「sub layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

By this deformation of the polar liquid layer 15, the nonpolar liquid layer 16 is deformed (moved) so as to reduce the contact area with the insulating film 13 within each divided sub-area.例文帳に追加

この極性液体層１５の変形によって、区画された各サブ領域内で、無極性液体層１６は、絶縁膜１３との接触面積を縮小するように変形（移動）する。 - 特許庁

A kernel, an operating system dynamic link library, a sub-system dynamic link library layer, and a networking layer are configured to minimize the number of dependencies among operating system components.例文帳に追加

カーネル、オペレーティングシステムダイナミックリンクライブラリ、サブシステムダイナミックリンクライブラリレイヤ、およびネットワーキングレイヤは、オペレーティングシステムコンポーネント間の依存関係の数を最小限にするように構成される。 - 特許庁

Then, the ink liquid droplets jetted from the sub-head 32a for the base color layer printing, which reciprocates and moves above the media 10 in Y direction, are used to print the base color layer 50 on the media 10.例文帳に追加

そして、メディア１０上方をＹ方向に往復移動させる地色層プリント用のサブヘッド３２ａから噴射させたインク液滴により、メディア１０に地色層５０をプリントする。 - 特許庁

Application of a bias voltage between the main conductor layer and the sub conductor layer changes the dielectric constant of the variable dielectric constant dielectric of the variable propagation characteristic lines to control the propagation characteristic.例文帳に追加

主導体層と副導体層間にバイアス電圧を印加することにより、伝播特性可変線路部分の可変誘電率誘電体の誘電率を変化させ伝搬特性を制御する。 - 特許庁

The insulative charge storage layer ECS is included in a second gate insulation layer GI2 and formed on the principal plane of the semiconductor substrate SUB sandwiched between the pair of source/drain regions SD.例文帳に追加

絶縁性電荷蓄積層ＥＣＳは第２のゲート絶縁層ＧＩ２に含まれ、１対のソース／ドレイン領域ＳＤに挟まれる半導体基板ＳＵＢの主表面上に形成されている。 - 特許庁

In the first sub-process, the film 9 which includes a base material layer and an adhesive layer and in has an adhesive force of 3-15 N/25 mm is used.例文帳に追加

前記第１副工程において、基材層と粘着層を含み、粘着力が３〜１５Ｎ／２５ｍｍであるフィルム９を用いることを特徴とするハニカム構造体の製造方法である。 - 特許庁

The wet layer 24 is a sub single-layer of an appropriate III nitride such as AlN or GaN, etc., comprising nucleation action for the crystallite of the III nitride semiconductor formed over it.例文帳に追加

湿層２４は例えばＡｌＮまたはＧａＮ等の適切なIII族窒化物のサブ単層であり、その上に形成されるIII族窒化物半導体の晶子の核形成の作用を有する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 101, an emitter mesa section 105 and base mesa sections 104 and 103 are formed, and the surface of a sub- collector layer 102 is exposed in a region outside a collector layer 103.例文帳に追加

半導体基板１０１上にエミッタメサ部１０５、ベースメサ部１０４，１０３を形成するとともに、コレクタ層１０３の外側の領域にサブコレクタ層１０２の表面を露出させる。 - 特許庁

The voltage nonlinear resistor porcelain composition which constitutes a voltage nonlinear resistor layer 11 has a main component containing zinc oxide, a first sub-component containing oxide of rare earth metal, a second sub-component containing oxide of Ca, and a third sub-component containing oxide of Si.例文帳に追加

電圧非直線性抵抗体層１１を構成する電圧非直線性抵抗体磁器組成物は、酸化亜鉛を含む主成分と、希土類金属の酸化物を含む第１副成分と、Ｃａの酸化物を含む第２副成分と、Ｓｉの酸化物を含む第３副成分と、を有している。 - 特許庁

The sub-critical water dissolution layer is withdrawn through any of outlets 101-106 arranged in the upper part and side part of the reaction vessel 3 to adjust the residence time of sub-critical water and adjust the reaction time of the object which is to be treated and is subjected to the sub-critical water decomposition.例文帳に追加

