「substrate structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(56ページ目) - Weblio英語例文検索

To contrive to reconcile the enhancement of the quality of a bonding of a TAB tape and a reduction in the cost of a TAB flexible tape substrate due to a reduction in the thickness of the plating of the general copper foil lead parts of the TAB tape, in the structure of the TAB flexible tape substrate.例文帳に追加

ＴＡＢ用フレキシブルテ−プ基板の構造に関し、ＴＡＢ用テ−プのボンデングの品質向上と薄メッキ化によるコスト低減を両立する。 - 特許庁

Each of the micromechanical devices has: a first structure part on a substrate; a second structure part which is connected to the first structure portion, the second structure part having a conductive portion and being configured to move in response to a voltage pulse and a bias voltage; and an electrode on the substrate, the electrode being below the conductive portion of the second structure part.例文帳に追加

各マイクロメカニカルデバイスは、基板上の第１の構造部分と、第１の構造部分に接続された第２の構造部分であって、第２の構造部分は、導電性部分を備えており、電圧パルスとバイアス電圧とに応答して、運動するように構成されている、第２の構造部分と、基板上の電極であって、第２の構造部分の導電性部分の下にある、電極とを備えている。 - 特許庁

The light emitting diode including the mount substrate that supports a light emitting active structure formed from the group III nitride material system, a bonding structure that supports a group III nitride active structure, and the bonding structure, and is provided with a mount substrate containing a material that reflects a substantial amount of light having a predetermined frequency irradiated by an active structure.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物材料系から形成された発光活性構造と、ＩＩＩ族窒化物の活性構造を支持するボンディング構造と、ボンディング構造を支持するマウント基板であって、マウント基板は、活性構造によって放出された所定の周波数を有する光の実質的な量を反射する材料を含む、マウント基板とを備えている、発光ダイオード。 - 特許庁

The glass substrate with the light shielding film has the light shielding film 30 with a multilayer structure formed on a glass substrate 20, and the light shielding film with the multilayer structure has the structure, wherein a first chromium oxynitride film (CrO_x1N_y1) 31 and a second chromium oxynitride film (CrO_x2N_y2) 32 are laminated in this order from the transparent substrate side.例文帳に追加

ガラス基板２０上に多層構造の遮光膜３０が形成されてなる遮光膜付ガラス基板であって、前記多層構造の遮光膜が、下記を満たす第１の酸窒化クロム膜（ＣｒＯ_x1Ｎ_y1）３１および第２の酸窒化クロム膜（ＣｒＯ_x2Ｎ_y2）３２が、透明基板側からこの順に積層された構造であることを特徴とする遮光膜付ガラス基板。 - 特許庁

In such a structure, after the cathode substrate and an anode substrate are positioned, the both are temporarily fixed with a clip member used in a conventional technology, and further, the cathode substrate and the anode substrate are temporarily fixed to the reinforcing plate with another clip member, finally to seal them.例文帳に追加

このような構成によりカソード基板とアノード基板の位置合せを行った後に従来技術で用いているクリップ部材を用いて両者を仮固定し、更にカソード基板とアノード基板と補強板を別のクリップ部材で仮固定した上で封着できる。 - 特許庁

To provide an LED display device having new structure capable of disposing easily the drive substrate formed as a different body from the LED substrate in close vicinity to the LED substrate without hindering the degree of freedom of the curve-shaped design in the LED substrate.例文帳に追加

ＬＥＤ基板から別体形成されたドライブ基板を、ＬＥＤ基板における湾曲形状設計自由度を阻害することなく、ＬＥＤ基板に近接して容易に配設することの出来る、新規な構造のＬＥＤ表示装置を提供すること。 - 特許庁

Each spacer structure facing the first substrate and the second substrate has a supporting substrate 24 having a plurality of electron beam passing holes 26 facing the electron emission sources respectively, and a plurality of spacers 30a, 30b standing on the surface of the supporting substrate.例文帳に追加

各スペーサ構体は、第１および第２基板に対向しているとともに、それぞれ電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔２６を有した支持基板２４と、支持基板の表面上に立設された複数のスペーサ３０ａ、３０ｂと、を有している。 - 特許庁

A first semiconductor substrate having a structure in which a release layer is not formed at a position on which a first dividing process is performed is used so that the release layer is not exposed at an edge face of a second semiconductor substrate when the second semiconductor substrate is cut out of the first semiconductor substrate.例文帳に追加

