「step etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The method includes a step of patterning the buffer film 3 by dry etching performed by the use of an etching gas containing oxygen.例文帳に追加

本製造方法は、バッファ膜３を酸素含有エッチングガスによりドライエッチングしてバッファ膜パターンを形成する工程を含む。 - 特許庁

In an etching step for forming a via hole 8, mixture gas of C_4H_8, O_2, and Ar is used an etching gas.例文帳に追加

ヴィアホール８を形成するためのエッチング工程において、エッチングガスとして、Ｃ_４Ｈ_８、Ｏ_２、及びＡｒの混合ガスを用いる。 - 特許庁

In the trench etching step, a planarizing state of the trench wall face can be obtained and a trench having a flat wall face can be obtained during etching.例文帳に追加

トレンチエッチング中に、トレンチ壁面を平坦化する状態が得られ、平坦な壁面を持つトレンチをエッチングすることができる。 - 特許庁

The further etching step of the back channel portion is preferably conducted by dry etching using an N_2 gas or a CF_4 gas with bias not applied.例文帳に追加

バックチャネル部の更なるエッチングにはＮ_２ガス又はＣＦ_４ガスにより無バイアスで行うドライエッチングを用いることが好ましい。 - 特許庁

The protective film 224 protects the external connection terminal 220 against an etching liquid in the etching step for removing the seed film.例文帳に追加

保護膜２２４は、シード膜を除去するためのエッチング工程において外部接続端子２２０をエッチング液から保護する膜である。 - 特許庁

To obtain an etching shape without a side-wall deposition film as a reattached etching film to a sidewall of a resist, without disturbing minute patterning in a non-reactive sputtering etching step.例文帳に追加

反応性を用いないスパッタエッチングにおいて、微細化を妨げることなく被エッチング膜のレジスト側壁への再付着による側壁析出膜のないエッチング形状を得る。 - 特許庁

In the upper layer overetching step, as its etching conditions, the etching rates of the Ti/TiN layer 16 is made to nearly match the etching rate of the AlCu layer 15.例文帳に追加

この上層オーバエッチング工程では、エッチング条件が、Ｔｉ／ＴｉＮ層１６のエッチングレートとＡｌＣｕ層１５のエッチングレートとがほぼ一致するような条件に変更される。 - 特許庁

Next, the remaining part 22 of the cap film 20 and the low dielectric film 10 are etched at the same time under second etching condition different from the first etching condition (second etching step).例文帳に追加

次に、第１のエッチング条件とは異なる第２のエッチング条件で、キャップ膜２０の残部２２と低誘電率膜１０とを一括してエッチングする（第２のエッチング工程）。 - 特許庁

More specifically, the wafer is polished after an etching step, and/or a chamfering step of at least the chamfered part is carried out.例文帳に追加

具体的には、剥離ウエーハの少なくとも面取り部のエッチング処理及び／または面取り加工をした後、研磨する。 - 特許庁

After completion of this purging step, the plasma etching of a second step of using the mixture gas of C_4F_8/Ar/N_2 is performed.例文帳に追加

このパージング工程の終了後に、Ｃ_４Ｆ_８／Ａｒ／Ｎ_２の混合ガスを用いて第２ステップのプラズマエッチングが行われる。 - 特許庁

A substrate is placed within a plasma chamber and subjected to an alternating cyclic process including an etching step and a depositing step.例文帳に追加

基板がプラズマチャンバ中に置かれ、エッチングステップ及び堆積ステップを有する交互の周期的なプロセスにかけられる。 - 特許庁

Before the etching step S20, the method preferably comprises a step S10 of cleaning the surface of the crystal with an organic solvent.例文帳に追加

エッチング工程Ｓ２０の前に、結晶の表面を有機溶剤で洗浄する工程Ｓ１０を備えるのが好ましい。 - 特許庁

An alternative to this method includes a step to join the two wafers with the device layer and a step to subject the separating function to an etching process.例文帳に追加

代替方法は、１対のウェハをデバイス層に接合するステップと、次いで分離機能をエッチングするステップを含む。 - 特許庁

The grooves can be formed in a photolithographic step and an etching step of forming the hologram pattern 3.例文帳に追加