亜臨界水溶解層は、反応容器３の上部および側部に設けられた排出口１０１〜１０６のいずれかを選択して亜臨界水溶解層を取り出すことで、亜臨界水の滞留時間を調整し、被処理物の亜臨界水分解反応時間を調整する。 - 特許庁

Then, an active layer 101 which generates the terahertz wave by the transition of a carrier between sub-bands is provided over the substrate 120.例文帳に追加

次に、基板１２０の上部に設けられ、サブバンド間でのキャリアの遷移によりテラヘルツ波を発生させる活性層１０１を備える。 - 特許庁

It is desirable that the composite materials 12 and 15 are included in a surface sheet 18 or a sub-layer sheet 19 arranged on the lower side of it.例文帳に追加

複合材１２，１５は、表面シート１８又はその下側に配されたサブレイヤーシート１９に含まれていることも好ましい。 - 特許庁

In the MAC sub-layer 140 and 160, CDMA(Code Division Multiple Access) method is used as an access method, and a data structure is used corresponding to the quantity and kind of the information.例文帳に追加

MAC副層140, 160ではアクセス方式にCDMA（Code Division Multiple Access)方式を用い、情報の量や種類に応じて対応するデータ構造を用いる。 - 特許庁

A semiconductor laser is arranged so that its active layer may be inclined by θ° from a sub-scanning direction Y orthogonal with a main scanning direction X.例文帳に追加

半導体レーザを、その活性層２０が主走査方向Ｘと直交する副走査方向Ｙからθ度傾くように配置する。 - 特許庁

A sub-collector layer 2 of n+-GaAs, a collector layer 3 of n- GaAs, a base layer 4 of p-GaAs, a first emitter layer 5 of n-InGaPs, a first cap layer 7 of n+-GaAs, and a second cap layer 8 of n+-InGaAs are provided on a semi-insulating GaAs substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、ｎ^+ −ＧａＡｓからなるサブコレクタ層２、ｎ−ＧａＡｓからなるコレクタ層３、ｐ−ＧａＡｓからなるベース層４、ｎ−ＩｎＧａＰからなる第１エミッタ層５、ｎ−ＡｌＧａＡｓからなる第２エミッタ層６、ｎ^+ −ＧａＡｓからなる第１キャップ層７、ｎ^+ −ＩｎＧａＡｓからなる第２キャップ層８を設ける。 - 特許庁

In the case that the subcollector layer 41, a collector layer 42, a base layer 43 and an emitter layer 44 are grown in a gas phase on a GaAs substrate 2 by using an MOCVD method and the semiconductor wafer 1 for manufacturing HBT is manufactured, an n-type GaAs layer is grown on the GaAs substrate 2 as the sub-collector layer 41 by making a V/III ratio 20 or less.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板２上にサブコレクタ層４１、コレクタ層４２、ベース層４３、及びエミッタ層４４をＭＯＣＶＤ法を用いて気相成長させてＨＢＴ製造用の半導体ウェーハ１を製造する場合、サブコレクタ層４１として、ｎ型ＧａＡｓ層をＧａＡｓ基板２上にＶ／ＩＩＩ比を２０以下として成長させるようにした。 - 特許庁

The sub-processes are: (A) forming a first layer of photosensitive coating film; (B) exposing the first layer of the coating film through a first photomask; (C) forming a second layer of photosensitive coating film wider than the first layer; and (D) exposing the second layer of the photosensitive coating film through a second photomask.例文帳に追加

（Ａ）１層目の感光性塗布膜を形成する工程、 （Ｂ）１層目の感光性塗布膜を第１のフォトマスクを介して露光する工程、 （Ｃ）２層目の感光性塗布膜を１層目の感光性塗布膜幅よりも広く形成する工程、 （Ｄ）２層目の感光性塗布膜を第２のフォトマスクを介して露光する工程。 - 特許庁

The user interface includes a first menu layer of a ring type including one or more menus, and a second menu layer of a ring type to display sub-menus of the menus included in the first menu layer, wherein the first menu layer and the second menu layer move the menus around a common center axis.例文帳に追加