第１の半導体基板から第２の半導体基板を切り出す際に第２の半導体基板端面に剥離層が露出しないように、第１の分断処理を施す箇所に剥離層が形成されない構造の第１の半導体基板を用いる。 - 特許庁

The dielectric structure 1 includes a dielectric substrate 2, a first electrode 4a provided on a first surface S1 of the dielectric substrate 2, and a second electrode 4b provided inside the dielectric substrate 2 or on a second surface S2 opposite to the first surface S1 of the dielectric substrate 2.例文帳に追加

誘電体基板２と、誘電体基板２の第１表面Ｓ１に設けられた第１電極４ａと、誘電体基板２の内部若しくは誘電体基板２の第１表Ｓ１面に対向する第２表面Ｓ２に設けられた第２電極４ｂとを備える。 - 特許庁

To provide a glass substrate for a flat panel display and a manufacturing method of the glass substrate capable of preventing a flaw on a surface of the glass substrate from adversely affecting quality of a display image regardless of the size of the flaw on the surface of the glass substrate, by a simple structure.例文帳に追加

簡易な構成によって、ガラス基板表面の傷の大小に関わらずガラス基板表面の傷が表示画像の質に悪影響を与えることを防止することが可能なフラットパネルディスプレイ用ガラス基板および同ガラス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring substrate capable of improving the reliability of electric connection between a wiring substrate and a mounting structure, whereby an yield of the mounting structure is improved and the manufacturing cost is reduced.例文帳に追加

配線基板と実装対象物との電気的接続の信頼性を高めることができ、これによって得られる実装構造体の歩留まりの向上及び製造コストの低下を図ることのできる配線基板を提供する。 - 特許庁

A cooler 9 is arranged under a condition to surround the target 15 and the substrate 8, and the cooler 9 has heat pump structure 17 in which a coolant 18 is sealed, or structure for making the coolant flow as a fluid in a flow passage surrounding the substrate 8.例文帳に追加

更に、ターゲット１５と基板８を囲む状態で冷却装置９を配置し、冷却装置９は冷媒１８を密封したヒートポンプ構造１７、又は冷媒を流体として基板８を取り囲む流路に流す構造とする。 - 特許庁

The first and the second grooves G1A and G2A have the same phase structure when viewed from the first substrate side and the first and the second recording layers 21A and 22A preferably have the same phase structure when viewed from the first substrate side.例文帳に追加

この第一グルーブＧ１Ａと第二グルーブＧ２Ａが第一基板側から見て同一の位相構造であり、第一記録層２１Ａと第二記録層２２Ａとが第一基板側から見て同一の位相構造であることが好ましい。 - 特許庁

The nanocarbon material composite 1 comprises a substrate 2 and a nanocarbon material 3 with a particulate protrusion structure grown on the substrate 2, wherein the particulate protrusion structure has a diameter of 50-500 nm.例文帳に追加

基体２と基体２上に成長した粒子状突起構造を有し、粒子状突起構造の直径は５０ｎｍ〜５００ｎｍであるナノ炭素材料３から成ることを特徴とするナノ炭素材料複合体１を提供する。 - 特許庁

To provide a material for easily forming a structure of a thin film, which is formed on a substrate and is easily thermally separated from the substrate, which is uniform and easily formed into a desired shape, thickness and dimensions, and which has high strength, and to provide a structure.例文帳に追加

基板に形成する熱分離しやすい薄膜の構造体で、画一的で所望の形状、厚み、寸法が容易に形成でき、かつ強度の大きい構造体を形成するための材料と構造体を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof ensuring an electrical connection between a floating structure and a support substrate by realizing abutment of the floating structure on the support substrate without another abutment.例文帳に追加

本発明は、半導体装置及びその製造方法に係り、浮動構造体の支持基板への当接を他の当接を生じさせることなく実現させて、浮動構造体と支持基板との電気的接続を確保することにある。 - 特許庁

Void parts 12, each of which has a cyclic structure 13 of causing optical diffraction at the interface, are formed in a substrate 11 and a cyclic structure 15 of causing optical diffraction on a part or all of the surface of the substrate 11 is formed.例文帳に追加

光回折を起こす周期構造１３を界面に有する空隙部１３を基材１１の内部に形成するとともに、基材１１の表面の一部又は全部に光回折を起こす周期構造１５を形成する。 - 特許庁

The deposition substrate 1 is provided in which a thin film layer 3 having an uneven structure is deposited in a flat part on the surface of a depositing substrate 2, and the uneven structure is formed by depositing the thin film layer 3 including indium oxide.例文帳に追加

