「step etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

While an inert gas such as argon gas is introduced into a chamber, a plasma is generated in the chamber by outputting a high frequency electric power, to perform a sputter etching on the surface of the metal material installed in the chamber (step S3).例文帳に追加

アルゴンガス等の不活性ガスをチャンバ内に導入しながら、高周波電力の出力によりチャンバ内にプラズマを発生して、チャンバ内に設置された金属材料の表面のスパッタエッチングを行う（ステップＳ３）。 - 特許庁

In the voltage applying step, a surface of the metallic film is oxidized by an anodizing process, and the oxide is removed or the surface of the metallic film is removed by an electrolytic etching process.例文帳に追加

電圧を印加するステップでは、金属膜の表面を陽極酸化法によって酸化し、その酸化物を除去すること、あるいは金属膜の表面を電解エッチング法によって除去することが行われる。 - 特許庁

Then, in a step of forming a gate electrode 7, the gate electrode 7 is formed by anisotropically etching the conductive film 7a and removing the conductive film 7a formed on the bottom of the trench 4 through the air gap 14.例文帳に追加

その後、ゲート電極７を形成する工程では、導電膜７ａを異方性エッチングし、空隙１４を介してトレンチ４の底面に形成された導電膜７ａを除去してゲート電極７を形成する。 - 特許庁

The diffraction optical element having cyclic step shape is manufactured by repeating a series of processes for exposing and developing a base plate 1 coated with a resist 2 by using a mask so as to form a resist pattern, and for etching it.例文帳に追加

マスクを用いてレジスト２が塗布された基板１を露光，現像してレジストパターンを形成し，エッチングする一連のプロセスを繰り返して，周期的な階段形状を有する回折光学素子を製造する。 - 特許庁

In this way in a manufacturing method for a semiconductor device, the damaged layer 37b as a factor for increasing contact resistance on a surface of the contact plug 37a can be removed in the dry etching step, and the contact resistance can be improved.例文帳に追加

このような半導体装置の製造方法により、コンタクトプラグ表面のコンタクト抵抗の増加要因として作用する損傷層を乾式エッチングで除去することにより、コンタクト抵抗を改善させ得る。 - 特許庁

To provide a method of plating on a resin base material by which a smoothed plated surface is obtained even on the roughened surface of the resin base material without etching as a pretreatment step.例文帳に追加

前処理工程としてエッチング処理を行うことなく、ざらつきを有した樹脂基材の表面であっても、平滑なめっき処理表面を得ることができる樹脂基材のめっき処理方法を提供する。 - 特許庁

The inorganic material working method includes a step (A) in which continuous cracks are generated in a substrate formed of an inorganic material by irradiation with pulse laser beams so that a part of the irradiation range for each pulse overlaps each other, and a degenerated area is formed in peripheral parts of the cracks, and a step (B) of etching the degenerated area.例文帳に追加

（Ａ）パルスレーザー光をパルス毎の照射範囲の一部が重なりあうように照射することで無機材料基板に連続する亀裂を生じさせるとともに該亀裂の周辺部に変質領域を形成させる工程、及び（Ｂ）該変質領域をエッチング処理する工程を含む無機材料の加工方法である。 - 特許庁

Further, the semiconductor package has a semiconductor element mounted on the interposer, and the method of manufacturing the interposer includes a step of forming the conductor pattern on a metal foil of the prepreg formed by bonding the metal foil to the one surface by etching and a step of forming the coating layer so as to cover at least the part of the conductor pattern.例文帳に追加

また、半導体パッケージは、上記インターポーザに半導体素子を搭載しており、インターポーザの製造方法は、片面に金属箔を接合してなるプリプレグの金属箔にエッチングにより導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンの少なくとも一部を覆うように被覆層を形成する工程とを有する。 - 特許庁

In the multistep dry etching method for processing a gate electrode of a semiconductor device, a step for removing residual components under a high vacuum state is provided between steps, or a step for introducing an He gas or N_2 gas into a chamber and substituting it for the residual components is provided between the steps.例文帳に追加

