「step etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

In the etching method, a first step performing plasma etching of an article 12 arranged in a processing chamber 5 by supplying etching gas 1 into the processing chamber, and a second step for forming a passivation layer in the etching portion of the article by supplying passivation gas 2 into the processing chamber are repeated alternately.例文帳に追加

エッチング方法は、処理室５内にエッチングガス１を供給して該処理室内に配置された被処理物１２のプラズマエッチングを行う第１の工程と、該処理室内にパッシベーションガス２を供給して被処理物のエッチング部にパッシベーション層を生成する第２の工程とを交互に繰り返す。 - 特許庁

The method for manufacturing a three-dimensional structure includes: a step of preparing the substrate 200; a mask forming step of forming the etching mask 204 to the surface of the substrate 200 by using the method for forming the etching mask; and an etching step of dry-etching the substrate from a diagonal direction using the etching mask 204 and of forming a plurality of holes.例文帳に追加

また、３次元構造体を製造するに際して、基板２００を準備する工程と、前記基板２００表面に、上記したエッチングマスクの形成方法を用い、エッチングマスク２０４を形成するマスク形成工程と、前記エッチングマスク２０４を用い、前記基板を斜め方向からドライエッチングして複数の開孔を形成するエッチング工程と、を有する製造方法を用いる。 - 特許庁

The method of controlling dimensions of structures formed on the substrate using the etching process includes a step 204 of measuring pre-etching dimensions of the respective elements of a patterned etching mask, a step 206 of adjusting the process recipe of the etching process using the results of the pre-etch measurements, and a step 208 of adjusting the process recipe of the etching process, using the patterned etch mask.例文帳に追加

エッチングプロセスを用いて基板上に形成された構造物の寸法を制御する方法がパターン化されたエッチングマスクのそれぞれの素子のエッチング前の寸法を測定するステップ２０４、前記エッチング前の測定結果を用いてエッチングプロセスのプロセスレシピを調整するステップ２０６及びパターン化されたエッチングマスクを用いてエッチングプロセスを行い、プロセスレシピを調整するステップ２０８を有する。 - 特許庁

At step (j), etch agent is made to advance into the etching space 105 through the etching hole 14 and to fill the etching space 105, and a recess 13 is formed by etching a substrate 11 in the thickness direction (Z direction) from the surface opposite to the etching space 105.例文帳に追加

工程（ｊ）では、エッチング空間１０５に、エッチングホール１４を介してエッチング剤を進入させ、エッチング空間１５をエッチング剤で満たすようにして、基板１１のエッチング空間１０５に臨む表面から厚み方向（Ｚ方向）にエッチングして凹部１３を形成する。 - 特許庁

The etching method includes: a step of forming a solid layer, such as a metal fluoride layer 3, at least as one portion of an etching mask on the surface of substrates 1, 2; a step of performing polymer solution processing to the solid layer; and a step of etching the substrates with the solid layer as a mask.例文帳に追加

基体（１，２）の表面に、エッチングマスクの少なくとも一部として、金属フッ化物層３等の固体層を形成する工程と、前記固体層をポリマー溶液処理する工程と、前記固体層をマスクとして、前記基体をエッチングする工程とを有することを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁

The etching method includes: a step of forming a solid layer, such as a metal fluoride layer 3, at least as one portion of an etching mask on the surface of substrates 1, 2; a step of performing chemical processing to the solid layer; and a step of etching the substrates with the solid layer as a mask.例文帳に追加

基体（１，２）の表面に、エッチングマスクの少なくとも一部として、金属フッ化物層３等の固体層を形成する工程と、前記固体層を化学薬品処理する工程と、前記固体層をマスクとして、前記基体をエッチングする工程とを有することを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁

Even when difference in etching transformation arises in an etching step, a mask pattern can be generated while considering the variation of the pattern on a wafer due to the difference in etching transformation.例文帳に追加

