「step etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

First and second color layers 33 and 46 are formed, and openings 49 are formed in an etching step, and then a third color layer 50 is formed so as to cover all of the surfaces of first and second color layers 33 and fill the openings 49.例文帳に追加

第１及び第２の着色層３３，４６を形成し、さらにエッチング工程にて開口部４９を形成した後に、第１及び第２の着色層３３上全体を覆うと共に、開口部４９に埋め込むようにして、第３の着色層５０を形成する。 - 特許庁

The damage given to the element by the plasma process is reduced to the utmost by reducing the density of electric charges accumulated in a gate electrode during the course of anisotropic etching performed in the LDD forming step, by forming an LDD in a state where a conductive protective film is formed to cover the whole surface of a substrate.例文帳に追加

基板全面を覆うように導電性保護膜を形成した状態でＬＤＤを形成することで、ＬＤＤ形成工程の異方性エッチングにおいて、ゲート電極に蓄積される電荷密度を低減し、プラズマによる損傷を極力低減する。 - 特許庁

In this manufacturing method, regions A1, A2, A3 of a diffraction optics 1 are divided successively into a circular and two annular regions in this order in the radial direction, and an eight step stair structure is manufactured in the region A1 by repeating patterning and etching processes.例文帳に追加

回折光学素子１を領域Ａ１、Ａ２、Ａ３はそれぞれ半径方向に円形及び円環形領域に３分割し、領域Ａ１においてパターニング及びエッチングの工程を繰り返すことにより領域Ａ１に８段の階段構造を製作する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device further comprises the steps of: forming an amorphous Si layer 26 on the opposite surface side of the epitaxial semiconductor layer 4 after the etching step; and forming an anti-reflection film and a color filter on the amorphous Si layer 26 in this order.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、前記エッチングする工程の後に、前記エピタキシャル半導体層４の前記反対面側にアモルファスＳｉ層２６を形成する工程と、前記アモルファスＳｉ層の上に、反射防止膜、カラーフィルタを順に形成する工程を含む。 - 特許庁

A method of repairing a pattern comprises a step of making a portion of the pattern to be removed contain nitrogen and hydrogen, and a step of etching the portion to be removed by exposing the pattern to an atmosphere containing excited oxygen, wherein the hydrogen is introduced into the portion to be removed by ion implantation or laser doping, and the atmosphere contains plasma containing the excited oxygen.例文帳に追加

パターンのうちで除去すべき部分に窒素と水素とを含有させる工程と、パターンを励起された酸素を含む雰囲気に晒すことにより、除去すべき部分をエッチングする工程と、を備え、前記水素は、イオン注入またはレーザドーピングによって除去すべき部分に導入され、雰囲気は、励起された酸素を含有したプラズマを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the substrate for biochip provided with a probe having a specific chemical reaction with a biological substance to be inspected includes a step for selectively etching a portion of the second layer arranged on a first layer make the first layer expose and a step for immersing the first layer in a sodium solution and introduces a plurality of hydroxy groups in the surface of the first layer.例文帳に追加

被検対象の生体物質と特異的な化学反応をするプローブを設けたバイオチップ用基板であって、第１の層上に配置された第２の層の一部を選択的にエッチングし、第１の層を表出させるステップと、第１の層をナトリウム溶液に浸し、第１の層表面に複数の水酸基を導入するステップとを含むバイオチップ用基板の製造方法。 - 特許庁

The epitaxial growth method includes a cleaning treatment step of etching and removing a silicon deposit that adheres to the inside of an epitaxial growth furnace 2 by a hydrogen chloride containing gas, and a polysilicon depositing step of forming a polysilicon film having a grain size of 0.7 μm -0.3 μm on the surface of a susceptor by supplying a silicon source gas to the inside of the epitaxial growth furnace, following the cleaning process.例文帳に追加

エピタキシャル成長炉２内に付着したシリコン堆積物を塩化水素含有ガスによりエッチング除去するクリーニング処理工程と、クリーニング処理工程に引き続き、エピタキシャル成長炉内にシリコンソースガスを供給してサセプタ表面にグレーンサイズが０．７μｍ〜０．３μｍのポリシリコン膜を形成するポリシリコン成膜工程とを有することを特徴とするエピタキシャル成長方法である。 - 特許庁

The method for manufacturing diffraction lenses comprises a step for forming a stack having at least two phase shift layers which are separated from each other by an etching stop layer on the first face of each of transparent substrates 34, 144 capable of transmitting light of selected wavelengths between infrared rays and ultraviolet rays and a step for forming a pattern on the stack in order to form a layer of a diffracting optical element 50.例文帳に追加

