「step etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing ink discharge head hardly causing a manufacturing step dependent variation in opening size of an ink supply port, and not requiring dry etching in removal of an etching stop layer.例文帳に追加

インク供給口の開口サイズが製造工程によって変動し難く、且つ、エッチングストップ層の除去にドライエッチングが不要なインク吐出ヘッドの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The pattern forming method is characterized by forming a hard mask layer, providing the step in the hard mask layer and performing anisotropic etching on a substrate using the hard mask layer as an etching mask.例文帳に追加

本発明のパターン形成方法は、ハードマスク層を形成し、該ハードマスク層に段差を設け、該ハードマスク層をエッチングマスクとして基板に異方性エッチングを行うことを特徴とする。 - 特許庁

Since deposits 110 produced in a trench-etching step performed thereafter are caused to deposit in the gap, the deposits 110 do not become a mask at the time of etching the film 104.例文帳に追加

その後、トレンチエッチング工程において生成するデポ物１１０はその隙間に堆積されるため、デポ物１１０が低誘電率膜１０４のエッチング時におけるマスクとなることはない。 - 特許庁

Further, a method for processing the semiconductor wafer comprising the steps of chamfering, surface grinding, etching, and mirror surface polishing is characterized in that the etching step is performed as above.例文帳に追加

および面取り、平面研削、エッチング、鏡面研磨する工程からなる半導体ウエーハの加工方法において、エッチング工程を上記のように行う半導体ウエーハの加工方法。 - 特許庁

A three-dimensional structure is formed using this method and a vertical anisotropic etching step performing vertical anisotropic etching by Bosch method, and the three-dimensional structure is utilized in a device.例文帳に追加

本方法と、Ｂｏｓｃｈ法による垂直異方性エッチングを行う垂直異方性エッチング工程とを用いて三次元構造体を製造し、該三次元構造体をデバイスに利用する。 - 特許庁

A sublithographic feature 135a is formed in the vicinity of at least one intereconnection by performing etching on the insulating layer through the sublithographic template mask using a selective etching step.例文帳に追加

選択的なエッチング・ステップを用いて、サブ・リソグラフィ・テンプレート・マスクを介して絶縁層をエッチングして、少なくとも１つの相互接続の付近にサブ・リソグラフィ・フィーチャ１３５ａを形成する。 - 特許庁

In step 13, a chemical liquid containing at least an etching liquid is jetted on the selected specified regions by an ink-jetting method to perform a wet etching control, thereby improving the planarization level.例文帳に追加

ステップ１３において、この選定された特定領域に対し、インクジェットにより少なくともエッチング液を含む薬液を吹き付け、ウェットエッチング制御を行い、平坦化レベルの改善を図る。 - 特許庁

At least two or more layers that constitute the semiconductor device are selectively removed by etching, and two-step etching is performed when an aperture is formed.例文帳に追加

本発明では、半導体装置を構成する少なくとも２層以上の層間絶縁膜をエッチングにより選択的に除去し、開口部を形成するとき、２段階のエッチングを行う。 - 特許庁

A relational expression creation process has a step for selecting a parameter from the etching apparatus log; and there is created, for every selected parameter, a relational expression indicating correlation relation between the parameter and the etching size.例文帳に追加

関係式作成工程は、エッチング装置ログからパラメータを選択して、選択されたパラメータ毎に、当該パラメータとエッチング寸法との相関関係を示す関係式を作る。 - 特許庁

The method of processing the glass substrate has a first step S1 for polishing the processing surface of the glass substrate, a third step S3 and a forth step S4 for forming an etching mask on the processing surface and a fifth step S5 for pattern-forming a micro-processed uneven structure on the processing surface of the glass substrate by wet-etching.例文帳に追加

本発明のガラス基板の加工方法は、ガラス基板の被加工面を研磨する第１工程Ｓ１と、前記被加工面にエッチングマスクを形成する第３工程Ｓ３及び第４工程Ｓ４と、湿式エッチング処理により前記ガラス基板の被加工面に前記微細凹凸構造をパターン形成する第５工程Ｓ５と、を有する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step for forming a fin-shaped projection 5 using plasma etching on a single-crystal silicon layer 3 of the SOI wafer, a step for forming a sacrificial oxide film 6 on the top surface containing the damage arising on the projection 5, a step for eliminating the sacrificial oxide film 6 by wet-etching, and a reflow step for heating a buried oxide layer 2 for reflow.例文帳に追加