これにより、エッチング工程でエッチング変換差が発生する場合であっても、エッチング変換差によるウェハ上でのパターンの変動を考慮したマスクパターンを生成することができる。 - 特許庁

An etching step S1 is implemented wherein a wafer after the lapping step is etched with an alkaline solution, and then an acid cleaning step S2 is implemented wherein the wafer is washed with an acid solution for the removal of heavy metal impurities that the wafer collects in the etching step S1.例文帳に追加

ラッピング工程を経たウェーハをアルカリ溶液でエッチングするエッチング工程Ｓ１の後、エッチング工程によってウェーハに付着した重金属不純物を除去するべくウェーハを酸溶液で洗浄する酸洗浄工程Ｓ２を実施するようにした。 - 特許庁

The ashing process step ST4 of removing the resist mask 400 is performed every time the etching process step ST3 is performed and the etching process step ST3 and the ashing process step ST4 are continuously performed without removing the substrate 10b from a chamber with the same treating equipment.例文帳に追加

エッチング工程ＳＴ３を行うたびにレジストマスク４００を除去するアッシング工程ＳＴ４を行うが、エッチング工程ＳＴ３とアッシング工程ＳＴ４については、同一の処理装置で基板１０ｂをチャンバーから出すことなく連続して行う。 - 特許庁

The MRAM manufacturing method comprises a step of etching a magnetoresistive film 220 by using a mask pattern 961, a step of fabricating an insulating film and then a metal film on the whole surface after the etching step, and a step of removing the mask pattern 961 and the insulating film and the metal film that are on the mask pattern 961.例文帳に追加

マスクパターン９６１を用いて磁気抵抗効果膜２２０をエッチングする工程と、エッチング後に、全面に絶縁膜、金属膜を順次成膜する工程と、マスクパターン９６１と該パターン上の絶縁膜および金属膜を除去する工程とを含む。 - 特許庁

The method further includes, after the step of preparing the substrate 10 and before the step of growing a GaN crystal 20, a step of etching the principal plane 10m of the substrate 10.例文帳に追加

また、基板１０を準備する工程の後、ＧａＮ結晶２０を成長させる工程の前に、基板１０の主面１０ｍをエッチングする工程を、さらに備える。 - 特許庁

Grooves or holes are machined thinner than pattern dimensions in a BARC etching step, and etching is made under the conditions of a high mask selection ratio containing N_2 or O_2.例文帳に追加

BARCエッチングステップにてパターン寸法よりも溝又は孔を細く加工し、N_２またはO_２を含む高マスク選択比条件にてエッチングを行う。 - 特許庁

The step of forming the source wiring 95 includes a step of forming a conductor film on the source contact electrode 92 and a step of processing the conductor film by etching the conductor film in a reactive ion etching.例文帳に追加

ソース配線９５を形成する工程は、ソースコンタクト電極９２上に導電体膜を形成する工程と、導電体膜を反応性イオンエッチングによりエッチングすることにより導電体膜を加工する工程とを含む。 - 特許庁

In this case, by the etching of a first step, the first oxidized film is etched to a prescribed depth.例文帳に追加

ここで、第１ステップのエッチングで、上記第１の酸化膜が所定の深さまでエッチングされる。 - 特許庁

A via hole 6v which reaches the etching stopper film 6es is formed at the insulating layer 6 ((D)step).例文帳に追加

絶縁層６に、エッチングストッパ膜６ｅｓに達するビアホール６ｖが形成される（（Ｄ）工程）。 - 特許庁

To improve etching resistance by increasing a resist film thickness in a lithography process step.例文帳に追加

リソグラフィ工程において、効率的にレジスト膜厚を厚くしてエッチング耐性を向上させる。 - 特許庁

The etching method using the etching solution includes just immersing the thin film of metallic silver or the silver alloy into the etching solution in a resting state in an etching step, and does not need such a streaming of a solution or a swinging of a substrate as to have been carried out in a conventional method.例文帳に追加

