「step etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing a sheet glass used in a solid state image pick-up device includes a functional film formation step for forming a functional film on at least one of two translucent surfaces of the sheet glass facing each other in the thickness direction thereof, and a step for etching a chamfered sheet glass prior to the functional film formation step.例文帳に追加

ガラス板の板厚方向に対向する２つの透光面の少なくとも一方の面に機能膜を形成する機能膜形成工程を備え、面取りされたガラス板を前記機能膜形成工程の前にエッチングする工程を備えたことを特徴とする固体撮像装置に用いられる板状ガラスの製造方法である。 - 特許庁

The pattern forming method includes: a step of selectively forming an under active layer containing a polymerization initiator on a surface of a layer to be etched on a substrate; a step of forming a polymer layer on the under active layer by living radical polymerization of an organic monomer; and a step of selectively etching the layer to be etched through the polymer layer as a mask.例文帳に追加

基材の被エッチング層表面に重合開始剤を含む下地活性層を選択的に形成する工程と、有機モノマーをリビングラジカル重合させて前記下地活性層に重合体層を形成する工程と、前記重合体層をマスクとして前記被エッチング層を選択的にエッチングする工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method for the substrate without a core layer comprises (a) a step to form an insulating layer on the whole surface of a metallic sheet, (b) a step to form a via-hole on the insulating layer for interlayer electrical connection between the metallic sheet and other layer surface, and (c) a step to form many projected functional pads by etching the metallic sheet.例文帳に追加

（ａ）金属シートの一面に絶縁層を形成する段階と、（ｂ）上記絶縁層に上記金属シートと他面の層間電気的接続のためのビアホールを形成する段階と、及び（ｃ）上記金属シートをエッチングすることで突出された多数の機能パッドを形成する段階とを含むコア層のない基板製造方法が提供される。 - 特許庁

The above method comprises a first step to form a diffusion layer on a crystalline silicon substrate whose conductivity type is opposite to that of the diffusion layer, a second step to remove a part of the diffusion layer by etching using sodium silicate (Na_2SiO_3), and a third step to form a first electrode electrically connected to the diffusion layer and a second electrode electrically connected to the substrate.例文帳に追加

結晶系シリコン基板に逆導電型層となる拡散層を形成するステップと、この拡散層の一部を珪酸ナトリウム（Ｎａ_２ＳｉＯ_３）でエッチング除去するステップと、この拡散層と電気的に接続する第１の電極及び前記基板と電気的に接続する第２の電極を形成するステップとを備える。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step of forming a GaAs layer 2 made of a material easier to etch than an n-type GaN layer 6 on a Si substrate 1, a step of forming the n-type GaN layer 6 on the GaAs layer 2, and a step of etching the GaAs layer 2 to remove it, thereby separating the n-type GaN layer 6 from the Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に、ｎ型ＧａＮ層６に比べてエッチングされやすい材料からなるＧａＡｓ層２を形成する工程と、ＧａＡｓ層２上にｎ型ＧａＮ層６を形成する工程と、その後、ＧａＡｓ層２をエッチングにより除去することによって、Ｓｉ基板１とｎ型ＧａＮ層６とを分離する工程とを備えている。 - 特許庁

The method further includes a step of forming an etching mask in the trench to mask partially the basal surface of the trench, and successively a step of removing the semiconductor material of the substrate exposing in the basal surface which has been partially masked and demarcating a second side wall which deepens the trench and has been narrowed.例文帳に追加

この方法はさらに、トレンチ内にエッチング・マスクを形成してトレンチの基底面を部分的にマスクするステップと、これに続いて、部分的にマスクされた基底面の露出した基板の半導体材料を除去して、トレンチを深くする狭められた第２の側壁を画定するステップとを含む。 - 特許庁

The production process of an electromagnetic wave shielding material comprises a step for forming a substrate with a metal thin film by applying a molten resin substrate material onto the metal thin film, and a step for patterning the metal thin film into mesh by etching and forming a meshed metal thin film.例文帳に追加

金属薄膜上に溶融状態の樹脂基材原料を塗工することにより金属薄膜付基材を形成する工程、該金属薄膜をエッチング法によりメッシュ状にパターニングし、メッシュ状金属薄膜を形成する工程、を有する電磁波遮蔽材の製造方法とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a diode device (30) such as PIN diodes comprises a step for forming an upper and lower regions (38, 40) having opposite conductivities, and a step for anisotropically etching into the upside to form a pit (32) having side walls (56, 58 and 60) extending and converging toward the downside.例文帳に追加