ＳＯＩウエハにおける単結晶シリコン層３にプラズマエッチングを施して、フィン状の突起部５を形成する工程と、突起部５に生じたダメージを含む表面に犠牲酸化膜６を形成する工程と、犠牲酸化膜６をウエットエッチングにより除去する工程と、埋め込み酸化物層２を加熱してリフローさせるリフロー工程とを含む。 - 特許庁

A method for forming the transducing head 40 having a magnetic recording element includes: a step for forming a pedestal 48 in the vicinity of a recording pole 42 and a gap layer 46; a step for depositing a front shield 56 on the pedestal; a step for etching the front shield; and a step for depositing a backfill layer 50 on the front shield after etching.例文帳に追加

磁気記録素子を有する変換ヘッド４０を形成するための方法は、記録ポール４２およびギャップ層４６の近傍に台座部４８を形成するステップと、前方シールド５６を台座部上に堆積するステップと、前方シールドをエッチングするステップと、エッチングの後、バックフィル層５０を前方シールド上に堆積するステップとを含む。 - 特許庁

It also includes a step for etching the work with the resist pattern as a mask, a step for radiating the light of photosensitizing wavelength band for the photosensitizer to the resist pattern through the photomask, a step for etching the work with the resist pattern as the mask, and a step for removing the resist pattern on the work.例文帳に追加

また、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパターンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁

Also, the method includes a step of etching the workpiece with the resist pattern as a mask, or a step of irradiating the resist pattern with light in a photosensitive wavelength range of the photosensitizer via a photomask, a step of etching the workpiece with the resist pattern as a mask, and a step of removing the resist pattern on the workpiece.例文帳に追加

また、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパターンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the printed wiring board has a blackening step of blackening the surface of a conductive layer provided on an insulating substrate; a photolithography step of laminating a dry film on the blackened surface, and exposing and developing the dry film; and an etching step of etching the conductive layer exposed by the photolithography step to form the circuit pattern.例文帳に追加

絶縁基板上に設けられた導電層の表面を黒化する黒化処理工程と、黒化された該表面にドライフィルムを積層し、該ドライフィルムを露光、現像するフォトリソグラフィ工程と、該フォトリソグラフィ工程により露出した導電層をエッチングして回路パターンを形成するエッチング工程とを有するプリント配線板の製造方法である。 - 特許庁

The method of removing the substrate structure includes a step of forming a plurality of peeler-shape bodies on the substrate by a photolithography etching process; a step of growing a group-III nitride semiconductor layer on a plurality of peeler-bodies; a step of chemical-etching a plurality of peeler-bodies; and a step of separating the group-III nitride semiconductor layer from the substrate.例文帳に追加

本発明の基板構造体を除去する方法は、基板上にフォトリソグラフィーエッチング方式で複数の柱状体を製作し、前記複数の柱状体上にＩＩＩ族窒化物半導体層を成長させ、化学エッチング方式で複数の柱状体をエッチングし、前記ＩＩＩ族窒化物半導体層と前記基板を分離する。 - 特許庁

The method for producing the patterned metal oxide thin film comprises a step of coating the composition for the metal oxide thin film on a substrate, a step of irradiating light through a photomask on the coated film, a step of etching an unexposed part of the coated film with a solvent and a step of forming the patterned metal oxide thin film by burning after etching.例文帳に追加

また本発明のパターン状金属酸化物薄膜の製造方法は、金属酸化物薄膜用組成物を基板に塗布する工程、形成された塗布膜にフォトマスクを通して光照射を行う工程、未感光部の塗布膜を溶剤によりエッチングする工程、エッチング後、焼成してパターン状金属酸化物薄膜とする工程とを含む構成とする。 - 特許庁

The plasma processing method has, in the deep-mined process for the silicon substrate, a conditioning step of cleaning a surface of a target 32, in addition to an etching step and a protective film forming step.例文帳に追加