赤外線から紫外線の間で選択された波長の光を透過する透明な基板３４、１４４の第１の面上に、エッチング停止層で分離された少なくとも２つの位相シフト層を有するスタックを形成するステップと、回折光学素子５０の層を形成するために、前記スタックにパターン形成するステップとを含んでなる、回折レンズの製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of etching a silicon oxide film includes a decomposition step of feeding a blended gas containing a hydrogen-fluoride gas HF and an ammonia gas NH_3 over a surface of the silicon oxide film, making chemical reaction carried out on the silicon oxide film and the blended gas, and decomposing the silicon oxide film to produce a reaction product; and a heating step of then heating and removing the reaction product.例文帳に追加

シリコン酸化膜をエッチングする方法において，シリコン酸化膜の表面に，フッ化水素ガスＨＦ及びアンモニアガスＮＨ_３を含む混合ガスを供給し，シリコン酸化膜と混合ガスとを化学反応させ，シリコン酸化膜を変質させて反応生成物を生成する変質工程を行い，その後，反応生成物を加熱して除去する加熱工程を行う。 - 特許庁

A process of manufacturing a semiconductor device that comprises a step of implementing plasma-etching 250 through a patterned hardmask layer 210 located over a semiconductor substrate 225, and forming a modified layer 210a on the hardmask layer 210; and a step of removing at least a substantial portion of the modified layer 210a by performing a post plasma clean process on the modified layer 210a.例文帳に追加

半導体基板２２５の上に位置するパターニングされたハードマスク層２１０を通してプラズマエッチング２５０を行い、ハードマスク層２１０上に変性層２１０ａを形成する工程と、変性層２１０ａに対してポストプラズマ洗浄プロセスを行い変性層２１０ａの少なくとも実質的な部分を除去する工程とを備える、半導体装置を製造するプロセスを提供する。 - 特許庁

When these steps S1 to S4 are repeatedly carried out, the new processing fluid containing the etching reactant is supplied to a processing atmosphere where the work is arranged at the steps S3 and S4 which are carried out after the first step S1, so that the processing fluid near the work is increased in density than that at the first step S1.例文帳に追加

これらの第１ステップＳ１〜第４ステップＳ４を繰り返し行う際、第１ステップＳ１の後に行われる第３ステップＳ３および第４ステップＳ４では、被処理物が配置された処理雰囲気に対して新たにエッチング反応種を含有する処理流体を供給し、被処理物の近傍における当該処理流体の密度を第１ステップＳ１よりも上昇させる。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes a step of applying the resist pattern thinning material to cover the surface of a resist pattern formed on a base layer to form a mixing layer with the resist pattern thinning material on the surface of the resist pattern and developing to form a thinned resist pattern, and a step of patterning the base layer by etching using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

下地層上に形成したレジストパターンの表面を覆うように該レジストパターン薄肉化材料を塗布し、レジストパターンの表面に該レジストパターン薄肉化材料とのミキシング層を形成し現像処理し、薄肉化したレジストパターンを形成する工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device comprises a step of ion-implanting impurities into a trench formation region 10 on the main surface of a silicon substrate 1, a step of forming trenches 5a-5c, by etching the trench formation region 10 so as to ion-implant the impurities, and to embed the trenches 5a-5c, to form an element isolation insulating region 7.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の主表面のトレンチ形成領域１０に不純物をイオン注入する工程と、その不純物がイオン注入されたトレンチ形成領域１０をエッチングすることによってトレンチ５ａ〜５ｃを形成する工程と、トレンチ５ａ〜５ｃを埋め込むように素子分離絶縁膜７を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a resist pattern forming step of forming a resist pattern by using the above resist composition on a surface to be processed and then applying a resist pattern thickening material to cover the surface of the resist pattern, and a patterning step of patterning the surface to be processed by etching with the thickened resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工面上に前記レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うようにレジストパターン厚肉化材料を塗布することにより該レジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、該厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面をパターニングするパターニング工程とを含む。 - 特許庁

A determination method for determining a replacement timing of a focus ring disposed around a substrate to improve in-plane uniformity of a pattern when the pattern is formed by etching a film on the substrate comprises a measurement step of measuring a shape or dimension of the pattern and a determination step of determining a replacement timing of the focus ring based on the shape or dimension of the measured pattern.例文帳に追加