そして、このエッチャントを用いる際は、エッチング時に、静止状態のエッチング溶液に金属銀薄膜または銀合金薄膜を浸漬させるだけで足り、従来例のような溶液流動化や基板の揺動を要しない。 - 特許庁

Next, a step for making the bottom part electrode and resistors having a constant length in a pattern, and a step 350 for performing etching are executed.例文帳に追加

次に、この底部電極と一定長の抵抗器をパターンに作成する段階およびエッチングを行う段階３５０が実行される。 - 特許庁

The cutting and separation method comprises the step of degenerating the inside of glass by condensing laser light in the inside and the step of etching glass.例文帳に追加

ガラス内部にレーザーを集光してガラス内部を変質させる工程の後、ガラスをエッチングする工程を経てガラスを切断分離する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device of this invention comprises a step of forming the silicon nitride film having a part with the arsenic included and a part without the arsenic included; a first etching step of etching the part with the arsenic included out of the silicon nitride film by a dry etching; and a second etching step for etching the part without the arsenic included out of the silicon nitride film by the wet etching.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、砒素が含まれている部分と砒素が含まれていない部分とを有するシリコン窒化膜を形成する工程と、ドライエッチングにより、前記シリコン窒化膜のうちの前記砒素が含まれている部分をエッチングする第１のエッチング工程と、ウェットエッチングにより、前記シリコン窒化膜のうちの前記砒素が含まれていない部分をエッチングする第２のエッチング工程と、を含む、ことを特徴とする - 特許庁

This stopper layer performs a role of an etching stopper when etching back the unnecessary embedded layer at the upper part of the trench (step S20), and hence a step between the stopper layer and the field oxide film is reduced after the etching to improve the flatness of an element isolation region.例文帳に追加

このストッパ層はトレンチ上部の不要な埋め込み層をエッチングバックする際に（工程Ｓ２０）エッチングストッパの役割を果たすので、エッチング後にストッパ層とフィールド酸化膜との段差が少なくなり素子分離領域の平坦性が向上する。 - 特許庁

The method for manufacturing a microneedle includes a step of forming an island-like etching mask, which has a thickness distribution, on a substrate, and a step of processing the substrate into needle shape by using a difference between the etching rate of the etching mask and that of the substrate.例文帳に追加

基板上に厚み分布をもつ島状のエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクと基板とのエッチングレートの差を利用して前記基板を針状に加工する工程とを含むことを特徴とするマイクロニードルの製造方法。 - 特許庁

In addition, before the main etching step, a pre-etching step is performed by supplying a third amount of high-frequency power which is larger than the first amount of high-frequency power to the stage electrode 14 so as to change the etching gas inside the vacuum chamber 11 into the plasma state.例文帳に追加

加えて、このメインエッチング工程の前に、ステージ電極１４に第一の電力量よりも大きい第三の電力量で高周波電力を供給して、真空槽１１内のエッチングガスをプラズマにするプレエッチング工程を行う。 - 特許庁

This etching method which etches a fluorine-added carbon film formed on a substrate by plasma, comprises the steps of a first step of performing etching with plasma of an oxygen-containing treatment gas; and a second step of performing etching with plasma of a fluorine-containing treatment gas.例文帳に追加

基板上に形成されたフッ素添加カーボン膜をプラズマによりエッチングするエッチング方法は、酸素を含む処理ガスのプラズマによりエッチングを行う第１段階と、フッ素を含む処理ガスのプラズマによりエッチングを行う第２段階とを有する。 - 特許庁

The working method comprises the step of forming an etching mask comprising a nitrogen-containing compound on the surface of single crystal alumina and the step of subjecting the single crystal alumina to reactive ion etching with a plasma containing boron and chlorine by using the etching mask.例文帳に追加

単結晶アルミナ表面に窒素を含む化合物からなるエッチングマスクを形成する工程と、単結晶アルミナをエッチングマスクを用いてホウ素と塩素を含むプラズマによる反応性イオンエッチングを行う工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The step in which the movable side substrate is prepared includes: a step in which the substrate body is prepared; a step in which the movable part is formed by etching a face of the substrate body; a step in which a reflection mirror film is formed on the movable part; and a step in which the supporting part is formed by etching the other face of the substrate body.例文帳に追加