本発明に係るユーザインタフェースは、１つ以上のメニューを含むリング型の第１メニュー層と、第１メニュー層に含まれたメニューの下位メニューを表示するリング型の第２メニュー層とを含み、第１メニュー層及び第２メニュー層は共通の中心軸を中心にメニューを移動することを特徴とする。 - 特許庁

An exhaust opening 142 communicating with the gas layer 120 of the sub-tank 110 is provided in the nozzle face of the printhead 50, and the suction of the nozzle and the suction of the sub-tank 110 are alternately performed by a suction cap 112.例文帳に追加

また、サブタンク１１０の気体層１２０に連通する排気口１４２を印字ヘッド５０のノズル面の設け、吸引キャップ１１２によってノズル吸引とサブタンク１１０の吸引を切り替えて行う。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor device, a semiconductor substrate SUB is prepared first, wherein the semiconductor substrate SUB has a configuration formed by stacking a support substrate SS, a buried insulating film BOX, and a semiconductor layer SL, in this order.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法では、まず支持基板ＳＳと、埋め込み絶縁膜ＢＯＸと半導体層ＳＬとがこの順で積層された構成を有する半導体基板ＳＵＢが準備される。 - 特許庁

A movement quantity estimation part 200 using an LL method decodes an LL sub-band coefficient of the top layer or a lower layer by an LL decoding part 201 and a movement quantity estimation calculation part 202 performs estimation calculation of a movement quantity of a frame based upon LL sub-band coefficients of adjacent frames.例文帳に追加

ＬＬ法による動き量推定部２００は、ＬＬデコード部２０１で最上位階層又はそれより下位の階層のＬＬサブバンド係数をデコードし、動き量推定計算部２０２で隣接フレームのＬＬサブバンド係数を基にフレームの動き量の推定計算を行う。 - 特許庁

By intentionally forming the buffer layer 32 of the air layer between the light emitting element 10 and the sub mount substrate 20 in such a manner, the thermal shock resistance of the light emitting device is improved and reliability when mounting the sub mount substrate 20 on a support body 50 or the like eutectically or the like is improved.例文帳に追加

このように発光素子１０とサブマウント基板２０との間に空気層の緩衝層３２を意図的に形成することで、発光装置の耐熱衝撃性を高め、サブマウント基板２０を共晶などで支持体５０上などに実装する際の信頼性を高めることができる。 - 特許庁

The method for manufacturing the organic EL display device comprises a step A of forming the lower electrode, a step B of forming the first organic compound layer, a step C of partially removing the first organic compound layer per a sub-pixel unit by using a laser beam, a step D of forming the first intermediate electrode layer, and a step E of forming the second organic compound layer.例文帳に追加

（Ａ）下部電極の形成工程 （Ｂ）第一有機化合物層の形成工程 （Ｃ）レーザー光を使用して第一有機化合物層を副画素単位で部分的に除去する工程 （Ｄ）第一中間電極層の形成工程 （Ｅ）第二有機化合物層の形成工程 - 特許庁

At least one layer different from the electro-magnetic wave shielding layer is formed in the effective display electrode area, and the display electrode film layer and the electro-magnetic wave shielding layer are bent on both end parts of the effective display electrode area so as to be connected to other light emitting tube array type display sub-modules.例文帳に追加

該電磁波シールド層とは異なる層を少なくとも１層、有効表示電極領域内に形成し、有効表示電極領域の両端部で表示電極フィルム層及び電磁波シールド層を屈曲させて他の発光管アレイ型表示サブモジュールと接続する。 - 特許庁

The plasma display panel (PDP) 100 has a sub wavelength structure layer 125 selectively reflecting light of a light-emitting wavelength range of a phosphor layer 122 between a partition 121 and the phosphor layer 122 and between a cell bottom face facing a discharge cell 130 of a back plate 120 and the phosphor layer 122.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）１００は、隔壁１２１と蛍光体層１２２の間、及び、背面板１２０の放電セル１３０に面するセル底面と蛍光体層１２２との間に、蛍光体層１２２の発光波長域の光を選択的に反射するサブ波長構造層１２５を備える。 - 特許庁