成膜基板１は、被成膜基板２表面の平坦部に、凹凸構造を有する薄膜層３が成膜された基板であって、凹凸構造は、酸化インジウムを含んだ薄膜層３が成膜されることで形成されたものとする。 - 特許庁

Then, in order to improve composition controllability of an Fe_3Si layer and form an ordered structure layer having a half metal structure, an Fe_3Si magnetic layer is formed on a silicon substrate using a semiconductor substrate formed of SiC or having SiC on a surface.例文帳に追加

この際Fe_3Si層の組成制御性の向上および、ハーフメタル構造を有する規則構造相形成のためにSiCからなる半導体基板を使用あるいは表面にSiCを有するシリコン基板上にFe_3Si磁性相を形成する。 - 特許庁

The photoelectric conversion structure, containing the H-I-C absorption layer, employs a transformation buffer layer, by forming a lattice constant gradient between the photoelectric conversion structure and a substrate, so that the desired kind of substrate can be formed.例文帳に追加

このＨ−Ｉ−Ｃ吸収層を含む光変換構成体は、光変換構成体と基板との間で格子定数勾配を形成するように変成バッファ層を用いることにより、任意の種類の基板に形成できる。 - 特許庁

To provide a packaging structure manufacturing method wherein a wiring board to be mounted on a substrate is reduced in external dimensions in the process of mounting a wiring board on a substrate, and to provide a packaging structure, an electro-optical apparatus, and electronic equipment.例文帳に追加

基板に配線基板を実装する場合に、実装する配線基板の外形を小さくすることが可能な実装構造体の製造方法、実装構造体、電気光学装置、および電子機器を提供することを目的とする。 - 特許庁

The substrate 100 having an embedded structure comprises a glass substrate 101, having a groove formed on the main surface, and an embedded structure 102 made of a first material deposited in the groove and having a surface substantially being flush with the main surface.例文帳に追加

埋め込み構造を有する基板１００は、主面に形成された溝を有するガラス基板１０１と、溝内に堆積された第１材料から形成され、主面と略面一の表面を有する埋め込み構造１０２を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a low-dielectric-constant film-wiring laminated structure part comprising a silicon substrate, a laminated structure of a low-dielectric-constant film and a wiring provided on the silicon substrate, the low-dielectric-constant film being made hard to peel.例文帳に追加

シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置において、低誘電率膜を剥離しにくいようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a seal ring structure and having a semiconductor substrate partially removed, the semiconductor device preventing deterioration in humidity resistance due to plugs constituting the seal ring structure being exposed in a portion in which the semiconductor substrate is removed, a method for manufacturing the device, and an electronic information device using the device.例文帳に追加

シールリング構造を有し、半導体基板の一部を除去した半導体チップにおいて、シールリング構造を構成するプラグが、半導体基板を除去した部分で露出することによる耐湿性の劣化を回避する。 - 特許庁

To prevent a pattern from being destroyed by preventing the surface of a fine structure of a substrate or the like from being naturally dried in the atmosphere, when the fine structure of the semiconductor substrate is dried after it is developed with a liquefied or supercritical fluid.例文帳に追加

液化または超臨界流体で現像後の半導体基板等の微細構造体を乾燥するに当たり、基板等の微細構造体の表面が大気で自然乾燥しないようにして、パターンの倒壊等を防止する。 - 特許庁

A substrate product W2 including a semiconductor structure 45 of a principal surface 45a formed of a Ga surface is prepared, and a substrate product W1 including a semiconductor structure 19 of a principal surface 19a formed of a N surface is prepared.例文帳に追加

Ｇａ面からなる主面４５ａの半導体構造物４５を含む基板生産物Ｗ２が準備され、Ｎ面からなる主面１９ａの半導体構造物１９を含む基板生産物Ｗ１が準備される。 - 特許庁

To make a low-dielectric constant film hardly separate, in a semiconductor device provided with a low-dielectric constant film wire-layered structure part comprising layered structure of a silicon substrate, the low-dielectric constant film provided on the silicon substrate, and a wire.例文帳に追加

シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置において、低誘電率膜が剥離しにくいようにする。 - 特許庁

Next, in order to form a plurality of fins composed of a plurality of portions of the semiconductor substrate and the semiconductor structure, a plurality of upper portions of the semiconductor substrate and a plurality of portions of the semiconductor structure are removed.例文帳に追加

次に、前記半導体基板および前記半導体構造の複数の部分からなる複数のフィンを形成するために、前記半導体基板の複数の上部および前記半導体構造の複数の部分を除去する。 - 特許庁