PINダイオードのようなダイオードデバイス(30)を製造する方法であって、反対の導電性からなる上部領域と下部領域(38,40)を形成すること、及び底面に近づきながら収束する側壁(56,58,60)を有するピット(32)を形成するために上面内へ異方性エッチングすることを含む。 - 特許庁

The device manufacturing method includes a step of disposing a mask closely onto the base material 2 having a modified part 2a subjected to modification beforehand and position-selectively forming a film 6 in a gas phase so as to cover the modified part 2a and then a step of performing chemical etching of only the modified part 2a.例文帳に追加

予め改質が施された改質部分２ａを有する基体２上に、マスクを密着配置して、前記改質部分２ａを覆うように、気相中で膜６を位置選択的に形成する工程と、その後、前記改質部分２ａのみを化学エッチングする工程とを備える。 - 特許庁

The planar pattern shape of a magnetoresistive effect element having corners is formed such that the corners are completed finally after repeating a lithography step and an etching step a plurality of times.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の形状として角部を有した平面パターン形状を形成するのにあたり、その角部を複数回のリソグラフィ工程およびエッチング工程を行い、複数回繰り返される各工程を経た後に最終的に当該角部が完成するように、前記平面パターン形状の形成を行う。 - 特許庁

The method for producing langasite based single crystal substrate comprises a step for polishing one major surface of langasite based single crystal substrate, and a step for wet etching the polished major surface of the substrate and the backside thereof using a solution containing at least one kind of phosphoric acid, acetic acid and nitric acid.例文帳に追加

ランガサイト系単結晶基板の一方の主面を研磨する工程と、研磨した基板の主面およびその裏面を、リン酸、酢酸、硝酸の少なくとも一種と塩酸とを含む溶液で湿式エッチングする工程と、を備えるランガサイト系単結晶基板の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing semiconductor devices further includes a step of manufacturing the thickened resist patterns by forming the resist patterns on an underlayer and then applying the thickening material on the surfaces of the resist patterns thereby thickening the resist patterns, and a step of patterning the underlayer by etching using the thickened resist patterns.例文帳に追加

下地層上にレジストパターンを形成後、該レジストパターン表面に前記厚肉化材料を塗布し該レジストパターンを厚肉化し厚肉化レジストパターンを製造する工程と、該厚肉化レジストパターンを用いてエッチングすることにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

This method includes a step of forming the resist film, through which an opening having an aspect ratio of 1.8-2.4 is made on the silicon oxide film and a step of forming a hole, having an aspect ratio of 4.0-4.5 through the silicon oxide film by etching the oxide film, using the resist film as a mask.例文帳に追加

このエッチング方法は、シリコン酸化膜上にアスペクト比が１．８〜２．４の開口部を有するレジスト膜を形成する工程と、このレジスト膜をマスクとしてシリコン酸化膜をエッチングすることにより、該シリコン酸化膜にアスペクト比が４．０〜４．５のホールを形成する工程と、を具備するものである。 - 特許庁

Also, the manufacturing method of the liquid crystal display device includes: a step for forming a metal layer on a substrate, and etching the metal layer so as to form a black matrix and the alignment mark; and a step for successively forming R (red), G (green), and B (blue) color filter layers on the substrate on which the black matrix has been formed.例文帳に追加

また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、基板上に金属膜を形成しエッチングして、ブラックマトリックスおよび整列マークを形成する段階と、前記ブラックマトリックスが形成された基板上にＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）カラーフィルタ層を順次に形成する段階とを含む。 - 特許庁

To provide a method of producing a micro structure of nitride semiconductor, which forms a microstructure containing a hole inside of a semiconductor without fluctuating the size of the hole formed under precision control in the etching step of the semiconductor even after applying a heat treating step.例文帳に追加

半導体のエッチング工程で精密に制御して形成した孔のサイズを、熱処理工程を施した後においても大きく変動させることなく、半導体の内部に空孔を含む微細構造の形成が可能となる窒化物半導体の微細構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for peeling the resist left on a substrate 5 after dry etching includes a step of dry ashing the resist left on the substrate 5 and a step of wet-peeling the resist left on the substrate 5 after dry ashing with ozone water excited by ultraviolet rays.例文帳に追加