この溝部は、ホログラムパタ−ン３を形成するフォトリソグラフィー工程およびエッチング工程において形成することができる。 - 特許庁

The step of forming the groove 12a in the nonmagnetic layer includes the step of taper-etching the nonmagnetic layer by reactive ion etching with an etching gas containing at least BCl_3 and N_2 among BCl_3, Cl_2 and N_2.例文帳に追加

非磁性層に溝部１２ａを形成する工程は、ＢＣｌ_３、Ｃｌ_２、Ｎ_２のうち少なくともＢＣｌ_３とＮ_２を含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングによって、非磁性層をテーパエッチングする工程を含む。 - 特許庁

The first etching step includes a combination of etching in an atmosphere containing a hydrocarbon-based etchant and ashing in an oxygen-containing atmosphere, in which a protection layer is deposited on the side face of an active layer formed by the etching step.例文帳に追加

第１のエッチングでは、炭化水素系エッチャントを含む雰囲気におけるエッチングと酸素を含む雰囲気におけるアッシングとの組み合わせで、該エッチングで形成された活性層側面に保護層を堆積させる。 - 特許庁

A non-reactive sputtering etching method includes a step for etching after a photoresist layer 106 as a mask material is formed on an inner side of a step formed on an etching film 102, a step for baking at 180 to 200°C after the photoresist is exposed and developed, and a step for etching without reactive sputtering.例文帳に追加

反応性を用いないスパッタエッチングにおいて、被エッチング膜１０２上に形成された段差の内側にマスク材としてのフォトレジスト層１０６を形成してエッチングする工程と、前記フォトレジストを露光現像後、１８０〜２００℃の温度でベークする工程と、反応性を用いないスパッタエッチング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The method further comprises the steps of then etching the protective film (step S14), forming a metal thin film (step S16), and forming an electrode layer by using a lift-off method (step S18).例文帳に追加

その後、保護膜のエッチング（工程Ｓ１４）と金属薄膜の形成とを（工程Ｓ１６）行ない、リフトオフ法を用いて電極層（工程Ｓ１８）を形成する。 - 特許庁

The plating pretreatment method includes: a first stage etching step of etching the aluminum alloy while making an etching solution having suspended hard particles to flow at a flow rate of 100-150 cm/sec; and the late stage etching step of etching while making the etching solution to flow at the flow rate of 10-50 cm/sec.例文帳に追加

硬質粒子を懸濁させたエッチング液を流速１００〜１５０ｃｍ／秒で流動させてアルミニウム合金のエッチングを行うエッチング前期工程と、前記エッチング前期工程の後、前記エッチング液を流速１０〜５０ｃｍ／秒で流動させてエッチングを行うエッチング後期工程とを含むアルミニウム合金のめっき前処理方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the mold used for imprint by dry etching a substrate 10 made of quartz by using a dry etching apparatus includes the mask forming step of forming an etching mask 20 having a concave and convex pattern on the substrate 10, and the etching step of forming a protective film 30 on a side of the etching mask 20 and for etching the substrate 10 at the same time.例文帳に追加

ドライエッチング装置を用いて石英製の基板１０をドライエッチングすることにより、インプリントに用いるモールドの製造方法において、基板１０に凹凸パターンを有したエッチングマスク２０を形成するマスク形成ステップと、エッチングマスク２０の側壁への保護膜３０の形成と基板１０のエッチングとを同時に行うエッチングステップとを含む。 - 特許庁

The etching method is used for etching a thin film formed on a substrate with an etchant, and the etching method comprises a step of just-etching the thin film by sensor control, and a step of overetching the thin film just-etched in a predetermined period of time by time control.例文帳に追加

基板に形成された薄膜をエッチング液によってエッチング処理するエッチング方法において、上記薄膜をセンサ管理によってジャストエッチングする工程と、ジャストエッチングされた薄膜を時間管理によって所定時間オーバエッチングする工程とを具備する。 - 特許庁

The method includes an ion etching step, in which the surface of an optical element is irradiated with an ion beam for etching, and a chemical etching step, in which the ion-etched surface is soaked in a prescribed solution that reacts with the materials of the optical element and dissolved for etching.例文帳に追加

