「step etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The production of the air bridge 100 includes a step that performs first local etching being selective so that the sub-collector layer is etched in a horizontal direction under the bridge, and a step that performs second local etching being selective so that at least the collector layer is etched in a vertical direction.例文帳に追加

エアブリッジ１００の作成がブリッジの下で、サブコレクタ層を横方向にエッチングするように選択的である第１の局所エッチングを実施するステップと、ブリッジの下で、少なくともコレクタ層を縦方向にエッチングするように選択的である第２の局所エッチングを実施するステップとを含む。 - 特許庁

In forming a lower core 13a by etching a lower core layer 13, a broad lower straight-line margin section 13d is formed (process step 2) and in forming an upper core 15 by etching an upper core layer 15, a broad upper straight-line margin section 15d is formed (process step 5).例文帳に追加

下部コア層１３をエッチングして下部コア１３ａを形成する際に、幅広の下部直線マージン部１３ｄを形成し（工程２）、また上部コア層１５をエッチングして上部コア１５ａを形成する際に、幅広の上部直線マージン部１５ｄを形成する（工程５）。 - 特許庁

Adjacent buried-back films 42 and 43 after the patterning of the magnetic multilayer film 14 is deposited by a series of manufacturing processes comprising a deposition step of a first stage, a step for etching back the deposited film and a deposition step of a second stage.例文帳に追加

磁性多層膜１４のパターン加工後の隣接する埋め戻し膜４２，４３の堆積を，第１段階の堆積工程と，続けて堆積した膜をエッチバックする工程と，第２段階の堆積工程からなる一連の製造プロセスによって形成する。 - 特許庁

In the first step, a hole 105 is formed to the middle of the silicon oxide film 102, and in the second step, the hole 105 is further deepened until an SiN base film 101 starts to be exposed or immediately before the SiN base film 101 starts to be exposed, and in the third step, over-etching is conducted.例文帳に追加

第１ステップでは、シリコン酸化膜１０２の途中までホール１０５を形成し、第２ステップでは、下地のＳｉＮ膜１０１が露出し始めるか、露出し始める直前までホール１０５を形成し、第３ステップでは、オーバーエッチングを行う。 - 特許庁

The manufacturing method of such a high quality wafer Al_xGa_yIn_zN may include a wrapping step, a mechanical polishing step, and a step for lowering the internal stress of a wafer by thermal annealing or chemical etching for enhancing the surface quality furthermore.例文帳に追加

このような高品質Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハの製造方法はラッピング工程、機械研磨工程、およびその表面品質を更に高めるための熱アニールまたは化学エッチングによるウェーハの内部応力を低下させる工程を含んでよい。 - 特許庁

The method of manufacturing a device comprises a device forming step for forming the device by sticking respective rear surfaces of a pair of glass substrates 31 and 33, on the rear surfaces of which thin film devices are formed and injecting a liquid crystal between the glass substrates 31 and 33; and an etching step for etching the respective surfaces of the pair of glass substrates 31 and 33, after the device forming step.例文帳に追加

裏面に薄膜デバイスが形成された一対のガラス基板３１，３３のそれぞれの裏面を相互に貼り合わせてガラス基板３１，３３間に液晶を注入することによりデバイスを形成するデバイス形成工程と、デバイス形成工程後に第一対のガラス基板３１，３３のそれぞれの表面をエッチングするエッチング工程と、を有する。 - 特許庁

The method of manufacturing a recess gate of a semiconductor device includes a step of forming a first recess 37 by etching a semiconductor substrate 31, a step of forming a second recess 37A by etching the sidewall and bottom of the first recess 37, and a step of forming a gate insulating film and a gate electrode on the semiconductor substrate 31 on which the second recess 37A is formed.例文帳に追加

本発明の半導体素子のリセスゲートの製造方法は、半導体基板３１をエッチングして第１リセス３７を形成するステップと、第１リセス３７の側壁及び底部をエッチングして第２リセス３７Ａを形成するステップと、第２リセス３７Ａが形成された半導体基板３１上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成するステップとを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes a step of forming an SiN film 2 on a wafer 18, a step of forming a hard mask film on the SiN film 2, and a step of etching the SiN film 2 by using the hard mask film as an etching mask, wherein the hard mask film includes either an aluminum nitride film (AlN film 7) or an aluminum silicon nitride film.例文帳に追加