基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する際に、該パターンの面内均一性を高めるために該基板の周囲に配置されるフォーカスリングの交換時期を判定する判定方法において、前記パターンの形状又は寸法を測定する測定工程と、測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記フォーカスリングの交換時期を判定する判定工程とを備える。 - 特許庁

The method includes: a step of manufacturing first and second photosensitive layers 52a and 52b laminated at both ends of a laminate 50 having a base material film 32, first and second conductive layers 40 and 45 laminated at both the ends of the base material film, and a light shielding layer laminated on the conductive layers; and a step of etching and patterning the light shielding layer and the conductive layers.例文帳に追加

製造方法は、基材フィルム３２と、基材フィルムの両側に積層された第１および第２の導電層４０，４５と、導電層上に積層された遮光層と、を有する積層体５０の両側に積層された第１および第２の感光層５２ａ，５２ｂを製版する工程と、その後、遮光層および導電層をエッチングしてパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁

The method for preventing bending of an SOI layer comprises a step for forming an SOI substrate including a lower silicon layer 110, a buried silicon oxide layer 111, an SOI layer 123, and a nitrogen containing layer 131 between the buried silicon oxide layer and the SOI layer, and a step for forming an isolation trench by etching the SOI layer.例文帳に追加

下部シリコン層１１０、埋め込み酸化シリコン層１１１、およびＳＯＩ層１２３を含み、かつ前記埋め込み酸化シリコン層と前記ＳＯＩ層との間に窒素含有層１３１を含むＳＯＩ基板を形成する段階と、前記ＳＯＩ層をエッチングして素子分離用トレンチを形成する段階とを含むことを特徴とするＳＯＩ層ベンディング防止方法である。 - 特許庁

The master disk for the optical recording medium is manufactured by exposing and developing the photoresist on the substrate to form the first rugged patterns, subjecting the substrate to dry etching using the photoresist as a mask to form the second rugged patterns, removing the photoresist remaining on the substrate and detecting the reflected and diffracted light obtained by irradiating the second rugged patterns of the substrate with the laser beam in the dry etching process step.例文帳に追加

また、基板上のフォトレジストを露光現像して第１の凹凸パターンを形成し、フォトレジストをマスクとして基板に対してドライエッチングを行って第２の凹凸パターンを形成して、基板上に残ったフォトレジストを除去し、ドライエッチング工程において、基板の第２の凹凸パターンにレーザ光を照射して、得られる反射回折光を検出して光記録媒体用原盤を製造する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor element includes the steps of forming a first insulation film on a semiconductor substrate; forming a plurality of stepped portions by an etching portion of the first insulation film, forming a conductive layer on the first insulation film, in such a manner as to cover the stepped portions; and etching a portion of the conductive layer that covers the step portions.例文帳に追加

本発明に係る半導体素子の製造方法は、半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜の一部をエッチングして複数段の段部を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に前記段部を覆うように導電層を形成する工程と、前記導電層の前記段部を覆う部分をエッチングする工程と、を備えることを特徴とするものである。 - 特許庁

A manufacturing method for film carrier tapes for electronic component mounting to form a desired wiring pattern, by etching treatment of a copper foil adhered on the surface of an insulating film comprises the step of etching treatment by breadthwise reciprocating and swinging an etchant jet nozzle arranged above the film to jet the etchant to the top face of the film in a direction vertical to the film feed direction.例文帳に追加

絶縁フィルム表面に接着した銅箔をエッチング処理することによって所望の配線パターンを形成する電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法において、前記フィルムの上方に配置され、エッチング液をフィルム上面に吐出するエッチング液吐出ノズルを、フィルムの送給方向に対して垂直な方向であるフィルムの幅方向に往復揺動して、エッチング処理することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a pattern forming method which can form dense patterns without receiving the influence of standing waves and can form the patterns having a high aspect ratio in a dry etching step by combining lower layer films usable as thin films having excellent dry etching resistance and a resist film containing a fluorine-containing polymer having high transparency at a wavelength ≤193 nm and multilayered films for forming the patterns.例文帳に追加

ドライエッチング耐性に優れ薄膜として使用可能な下層膜と、波長１９３ｎｍ以下において透明性の高いフッ素含有重合体を含有するレジスト被膜とを組み合わせることにより、定在波による影響を受けることがなく、緻密なパターンを形成でき、ドライエッチング工程において高いアスペクト比を有するパターンを形成できるパターン形成方法およびパターン形成用多層膜を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the laminated structure for the disk driving suspension assembly comprising using the multilayered lamination sheet having the first layer 50 consisting of the metallic spring material, the intermediate second layer 90 consisting of the electrical insulating material and the third layer 70 consisting of the conductive material and performing the dry etching process after wet etching as a process step of molding the second layer 90 and the laminated structure thereof are provided.例文帳に追加