The light emitting diode includes a substrate, a light emitting stacked structure formed on the substrate, a dual dopant contact layer formed on the light emitting stacked structure, and a transparent conducting oxide layer formed on the dual dopant contact layer.例文帳に追加

この発光ダイオードは、基板、基板上に形成された発光積層構造物、発光積層構造物上に形成されたデュアルドーパント接触層、及びデュアルドーパント接触層上に形成された透過導電性酸化層を有している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of selectively etching the predetermined structure by protecting a semiconductor substrate even though an arrangement density and a size of the structure formed on the semiconductor substrate are nonuniform.例文帳に追加

半導体基板の上に形成された構造体の配置密度や大きさに不均一性があっても、半導体基板を保護しながら所望の構造体を選択的にエッチングすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser elements LD3 of two wavelengths are formed, in which a first semiconductor laser structure LD1 and a second semiconductor laser structure LD2 integrated on an n-type semiconductor substrate 1, in a direction perpendicular to a semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１上に第１の半導体レーザ構造ＬＤ１、第２の半導体レーザ構造ＬＤ２が半導体基板に垂直な方向に集積されて２波長の半導体レーザ素子ＬＤ３が形成されている。 - 特許庁

A surface emitting laser has a semiconductor substrate 1, a laser device 20 having a first post structure formed on the semiconductor 1, and an electrode pad 30 having a second post structure formed on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

本発明に係る面発光レーザは、半導体基板１と、半導体基板１上に形成される第１のポスト構造のレーザ素子部２０と、半導体基板１上に形成される第２のポスト構造の電極パッド部３０とを有する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an all-layer IVH structure high density wiring substrate, employing a film with a good productivity, and to provide a multi-layer wiring substrate structure capable of realizing electric connection between wiring layers with a high reliability.例文帳に追加

フィルムを用いた全層ＩＶＨ構造高密度配線基板の生産性の良い製造方法を提供すると共に、配線層間の電気的接続を高い信頼性で実現する多層配線基板構造を提供すること。 - 特許庁

To reduce the exfoliation of low-dielectric constant films in a semiconductor device having a silicon substrate and a low-dielectric constant film wiring laminated structure part made up of a laminated structure of the low-dielectric constant films and wiring which are provided on the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置において、低誘電率膜が剥離しにくいようにする。 - 特許庁

In one embodiment, this light-emitting element contains a substrate, a nucleating layer arranged on the substrate, a defect-reducing structure arranged above the nucleating layer, and an n-type group III nitride semiconductor layer arranged above the structure.例文帳に追加

一実施形態において、発光素子は、基板、基板上に配置された核形成層、核形成層の上方に配置された欠陥低減構造、及び、欠陥低減構造の上方に配置されたｎ型III族窒化物半導体層を含む。 - 特許庁

In order to solve the task above, the piezoelectric component for containing a piezoelectric element adopts an enclosed package structure for the piezoelectric element by arranging a substrate mounting the piezoelectric element, locating a substrate acting like a spacer on the substrate mounting the piezoelectric element, and arranging a substrate for drive components of an electronic apparatus to the spacer substrate.例文帳に追加

課題を解決するために本発明は、圧電素子を収納する圧電部品において、該圧電素子を実装する基板と、該基板上にスペーサとなる基板を配置し、前記スペーサ基板に電子機器の駆動部品用基板を配置することで、該圧電素子を密閉容器構造とすることにより課題を解決する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a substrate passing wiring substrate and a method for manufacturing a complex substrate, which have high designing flexibility of a wiring structure, and enable a high dense three-dimensional mounting, and also to provide a method for manufacturing an electronic device using the passing wiring substrate and complex substrate.例文帳に追加

配線構造の設計自由度が高く、高密度な三次元実装を可能とする貫通配線を備えた貫通配線基板の製造方法や複合基板の製造方法、及びこれらの製造方法により形成された貫通配線基板や複合基板を用いた電子装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The first cover substrate 2 and the second cover substrate 3 are formed in the same overall dimensions as the overall dimensions of the mirror forming substrate 1, and the first cover substrate 2 has, on the outer surface side opposite to the mirror forming substrate 1, a fine cyclic structure 6 which is formed of a translucent resin or a low melting point glass and suppresses light reflection.例文帳に追加

第１のカバー基板２および第２のカバー基板３がミラー形成基板１と同じ外形寸法に形成され、第１のカバー基板２におけるミラー形成基板１とは反対の外表面側に、透光性樹脂もしくは低融点ガラスにより形成され光の反射を抑制する微細周期構造６を有する。 - 特許庁