ウエハ１８上にＳｉＮ膜２を形成する工程と、前記ＳｉＮ膜２上にハードマスク膜を形成する工程と、前記ハードマスク膜をエッチングマスクとして前記ＳｉＮ膜２をエッチングする工程と、を有し、前記ハードマスク膜は、窒化アルミニウム膜（ＡｌＮ膜７）または窒化アルミニウムシリコン膜のうち少なくともいずれかを含むことを特徴とする。 - 特許庁

A production method includes: a step of forming a metallic layer on one main face of a transparent substrate regarding a visible light region; a step of forming a grid-shaped dielectric layer into a linear grid shape at intervals narrower than the wavelength of incident light on a metallic layer; and a step of etching the metallic layer with the dielectric layer as an etching mask.例文帳に追加

可視光域に関して透明な基板の一主面に、金属層を形成する工程と、金属層上に、入射光の波長よりも小さい間隔で、直線のグリッド状にグリッド状誘電体層を形成する工程と、誘電体層をエッチングマスクとして金属層をエッチングする工程と、を含む製造方法とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the crystal wafer includes a through hole formation step of forming at least one through hole 11 on a plurality of crystal wafers 10, a supporting step of inserting a pin 20 into the through hole 11 for supporting the plurality of crystal wafers 10, and an etching step of soaking the crystal wafers 10 supported by the pin 20 in an etchant 30 for etching.例文帳に追加

複数の水晶ウエハ１０に、少なくとも一つの貫通穴１１を形成する貫通穴形成工程と、貫通穴１１にピン２０を挿入し、複数の水晶ウエハ１０を支持する支持工程と、ピン２０に支持された水晶ウエハ１０を、エッチング液３０に浸漬して、エッチングするエッチング工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

The machining method further comprises a step 105 for forming an oxide film etching mask pattern corresponding to a deep trench in the upper surface of the oxide film, a step 106 for forming the mask pattern on the upper surface of the silicon substrate 1, and a step 107 for making two trenches of desired profile and depth in the silicon substrate 1 by etching.例文帳に追加

該酸化膜の上面に、深い溝に対応して、酸化膜エッチングマスクパターンが作製され（工程１０５）、エッチングにより、シリコン基板１の上面には、当該酸化膜マスクパターンが形成されて（工程１０６）、エッチングにより、シリコン基板１に対しては、それぞれ所望の形状ならびに深さを有する二つの溝が形成される（工程１０７）。 - 特許庁

The hole formation method includes: a hole formation step for forming a hole by etching a first film formed on a substrate; a second film deposition step of depositing a second film on the first film so that the upper side of the hole becomes thick and the bottom side becomes thin; and a shape correction step of correcting the shape of the hole by etching the first and second films.例文帳に追加

基板上に形成された第１膜をエッチングしてホールを形成するホール形成ステップと、前記第１膜上に、前記ホールの上部側が厚く底部側が薄くなるように、第２膜を堆積させる第２膜堆積ステップと、前記第１膜及び前記第２膜をエッチングして前記ホールの形状を補正する形状補正ステップと、を具備する。 - 特許庁

When the characteristic frequency reaches a prescribed value Fs, the rough control step Ts1 is ended and the controller 20 sends a switching control signal to the power source circuit 18 to lower the power to be supplied from the power source circuit 18, and to start a fine control step Ts2 for performing etching at the etching rate smaller than said rough control step.例文帳に追加

特性周波数が所定値Ｆｓに到達したとき、粗調整ステップＴｓ１が終了し、制御装置２０は電源回路１８に切換制御信号を送出し、電源回路１８から供給される電力を低下させ、上記の粗調整ステップよりも小さなエッチングレートでエッチングが行われる微調整ステップＴｓ２に移行する。 - 特許庁