可動側基板を準備するステップは、基板本体を準備するステップと、基板本体の一面をエッチングすることにより可動部を形成するステップと、可動部上に反射鏡を成膜するステップと、基板本体に他面をエッチングすることにより支持部を形成するステップとを有する。 - 特許庁

The method for fabricating a semiconductor device comprises a step (a) for forming a silicon layer 20 and a silicide layer 30 of high melting point metal sequentially in multilayer on a silicon oxide layer 10, a step (b) for etching the silicide layer 30, and a step (c) for etching the silicon layer 20 following to the step (b).例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、（ａ）酸化シリコン層１０の上に、シリコン層２０および高融点金属のシリサイド層３０が順次積層された積層体を形成する工程、（ｂ）シリサイド層３０をエッチングする工程、（ｃ）工程（ｂ）の後に、シリコン層２０をエッチングする工程を含む。 - 特許庁

Here, the etching step of performing the etching processing on the stampers so that the reduction ratio of the pit height of the short pit becomes larger than that of the long pit is carried out.例文帳に追加

ここで、短ピットが長ピットよりもピット高さの縮小率が大きくなるように、スタンパに対してエッチング処理を行うエッチング工程を行う。 - 特許庁

In production of the beam structure 144 having the step portion 160 by wet etching, an etching substance 400 is coated with a mask pattern 450.例文帳に追加

ステップ部１６０を有するはり構造体１４４をウエットエッチングによって製作するために、被エッチング材４００にマスクパターン４５０をコーティングする。 - 特許庁

In a plasma etching step, leakage current from a pad 22 formed on an outer periphery of a wafer 21 is measured, and thereby the etching ending point of the wafer 21 is detected.例文帳に追加

プラズマエッチング工程において、ウェハ２１外周部に形成したパッド２２からリーク電流を測定することにより、ウェハ２１のエッチング終点を検出する。 - 特許庁

As indicated in Figure (b), the silicon nitride film and the oxide film after the over-etching step has a reverse tapered shape in etching or a notched shape 5, while the trench is being etched.例文帳に追加

図１（ｂ）に示すようにオーバーエッチング後のシリコンチッカ膜、酸化膜エッチング形状は、逆テーパー形状またはノッチ形状５とし、トレンチのエッチングを行う。 - 特許庁

To enable easily to remove a coating formed on the surface of a resist when dry-etching, in removing the resist after dry etching, in a step of manufacturing a mask.例文帳に追加

マスク作製工程におけるドライエッチング後のレジスト剥離において、ドライエッチング時にレジスト表面に形成された皮膜を簡単に除去できるようにしたい。 - 特許庁

In a step 12, a chemical liquid, containing at least an etching liquid, is jetted on the selected specified regions by an ink- jetting method to perform a wet etching control.例文帳に追加

ステップ１２において、この選定された特定領域に対し、インクジェットにより少なくともエッチング液を含む薬液を吹き付け、ウェットエッチング制御を行う。 - 特許庁

After finishing two or more plasma dry etching steps, two or more steps of ultraviolet irradiation are each carried out immediately after a plasma dry etching step.例文帳に追加

そして、この複数のプラズマドライエッチング工程のうち２以上の工程の直後にそれぞれ紫外線照射を行う２以上の紫外線照射工程を有する。 - 特許庁

An etching agent for use in the patterning step is one which dissolves the conductive layer and does not dissolve the guard metal layer 39, and an etching rate is about 1 to 5 μm/min.例文帳に追加

パターンニング工程で用いるエッチング液は、導体層を溶解しガード金属層３９を溶解しないものであって、エッチングレートが約１〜５μｍ／分である。 - 特許庁

In the plasma-etching step, a mixed gas containing an oxygen-containing gas and a sulfur-containing and oxygen-not-containing gas is used as a processing gas (an etching gas).例文帳に追加

