「step etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

The etching step is a step in which alkali etching is performed after acid etching, and the acid etchant contains phosphoric acid of 30 wt% or more in an acid aqueous solution of 100 wt%, having fluoric acid and nitric acid as the main components.例文帳に追加

本発明のシリコンウェーハの加工方法は、複数のエッチング槽に酸エッチング液とアルカリエッチング液をそれぞれ貯え、ラッピング工程１１に続いて洗浄工程１２を経た加工変質層を有するウェーハを酸エッチング液とアルカリエッチング液とに順次浸漬するエッチング工程１３と、エッチングされたウェーハの片面を鏡面研磨する表面鏡面研磨工程１８と、表面鏡面研磨されたウェーハを洗浄する洗浄工程１９とを含み、エッチング工程が酸エッチングの後にアルカリエッチングが行われる工程であって、酸エッチング液がフッ酸及び硝酸を主成分とする酸水溶液１００重量％にリン酸３０重量％以上を含有することを特徴とする。 - 特許庁

The method is used to manufacture a wiring board, wherein a pattern wiring is formed on a board, and it includes an aerosol film formation step of forming a conductive layer by collision of aerosol and a patterning step of patterning the conductive layer by etching and form the pattern wiring including the conductive layer.例文帳に追加

基板上にパターン配線が形成されてなる配線基板の製造方法であって、前記基板上に、エアロゾルの衝突によって導電層を形成するエアロゾル成膜工程と、前記導電層をエッチングによりパターニングして当該導電層を含む前記パターン配線を形成するパターニング工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 特許庁

The electrode forming method for the SAW device has a step for forming the alloy film composed of Al and Mg on a substrate and a step for forming the electrode of the SAW device by selectively etching said alloy film, and the electrode of the SAW device is formed so as to be provided with sidewalls.例文帳に追加

弾性表面波デバイスの電極形成方法において、基板上に、ＡｌとＭｇからなる合金膜を形成する工程と、前記合金膜を選択的にエッチングすることによって、弾性表面波デバイスの電極を形成する工程とを有し、前記弾性表面波デバイスの電極は、サイドウォールを有するように形成することを特徴とすること。 - 特許庁

The laser beam machining method includes: a laser beam applying step of forming a modified area 50 with the physical properties being modified by forming a superimposed focal spot to the laser beam L, superimposing the focal point on a workpiece 5 through which the laser beam L is transmitted and applying the laser beam L thereto; and an etching step of removing the modified area 50.例文帳に追加

レーザー光Ｌに対して多重焦点を形成し、レーザー光Ｌを透過する被加工物５に多重焦点を重ね合わせレーザー光Ｌを照射して、物性が改質された改質領域５０を形成するレーザー光照射工程と、改質領域５０を除去するエッチング工程と、を有することを特徴とするレーザー加工方法。 - 特許庁

The method of manufacturing a liquid ejection head includes a step of forming and patterning a mask 52 containing chromium on another side surface of a channel formation substrate 10 with a piezoelectric actuator 300 formed on its one side surface, and a step of forming a liquid channel 12, etc. by anisotropically etching the channel formation substrate 10 from the another surface side via the mask 52.例文帳に追加

圧電アクチュエーター３００が一方面に形成された流路形成基板１０の他方面にクロムが含有されたマスク５２を形成すると共にパターニングする工程と、前記流路形成基板１０を他方面側から前記マスク５２を介して異方性エッチングすることにより、液体流路１２等を形成する工程と、を具備する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a glass substrate for a magnetic disk by which etching by washing does not give influence on the smoothness of a final glass substrate principal surface after a second polishing (mirror-surface polishing) step while an abrasive used in a first polishing (coarsely polishing) step and consisting essentially of a rare earth oxide is effectively removed by washing.例文帳に追加

第１の研磨（粗研磨）工程にて使用した、希土類酸化物を主成分とする研磨材を、洗浄によって効果的に除去しつつ、洗浄によるエッチングが、第２の研磨（鏡面研磨）工程後の最終的なガラス基板主表面の平滑性にも影響を与えない磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride gallium substrate includes a step of forming a porous nitride gallium substrate 11a having a thickness of 10 nm to 1000 nm by etching a nitride gallium substrate 11 in an atmosphere of HCl and NH_3 gas in a reaction chamber of an HVPE apparatus, and further includes a step of forming a nitride gallium growth layer 20 in a single reaction chamber by in situ process.例文帳に追加