本発明に係るプラズマ処理方法は、シリコン基板に対する深掘り加工プロセスにおいて、エッチング工程と保護膜形成工程のほかに、ターゲット３２の表面を清浄化するコンディショニング工程を有している。 - 特許庁

The plasma etching method is to etch the base material to be processed by repeating alternately the deposition step S09 by a deposition gas and the etching step S11 by an etching gas, and intervenes an exhaust process providing exhaust steps S10, S13 for exhausting a process gas once when the process gas is switched.例文帳に追加

このプラズマエッチング法は、デポジッションガスによるデポジッション工程Ｓ０９とエッチングガスによるエッチング工程Ｓ１１とを交互に繰り返すことで被加工基材をエッチングするものであり、プロセスガスを切り替える際に一旦そのプロセスガスを排気する排気工程Ｓ１０，Ｓ１３を設けた排気工程を介在させた。 - 特許庁

The pretreatment method for electroless-nickel-plating aluminum or the aluminum alloy comprises the step of etching aluminum or the aluminum alloy with an etching solution containing copper ions, and the step of removing an etching residue from etched aluminum or an etched aluminum alloy with a cleaning solution capable of dissolving copper.例文帳に追加

アルミニウムやアルミニウム合金に無電解ニッケルめっきを行うための前処理方法として、銅イオンを含有するエッチング溶液でアルミニウム、アルミニウム合金をエッチングする工程と、エッチング後のアルミニウム、アルミニウム合金から、銅を溶解することができる洗浄溶液を用いてエッチング残渣を除去する工程と、を有するものとする。 - 特許庁

In a first dry etching step, dry etching is applied to the substrate for the master disk with the upper layer resist 13 as a mask and in a first ashing step, ashing is applied to an area exposed with a weak beam up to the glass substrate 1 with the intermediate layer 12 as a mask.例文帳に追加

第１のドライエッチング工程で、上層レジスト１３をマスクにして原盤用基板をドライエッチングし、第１のアッシング工程で、上記中間層１２をマスクにして弱いビームで露光された領域を硝子基板１までアッシングする。 - 特許庁

In addition, this manufacturing method comprises a step of forming a protection film 16 on the processed film 5 and the non-processed film 14 and a step of etching the protection film 16 in an RIE method and dropping the processed film 5 in the groove by selectively etching the processed film 5.例文帳に追加

更に、加工膜５および非加工膜１４の上に保護膜１６を形成する工程と、ＲＩＥ法を用いて、保護膜１６をエッチングすると共に、加工膜５を選択的にエッチングして溝内の加工膜５を落とし込む工程とを備える。 - 特許庁

A primary etching step forms contact holes (symbol 200 in Figure 4) on the interlayer insulating film 105 as well as removes the spacer film 109, followed by a secondary etching step for removing the hard mask film pattern 106a.例文帳に追加

第１のエッチング工程で層間絶縁膜１０５にコンタクトホール（図４中の符号２００）を形成し、スペーサ膜１０９も第１のエッチング工程にて除去し、ハードマスク膜パターン１０６ａを除去するための第２のエッチング工程を実施する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor element with a two-step continuous wet etching step by using different etching solutions for providing an insulating margin between contacts that are self-aligned with a lower conductive layer and an upper conductive layer.例文帳に追加

下部導電層と下部導電層によって自己整列されるコンタクト間の絶縁マージンを確保するために相異なる蝕刻液を使用した２段階の連続的な湿式蝕刻工程を用いる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of color filter using a dry etching method, the dry etching is performed by a first etching step of forming a colored layer removing part 6 by using a gaseous mixture containing fluorine type gas and oxygen gas and a second etching step of removing the colored layer removing part 6 and forming a support exposure part by using a gaseous mixture containing nitrogen gas and oxygen gas.例文帳に追加

ドライエッチング法を用いたカラーフィルタの製造方法において、ドライエッチング処理を、フッ素系ガスと酸素ガスとを含む混合ガスを用いて着色層除去部６を形成する第１のエッチング工程と、窒素ガスと酸素ガスとを含む混合ガスを用いて着色層除去部６を除去し支持体露出部を形成する第２のエッチング工程とで行う。 - 特許庁