The method of etching a carbon-containing film includes a step of forming a mask pattern on a carbon-containing film to partially expose the top surface of the carbon-containing film, and anisotropically etching the carbon-containing film with a plasma of a mixture gas composed of O_2- and Si-containing gases using the mask pattern as an etching mask.例文帳に追加

炭素含有膜上に炭素含有膜の上面を一部露出させるマスクパターンを形成し、マスクパターンをエッチングマスクとして利用して、Ｏ_２、及びＳｉ含有ガスからなる混合ガスのプラズマによって炭素含有膜を異方性エッチングする炭素含有膜エッチング方法である。 - 特許庁

The method includes: a step of etching the surface of the ZnO-based compound crystal using hydrofluoric acid (HF); and a detecting step of detecting etch pits formed on the surface of the ZnO-based compound crystal.例文帳に追加

フッ化水素酸（ＨＦ）を用いてＺｎＯ系化合物結晶の表面をエッチングする工程と、ＺｎＯ系化合物結晶の表面に形成されるエッチピットを検出する検出工程を有する。 - 特許庁

Further, this method is provided with a step for forming a reaction layer on the surface of the semiconductor wafer, and a step for etching the surface of the wafer by detaching the reaction layer formed on the surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

さらに、半導体ウエハの表面に反応層を形成する段階及び前記半導体ウエハの表面に形成された反応層を脱着させてウエハ表面をエッチングする段階を含む。 - 特許庁

After a chamfering treatment (step S7) of at least a part of the corner part of a pair of glass substrates cemented with a sealing material, a liquid crystal panel is manufactured by a etching treatment (step S8).例文帳に追加

シール材により貼りあわされた１対のガラス基板の少なくとも一部の角部に面取り処理を施した後（工程Ｓ７）、エッチング処理を施して（工程Ｓ８）液晶パネルを製造する。 - 特許庁

The step of patterning the upper film includes a step of performing anisotropic etching on the upper film, by using charged particles that travel parallel to a first direction inclined, with respect to the top surface of the upper film.例文帳に追加

上部膜をパターニングする段階は、上部膜の上部面に傾いた第１方向に平行に運動する荷電された粒子を使用して、上部膜を異方性エッチングする段階を含む。 - 特許庁

The method further includes a step of plasma processing the semiconductor wafer 1 after the mask pattern is formed to remove the boundary region of the semiconductor wafer 1 by plasma etching, and a step of dividing each semiconductor element 1c.例文帳に追加

そしてマスクパターン形成後の半導体ウェハ１をプラズマ処理することにより半導体ウェハ１の境界線領域をプラズマエッチングにより除去して半導体素子１ｃ毎に分割する。 - 特許庁

To reduce the quantity of raw materials to be used by selectively supplying the raw materials on a substrate beforehand, and to simplify a manufacturing process by eliminating a photolithography step and an etching step.例文帳に追加

原材料をあらかじめ選択的に基板上に供給することにより、使用する原材料の量を削減し、且つ、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を省いて製造工程の簡略化を図る。 - 特許庁

Subsequently, a second resist layer is formed partially on the surface of the groove filling ink and the die basic material (step S7) and second grooves shallower than the first grooves are made by etching (step S9).例文帳に追加

次いで、溝埋め用インクの表面と型基材の表面の一部とに第２のレジスト層を形成し（ステップＳ７）、再度エッチング加工を施して第１の溝より浅い第２の溝を形成する（ステップＳ９）。 - 特許庁

A step of forming a device (TFT layer 12) on a substrate 11 includes a step (S11) of forming a thin film, a step (S12) of forming a photoresist film on the thin film, a step (S13) of exposing the photoresist film using an exposure mask M1, and a step (S15) of etching the exposed photoresist film.例文帳に追加

基板１１上にデバイス（ＴＦＴ層１２）を形成する工程は、薄膜を形成する工程（工程Ｓ１１）と、薄膜上にフォトレジスト膜を形成する工程（工程Ｓ１２）と、露光マスクＭ１を用いてフォトレジスト膜に対して露光を行う露光工程（工程Ｓ１３）と、露光がなされたフォトレジスト膜をエッチングする工程（工程Ｓ１５）とを含んでいる。 - 特許庁