ＨＶＰＥ装置の反応チャンバ内でＨＣｌ及びＮＨ_３ガス雰囲気で窒化ガリウム基板１１をエッチングして１０〜１０００ｎｍの厚さの多孔性窒化ガリウム層１１ａを形成するステップを含み、ひいては、単一の反応チャンバ内でインシチュで窒化ガリウム成長層２０を形成するステップをさらに含む窒化ガリウム基板の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes: a resist pattern forming step of forming a resist pattern on the surface to be processed and then applying the thickening material for a resist pattern to cover the surface of the resist pattern to thereby thicken the resist pattern; and a patterning step of patterning the surface to be processed by etching by using the thickened resist pattern as a mask.例文帳に追加

被加工面上にレジストパターンを形成後、レジストパターンの表面を覆うように前記レジストパターン厚肉化材料を塗布することによりレジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより被加工面をパターニングするパターニング工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

In a stage for forming groove patterns on the air bearing surface of a thin film magnetic head slider 15 by photolithography technology, photoresist patterns 2 and 3 used for working are formed in step-shapes corresponding to a shallow pattern 12 and a deep pattern 13 and the photoresist patterns are transferred onto the air bearing surface in one etching step to work the shallow and deep grooves collectively.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドスライダー１５のエアーベアリング面にフォトリソグラフィ技術により溝パターンを形成する工程に際して、加工に用いるフォトレジストのパターン２、３を、浅溝パターン１２及び深溝パターン１３に対応した階段状に形成し、フォトレジストのパターンを、一回のエッチングによりエアーベアリング面上に転写し、浅溝、及び深溝の加工を一括して行う。 - 特許庁

This method of manufacturing the slit which forms an electron beam in a desired shape is provided with a cavity-forming step in which a cavity is formed in the substrate surface, and a through-hole-forming step in which a through hole smaller than the bottom face of the cavity is formed in the bottom face of the cavity with an anisotropic wet etching from the backside of the substrate.例文帳に追加

電子ビームを所望の形状に成形するスリットを製造するスリット製造方法であって、基板の表面に溝部を形成する溝部形成段階と、基板の裏面から、溝部の底面に、溝部の底面の大きさより小さい貫通孔を、異方性ウェットエッチングにより形成する貫通孔形成段階とを備える。 - 特許庁

A production method for a liquid ejection head in which a boron doped layer is formed on a Si substrate 1 and the boron doped layer 103 is formed as a vibration plate 11, includes, after a vibration plate 11a is formed, a step of forming thermally-oxidized film 106 on the Si substrate 1 by thermal oxidation, and a step of peeling off the thermally-oxidized film 106 by etching.例文帳に追加

Ｓｉ基板１にボロンドープ層を形成し、該ボロンドープ層１０３を振動板１１として形成する液体吐出ヘッドの製造方法において、振動板１１ａを形成した後、該Ｓｉ基板１に熱酸化により熱酸化膜１０６を形成する工程と、前記熱酸化膜１０６をエッチングにより剥離する工程とを有する。 - 特許庁

This method comprises a step for executing a selective etching process using TMAH (Tetra-Methyl-Ammonium-Hydroxide) to form a plurality of trenches with slow inclination of the side surface, and a step for forming a gate pattern at the top of the substrate so that at least the inclination part of the trench acts as a part of a channel.例文帳に追加

本発明は、ＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａ−Ｍｅｔｈｙｌ−Ａｍｍｏｎｉｕｍ−Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）を用いた選択的エッチング工程を実施し、側面の傾斜が緩慢な複数のトレンチを形成するステップと、少なくとも前記トレンチの傾斜部分がチャネルの一部になるように前記基板上部にゲートパターンを形成するステップとを含む。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition which gives a photoresist forming a pattern of a rectangular shape and ensures low edge roughness of a line pattern in the production of a semiconductor device and ensures a small dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、矩形形状のパターンを形成するフォトレジストを与え、ラインパターンのエッジラフネスが少なく、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To obtain a resist removing solution composition which can thoroughly remove the residue of a resist at a low temperature in a short time after etching or ashing in a wiring step for a semiconductor device or a liquid crystal panel device and does not corrode a wiring material in rinsing.例文帳に追加