光学素子の表面にイオンビームを照射することによりエッチングを行うイオンエッチングステップと、イオンエッチングされた表面を、光学素子の材料と反応する所定の溶液に浸して溶解させることによりエッチングを行うケミカルエッチングステップとを備える。 - 特許庁

To provide an etching device which prevents local variation in etching occurring in an etching step of applying etching to the material to be etched by spray etching, and thereby provides improved yield in the production of a multi-faced shadow mask, and to provide a method for producing a shadow mask.例文帳に追加

スプレーエッチングにて被エッチング材をエッチングするエッチング工程で発生する局部的なエッチングバラツキを防止し、多面付けシャドウマスクの製造歩留まりを向上させるエッチング装置及びシャドウマスクの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

After the photo-resist pattern is removed in an ashing step, a two-step isotropic etching step is carried out in a single cleaning system continuously with a conventional strip step.例文帳に追加

フォトレジストパターンをアッシング工程によって除去した後、単一の洗浄システム内で既存のストリップ工程と連続して行なわれる２段階の等方性湿式蝕刻工程を実施する。 - 特許庁

To form a step-like resist pattern having excellent etching durability and heat resistance.例文帳に追加

耐エッチング性および耐熱性に優れた段状のレジストパターンを形成できるようにする。 - 特許庁

Thereafter, the shapes of the control gates CG are adjusted mainly by performing an isotropic etching step.例文帳に追加

次に等方性エッチング工程を実施し、主にコントロールゲートＣＧの形状が整う。 - 特許庁

The etching treatment method comprises a first step for detecting the etched depth in a material by a film thickness measurement means and for etching to a first depth, and a second step for performing etching to a specific depth at a smaller treatment speed than that of the first step.例文帳に追加

膜厚測定手段により被エッチング材エッチング深さを検出しつつ、第１の深さまでエッチングする第１のステップと、引き続いて、前記第1ステップの処理速度より小さい処理速度で所定の深さまでエッチングする第２のステップとを有する。 - 特許庁

To inhibit etching damage in a nonmagnetic intermediate layer in a step of forming a reproducing head.例文帳に追加

再生ヘッドの形成工程において、非磁性中間層のエッチング・ダメージを抑制する。 - 特許庁

The film making and the etching can be successively performed in an in-situ dry vacuum step.例文帳に追加

成膜とエッチングは、ｉｎ−ｓｉｔｕドライ真空工程で逐次的に行われてもよい。 - 特許庁

Then, the etching stopper film 6es is removed so that the interconnect 5w may be exposed ((F)step).例文帳に追加

配線５ｗが露出するようにエッチングストッパ膜６ｅｓが除去される（（Ｆ）工程）。 - 特許庁

After a prescribed processing time, wet etching using the APM is finished (step 112).例文帳に追加

所定の処理時間が経過したらＡＰＭによるウェットエッチングを終了する（ステップ１１２）。 - 特許庁

The etching step also forms mirrors or facets on the ends of the laser waveguide structures.例文帳に追加

エッチングステップはまた、レーザ導波路構造の端部にミラーまたはファセットを形成する。 - 特許庁

In step 106, flux of etching suppression precursor gas is supplied to the substrate surface.例文帳に追加

ステップ１０６では、基板表面に、エッチング抑制前駆体ガスの流束を供給する。 - 特許庁

Therefore, it becomes possible to manufacture the aperture grill 2 of fine pitches by the one-step etching.例文帳に追加

したがって、１ステップエッチングでのファインピッチのアパーチャーグリル２の製造が可能となる。 - 特許庁

To manufacture an aperture grill having a slit-state opening of high precision by a one-step etching.例文帳に追加

１ステップエッチングにより高精細なスリット状開口を有するアパーチャーグリルを製造する。 - 特許庁

In the two-stage cleaning steps, the etching rate of the first-stage cleaning step is made higher than the etching rate of the second-stage cleaning step, and the step is changed from the first-stage cleaning step to the second-stage cleaning step while a deposition film deposited in the vacuum chamber remains.例文帳に追加

二段階のクリーニング工程において、第１段階のクリーニング工程のエッチングレートを第２段階のクリーニング工程のエッチングレートよりも高速とし、真空チャンバ内に堆積する堆積膜が残存する間に第１段階のクリーニング工程から第２段階のクリーニング工程に変更する。 - 特許庁