ドライエッチング後に、基板に残留するレジストを除去するレジスト剥離方法において、上記基板５に残留するレジストをドライアッシングする工程と、ドライアッシングによって基板に残留するレジストを紫外線で励起されたオゾン水によってウエット剥離する工程とを具備する。 - 特許庁

A metal patterning method includes a step for forming a photocrosslinking resin layer on a substrate, a step for thinning the photocrosslinking resin layer with an alkaline aqueous solution containing an organic alkaline compound, and exposure, development and etching steps of a circuit pattern in this order.例文帳に追加

基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、有機アルカリ性化合物を含有してなるアルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理する工程、回路パターンの露光、現像、エッチング処理をこの順に含むことを特徴とする金属パターンの作製方法。 - 特許庁

This method includes a pretreatment step of etching the magnesium alloy material with chromic acid after degreasing, and then pickling or activating it, and an electroless nickel plating step, which is immediately performed after the pretreatment by using of a weakly alkaline electroless bath, to form a single layer of the plated film.例文帳に追加

マグネシウム合金素材に対し、脱脂後クロム酸エッチングし、ついで酸浸漬又は活性化処理をおこなう前処理工程と、該前処理後、直ちに弱アルカリ性無電解浴を用いておこなう無電解ニッケルめっき処理工程を包含し、めっき皮膜を単層形成する。 - 特許庁

This method for manufacturing the semiconductor device includes a step of forming etching stop films 102 and 104 made of materials having a low dielectric constant at the upper part of a semiconductor substrate 101 in which a predetermined structure is formed, and a step of forming interlayer dielectrics 103 and 105.例文帳に追加

及び、ダマシン工程を用いたビアホール及びトレンチエッチング工程において窒化膜または層間絶縁膜より誘電定数が低い物質を用いてエッチング停止膜を形成することにより、キャパシタンスの増加を防止する半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The process for fabricating a nitride-based semiconductor laser element comprises a step for etching the backside (nitrogen surface) of an n-type GaN substrate 1 having wurtzite structure by RIE, and a step for forming an n-side electrode 8 on the backside (nitrogen surface) of the etched n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

After a heat-resistant protective tape is stuck to the semiconductor element forming surface of the semiconductor wafer and a heat-shrinkable protective tape is stuck to the tape, the wafer is tinned, by shaving off the rear surface of the wafer in a rare-surface grinding step 4 and a rear-surface wet-etching step 5.例文帳に追加

半導体ウエハの半導体素子形成面に耐熱性保護テープを貼付し、耐熱性保護テープ上に熱収縮性保護テープを貼付し、この状態で、半導体ウエハの裏面を半導体ウエハ裏面研削工程４、半導体ウエハ裏面ウエットエッチング処理工程５で薄仕上げする。 - 特許庁

A method of manufacturing the light emitting diode includes a step of removing the area provided for forming the antennas 2 by etching the surface electrodes 3 and surface semiconductor layer 4 of the chip 1, and a step of forming the antennas 2 by packing a dielectric substance in the etched-off portions.例文帳に追加

発光ダイオードの製造方法は、発光チップ１の表面電極３と表面半導体層４をエッチングして、誘電体アンテナ２を設ける領域を除去する工程と、エッチングして除去された部分に誘電体を充填して誘電体アンテナ２を設ける工程とからなる。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for efficiently treating a gas which contains a fluorocompound and carbon monoxide and is discharged e.g. in the step of dry cleaning the inside surface of a semiconductor production apparatus in the semiconductor industry or in the step of etching various formed films such as an oxide film.例文帳に追加

例えば、半導体工業で、半導体製造装置の内面等をドライクリーニングする工程や、酸化膜等の各種成膜をエッチングする工程などで排出されるフッ素含有化合物及びＣＯを含むガスを効率よく処理する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

This method comprises a step of preparing a reactor (including an etching apparatus and a vapor deposition apparatus) using chlorine-based gases, and a step of removing residues present in a reaction tube by forming plasma containing at least one of hydrogen and nitrogen in the reactor.例文帳に追加

塩素系列の気体を用いる反応装置（エッチング装置、蒸着装置を含む）を用意するステップと、前記反応装置内に、水素及び窒素の内の少なくとも１つを含むプラズマを形成して反応管内に存在する残留物を除くステップと、を含んでなることを特徴とする。 - 特許庁