半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるエッチングまたはアッシング後に残存するレジスト残渣物を、低温、短時間で完全に除去でき、且つ配線材料をリンス時に腐食しないレジスト剥離液組成物を提供する。 - 特許庁

Specifically, a dual damascene structure corresponding to a design pattern figure can be formed by means of one exposure, development and etching step using a high resolution gray scale mask, which reduces a production process of a dual damascene structure and enhances the pattern accuracy.例文帳に追加

具体的には、高分解能グレーマスクを用いて、１回の露光、現像及びエッチング工程により、設計パターン形状に対応したデュアルダマシン構造を形成可能とし、デュアルダマシン構造の作製工程の短縮化及びパターン精度を向上させる。 - 特許庁

Since a hard mask layer is formed of a material having a high etching selection ratio relative to a substrate, in a step of the hard mask layer corresponding to the three-dimensional structure pattern to be formed, the depth can be made smaller than that of the desired three-dimensional structure pattern.例文帳に追加

本発明によれば、ハードマスク層は基板に対してエッチング選択比が高い材料であるため、形成する３次元構造パターンに対応するハードマスク層の段差は、所望する３次元構造パターンよりも、深さを小さくすることが出来る。 - 特許庁

To provide a method of low-damage, anisotropic etching and cleaning of a substrate including a step of mounting the substrate upon a mechanical support part arranged within a positive column of a plasma discharge generated by either an ac or dc plasma reactor.例文帳に追加

基板をａｃ又はｄｃプラズマ反応装置のいずれかによって発生されたプラズマ放電の陽光柱内に配置された機械的支持部上への取り付けステップを含んだ基板の低損傷、異方性エッチング及びクリーニングの方法を提供する。 - 特許庁

Next, after depositing another oxide film 21 in the film thickness of about 1500 Å on the whole surface, the element isolating oxide film is selectively removed from the region of a tunnel oxide film 11 and the region intersecting with a prospective source forming region by the SAS etching step.例文帳に追加

その後、全面に酸化膜２１を約１５００Åの膜厚で堆積した後、ＳＡＳエッチングにより、トンネル酸化膜１１及びソース形成予定領域と交叉する領域における素子分離酸化膜を選択的に除去する。 - 特許庁

To obtain a positive type resist composition having high sensitivity and high resolving power, giving a rectangular photoresist, having good wettability with a developing solution, nearly free from development defects and ensuring a slight dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step.例文帳に追加

高感度及び高解像力で、矩形形状を有するフォトレジストを与え、現像液への濡れ性が良好で現像欠陥が少なく、更に酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写時に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物を得る。 - 特許庁

In a step of ashing a resist mask used for etching the layer having a low dielectric constant included in this method of manufacturing the semiconductor element, the ashing is performed so as to suppress the arrival of oxygen radicals at the surface of the layer having the low dielectric constant.例文帳に追加

半導体素子の製造方法における低誘電率層のエッチングに用いたレジストマスクをアッシングする工程であって、前記低誘電率層表面への酸素ラジカルの到達を抑制するようにアッシングすることを特徴とする。 - 特許庁

Before cleaning the silicon wafer 11 after implanting the oxygen ion into the silicon wafer 11, a step for etching an SiO_2 film formed on the surface of the silicon wafer 11 by dipping the silicon wafer 11 in the hydrofluoric acid solution 12 is further included.例文帳に追加

シリコンウェーハ１１に酸素イオンを注入した後であってシリコンウェーハ１１を洗浄する前に、シリコンウェーハ１１をフッ酸水溶液１２に浸漬してシリコンウェーハ１１の表面に形成されたＳｉＯ_2膜をエッチング処理する工程を更に含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing various forms of replica molds for nano imprint using nano imprint and a dry etching process; and a method of forming a multi-step pattern or a micro pattern using a nano imprint process with the manufactured replica molds for nano imprint.例文帳に追加