半導体装置のゲート電極加工をマルチステップのドライエッチングにて行うドライエッチング方法において、ステップとステップの間に高真空状態で残留成分を除去するステップを設ける、あるいは、ステップとステップの間にＨｅガスあるいはＮ_2ガスをチャンバー内に導入し、残留成分を置換するステップを設ける。 - 特許庁

The method for restoring the shape of the pattern of the substrate having an imperfect pattern comprises; (a) a step of detecting the imperfect pattern by inspecting the substrate; and (b) a step of restoring the shape of the pattern by etching or depositing the detected imperfect pattern with radiation.例文帳に追加

不完全なパターンを有する基材のパターンの形状を修復する方法であって、（ａ）基材を検査して不完全なパターンを検出するステップと、（ｂ）前記検出された不完全なパターンを放射線によりエッチング又は堆積してパターンの形状を修復するステップ、を含むことを特徴とする、形状修復方法を用いる。 - 特許庁

The method includes a step of adding multilayer boron nitride nanotubes in a mixture solvent comprising water and an organic solvent and subjecting the mixture to ultrasonic treatment to obtain a dispersion liquid, and a step of heating the dispersion liquid in a pressurized chamber so as to control the dimension of the outer walls of boron nitride nanotubes by etching by heating the dispersion liquid.例文帳に追加

多層からなる窒化ホウ素ナノチューブを水及び有機溶媒からなる混合溶媒中に添加し、超音波処理して分散液とする工程と、分散液を圧力容器中で加熱する工程と、を備え、窒化ホウ素ナノチューブの外壁寸法を、分散液の加熱によるエッチングで制御する。 - 特許庁

The production process of an electromagnetic wave shielding material comprises a step for forming a substrate with a metal thin film using a metal thin film 4 and a resin substrate material 3 by a melting extrusion laminating method, and a step for patterning the metal thin film into mesh by etching and forming a meshed metal thin film.例文帳に追加

金属薄膜４及び樹脂基材原料３を用い、溶融押し出しラミネート法により金属薄膜付基材を形成する工程、該金属薄膜をエッチング法によりメッシュ状にパターニングし、メッシュ状金属薄膜を形成する工程、を有することを特徴とする電磁波遮蔽材およびその製造方法とする。 - 特許庁

The method of making a micro corner cube array 10 comprises a step of preparing a single crystal substrate 1, 4 which consists of cubic single crystals and has a surface substantially parallel to {111} planes of the crystals; and a step of etching the surface of the single crystal substrate 1, 4 anisotropically.例文帳に追加

マイクロコーナーキューブアレイ１０は、立方晶系の結晶からなる単結晶基板１，４であって結晶の｛１１１｝面と実質的に平行な表面を有する単結晶基板１，４を用意する工程と、この単結晶基板１，４の表面に対して異方性エッチング処理を行なう工程とによって作製される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a device which, when the device having two or more steps in the thickness direction of a substrate is manufactured, suppresses grinding of a corner being a boundary between a recessed part which is formed precedently and a step formation part adjoining it during etching of a bottom part of the recessed part and the step formation part.例文帳に追加

基板の厚さ方向において２段以上の段差を有するデバイスを製造するに際し、先行して形成された凹部とこれに隣接する段差形成部との境界となる角部が、凹部の底部及び段差形成部のエッチングに際して削られることを抑制することの可能なデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a silicon spin conducting element 10, there are provided a first step of forming a silicon channel layer 7 by patterning a silicon film 3 by wet etching and a second step of forming a magnetization free layer 12C and a magnetization fixed layer 12B which are spaced apart from each other on the silicon channel layer 7.例文帳に追加

シリコンスピン伝導素子１０の製造方法において、シリコン膜３をウェットエッチングによりパターニングしてシリコンチャンネル層７を形成する第一工程と、シリコンチャンネル層７上に、互いに離間された磁化自由層１２Ｃ及び磁化固定層１２Ｂを形成する第二工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

This manufacturing method of a printed circuit substrate using an imprint method comprises a step for disposing a plating layer on an insulating layer on which a number of incised character patterns are formed by an imprint method and a step for etching-polishing a part of the plating layer to expose other surface of the insulating layer than that on which incised character patterns are formed.例文帳に追加