On the high dielectric layer HK1, an oxygen supply layer HK2, which is made of hafnium oxide deposited by an ALD method and is thinner than the high dielectric layer HK1, is formed, a cap layer CL made of tantalum nitride is formed, and then the main surface of the substrate SUB is heat-treated.例文帳に追加

次いで、高誘電体層ＨＫ１上に、ＡＬＤ法によって堆積された酸化ハフニウムから構成され、かつ、高誘電体層ＨＫ１より薄い酸素供給層ＨＫ２を形成し、さらに、窒化タンタルから構成されるキャップ層ＣＬを形成した後、基板ＳＵＢの主面を熱処理する。 - 特許庁

The lower sub-magnetic pole end layer 32 spreads backward at a second length GD shorter than the first length SD while facing the floating end 4 at the front end.例文帳に追加

下部磁極端層３２は、前端で浮上面２４に臨みつつ、第１長さＳＤよりも短い第２長さＧＤで後方に広がる。 - 特許庁

The bonding position P1 of the conductive layer 27 and the connecting wire 55 is on the sub-mount 52 of the upper surface 22A.例文帳に追加

導電性膜２７と接続ワイヤ５５とのボンディング位置Ｐ１は、上面２２Ａのサブマウント５２上に配置されている部分に形成されている。 - 特許庁

To provide an optical pickup device to stabilize a push-pull signal of a sub-beam by stray light, while being compatible with a double-layer optical information recording medium.例文帳に追加

２層の光情報記録媒体に対応した従来の光ピックアップ装置では、迷光によりサブビームのプッシュプル信号を安定化する。 - 特許庁

Thus, the overcoat layer, photospacer and sub photospacer are not pattern-formed separately and successively, but are collectively formed, thereby the number of processes being reduced.例文帳に追加

これにより、オーバーコート層とフォトスペーサとサブフォトスペーサとを、順次別個にパターン形成するのではなく一括形成し、工程数を削減する。 - 特許庁

A first interlayer insulating film IL1 is formed to cover an underlying pattern layer formed on the main surface of a semiconductor substrate SUB.例文帳に追加

半導体基板ＳＵＢの主表面に形成された下地パターン層を覆うように第１の層間絶縁膜ＩＬ１が形成されている。 - 特許庁

To provide a hetero-bipolar transistor which never deteriorates the current amplification factor when the doping concentration of a sub-collector layer is set at a high level.例文帳に追加

サブコレクタ層のドーピング濃度を高水準に設定したとき、電流増幅率の低下を招くことのないヘテロバイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

The light-emitting layer 8 comprises light-emitting dots arranged in a sub scanning direction, and combining three colors of R, G, and B as a set, and the individual colors are arranged in a main scanning direction.例文帳に追加

発光層８は、副走査方向に並んだＲＧＢの３色１組の発光ドットであり、各色ごとに主走査方向に並ぶ。 - 特許庁

To form a single particulate layer uniformly coated with particulates from about sub-nanometer to micron in a range from about μm^2 to cm^2.例文帳に追加

μｍ^2 からｃｍ^2 程度の領域で一様にサブナノメーターからミクロン程度の粒径の微粒子がコーティングされた単微粒子層を形成する。 - 特許庁

This sub-layer-3 buffer transfer enables the target communications interface to reduce packet-loss associated with the hard handoff.例文帳に追加

この第３層副層バッファの転送によりターゲット通信インタフェースにおいてハード・ハンドオフに関連するパケット損失を減少することが可能となる。 - 特許庁

Electrode pads for mounting LED elements and a through wiring layer are formed on a sub-mount board mounting the LED elements having different luminous wavelengths.例文帳に追加

発光波長の異なるＬＥＤ素子を実装したサブマウント基板上に、ＬＥＤ素子実装用の電極パッドとスルー配線層を形成する。 - 特許庁

At the same time, the 3D sub-band video encoder provides spatial and temporal scalability options at higher bit rates, and refines the base layer video.例文帳に追加