ナノインプリントと乾式エッチング工程とを用いて多様な形態のナノインプリント用のレプリカモールドを製作する方法と製作されたナノインプリント用のレプリカモールドでナノインプリント工程を用いて多段パターンや微細パターンを成形する方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a lower structure from being damaged by an oxide film etchant by adjusting an etchant proportion in a step of applying specified etching added to a nitride film strip process to remove a natural oxide film on a nitride film.例文帳に追加

窒化膜ストリップ工程に、酸化膜エッチャントを用いた所定のエッチングを行う段階を追加して窒化膜上の自然酸化膜を除去するが、エッチャントの割合を調節してエッチャントによる下部構造物の損傷を防止することを目的としている。 - 特許庁

An end point detection processing section 34 measures the luminous intensity of Si or SiFx in plasma in the small-quantity supplying step, and determines it as an etching end point at the time when the measured luminous intensity is a preset reference value or less.例文帳に追加

エンドポイント検出処理部３４は、少量供給工程におけるプラズマ中のＳｉ又はＳｉＦｘの発光強度を測定し、測定された発光強度が予め設定した基準値以下となったとき、エッチング終点であると判定する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having high resolving power in the production of a semiconductor device, also having a rectangular shape and ensuring low edge roughness of a line pattern and a small shift in dimensions in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、高解像力を有し、しかも矩形形状を有し、ラインパターンのエッジラフネスが少なく、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

The method of ion beam etching includes a step of oppositely disposing a mask member 20 having an opening 21 formed to define the working region of an ITO (indium tin oxide) film 12 on a substrate 10 to be processed, and illuminating an ion beam IB to the ITO film 12 via the mask member 20 to etch the ITO film 12.例文帳に追加

ＩＴＯ膜１２の加工領域を定める開口２１が形成されたマスク部材２０を被処理基板１０上に対向配置し、マスク部材２０を介してＩＴＯ膜１２にイオンビームＩＢを照射しエッチングする。 - 特許庁

To provide a method for producing high-purity cupric oxide also usable as a plating raw material from a waste copper etching solution, which is discharged at a step of manufacturing a printed wiring board and contains degraded hydrochloric acid and copper chloride as principal components, by a simple process.例文帳に追加

プリントの配線板の製造工程等において排出される、劣化した塩酸及び塩化銅を主成分とするエッチング廃液からメッキ原料としても使用可能な高純度の酸化第２銅を簡単なプロセスで製造する方法の提供。 - 特許庁

To obtain a fabrication method of semiconductor device comprising a step for etching a metal film using a resist pattern as a mask in which resist used as a mask at the time of patterning the film can be removed easily along with reaction products produced at the time of patterning the film.例文帳に追加

レジストパターンをマスクに使用して金属膜をエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法に関し、膜のパターニングにマスクとして使用されたレジストと膜のパターニングの際に発生した反応生成物を容易に除去すること。 - 特許庁

The rolling bearing of this configuration can be used for a long time even under the atmosphere in which strongly corrosive fluorine gas is generated, such as a dry etching apparatus or an excimer laser apparatus in a semi-conductor manufacturing step.例文帳に追加

この構成により、本発明の転がり軸受は、半導体製造工程におけるドライエッチング装置あるいはエキシマレーザー装置等、強い腐食性を有するフッ素系ガスが発生する環境下においても、長期に渡り使用することができる。 - 特許庁

To provide a raw material for a piston ring, of which only the surface required to be nitrided as a piston ring, can be nitrided without needing cutting or grinding processes, or a step of removing a nitrided layer or a plated part by chemical treatment such as etching, after nitriding.例文帳に追加

窒化後の切削及び研削加工又は腐食等の化学的処理による窒化層あるいはめっき部除去のための工程を必要とせず、ピストンリングの窒化必要面のみに窒化処理を施すことができるピストンリング素材を提供する。 - 特許庁

In the step of cutting the pair of the inorganic substrates 10, etching liquid 58 is allowed to flow into the flow path 56 with respect to an inorganic material to etch at least one of the surfaces of the pair of the inorganic substrates 10 along the flow path 56 to form a groove 60.例文帳に追加

一対の無機基板１０を切断する工程は、流路５６に無機材料に対するエッチング液５８を侵入させ、流路５６に沿って一対の無機基板１０の少なくとも一方の面をエッチングして溝６０を形成する。 - 特許庁