The etching method of a translucent thin-film solar cell module includes a step of printing an ink slurry, having corrosion resistance against an etching solution in a region to be protected on the thin-film solar cell module placed under a screen, and drying and solidifying the ink slurry; a step of applying an etching solution on the thin film solar cell module; and a step of removing the ink slurry.例文帳に追加

本発明は、エッチング溶液に対して耐食性を有するインクスラリーを、スクリーンの下に置かれた薄膜太陽電池モジュールの保護必要領域に印刷し、前記インクスラリーを乾燥させ固めるステップと、前記薄膜太陽電池モジュールにエッチング溶液を塗布するステップと、前記インクスラリーを除去するステップと、を含む透光性薄膜太陽電池モジュールのエッチング方法。 - 特許庁

A method for etching an SiC substrate 10 has a masking step to form a masking layer 14 where a part of the surface of the SiC substrate 10 is exposed and another part is coated, a modifying step where the composition of an etching area 16 including the exposed surface of the substrate is modified from silicon carbide SiC to graphite C and a removing step to remove the modified etching area 16.例文帳に追加

本発明によるＳｉＣ基板１０のエッチング方法は、ＳｉＣ基板１０に、該基板の表面の一部を露出させ一部を被覆するマスク層１４を形成するマスク工程と、露出した基板表面を含むエッチング領域１６の組成を、炭化珪素ＳｉＣからグラファイトＣに変化させる変質工程と、変質したエッチング領域１６を除去する除去工程とを有する。 - 特許庁

In the working step, the working layer is worked so that the desired shape is formed on the surface of the working layer based on a distribution of the workpiece and the etching rate of the working layer in a surface perpendicular to the etching direction by the anisotropic etching.例文帳に追加

加工工程は、異方性エッチングによるエッチング方向と直交する面内での被加工物体及び加工層のエッチングレートの分布に基づいて被加工物体の表面に所望の形状が形成されるように加工層を加工する。 - 特許庁

In the wiring etching method, including a step of etching a wiring film formed on a semiconductor substrate by plasma etching, etching is carried out under CW conditions (condition for causing continuous plasma discharge), until a prescribed film thickness prior to etching of the wiring film extending throughout the entire film thickness, and subsequently etching is carried out under TM conditions (condition for causing intermittent plasma discharge).例文帳に追加

半導体基板上に形成された配線膜をプラズマエッチング法によりエッチングする工程を含む配線エッチング方法において、前記配線膜が全膜厚にわたってエッチングされるよりも前の所定の膜厚まではＣＷ条件（プラズマ放電を連続的に放電させる条件）でのエッチングを行い、それ以降はＴＭ条件（プラズマ放電を断続的に放電させる条件）でのエッチングを行う。 - 特許庁

A dry etching step of a phase shifter film in a phase shift mask essentially comprises predicting an etching rate in the next process substrate by using a correlation between an average phase difference in a plasma current-voltage and the etching rate of the phase shifter film observed during the etching process and using changes in the phase difference output with time, and then setting an optimum etching time to carry out the etching process.例文帳に追加

位相シフトマスクに於ける位相シフター膜のドライエッチング工程に於いて、エッチング処理中に観測されるプラズマ電流−電圧間の位相差の平均値と位相シフター膜のエッチング速度の相関関係と位相差出力の経時変化とを用いて次回処理基板に於けるエッチング速度を予測し、然る後、最適エッチング時間を設定してエッチング処理を行なう過程が含まれてなることを基本とする。 - 特許庁

In this step, the reflection layer 2 is etched through the transparent conductive layer 3 as a mask which is already patterned and has etching selectivity.例文帳に追加

このとき、反射層２は、既にパターニングされ、エッチング選択性を有する透明導電層３をマスクとしてエッチングされる。 - 特許庁

In the thin film etching step, the thin film 2 is etched so that the V-shaped trench 3 may be opened in the top end to expose the substrate 1.例文帳に追加

薄膜エッチング過程は、Ｖ字溝３の先端が開孔して基板１が露出するように薄膜２をエッチングする。 - 特許庁

To eliminate a problem that etching step is needed and a wasteful material consumption is generated so as to form an orientation control layer by sputtering.例文帳に追加