インプリント法により多数の陰刻パターンが形成された絶縁層上にメッキ層を形成する段階と、前記メッキ層の一部を、前記多数の陰刻パターン以外の絶縁層の表面が露出されるようにエッチング研磨する段階とを含む、インプリント法を用いたプリント回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for manufacturing a piezoelectric vibration piece, which is capable of suppressing variations in the thickness between recessed parts generated in initial etching within a prescribed range reliably and in a short time, without adding the step of sticking a porous thick plate on a wafer in the midway of a conventional manufacturing step or other steps.例文帳に追加

従来の製造工程の途中でウェハへの貼り付け工程等を追加せずに、さらに初回のエッチングで生じた各凹陥部の厚みのばらつきを確実に且つ短時間で、あらかじめ設定された範囲内に収めることのできる圧電振動片の製造方法および装置を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing the lead frame includes a first step of selectively pressing only the surfaces of the metallic base plate having the resin enclosure formed thereon to form dimples therein, and a second step of forming a plurality of projections in the surfaces of the dimples by etching or plating.例文帳に追加

また本発明の方法では前記樹脂外囲器が形成される前記金属原板の表面のみを選択的にプレス加工しディンプルを形成する第１工程と、前記ディンプルの表面をエッチング加工もしくはめっき工法により複数の突起を形成する第２工程を含む事を特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a resist pattern forming step of forming a resist film from the resist composition on a surface to be processed, and exposing and developing the resist to form a resist pattern, and a patterning step of patterning the object surface by etching using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工表面上に前記レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、露光し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより被加工表面をパターニングするパターニング工程とを含む。 - 特許庁

The method for processing the substrate comprises a first step for jetting droplet generated by mixing alkaline fluid with gas by a first two-fluid nozzle 48 to the surface of a substrate W, and a second step for jetting droplets generated by mixing hydrochloric acid or etching fluid with gas by a second two-fluid nozzle 80 to the surface of the substrate.例文帳に追加

第１の二流体ノズル４８により、アルカリ性液と気体とを混合して生成される液滴を基板Ｗの表面へ噴射する第１の工程と、第２の二流体ノズル８０により、塩酸またはエッチング液と気体とを混合して生成される液滴を基板表面へ噴射する第２の工程とを有する。 - 特許庁

The method for separating the metallic plate to a required shape comprises a first step for forming a plastically deformed portion having a locally thin portion along a separating portion by the plastic working, and a second step for chemically dissolve and remove the plastically deformed portion by the etching work.例文帳に追加

金属板材を所望の形状に分離加工する方法において、塑性加工により、分離部に沿って局部的に板厚の薄い塑性変形部を形成する第一工程、及び、エッチング加工により、前記塑性変形部を化学的に溶解除去する第二工程からなる金属板材の分離加工方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the members having the antireflection function includes a step of spraying an etching solution to a surface of a substrate having a metallic layer on at least a surface thereof to form an etched layer on the surface of the substrate and a step of transferring a fine rugged structure of the etched layer formed on the substrate, to a surface of a resin material.例文帳に追加

少なくとも表面が金属層をなす基板の表面にエッチング液を吹き付けて該基板の表面にエッチング層を形成する工程と、該基板上に形成された該エッチング層の微細凹凸構造を樹脂材料の表面に転写する工程とを含む反射防止機能を有する部材の製造方法である。 - 特許庁

By a CMP step for forming a first plug, and an etching step for forming a following second plug so as to fill a part where an insulating material film is lost by depositing the attack prevention film all over the surface after cleaning, spreading of loss of the attack prevention film to a lower part of a conductive pattern is prevented.例文帳に追加

第１プラグ形成のためのＣＭＰ工程及び洗浄後にその全面にアタック防止膜を蒸着して絶縁性物質膜が損失された部分を埋め込むようにして後続する第２プラグを形成するためのエッチング工程でアタック防止膜が導電パターンの下部に損失が広がることを防止する。 - 特許庁

The thin-film-forming method includes a plasma (etching) treatment step S3 of exposing an organic layer formed on an object to be film-formed thereon to a plasma atmosphere in a vacuum, and an SiO_2-film-forming step S4 of forming a layer of an SiO_2 film on the organic layer of the object to be film-formed thereon in the vacuum.例文帳に追加