After the cleaning etching gas is fed into the reactive tube 16, the cleaning method includes a first step for removing the film by etching under a first gas cleaning condition, and a second cleaning step for removing the film of the reactive tube 16 by etching under a second gas cleaning condition with an etching rate lower than that of the first step.例文帳に追加

本方法は、クリーニング用エッチングガスを反応管内に導入して、第１のガスクリーニング条件で被クリーニング膜をエッチング除去する第１のステップと、第１ステップでの被クリーニング膜のエッチングレートよりエッチングレートが低くなるガスクリーニング条件で、反応管の被クリーニング膜をエッチング除去する第２のステップとを有する。 - 特許庁

The etching step includes a first etching step for etching the base by each edge part outside the two facing metal films to form the external form of a vibration reed, and a second step for etching the base by each edge part inside the two facing metal films to form the groove part of the vibration reed.例文帳に追加

エッチング工程は、２つの対向する金属膜の外側の各縁部により基板をエッチングして振動片の外形を形成する第１のエッチング工程と、２つの金属膜の対向する内側の各縁部により基板をエッチングして振動片の溝部を形成する第２のエッチング工程の２つの工程とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a step (oxide film formation step) of forming a silicon oxide film on a silicon substrate surface, a step (etching step) of etching the silicon oxide film to a desired film thickness, and a step (high-k film formation step) of forming the high-k film on the silicon oxide film having been etched.例文帳に追加

本発明の半導体デバイスの製造方法は、シリコン基板表面にシリコン酸化膜を形成する工程（酸化膜形成ステップ）と、シリコン酸化膜を所望膜厚だけ残してエッチングする工程（エッチングステップ）と、エッチング後のシリコン酸化膜上に高誘電体膜を形成する工程（高誘電体膜形成ステップ）とを有する。 - 特許庁

In the inside of the chamber 1 of an etching apparatus, a first step of performing H2O plasma processing and following the first step, and a second step of performing Cl2 plasma processing, are executed after executing an Al dry etching process.例文帳に追加

プラズマエッチング装置のチャンバー内部１において、Ａｌドライエッチング工程を行った後、Ｈ_2Ｏプラズマ処理を行う第１工程と、第１工程に続いて、Ｃｌ_2プラズマ処理を行う第２工程とを実施する。 - 特許庁

When plating the material made from the aluminum alloy, this plating method includes the pretreatment step of cathodically electrolyzing the aluminum alloy in an acidic solution, which has been treated in an alkali etching step, in order to remove insoluble components in the alloy formed in the etching step.例文帳に追加

アルミニウム合金製素材にめっきを施すにあたり、その前処理として、アルカリエッチング工程で生成された、アルミニウム合金中の不溶成分を除去すべく、陰極酸電解を行うようにされる。 - 特許庁

The transparent electrode layer forming step includes a step for depositing a transparent electrode layer on the main surface, and a transparent electrode layer etching step for performing laser etching so that the deposited transparent electrode layer can be divided.例文帳に追加

前記透明電極層形成工程は、前記主面上への透明電極層製膜工程と、製膜された前記透明電極層が分割されるように、レーザーエッチングする透明電極層エッチング工程とを備える。 - 特許庁

Subsequently, the second etching step is conducted with a lower etching pressure to etch the amorphous TiO_2 in a direction perpendicular to its surface.例文帳に追加

次いで、エッチング圧力を低くした第２のエッチング工程を実施し、アモルファスＴｉＯ_２をその表面に垂直な方向にエッチングする。 - 特許庁

The step of forming the nozzle part is performed according to a combination of isotropic etching and anisotropic etching.例文帳に追加

一方、ノズル部を形成する段階は等方性エッチング及び異方性エッチングの方法を組み合わせて実施することを特徴とする。 - 特許庁

By conducting etching in Step S30 using such a resist mask, a residual volume of the workpiece after etching can be averaged.例文帳に追加

かかるレジストマスクを使用して、ステップＳ３０でエッチングを行うことにより、エッチング後の研磨対象の残存体積の平均化を行う。 - 特許庁