によりＳＯＩ層３をエッチングして、最後に酸化膜９及び電極１０を形成してＭＯＳＦＥＴが完成する。 - 特許庁

In a plasma etching step, an AC voltage is measured through pads 22a, 22b formed on an outer periphery of a wafer 21, and thereby the etching ending point of the wafer 21 is detected.例文帳に追加

プラズマエッチング工程において、ウェハ２１外周部に形成したパッド２２ａ，２２ｂを通して交流電圧を測定することにより、ウェハ２１のエッチング終点を検出する。 - 特許庁

After an opening is formed in the oxide film 11 by photo-etching, an anisotropic etching step is carried out with a mask of the oxide film 11 to form a trench 12 in the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

そして、フォトエッチングにより酸化膜１１を開口させたのち、酸化膜１１をマスクとした異方性エッチングを施し、半導体基板１０にトレンチ１２を形成する。 - 特許庁