本発明方法は、成膜対象物上に設けられた有機層に対して真空中でプラズマ雰囲気に曝すプラズマ（エッチング）処理工程Ｓ３と、この成膜対象物の有機層上に真空中でＳiＯ_2膜層を形成するＳiＯ_2膜形成工程Ｓ４を有する薄膜形成方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor devices has a process step of selectively removing the build-up segments (projecting parts) of the projecting shape produced on the surface of the metallic film (copper plating film 15) by electrolytic etching and a process step for chemicomechanically polishing the surface of the metallic film 15.例文帳に追加

電解エッチングによって金属膜（銅メッキ膜１５）の表面に生じている該金属膜の凸状の盛り上がり部（凸状部）を選択的に除去する工程と、前記金属膜１５の表面を化学的機械研磨する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin laminate having high resolution, capable of diminishing defects in a resist pattern and failures such as chipping, breaking and short circuit in a circuit formed in an etching or plating step and less liable to generate residue on removal in a resist pattern removing step particularly after electroplating by a semi-additive process.例文帳に追加

高解像性を有し、レジストパターンの欠陥や、エッチング工程またはめっき工程において形成される回路の欠けや断線、ショートなどの欠陥を低減することができ、特にセミアディティブ工法の電解めっき後のレジストパターン剥離工程における剥離残が発生しにくい感光性樹脂積層体を提供すること。 - 特許庁

The processing method of substrate for removing a resist layer 3 and a polymer layer 5 form a substrate W following etching comprises a first step for rendering the surface part 6 of a resist layer 3 and a polymer layer 5 existing on a substrate W to be hydrophilic, and a second step for subsequently removing the resist layer 3 and the polymer layer 6 with a processing liquid.例文帳に追加

エッチング後の基板Ｗからレジスト層３およびポリマー層５を除去する基板処理方法であって、基板Ｗ上に存在するレジスト層３およびポリマー層５の表面部分６を親水性にする第１工程と、その後処理液によりレジスト層３およびポリマー層６を除去する第２工程とを具備する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes; a resist pattern forming step of forming a resist pattern by forming a resist film on a surface to be processed, with the resist composition, exposing and developing the resist film; and a patterning step of patterning the surface to be processed, by etching through the resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工表面上に本発明のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、露光し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工表面をパターニングするパターニング工程とを含む。 - 特許庁

This method comprises a step for forming an element separating film which demarcates the active region and the field region by forming a trench in a specified region on a semiconductor substrate, and then burying an insulating film; and a step for etching the semiconductor substrate in the active region into a specified depth, so that the surface becomes a curved surface.例文帳に追加

半導体基板上の所定の領域にトレンチを形成した後、絶縁膜を埋め込むことにより、アクティブ領域とフィールド領域を画定する素子分離膜を形成する段階と、前記アクティブ領域の半導体基板を所定の深さにエッチングするが、表面が曲面となるようにエッチングする段階とを含む。 - 特許庁

This manufacturing method has a first step of anodizing a second layer containing aluminum to form fine holes on a first layer, a second step of forming metal oxides contained in the first layer at bottoms of the fine holes, a third step of removing the metal oxides by dry-etching, and a fourth step of forming magnetic materials in the fine holes by electrolytic plating through the first layer.例文帳に追加

第１の層上の、Ａｌを含む第２の層を陽極酸化して微細孔を形成する第１の工程と、前記微細孔の底部に、前記第１の層に含まれる金属の酸化物を形成する第２の工程と、前記金属の酸化物をドライエッチングにより除去する第３の工程と、前記第１の層を通電経路とする電解メッキにより前記微細孔に磁性材料を形成する第４の工程と、を有することを特徴とする記録媒体の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the silicon carbide semiconductor device includes a process for forming passivation film on the silicon carbide wafer, before a process in which silicon carbide dust adheres to the silicon carbide wafer, a process for removing the silicon carbide dust by plasma etching, after the silicon carbide dust has adhered on the passivation filn, and a process for removing the passivation film after the plasma etching step.例文帳に追加