The materials of the sacrifice and target layers are selected so that the etching between two times of exposure and that of the target layer have alternate selectivity for each etching step to provide a suitable etch stop layer.例文帳に追加

適したエッチ・ストップ層を設けるために、犠牲マスク層と標的層の材料は、各エッチング・ステップについて、２回の露光の間のエッチング及び標的層のエッチングが交互の選択性を有するように選択される。 - 特許庁

To improve adhesion between a BPSG film and a resist film to suppress etching parts by wet etching from spreading sideways, in a step of forming connection holes into a BPSG film or similar layer insulation film.例文帳に追加

ＢＰＳＧ膜などの層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する際に、ＢＰＳＧ膜とレジスト膜との間の密着性を向上させて、ウェットエッチングによるエッチング部分の横方向への広がりを抑制すること。 - 特許庁

To inhibit uneven etching of a shadow mask in a washing step after etching without deteriorating the washing performance and to realize much superior preservability (long-term preservability and preservability in a corrosive environment) of the shadow mask.例文帳に追加

シャドウマスクのエッチング後の洗浄工程で不均一なエッチングを、洗浄性が劣ることなく抑制し、且つ、シャドウマスクの更に優れた保存性（長期保存性および腐食環境における保存性）を実現すること。 - 特許庁

In an etching step after cutting a wafer 21, a semiconductor substrate 21 having been cut into a semiconductor chip 22 is disposed in a chamber for performing isotropic dry etching in a state that the substrate 21 is stuck on a sheet 411.例文帳に追加

ウェハ２１を割断した後のエッチング工程では、まず、半導体チップ２２に割断した後の半導体基板２１をシート４１に貼り付けた状態で、等方性ドライエッチングを行うチャンバー内に配置する。 - 特許庁

An antioxidant film 3 and a pad oxide film 2 are removed by dry etching or the like in a step (d), and the pad oxide film 2 is made to retreat, and the exposed part of a silicon substrate 1 is removed through an isotropic etching method in steps (e) and (f).例文帳に追加

（ｄ）にて酸化防止膜３、パット酸化膜２をドライエッチング等により除去し、（ｅ）、（ｆ）にてパット酸化膜２を後退させ等方性エッチング法を用いて露出したシリコン基板１を除去する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which a high-selectivity etching of a base film can be performed by preventing the decrease in the selectivity because of the existence of a plasma SiON film as an anti-reflection film in an OE(over-etching) step.例文帳に追加

ＯＥ工程中の反射防止膜としてのプラズマＳｉＯＮ膜の存在による選択比の低下を防ぎ、下地膜に対する高選択比のエッチングが可能な半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

However, since the etching of the trench separation region 8 is stopped at the position of the step 4A, the depth of a slit being formed by the etching of the trench separation region 8 will not be deeper than that of the first trench 4.例文帳に追加

しかしながら、トレンチ分離領域８のエッチングは段差４Ａの位置で止まるため、トレンチ分離領域８のエッチングにより形成されるスリットの深さは第１のトレンチ４の深さよりも深くなることはない。 - 特許庁

To provide a method by which a fine pattern having partially different etching resistance can be easily formed by a lithographic method using electron beams and two-step processing can be performed in one etching treatment.例文帳に追加

電子線を用いるリソグラフィー法により、部分的に異なる耐エッチング性を有する微細パターンを容易に形成することができ、１回のエッチング処理により、２段ステップ加工を行いうる方法を提供する。 - 特許庁

A first etching process step of etching the antireflection film 11 by using the resist patterns 13 so as to allow the antireflection film 11 to remain thinly on the wiring material film 10 is carried out within a first chamber.例文帳に追加

次いで、第１チャンバ内において、配線材料膜１０上に反射防止膜１１を薄く残すようにレジストパターン１３をマスクに用いて反射防止膜１１をエッチングする第１エッチング工程を行う。 - 特許庁

A reference table 20 wherein an actual step difference measured groove 21 is provided is prepared on a placement table 12 within a processing chamber 11 as a dry-etching device.例文帳に追加