金属ばね材からなる第１層５０と、電気絶縁材からなる中間の第２層９０と、導電材からなる第３層７０とを有する多層合わせシートを使用し、第２層９０の成形工程としてウェットエッチングの後、ドライエッチングプロセスを行うことを特徴とするディスク駆動サスペンションアセンブリ用の積層構造体の製造方法及びその積層構造体を提供する。 - 特許庁

To prevent an undercut of a lower wiring layer caused at a bottom of an opening when the opening down to the lower wiring layer is formed in an oxide silicon-based insulating film with an etching gas containing fluorocarbon based gas by using a mask of photoresist film pattern, and an ashing step is carried out with oxide plasma.例文帳に追加

フォトレジスト膜パターンをマスクにしてフルオロカーボン系ガスを含んだエッチングガスにより下層配線層に達する開口部を酸化シリコン系絶縁膜に開口部を形成し、酸素プラズマによるアッチングを行なうときに開口部底部における下層配線層のアンダー・カット部の形成を抑制する。 - 特許庁

With this configuration, since an insulation film 5 for gate insulation film on an STI film 2 is not exposed in a step of removing the first hard mask 8, the insulation film 5 for gate insulation film on the STI film 2 can be prevented from being removed by an etching liquid for removing the first hard mask 8.例文帳に追加

これによって、第１ハードマスク８を除去する段階では、ＳＴＩ膜２上のゲート絶縁膜用絶縁膜５が露出しないので、第１ハードマスク８を除去するためのエッチング液でＳＴＩ膜２上のゲート絶縁膜用絶縁膜５が除去されることを防止することができる。 - 特許庁

To provide a one-package type adhesive composition having three functions of etching, priming and bonding (in one package), capable of firmly bonding a dental composite resin or resin cement onto enamelum and dentin of tooth in a simple operation such as one-package and one step in the dental caries treatment at the dental clinic.例文帳に追加

歯科臨床のウ蝕治療において、エッチング、プライミングおよびボンディングの３機能を有し（オール・イン・ワン）、１液性１ステップ型という簡単な操作で歯牙のエナメル質および象牙質に歯科用コンポジットレジンやレジンセメントを強固に接着させうる、１液性接着剤組成物を提供すること。 - 特許庁

A trench pattern 120 is made on the dielectric layer, and the trench is etched through a part of the dielectric layer, and at the step of etching this trench, a part of the via protective layer is removed, and then the section of the via protective layer left is selectively etched, and metal is formed within the trench.例文帳に追加

誘電体層の上に、トレンチパターン１２０を形成し、誘電体層の一部を通ってトレンチをエッチングし、このトレンチのエッチングするステップでビア保護層の一部を除去し、その後ビア保護層の残り部分を選択的にエッチングし、トレンチ内に金属を形成する。 - 特許庁

In addition, the manufacturing method has a step, in which the second nitride semiconductor layer 18 is etched so that the etching is automatically stopped, in a state where the second nitride semiconductor layer 18 remains, by making the second nitride semiconductor layer 18 react with an alkali etchant, while irradiating the second nitride semiconductor layer 18 with a light.例文帳に追加

続いて、第２の窒化物半導体層１８に光を照射しつつアルカリ性のエッチャントと反応させることにより、第２の窒化物半導体層１８が残存した状態で自動的にエッチングが停止するように第２の窒化物半導体層１８をエッチングする。 - 特許庁

To solve the problems of high cost, the complication and time-lengthening of a manufacturing process, deterioration in the quality of a film or the like in the self-organized nano-thin film formation technique using an etching step or a bottom-up system performed in the existing thin film manufacturing process.例文帳に追加

本発明は、既存の薄膜製造工程で行われている蝕刻工程又はボトム-アップ方式を用いた、自己組織化ナノ薄膜形成技術の問題点である、高コスト、製造工程の複雑化や長時間化、膜の質の低下などを解決することを課題とする。 - 特許庁

The step of correcting the defect portion includes forming a resist film on the photomask again, performing prescribed pattern drawing on a prescribed region including the defect portion, developing it to form a correction resist pattern, and removing the residual substance at the defect portion by performing etching using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