A wiring substrate 11 with a stiffener has a wiring substrate 40 which has a substrate main surface 41 and a substrate back surface 42 and has a structure in which a plurality of resin insulating layers 43-46 and a plurality of conductor layers 51 are laminated, and a rectangle and frame-like stiffener 31 joined at the substrate main surface 41 side.例文帳に追加

スティフナ付き配線基板１１は、基板主面４１及び基板裏面４２を有し、複数の樹脂絶縁層４３〜４６及び複数の導体層５１を積層してなる構造を有する配線基板４０と、基板主面４１側に接合される矩形枠状のスティフナ３１とを備える。 - 特許庁

A thermoelectric conversion unit 1 has: a case 4 in which a passage 4a2 having an open structure is formed and molded; a first substrate 2b covering an open part of the passage 4h; a second substrate 2c disposed facing the first substrate 2b; and multiple thermoelectric conversion elements 2a disposed between the first substrate 2b and the second substrate 2c.例文帳に追加

熱電変換ユニット１は、開放構造の流路４ａ２が形成されかつ成型されたケース４と、流路４ｈの開放部を塞ぐ第一基板２ｂと、第一基板２ｂに対向して配置される第二基板２ｃと、第一基板２ｂと第二基板２ｃの間に配置される複数の熱電変換素子２ａとを有する。 - 特許庁

A support structure is manufactured, which includes: a package substrate 5A; a support substrate 6 fixed to a mount surface 2 of the package substrate 5A; the oscillator 8 supported on the support substrate 6 and corresponding to the prescribed detection axis Z; and adhesive parts 9A and 9B for bonding the support substrate 6 to the mount surface 2.例文帳に追加

パッケージ用基板５Ａ、パッケージ用基板５Ａの実装面２に固定されている支持基板６、支持基板６上に支持されており、所定の検出軸Ｚに対応する振動子８、および支持基板６と実装面２とを接着する接着部９Ａ、９Ｂを備えている支持構造を製造する。 - 特許庁

The spacer structure is provided with a first surface 24a opposed to the first substrate, a second surface opposed to the second substrate, a platy support substrate 24 having a plurality of electron beam passing holes 26 opposed to the electron emission sources, and a plurality of spacers 30 erected between the second surface of the support substrate and the second substrate, respectively.例文帳に追加

スペーサ構体は、第１基板に対向した第１表面２４ａ、第２基板に対向した第２表面、およびそれぞれ電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔２６を有した板状の支持基板２４と、支持基板の第２表面と第２基板との間に立設された複数のスペーサ３０と、を有している。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit is provided with logic cones, having a structure in which substrates are separated from each other and substrate potentials can be controlled; and a substrate feeding potential switching part 110 for feeding a substrate potential to the logic cones, from either a first substrate feeding line or a second substrate feeding line, depending on an input trigger signal.例文帳に追加

基板が相互に分離された構造で、基板電位を制御できるように構成したロジックコーンと、入力されたトリガ信号に応じて、第１の基板供給線および第２の基板供給線の何れかからロジックコーンに基板電位を供給する基板供給電位切り替え部１１０を設ける。 - 特許庁

In a rigid flexible substrate having a multilayer structure in which the flexible substrate and a hard substrate are superposed, an opening 1 is provided in the hard substrate 10 to expose part of the flexible substrate, and a semiconductor element 3 is mounted on the exposed part in the opening 1 by using a flip chip bonding method.例文帳に追加

フレキシブル基板と硬質基板とを重合した多層構造を有するリジットフレキシブル基板において、硬質基板１０に開口１を設けてフレキシブル基板の一部を露出させ、上記開口１内の露出部に、半導体素子３をフリップチップボンディング法を用いて実装することを特徴とする。 - 特許庁

In the method for manufacturing the uneven substrate for forming the uneven structure by dipping the crystal semiconductor substrate 1 in an alkaline solution containing a surfactant and etching the surface of the substrate, an adhesive 2 is adhered in a dotted manner on the surface of the substrate 1 before dipping the substrate 1 in the alkaline solution.例文帳に追加

界面活性剤を含むアルカリ性溶液中に結晶系半導体基板１を浸漬し、該基板の表面をエッチングすることによって凹凸構造を形成する凹凸基板の製造方法において、前記基板１をアルカリ性溶液中に浸漬する前に、基板１の表面に点状に粘着剤２を付ける。 - 特許庁