ドライエッチング装置としての処理室１１内の載置台１２に、実段差測定済みの溝２１が設けられた基準盤２０が準備される。 - 特許庁

After the first and the second optical thin films 12 and 13 are film-deposited, etching is performed for canceling the phase step.例文帳に追加

又、第一の光学薄膜１２及び第二の光学薄膜１３を成膜した後に、位相段差を解消するためにエッチングを行っている。 - 特許庁

While using the film left in the recessed part as an etching mask, the exposed surface of the semiconductor substrate is etched to form a step to be used as an alignment mark.例文帳に追加

凹部内に残る膜をエッチングマスクとして使用し、露出する半導体基板表面をエッチングし、アライメントマークとなる段差を形成する。 - 特許庁

Through the selective etching step, the silicon nitrided oxide film 111 formed on the surfaces of the element isolation film 103 and insulating film 105 is removed.例文帳に追加

選択エッチング工程により、素子分離膜１０３および絶縁膜１０５の表面に形成された窒化酸化珪素膜１１１が除去される。 - 特許庁

In the second etching step, a first conductivity type semiconductor layer 12 can be processed in a processing condition adequate to form a first conductivity type clad layer 22.例文帳に追加

第２のエッチングでは、第１導電型クラッド層２２の形成に適切な加工条件で第１導電型半導体層１２を加工できる。 - 特許庁

When a first etching step is performed, the second auxiliary film 112 remains between the first auxiliary patterns 104a and becomes a second auxiliary pattern 112a.例文帳に追加

第１のエッチング工程を実施し、第２補助膜１１２が第１補助パターン１０４ａ間に残留して第２補助パターン１１２ａとなる。 - 特許庁

Since the bottle type profile 260 is obtained on the bottom of the trench 261 through the third etching step, width and depth of the deep trench are increased.例文帳に追加

第３エッチング工程において、トレンチ２６１の底部にボトル型のプロフィル２６０が得られるので、ディープトレンチの幅及び深さが大きくなる。 - 特許庁

It is provided with a step of forming a transfer lens by transfering the pattern of the lens matrix on the transparent resin layer by dry etching.例文帳に追加

該レンズ母型のパターンを、ドライエッチングにより前記透明樹脂層に転写し、転写レンズを形成する工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The method comprises the step of supplying a cleaning plasma for removing the coating material from the patterning device by means of a plasma etching process.例文帳に追加

この方法は、パターニングデバイスからコーティング材料をプラズマエッチング処理により除去するための洗浄プラズマを供給する工程を含む。 - 特許庁

The removal of the electrically conductive layer 2 and the etching of the substrate 1 in the region not convered with the resist are then carried out in a single step.例文帳に追加

次に、前記電導材料層（２）の除去とレジストにより覆われてない領域での基板（１）のエッチングとを単一ステップにて実行する。 - 特許庁

Since a step is mitigated by the side spacer in the side part of the electrode layer 14a, the etching residue is eliminated between the electrode layers 28A and 28B.例文帳に追加

電極層１４ａの側部ではサイドスペーサにより段差が緩和されるため、電極層２８Ａ，２８Ｂの間にエッチング残りがなくなる。 - 特許庁

A dicing groove 12 which is broader than the thickness of a dicing blade 13 is formed in a dicing line area by utilizing an etching step performed in a wafer process.例文帳に追加

ウエハプロセスにおけるエッチング工程を利用してダイシングライン領域にダイシングブレード１３の厚さよりも広いダイシング溝１２を形成する。 - 特許庁

The pretreatment can neutralize the poisoning effect caused by the ammonia plasma that can prevent a suitable etching in the next step.例文帳に追加

前処理は、次のステップにおける適正なエッチングを妨げることができるアンモニアプラズマにより引き起こされる被毒効果を中和することができる。 - 特許庁

A first thin film composed of a first material 4 is formed on a substrate 1 on which a shape of fine ruggedness is formed by a lithograph step and an etching (d).例文帳に追加

リソグラフィ工程とエッチングにより凹凸を付けた基板１の上に第１の物質４からなる第１層目の薄膜を成膜する（ｄ）。 - 特許庁