To prevent a void between electrodes without degrading electric characteristic and to suppress reamining dry-etching in a high aspect part between the electrodes by flattening, in a step for forming the electrode protection film of a semiconductor device provided with a high step metal electrode on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に高段差メタル電極を有する半導体素子の電極保護膜形成工程において、電気特性を劣化させることなく、電極間のボイドを抑制し、平坦化により電極間の高アスペクト部でのドライエッチング残りを抑制することを可能にする。 - 特許庁

The removing step is a step to apply a resist film 150 to the substrate 1, to expose the resist film 150 using a photomask with a desired pattern, subsequently to remove the resist film 150 in the recessed part 21 by developing and remove the coating film 22 using the remaining resist film 150 as an etching mask.例文帳に追加

除去工程は、基板１上にレジスト膜１５０を塗布し、所望のパターンのフォトマスクを用いてレジスト膜１５０を露光した後、現像することにより、凹部２１のレジスト膜１５０を除去し、残ったレジスト膜１５０をエッチングマスクとして被膜２２を除去する工程である。 - 特許庁

Thus, a high dielectric constant insulating film 42 as formed in a wide area is subjected to plasma in dry etching only in the step of patterning the high dielectric constant insulating film, and the film has already been patterned in the step of patterning the conductive film for forming the second electrode.例文帳に追加

このため、高誘電率絶縁膜４２は、広い領域にわたって形成された状態でドライエッチング時のプラズマを受けるのは、高誘電率絶縁膜パターニング工程の間だけであり、第２電極形成用導電膜パターニング工程を行う時点では、すでにパターニングされている。 - 特許庁

The silicon ring having an inner step 14 for supporting a material under etching opposite to an upper electrode plate in a plasma etcher has an etch-durable film 24 formed on at least the supporting surface 21 of the inner step 14 of the ring.例文帳に追加

プラズマエッチング装置内で上部電極板と相対向する位置に設置される被エッチング物を支持するための内段１４を有するシリコン製リングにおいて、前記シリコン製リングの内段１４の少なくとも支持面２１に耐エッチング性被膜２４を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the sheet for display surface comprises: a step of forming the adhesive layer 20 that has a mirror-like surface and contains rubber component; and a step of forming, on the surface of the adhesive layer 20, the groove 23 reaching at least from the center part to the edge by dry etching.例文帳に追加

本発明のディスプレイ表面用シートの製造方法は、表面が鏡面状でゴム成分を含有する貼着層２０を形成する工程と、貼着層２０の表面に、ドライエッチングにより、少なくとも、中央部から縁に到達する溝２３を形成する工程とを有する。 - 特許庁

Further, the method includes a step of removing the second interlayer insulating film 8 on the local wiring 15a by etching after forming of the sidewall 10, and forming a via hole 23 to expose on the local wiring 15a.例文帳に追加

さらに、サイドウォール１０を形成した後で、局所配線１５ａ上の第二層間絶縁膜８をエッチングして除去し、当該局所配線１５ａ上を露出させるビアホール２３を形成する。 - 特許庁

To provide a method for creating a pattern for reducing deviation from a design pattern of a post-etching feature caused by a step feature that generates after rule-base OPC used for correcting a residual component of an OPC model.例文帳に追加

パターン作成方法に関し、ＯＰＣモデルの残渣成分を補正するために用いるルールベースＯＰＣ後に発生する段差形状に起因するエッチング後形状と設計図パターンとの乖離を低減する。 - 特許庁

The method also comprises a step of, as shown in Fig, (E), removing the thin film 70 by etching or the like to retain only the film 60, as a gate electrode 110, thereby manufacturing the object thin film transistor.例文帳に追加

そして、図１（Ｅ）に示すように、金属薄膜７０をエッチング等により除去して６０のみを残し、これをゲート電極１１０として、目的の薄膜トランジスタを製造することができる。 - 特許庁

In the second step, the through-hole 2 is formed by drawing out a core 6 surrounded by the degenerated region 5 by removing the portion of the degenerated region 5 by etching the glass substrate 1.例文帳に追加

第２工程では、ガラス基板１に対してエッチングを行い、変質領域５に係る部位を除去することにより変質領域５で囲まれていた中子６を抜き落として貫通孔２を形成する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently dividing a sapphire wafer by grinding and lapping the rear surface of a sapphire wafer, processing the wafer in a dry etching step, then scribing the wafer.例文帳に追加

サファイアウェーハの背面をグラインディング、ラッピングしてから、ドライエッチング工程により加工した後にスクライビングすることで、サファイアウェーハをより効率的に分割可能にするサファイアウェーハの分割方法に関する。 - 特許庁