ＳｉＣ粉塵がＳｉＣウェハに付着する工程の前に、ＳｉＣウェハ上に保護膜を形成する工程と、ＳｉＣ粉塵が保護膜上に付着した後にプラズマエッチングによりＳｉＣ粉塵を除去する工程と、前記プラズマエッチング後に前記保護膜を除去する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

There is provided a method of etching a substrate to be processed whose at least surface layer is composed of gallium nitride by exciting a chlorine gas into a plasma state, including a step of etching the substrate to be processed by the plasm generated from the chlorine gas in the presence of a material containing aluminum nitride (AlN) that generates aluminum radicals and aluminum chloride radicals.例文帳に追加

本発明は、少なくとも表層が窒化ガリウムで構成された被処理基板を、塩素ガスをプラズマ状態に励起することによりエッチングする際に、前記塩化ガスから発生されたプラズマにより、アルミニウムラジカル及び塩化アルミニウムラジカルを発生する窒化アルミニウム（AlN）を含む物質を存在させた状態でエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法である。 - 特許庁

The process for fabricating a ridge type semiconductor laser comprises a step for forming a structure of a plurality of semiconductor layers including an active layer on a substrate, a step for forming a first electrode having a width narrower than that of the multilayer structure on the surface thereof, and a step for forming a ridge structure by etching the multilayer structure using the first electrode as a mask.例文帳に追加

本発明による製造方法は、基板上に活性層を含む複数の半導体層を積層して積層構造を形成する積層構造形成ステップと、その積層構造の表面において、積層構造よりも狭い幅を有する第１の電極を形成する第１電極形成ステップと、第１の電極をマスクとして積層構造をエッチングし、リッジ構造を形成するリッジ構造形成ステップとを含む。 - 特許庁

A method for forming a pattern includes a step of forming a film which comprises a pattern forming material containing a copolymer having a polystyrene derivative and a polymethacrylate derivative containing silsesquioxane, a step of forming a microphase separation structure in the film, and a step of etching the substrate with a phase of a polymer chain containing the silsesquioxane as a mask and transferring a pattern of the microphase separation structure on the substrate.例文帳に追加

ポリスチレン誘導体とシルセスキオキサンを含むポリメタクリレート誘導体とを有するコポリマーを含有するパターン形成材料からなる膜を形成する工程と、前記膜中にミクロ相分離構造を形成する工程と、前記シルセスキオキサンを含むポリマー鎖の相をマスクとして前記基板をエッチングして前記基板にミクロ相分離構造のパターンを転写する工程とを具備したことを特徴とするパターン形成方法。 - 特許庁

A method of manufacturing an SiC semiconductor device comprises a step of preparing a silicon carbide semiconductor including a first surface at least a part of which includes implanted impurity, a step of forming a second surface by performing dry etching on the first surface of the silicon carbide semiconductor using gas including hydrogen gas, and a step of forming an oxide film included in an SiC semiconductor device on the second surface.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体装置を製造する方法は、少なくとも一部に不純物が注入された第１の表面を含む炭化珪素半導体を準備する工程と、炭化珪素半導体の第１の表面を、水素ガスを含むガスを用いてドライエッチングすることにより、第２の表面を形成する工程と、第２の表面上に、ＳｉＣ半導体装置を構成する酸化膜を形成する工程とを備える。 - 特許庁

The method for manufacturing a liquid ejecting head includes: a surface removing step of removing the surface contamination of the pressure generating element by magnetron dry etching; and a wiring step of laying wiring on the pressure generating element, wherein a magnetron application current in the surface removing step is configured based on a surface removal amount of the pressure generating element and a variation in hysteresis characteristic in association with the surface removal.例文帳に追加

液体噴射ヘッドの製造方法は、圧力発生素子の表面汚染をマグネトロンドライエッチングにより除去する表面除去処理工程と、圧力発生素子上に配線を形成する配線工程と、を有し、表面除去処理工程におけるマグネトロン印加電流を、圧力発生素子の表面除去量と表面除去に伴うヒステリシス特性の変化量に基づいて設定する。 - 特許庁

The machining method for silicon substrate comprises a step for forming a protective film, through thermal oxidation, on a silicon substrate produced from silicon single crystal by Czochralski method, a step for removing the protective film partially, and a step for etching silicon exposed after removal of the protective film wherein the concentration of interstitial oxygen contained in the silicon substrate is set not higher than 14×1017 atoms/cm3.例文帳に追加