欠陥部分を修正する工程は、フォトマスク上に再度レジスト膜を形成し、欠陥部分を含む所定領域に所定のパターン描画を行い、現像して修正用レジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとしてエッチングを施して欠陥部分の余剰物を除去する。 - 特許庁

In a micromachining process using a sacrificial layer 103 to manufacture a microstructure floating over a substrate, the manufacturing method of a microstructure includes a step of laminating an anti-sticking film 101 removable by dry etching before or after the lamination of the sacrificial layer.例文帳に追加

基板から浮上する微細構造物を製造するために犠牲層１０３を利用するマイクロマシニング工程において、上記犠牲層の積層前後に乾式エッチングにより除去可能な粘着防止膜１０１を積層する段階を含む微細構造物の製造方法が提供される。 - 特許庁

This method includes a step in which after trenches for defining active regions on a semiconductor substrate are formed by using a plurality of trench makes formed on the semiconductor substrate as etching masks, filler insulating films are formed, with which gap regions consisting of the trenches and trench masks are filled.例文帳に追加

この方法は、半導体基板上に形成された複数のトレンチマスクをエッチングマスクとして使用して半導体基板に活性領域を限定するトレンチを形成した後に、トレンチ及びトレンチマスクからなるギャップ領域を満たす埋め立て絶縁膜を形成する段階を含む。 - 特許庁

An etch-stopping layer 6', which is higher in oxygen concentration than its peripheral area is formed in a second single-crystal silicon substrate 1, by forming an ion-implanted layer 6 for stopping etching through ion implantation and performing an oxygen diffusing step of making oxygen diffuse toward the ion-implanted layer 6.例文帳に追加

第二シリコン単結晶基板１中に、イオン打ち込み法によりエッチストップ用イオン注入層６を形成し、次いでエッチストップ用イオン注入層６に向けて酸素を拡散させる酸素拡散工程を行なって、周囲部分よりも酸素濃度が高いエッチストップ層６’を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing a pattern substrate includes a step of exposing a resist through the halftone mask and developing the resist to form resist patterns 81, 82, 83 in different film thicknesses, and etching films 6, 7 on the substrate through the resist patterns 81, 82, 83.例文帳に追加

また、本発明にかかるパターン基板の製造方法は、ハーフトーンマスクによってレジストを露光する工程と、レジストを現像し、膜厚差を有するレジストパターン８１、８２、８３を形成する工程と、レジストパターン８１、８２、８３を介して基板上の膜６、７をエッチングする工程と、を備える。 - 特許庁

In a step for manufacturing the quartz plate, a quartz plate raw material 7A is divided into pieces of quartz plates 7B for quartz oscillator, and first, they are ground to a thickness T1 of about 50 μm by machine grinding, and then made thinner to a thickness T2 of about 15 μm with the plasma etching device.例文帳に追加

水晶板の製造工程では、水晶板素材７Ａを水晶振動子用の個片の水晶板７Ｂに分割し、まず機械研削により５０μｍ程度の厚みＴ１まで研削した後に、プラズマエッチング装置によって、１５μｍ程度の厚みＴ２まで薄化を行う。 - 特許庁

In a region with a given length from each edge face of the semiconductor laser element 100, a part with a given depth from the p-type contract layer 9 to the n-type GaN layer 4 is removed by etching to form a step part 300 with a flat side face 41 and a bottom face 42.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００の両端面から所定幅の領域においてｐ−コンタクト層９からｎ−ＧａＮ層４の所定深さまでがエッチングにより除去され、平坦な側面４１および底面４２を有する段差部３００が形成されている。 - 特許庁

In a step for forming a minute pattern 106 on a substrate 101, a photosensitive material 102 having etching resistance, ≤1/ μm absorption coefficient to radiation 104 of 200-10 nm wavelength and ≤15 MPa/μm residual stress in its film is used.例文帳に追加

基体１０１上に微細パターン１０６を形成する工程において、エッチング耐性を有し、波長２００〜１０ｎｍの放射線１０４に対し吸収係数が１／μｍ以下であり、且つその膜中残留応力が１５ＭＰａ／μｍ以下である感光性材料１０２を用いる。 - 特許庁

To provide a safe and simple remover composition having excellent performance to remove photoresist residue after dry etching of a ferroelectric thin film in a step for manufacturing a ferroelectric memory and having no corrosive action on ferroelectric materials, other wiring materials, insulating films, etc.例文帳に追加