The method includes further a step for releasing structure including the probe structure and the holder from the substrate, by under-etching the probe structure from a side of substrate generated with the probe structure.例文帳に追加

該方法は、さらに、プローブ構造が生成された基板の側から該プローブ構造にアンダーエッチングを行うことにより、プローブ構造とホルダとを含んでいる構造を基板から離型するステップを含んでいる。 - 特許庁

To reduce the step in the boundary face between films by realizing dry etching under a given condition and to execute a good shape transfer by not forming sidewall protective films while keeping the selection ratio against a resist.例文帳に追加

一定条件でのドライエッチングを可能にして膜の境界面の段差を無くし、側壁保護膜を形成しないことによって対レジスト選択比を維持しながら良好な形状転写を可能にする。 - 特許庁

In forming two V-shaped grooves in this structural body, one step 22 is formed on one groove forming part of a silicon substrate 20 in advance, and then, an etching protective film 23 is formed on a surface of the silicon substrate.例文帳に追加

２つのＶ型の溝を形成するに当たり、シリコン基板２０の溝形成部位の一つに段差２２を予め形成した上で、エッチング保護膜２３をシリコン基板１２０の表面に形成する。 - 特許庁

In the step (c), illumination light of visible light or infrared light is applied onto the surface of the substrate 12 in a duration at least after the wet etching is started before a chemical liquid is brought into contact with the substrate.例文帳に追加

工程（ｃ）では、少なくともウェットエッチングを開始してから薬液が基板と接液するまでの期間において基板１２の表面に可視光又は赤外光からなる照射光を照射する。 - 特許庁

To prevent, when annealing aluminum foil for electrolytic capacitor, the occurrence of nonuniformity of oxide film in a coil-width direction, oxidation phenomena at edges, etc., and the resultant occurrence of inferior etching in the subsequent step.例文帳に追加

電解コンデンサアルミニウム箔を焼鈍する際に、コイルの幅方向における酸化膜の不均一や端面における酸化現象などが発生して、後工程でのエッチングが良好になされないのを防止する。 - 特許庁

Further, a KCN-based etchant is used for the etching step, thereby rapidly and stably forming the p-side electrode while maintaining the surface smoothness of the semiconductor layer in an excellent state.例文帳に追加

また、エッチング工程にＫＣＮ系エッチャントを用いることにより、半導体層の表面平滑性を良好に維持しつつ、ｐ側電極を迅速かつ安定して形成することが可能となる。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises a step for forming the silicon nitride film, where the silicon nitride film e.g. a gate side wall 14 and an etching stopper layer 20 are formed by a catalyst CVD method.例文帳に追加

窒化シリコン膜の成膜工程を有する半導体装置の製造方法であって、この窒化シリコン膜例えばゲートサイドウォール１４、エッチングストッパ層２０を、触媒ＣＶＤ法により成膜する。 - 特許庁

In the first step, the optimum flow rate of CIF_3 gas (cleaning gas) for etching a produced film, deposited in the deposition gas nozzle 40, is supplied from the deposition gas nozzle 40 into the reactor 31.例文帳に追加

第１段階では、成膜ガスノズル４０内に堆積した生成膜をエッチングするのに最適な流量のＣｌＦ_3ガス（クリーニングガス）を、成膜ガスノズル４０より反応炉３１内に供給する。 - 特許庁

This ceramic insulator cleaning method comprise a step to calcine the part of the ceramic insulator in an oxygen atmosphere at 600-1,300°C in the dry etching chamber.例文帳に追加

前記目的を達成するために、本発明は乾式エッチング装置内の絶縁体部品を酸素雰囲気下、６００〜１３００℃でか焼する段階を含むセラミック絶縁体の洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching device and method for obtaining the sidewall of a silicon nitride film, having film thickness and height sufficient for electrical insulation at the sidewall part of a pattern having a step in level.例文帳に追加

段差のあるパターンの側壁部において電気的絶縁のために十分な膜厚と高さを有するシリコン窒化膜のサイドウォールを得られるように改良されたエッチング装置および方法を提供する。 - 特許庁

In the second etching step, the etchants are prevented from permeating adjacent semiconductor dynamical quantity sensors by partitioning the sensors by the circumferential sections.例文帳に追加

そして、シリコンウエハの他側面から第２のエッチング工程では、各半導体力学量センサを周辺部で仕切ることにより、エッチング剤が隣接する半導体力学量センサに浸入するのを防止する。 - 特許庁