チョクラルスキー法で製造したシリコン単結晶から作られたシリコン基板上に、熱酸化法により保護膜を形成する工程と、保護膜を部分的に除去する工程と、除去後に表出するシリコンをエッチングする工程を有するシリコン基板加工において、前記シリコン基板中に含まれる格子間酸素濃度を１４×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下とすることにより実現する。 - 特許庁

To provide a CVD facility having a plasma etching device capable of removing a naturally deposited oxide film inevitably generated in transferring a semiconductor wafer substrate to a thin film deposition step, and a thin film deposition method utilizing the CVD facility.例文帳に追加

薄膜形成工程への半導体ウェーハ基板の移送時に不可避的に生成される自然酸化膜を除去できるプラズマエッチング装置を具備したＣＶＤ設備、および同ＣＶＤ設備を利用した薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming composition comprises a polymer which can form an insulating film hard to be damaged even by an etching step, the insulating film, a semiconductor device provided with the insulating film, and a method for producing the polymer.例文帳に追加

エッチング工程によってもダメージを受けにくい絶縁膜を形成し得る重合体を含む膜形成用組成物、前記絶縁膜、該絶縁膜を備える半導体装置、さらには前記重合体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

It is exposed by (a) polishing or etching the surface of the substrate, (b) varying the growth conditions in two stages at the time of lateral growth, or (c) forming a protective film above the nuclei in the way of lateral growth step.例文帳に追加

露出は、（ａ）基板表面の研磨やエッチング、（ｂ）横成長時の成長条件を２段階に変化させる、（ｃ）横成長工程の途中において成長核の上方に保護膜を形成する等の方法により行うことができる。 - 特許庁

To provide a deposition substrate which allows the reduction of a film thickness while dispensing with an etching step to reduce the cost, and deposits a thin film layer having an uneven structure on a depositing substrate surface, and also to provide a method for manufacturing the same, and a deposition device.例文帳に追加

膜厚の低下を図りつつ、エッチング工程を不要として低コスト化を図り、凹凸構造を有する薄膜層が被成膜基板表面に成膜された成膜基板、その製造方法、および成膜装置を提供すること。 - 特許庁

The relief coating method comprises a step of forming uneven patterns 5 on the surface of a metal plate 1 by etching and forming a coating 6 by applying a coating material to the surface of the metal plate 1 having the uneven patterns 5.例文帳に追加

レリーフ塗装方法は、金属板１の表面にエッチングにより凹凸模様５を形成する工程と、この凹凸模様５を有する金属板１の表面に塗料を塗布して塗膜６を形成する工程とを有する。 - 特許庁

Further, the method may include a flattening process for removing the step bunching 3 generated on the surface of the SiC epitaxial film 2 by CMP (chemomechanical polishing), gas etching in a hydrogen atmosphere, or the like, for producing a device.例文帳に追加

また、デバイスを作製するために、このＳｉＣエピタキシャル膜２の表面に発生させたステップバンチング３をＣＭＰ（化学的機械研磨）あるいは水素雰囲気中でのガスエッチング等により除去する平坦化工程を追加しても良い。 - 特許庁

In a cleaning step for a gas supply nozzle 2321a, an etching gas EG is discharged through the gas supply nozzle 2321a, and a diluent gas is discharged through a gas supply nozzle 2321b different from the gas supply nozzle 2321a.例文帳に追加

ガス供給ノズル２３２１ａのクリーニング工程において、ガス供給ノズル２３２１ａからはエッチングガスＥＧが放出されるが、ガス供給ノズル２３２１ａとは別のガス供給ノズル２３２１ｂから希釈ガスを放出している。 - 特許庁

Two times of lithographic and etching step are performed on the same thin polysilicon films 12 using the first and second two different photomasks to as to form the first and second two different cross patterns.例文帳に追加

２つの異なる第１フォトマスクおよび第２フォトマスクにより同一の薄いポリシリコン膜１２に対して個別に２回のリソグラフィならびにエッチング工程を行って、２つの異なる第１クロスパターンおよび第２クロスパターンを形成する。 - 特許庁