Although a first piezoelectric layer 71 on a vibration plate 52 is removed at a step of a photolithography etching process with remaining a region where a lower electrode 60 is formed, a second piezoelectric layer 72 containing lead zirconate titanate having a thickness equal to or more than 4 nm and equal to or less than 20 nm is formed over the first piezoelectric layer 71, the lower electrode 60, and the vibration plate 52 after the photolithography etching process.例文帳に追加

フォトリソエッチ工程の段階で、下電極６０が形成される領域を残して、振動板５２上の第１圧電体層７１が除去されるが、フォトリソエッチ工程後に、第１圧電体層７１、下電極６０および振動板５２にわたって、４ｎｍ以上、２０ｎｍ以下の厚みのチタン酸ジルコン酸鉛を含む第２圧電体層７２を形成する。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for etching a substrate having a through hole 11 in a region different from the through hole 11, wherein etching is carried out after forming resist 72 on the substrate over the opening of the through hole 11 and then patterning the resist by exposure.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、貫通孔１１を有した基板に対し、該貫通孔１１とは異なる領域においてエッチングを行う工程を含む半導体装置の製造方法であって、基板に対し、貫通孔１１の開口面に跨る形にてレジスト７２を形成し、該レジスト７２を露光によりパターニングした後に、エッチングを行うことを特徴とする。 - 特許庁

In the step for etching the metallic layer, the board 10 is supported by two supporting members 32 arranged to deviate in the transporting direction of the board 10 and the carrying route of the board 10 is regulated by pushing down the board 10 by at least one guide member 34 arranged between two supporting members 32 in an area where the etching liquid 100 is jetted.例文帳に追加

金属層をエッチングする工程では、基板１０の搬送方向にずれて配置された少なくとも２つの支持部材３２で基板１０を支持し、かつ、２つの支持部材３２の間であってエッチング液１００が噴射される領域内に配置された少なくとも１つのガイド部材３４で基板１０を押し下げることによって、基板１０の搬送径路を規制する。 - 特許庁

A photovoltaic device having at least one semiconductor unit is manufactured by using a continuous operation type production line which includes a step for washing at least one surface of the semiconductor unit by etching, a step for drying at least the one surface of the semiconductor unit in an environment in which oxygen does not exist or the oxygen is lacked substantially, and a step for accumulating the passivation layer on at least the one surface.例文帳に追加

エッチングにより半導体ユニットの少なくとも１つの表面を洗浄する工程と、実質的に無酸素である又は酸素が欠乏した環境内で半導体ユニットの少なくとも１つの表面を乾燥させる工程と、少なくとも１つの表面上にパッシベーション層を堆積する工程とを含む、連続作業方生産ラインを用いて、少なくとも１つの半導体ユニットを有する光起電力素子を製造する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step of etching an aluminum foil, a step of anodic-oxidating the surface of the aluminum foil to form a dielectric oxide film layer, and a step of compressing the aluminum foil with the formed dielectric oxide film layer in the thickness direction, thereby obtaining an electrode foil for electrolytic capacitors which is greatly improved about the capacitance, the leakage current characteristics and high frequency range characteristics.例文帳に追加

アルミニウム箔をエッチング処理する工程と、このアルミニウム箔の表面に陽極酸化により化成処理して誘電体酸化皮膜層を形成する工程と、上記誘電体酸化皮膜層が形成されたアルミニウム箔を厚み方向に圧縮する工程とからなる製造方法とすることにより、静電容量および漏れ電流、高周波領域の特性を大幅に向上させた電解コンデンサ用電極箔を得ることができるものである。 - 特許庁

In the etching step, a through hole 21c of the metal thin plate 20c of an intermediate layer laminated between the uppermost layer and the lowermost layer is formed to have a diameter larger than diameters 21a and 21b of the through holes of the uppermost layer and the lowermost layer metal thin plates 20a and 20b.例文帳に追加

前記エッチング工程において、最上層と最下層との間に積層される中間層の金属薄板２０ｃの貫通孔２１ｃを、最上層と最下層の金属薄板２０ａ、２０ｂの貫通孔の径２１ａ、２１ｂより大きい径で形成する。 - 特許庁