配向制御層をスパッタ法で形成するためにエッチング工程が必要になるとともに無駄な材料消費が生じる。 - 特許庁

In the etching processing step, a thick oxide film is formed on the surface of the silicon core wire, and the film is a factor causing spark discharging.例文帳に追加

エッチング処理の工程でシリコン芯線表面に厚い酸化膜が形成され、これが火花放電を引き起こす原因となる。 - 特許庁

The process step of working the metallic layer and the conductive layer by the photoetching method is included and the insulating layer 2 is worked by the wet etching.例文帳に追加

金属層と導電性層をそれぞフォトエッチング法により加工する工程と、絶縁層をウェットエッチングにより加工する。 - 特許庁

To improve pressure resistance by preventing a step section from being formed at a transition section from a pressure introduction opening to a diaphragm etching cavity.例文帳に追加

圧力導入開口からダイアフラムエッチング空洞への移行部に段部が形成されないようにして耐圧性を高める。 - 特許庁

MULTI-STEP DEP-ETCH-DEP (DEPOSITION-ETCHING-DEPOSITION) HIGH-DENSITY PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS FOR FILLING DIELECTRIC GAP例文帳に追加

誘電ギャップ充填用のマルチステップ堆積・エッチング・堆積（ＤＥＰ−ＥＴＣＨ−ＤＥＰ）高密度プラズマ化学気相堆積プロセス - 特許庁

Then, the metal wiring is exposed to an inert gas plasma in the same processing apparatus in which a vacuum state in this dry etching step is maintained.例文帳に追加

次に、このドライエッチング工程における真空の状態が維持される同一処理装置内で、不活性ガスプラズマに晒す。 - 特許庁

A side wall of the second film is slightly removed when a resist mask is stripped by a resist stripping solution after the second etching step.例文帳に追加

第２のエッチング工程後にレジストマスクをレジスト剥離液により剥離するに際し、第２の膜の側壁が少し削られる。 - 特許庁

Upon lapse of the prescribed time, the display panel is pulled up from an etchant of the etching vessel, and the etchant is removed (step S53).例文帳に追加

そして、所定時間が経過すると、表示パネルをエッチング槽のエッチング液から引き上げ、エッチング液を除去する（ステップＳ５３）。 - 特許庁

This method comprises a step for forming a capacitor electrode by etching a metal nitride film under an environment containing fluorine and oxygen.例文帳に追加

この方法は、フッ素および酸素を含む環境で金属窒化膜をエッチングしてキャパシタ電極を形成する段階を含む。 - 特許庁

Since the shapes of the interlayer insulation films 2 and 3 are improved by the isotropic etching, the metal interconnection layer can be formed with a good step coverage.例文帳に追加

等方性エッチングにより層間絶縁膜２，３の形状が改善され、金属配線層がステップカバレージ良く成膜される。 - 特許庁

Depending on the difference in etching rate of the resist, the mesa step having the height of approximately 0.2 μm and the gradient angle of approximately 35° is formed.例文帳に追加

レジストエッチングレイトとの違いにより、段差高さ約０．２μｍ、段差勾配の角度約３５°のメサ段差が形成される。 - 特許庁

The detailed pits are formed on the nitride silicon layer through vapor etching by 100% of chlorofluocarbon (CF_4. flon 14) in a fourth step.例文帳に追加

第４ステップにて、１００％の四弗化炭素（ＣＦ_4、フロン１４）によるガスエッチングにより窒化シリコン層に微細ピットを形成する。 - 特許庁

This method for manufacturing a multilayered wiring board includes the consecutive steps of a step of forming a curing insulation resin layer, a step of selectively forming a via hole in the curing insulation resin layer, a step of etching a metal for a wiring pattern, a step of curing the curing insulation resin layer after etching, and a step of applying a plating treatment for interlayer connection.例文帳に追加

配線パターンが形成された絶縁基材上に、硬化性絶縁樹脂層を設ける工程、該硬化性絶縁樹脂層に選択的にビアホールを形成する工程、配線パターンの金属をエッチングする工程、エッチング後に該硬化性絶縁樹脂層を硬化する工程、およびメッキ処理を行って層間接続を行う工程、をこの順に行うことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 特許庁