このプラズマエッチング工程では、処理ガス（エッチングガス）として、酸素を含むガスと、硫黄を含み酸素を含まないガスを含む混合ガスを使用する。 - 特許庁

In this two-step etching, inert gas is added to at least one of primary gas (gas for the primary etching) and secondary gas (gas for the secondary etching).例文帳に追加

その２段階のエッチングの際に用いる第１の気体（第１のエッチング用ガス）と第２の気体（第２のエッチング用ガス）の少なくともどちらか一方に、不活性気体を添加することを特徴とする。 - 特許庁

A process for creating a close contact layer is provided with a dry etching step for etching a material for the close contact layer by using an etching gas including at least a hydrogen atom component and a nitrogen atom component.例文帳に追加

本発明は、密着層を作成する工程に、少なくとも水素原子成分及び窒素原子成分を含むエッチングガスにより密着層の材料をエッチングするドライエッチング工程を設ける。 - 特許庁

The method of patterning a dielectric film includes a step of forming a first dielectric film on a silicon substrate, a step of forming a second dielectric film on the first dielectric film, a step of partially exposing the first dielectric film by partially etching the second dielectric film with use of an etching paste, and a step of etching the exposed first dielectric film using an etching solution.例文帳に追加

シリコン基板上に、第１の誘電体膜を形成する工程と、該第１の誘電体膜上に、第２の誘電体膜を形成する工程と、エッチングペーストを用いて、第２の誘電体膜を部分的にエッチングすることにより、第１の誘電体膜を部分的に露出させる工程と、露出した第１の誘電体膜を、エッチング液を用いてエッチングする工程とを含む誘電体膜のパターニング方法を提供する。 - 特許庁

An acid cleaning step in which the substrate with the multilayer film of gold or the like/chromium or the like is cleaned with an aqueous solution having a nitric acid concentration of ≥35 wt.% and a cerium ammonium nitrate concentration lower than that in an etching liquid is provided between an etching step and the water washing step.例文帳に追加

エッチング工程と水洗工程の間に、金等／クロム等積層膜付き基板を、硝酸濃度３５重量％以上であって硝酸セリウムアンモニウム濃度がエッチング液より低い水溶液で洗浄する酸洗浄工程を設ける。 - 特許庁

A third process includes a step of removing a desired part or the whole part of the etching mask layer 3a on the substrate obtained in the second step.例文帳に追加

第３工程が、第２工程で得られた基板におけるエッチングマスク層３ａの所望の一部、又は全部を除去する工程を有する。 - 特許庁

In this case, the thermal oxide film formed in a thermal oxidizing step remains until the trench separation is completely formed, so that the amount of retreat for the oxide film at the top of the trench in a oxide-film wet-etching step can be reduced to minimum.例文帳に追加

故に、酸化膜ウェットエッチングによるトレンチ上端部の酸化膜の後退量を最小限に抑えることができる。 - 特許庁

When exposure of the AlCu layer 15 is detected, the upper layer main etching step is terminated and an upper layer overetching step is started.例文帳に追加

そして、ＡｌＣｕ層１５が露出したことが検出されると、上層メインエッチング工程が終了され、上層オーバエッチング工程が開始される。 - 特許庁

A large area of the Si substrate is polished with a grinder (Si substrate polishing step), subsequently the Si substrate is etched (Si substrate etching step).例文帳に追加

グラインダを用いてＳｉ基板の大部分を研磨し（Ｓｉ基板研磨工程）、引き続き、Ｓｉ基板をエッチングする（Ｓｉ基板エッチング工程）。 - 特許庁

In a first and a third step, an etching gas is used containing a fluorocarbon gas having a higher ratio of the number of C atoms to the number of F atoms than in a second step.例文帳に追加

第１ステップ及び第３ステップには、第２ステップよりＣ／Ｆ原子数の比が高いフルオロカーボンガスを含むエッチングガスを使用する。 - 特許庁