An end point detection processing section 34 measures light emitting intensity of Si or SiFx in the plasma in the small quantity supplying step, and when the measured light emitting intensity is at a previously set reference value or lower, the end point detection processing section judges it as an etching end point.例文帳に追加

エンドポイント検出処理部３４は、少量供給工程におけるプラズマ中のＳｉ又はＳｉＦｘの発光強度を測定し、測定された発光強度が予め設定した基準値以下となったとき、エッチング終点であると判定する。 - 特許庁

According to this manufacturing method for a semiconductor light element, the proturberance to be removed from a surface of a cap layer 5 by etching in a surface treatment step is limited to a proturberance A1 or C2 that is higher than a thickness of a resist layer 22 formed on the surface of the cap layer 5.例文帳に追加

この半導体光素子の製造方法では、表面処理工程において、エッチングによってキャップ層５の表面から除去される突起物は、キャップ層５の表面に形成されたレジスト層２２の厚さよりも高い突起物Ａ１，Ｃ２に限定される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having the opening with a tapered portion of an oxide-based interlayer insulating film, capable of obtaining wiring dimensions as designed and improved step coverage, without enlarging the diameter of the opening of the insulating film in an etching process.例文帳に追加

エッチング工程において絶縁膜の径を広げることなく、設計通りの配線寸法と、かつ良好なステップカバレージとを得ることができる、テーパー部を有した酸化物系層間絶縁膜の開口部を持つ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the developing step, part of the conductive layer 20 is exposed and a contact hole 27 is formed in the inorganic insulating layer 22 by removing an area exposed from the resist pattern 30B' within the inorganic insulating layer 23 using the developer as an etching solution.例文帳に追加

現像工程では、この現像液をエッチング液として用いて、無機絶縁層２３の内のレジストパターン３０Ｂ’から露出した領域を除去することによって導電層２０の一部を露出させて、無機絶縁層２２にコンタクトホール２７を形成する。 - 特許庁

In a first etching step of a method for forming metallic pattern, about 1/6 of the top portion of a lower electrode forming film 17A is etched with a mixed gas of chloride supplied at a flow rate of 0.09 slm and Ar supplied at a flow rate of 0.01 slm by using a resist pattern 18 as a mask.例文帳に追加

第１のエッチング工程において、流量０．０９ｓｌｍの塩素と流量０．０１ｓｌｍのＡｒとの混合ガスを用いて、レジストパターン１８をマスクとして下部電極形成膜１７Ａの上部の６分の１程度に対してエッチングを行なう。 - 特許庁

Besides, the thickness of the on-gate oxide film 15 is set up so that the whole film thickness of the floating gate 12, the insulating film 13, the control gate 14 and the on-gate oxide film 15 may exceed the thickness of an element separating oxide film to be removed by later SAS etching step.例文帳に追加

なお、浮遊ゲート１２、絶縁膜１３、制御ゲート１４及びゲート上酸化膜１５の総膜厚１６が、後のＳＡＳエッチングにより除去する素子分離酸化膜の厚さよりも厚くなるように、ゲート上酸化膜１５の膜厚を設定する。 - 特許庁

The method of cleaning the metallic surfaces to make the stable application of the gold plating for protecting the copper wiring possible by subjecting the insulation layer to plasma cleaning after wet etching thereof in a manufacturing process step for the suspension blanks with wiring for the hard disks is established.例文帳に追加

本発明は、ハードディスク用配線付きサスペンションブランクの製造工程において、絶縁層のウェットエッチング後にプラズマクリーニングを行うことで、銅配線保護の金メッキを安定的に施すことを可能にする、金属表面清浄化方法を確立したものである。 - 特許庁

The manufacturing method of the grooved bar manufactures the grooved bar 11 having grooves 23 formed on the surface of a bar material 8 and includes a step of cutting and etching the surface of the material 8 by combining them, thereby forming the grooves 23.例文帳に追加

本発明に係る溝付条の製造方法は、条材８の表面に溝部２３が形成された溝付条１１を製造する方法であり、条材８の表面に切削加工とエッチング加工を組み合わせて施し、溝部２３の形成を行うものである。 - 特許庁