強誘電体メモリ−の製造工程において、強誘電体薄膜のドライエッチング後のフォトレジスト残渣に対し、その除去性に優れ、かつ強誘電体材料や他の配線材料、絶縁膜等への、腐食性がなく、安全で簡便な剥離剤組成物を提供すること。 - 特許庁

In a step of etching the passivation film 336, a through-hole 344 having the size including the width of the wiring 330 inside is formed in the passivation film 336, on a position furthermore in the cutting line direction of a substrate 310 than a drain electrode 334 and a source electrode 332 of the wiring 330.例文帳に追加

パッシベーション膜３３６をエッチングする工程で、配線３３０の、ドレイン電極３３４及びソース電極３３２よりも基板３１０の切断ライン方向の位置で、配線３３０の幅を内側に含む大きさの貫通穴３４４をパッシベーション膜３３６に形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a microstructure of a nitride semiconductor capable of forming the microstructure including a vacancy inside the semiconductor without greatly changing the size of a hole formed by precise control in an etching step of the semiconductor after performing a heat treatment process.例文帳に追加

半導体のエッチング工程で精密に制御して形成した孔のサイズを、熱処理工程を施した後に大きく変動させることなく、半導体の内部に空孔を含む微細構造の形成が可能な窒化物半導体の微細構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for preparing the oxide thin film transistor having a substrate, a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode, a drain electrode, and a semiconductor thin film includes a step for patterning the gate insulating film or the semiconductor thin film through the helicon plasma dry etching process.例文帳に追加

基板とゲート電極とゲート絶縁膜とソース及びドレイン電極と半導体薄膜とを含む酸化物薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜又は半導体薄膜は、特定エッチングガスを使用するヘリコンプラズマ乾式工程を通じてパターン化されるステップを含んでいる。 - 特許庁

To provide a semiconductor element of fine structure in which an alignment accuracy, an accuracy of processing technology by step and repeat exposure, finishing size of resist mask, yield by etching technology, etc. are overcome; and to provide a method for manufacturing a semiconductor device in which the semiconductor elements of the fine structures are highly integrated.例文帳に追加

本発明では、アライメント精度、縮小投影露光による加工技術の精度、レジストマスクの仕上り寸法、エッチング技術等による歩留まりを克服し、微細構造の半導体素子、及び微細構造の半導体素子が高集積化された半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

First and second color layers 33 and 46 are formed, and openings 49 are formed in an etching step, and then, a third color layer 50 is formed so as to cover all of surfaces of the first and the second color layers 33 and 46 and fill the openings 49.例文帳に追加

第１及び第２の着色層３３，４６を形成し、さらにエッチング工程にて開口部４９を形成した後に、第１及び第２の着色層３３，４６上全体を覆うと共に、開口部４９に埋め込むようにして、第３の着色層５０を形成する。 - 特許庁

During the step of removing the coating material from the patterning device, the temperature of the patterning device does not exceed a critical temperature causing damage to the patterning device, while maintaining a plasma etching rate of at least 0.2 μm/min, particularly 0.5 μm/min, particularly 1 μm/min, particularly 2.5 μm/min, particularly 5 μm/min.例文帳に追加

コーティング材料をパターニングデバイスから除去する工程中、パターニングデバイスの温度はパターニングデバイスに損傷を生じさせる臨界温度を超えず、プラズマエッチング速度は少なくとも０．２μｍ／分、特には０．５μｍ／分、特には１μｍ／分、特には２．５μｍ／分、特には５μｍ／分で維持される。 - 特許庁

To obtain a positive type photoresist composition having high sensitivity and high resolving power of ≤0.2 μm, giving a photoresist of a rectangular shape and less liable to cause a dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step when the composition is used as the upper layer resist of a two-layer resist system.例文帳に追加

高感度であり、０．２μｍ以下の高解像力を有し、矩形形状を有するフォトレジストを与え、しかも二層レジストシステムの上層レジストとして使用した場合、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが少ないポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate cleaning apparatus effective for reducing the amount of a cleaning liquid to be used and shortening a cleaning time by displacing a liquid chemical with the cleaning liquid efficiently at the step to peel off a resist or carry out etching treatment or the like by using the liquid chemical when a liquid crystal display or the like is manufactured.例文帳に追加

液晶ディスプレイ等の製造の、薬液を用いた処理、レジスト剥離またはエッチング処理等の工程において、薬液と洗浄液の置換を効率良く行うことで洗浄液の使用量を削減、また洗浄処理時間の短縮するのに有効な基板の洗浄装置の提供。 - 特許庁