同時に、３Ｄサブバンド映像エンコーダは、より高いビットレートで空間および時間スケーラビリティ選択を提供し、基本レイヤ映像を洗練化する。 - 特許庁

An element 27a for the sub electrode 27 is placed, with the elements 26a, 27a being placed alternately at the outside of the insulation layer 28.例文帳に追加

絶縁層２８のさらに外側に、サブ電極２７用のエレメント２７ａを、エレメント２６ａとエレメント２７ａとが交互になるように配列する。 - 特許庁

The bimetal chip 152 deforms in response to temperature changes, and forms a gap in the cathode side catalyst layer 150 at least at a sub-zero temperature.例文帳に追加

このバイメタルチップ１５２は、温度変化に応じて変形し、少なくとも氷点下で、カソード側触媒層１５０の内部に空隙を形成する。 - 特許庁

The circuit conforming to the main pattern and the mark conforming to the sub-pattern are formed by the photo-etching using the second mask via a light shielding film layer 4.例文帳に追加

遮光膜層４を介し第２のマスクによる写真蝕刻を通じ、主パターンに従う回路部と、副パターンに従うマークとが形成される。 - 特許庁

The manufacturing method includes a step for preparing a semiconductor substrate SUB, and a step for forming a first metal electrode LEL1 having an aluminum layer AC1 on one main surface of the semiconductor substrate SUB, a dielectric layer DEC on the first metal electrode LEL1, and a second metal electrode UEL on the dielectric layer DEC.例文帳に追加

本製造方法は、半導体基板ＳＵＢを準備する工程と、半導体基板ＳＵＢの一方の主表面上に、アルミニウム層ＡＣ１を有する第１の金属電極ＬＥＬ１と、第１の金属電極ＬＥＬ１上の誘電体層ＤＥＣと、誘電体層ＤＥＣ上の第２の金属電極ＵＥＬとを形成する工程とを備える。 - 特許庁

The main light attenuating layer 12 includes openings A1-A4 and the main light attenuating portions M1-M3 arranged corresponding to an original pattern, the intermediate layer 14 includes spacer layers SP and height controlling layers HC, and the sub-light attenuating layer 13 includes sub-light attenuating portions S1-S4 placed on the openings A1-A4 and etching stopper layers ES between them.例文帳に追加

主光減衰層１２は、原版パターンに対応して配置される開口部Ａ１〜Ａ４と主光減衰部Ｍ１〜Ｍ３とを含み、中間層１４は、スペーサ層ＳＰと高さ制御層ＨＣとを含み、副光減衰層１３は、開口部Ａ１〜Ａ４上に位置する副光減衰部Ｓ１〜Ｓ４と、これらの間のエッチングストッパー層ＥＳとを含む。 - 特許庁

Light from the individual light- emitting layers are reflected on the signal electrode/reflective film 2 and the reflective layer 11, and is projected forward in the sub scanning direction from one end face of an element on a red light-emitting layer side.例文帳に追加

各発光層からの光は、信号電極兼反射膜２と反射膜１１によって反射され、赤の発光層の側にある素子の一端面から副走査方向の前方に出射する。 - 特許庁

The sub-layer 3a is made to penetrate well into fine recesses formed on the surface of the wiring conductor 2, whereby the copper plating layer 3 can be brought into close contact with the wiring conductor 2.例文帳に追加

厚さ領域３ａが配線導体２の表面に形成される微小な窪み内に良好に入り込んで、配線導体２に銅めっき層３を隙間なく密着させることができる。 - 特許庁

To provide a molten metal passage nozzle having favorable for prolonging its life by suppressing penetration of molten metal such as molten steel in a boundary area between a main refractory layer and a sub refractory layer, and to provide a method for manufacturing the molten metal passage nozzle.例文帳に追加

主耐火物層と副耐火物層との境界域における溶鋼等の溶湯の差込を抑制させ、寿命を長くするのに有利な溶湯通過ノズルおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